「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 次へ＞- The method for manufacturing elements on flexible substrates includes a step of holding a plurality of flexible substrates 14 on a supporting substrate 10 having less dimensional variation than the flexible substrates in a divided state and a step of patterning elements on respective flexible substrates held on the supporting substrate.
可撓性基板上に素子を製造する方法であって、前記可撓性基板よりも寸法変化率の小さい支持基板１０上に複数の前記可撓性基板１４を分割した状態で保持する工程と、前記支持基板上に保持された各可撓性基板上に素子をパターニングする工程と、を含むことを特徴とする素子の製造方法。 - 特許庁 - The package of the fabric semiconductor device comprises a fabric printed circuit board which has textile fabrics, and a lead part formed by patterning a conductive material on the textile fabrics; a semiconductor device which has an electrode connected to the lead part of the fabric printed circuit board; and a molding part which seals the fabric printed circuit board and the semiconductor device.
布製半導体素子のパッケージは、織布と、前記織布上に導電材をパターニングして形成されたリード部（lead）と、を有する布製印刷回路基板と、前記布製印刷回路基板のリード部に接続された電極部を有する半導体素子と、前記布製印刷回路基板と、前記半導体素子とを密封する成形部（molding）と、を含む。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a flexible wiring circuit board which causes no deterioration of patterning accuracy and less pattern fault, and is relatively easy to downsize its production equipment and its lead time can be relatively shortened and can be cut out by laser cutting method, even if the pattern pitch of the flexible wiring circuit board is made extremely small.
フレキシブル配線回路基板のパターンピッチが非常に小さくなった場合であっても、パターニング精度が低下せず、パターン不良も生じにくく、製造設備の小型化も比較的容易であり、リードタイムを比較的短くすることができ、レーザーカッティング法で抜き加工を実施することもできるフレキシブル配線回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the microstructure array, a thermoplastic resin material 2 is applied to a substrate 1 in a desired patterning shape corresponding to the arrangement of a desired microstructure array, the patterned thermoplastic material layer 2 is deformed in a discrete state by heat treatment, and a continuous film 3 is formed on the deformed surface of the thermoplastic material layer 2 and the substrate 1.
マイクロ構造体アレイの作製方法において、基板1上に熱可塑材料層2を所望のマイクロ構造体アレイの配列に応じて所望の形状でパターニングし、離散状態においてパターニングした熱可塑材料層2を熱処理にて変形させ、変形した熱可塑材料層2面及び基板2上に連続膜3を形成する。 - 特許庁 - To provide a resist polymer which has high sensitivity and resolution and causes only a small number of defects and a small degree of line edge roughness upon development, when used for a resist composition in DUV excimer laser lithography or electron beam lithography, its manufacturing process, a resist composition containing the resist polymer and a patterning process using the resist composition.
ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等においてレジスト用組成物に用いた場合に、高感度、高解像度であり、現像時のディフェクトや、ラインエッジラフネスが小さいレジスト用重合体、その製造方法、レジスト用重合体を含むレジスト用組成物、および、このレジスト用組成物を用いたパターン製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a rubber blanket for fine line patterning capable of printing a target pattern by a surface rubber of the rubber blanket having surface roughness within a prescribed range with respect to surface roughness of a surface of a printing body, and a method for manufacturing the rubber blanket having prescribed surface roughness.
この発明は、細線パターニング用のゴムブランケットにおいて、ゴムブランケットの表面ゴムの表面粗さが、被印刷体の表面の表面粗さに対して所定の範囲にあることにより目的とするパターンの印刷が出来ることを見出したものであり、更に所定の表面粗さを持つゴムブランケットを製造する方法を明らかにしたものである。 - 特許庁 - The method for forming the element of an RFID tag 10 is provided with a process for patterning multiple parts where affinities with respect to functional liquid differ, and a process for selectively giving functional liquid to a part where affinity with respect to functional liquid is high in the multiple parts on an element forming substrate 11.
ＲＦＩＤタグ１０などの素子を形成する方法であって、素子形成基板１１上に、機能性液体に対する親和性が互いに異なる複数の部分をパターニングする工程と、前記機能性液体を、前記複数の部分のうち前記機能性液体に対する親和性が高い部分に選択的に付与する工程と、を有する。 - 特許庁 - According to this constitution, the transparent conductive film 3 is irradiated with ultraviolet rays, the thin metal wire 7 in the transparent conductive film 3 is oxidized by the photocatalytic action of the photocatalyst particles 9 irradiated with the ultraviolet rays to form an insulator, and by selectively performing this process, the patterning process of the transparent conductive film 3 can be performed.
この構成によれば、透明導電膜３上に紫外線が照射され、紫外線が照射された光触媒粒子９の光触媒作用により、透明導電膜３内の金属細線７を酸化して絶縁体とすることができ、これを選択的に行うことで、透明導電膜３のパターニング処理を行うことができる。 - 特許庁 - In a semiconductor manufacturing method that comprises forming an inorganic film on the surface of a semiconductor element, applying a heat resistant polymer protection film on the inorganic film, patterning the protection film, and then performing the dry-etching of the exposed inorganic film; the dry-etching is performed by mixed gas consisting of fluorinated methane and oxygen or hydrogen.
半導体素子上に無機膜が施され、該無機膜上に耐熱性高分子保護膜が施され、該耐熱性高分子保護膜がパターン加工された後露出された該無機膜をドライエッチングする製造方法において、フッ素化メタンと酸素もしくは水素とからなる混合ガスによりドライエッチング処理を行う半導体装置の製造方法である。 - 特許庁 - To provide a vertical sealing device in which precise patterning is executed by solving bending phenomenon of a substrate generated in the horizontal sealing device at sealing and difficulty or the like in handling when applied to a large-sized substrate, and which can be manufactured even in the atmosphere, and to provide a method of manufacturing an organic electroluminescent display device using the same.
本発明は、水平封止装置で発生した封止時基板の撓み現象及び大型化された基板に適用時取扱上の難しさ等を解決して精密パターンを遂行することができて、大気中でも製作可能な垂直形封止装置及びそれによる有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for forming the conductive path or the electrode includes steps of ablating a metal fin particle containing layer containing metal fine particles each having a mean particle size of 50 nm or less and in a state that fine particles are isolated by an organic material on a support, patterning the metal fine particle containing layer in a target shape, and then heating to heat and fusion-bond the metal fine particles.
支持体上に、平均粒径が５０ｎｍ以下の金属微粒子を含有し、微粒子間が有機物により隔離された状態である金属微粒子含有層をアブレーションさせることで目的形状様にパターニングした後、加熱することにより金属微粒子を熱融着させることを特徴とする導電路又は電極の形成方法。 - 特許庁 - Patterning is carried out without using a conventional photolithographic method or the like but by focusing a UV laser beam B to a polymer layer 3 for photo-bleaching coated with a low refractive index layer 2 to irradiate the layer while either a substrate 1 side or the laser beam B is relatively moved so as to form a core layer 5 as a light propagation layer and side clad layers 6 to guide the light.
従来のようなフォトリソグラフィ等を用いないで低屈折率層２で覆われたフォトブリーチング用ポリマ層３に紫外線レーザビームＢを集光、照射しながら基板１側又はレーザビームＢのいずれかを相対的に移動させてパターニングを行ない、光伝搬層となるコア層５及びそれをガイドする側面クラッド層６，６を形成する。 - 特許庁 - To provide a lithographic apparatus including: an illumination system for adjusting a beam of radiation; and to provide a support structure designed to support a patterning device.
リソグラフ投影装置で基板照射に使う放射線が汚染物質と反応して投影システムの光学素子を劣化させる対策として使う従来のパージフードは、レンズ面の表面に沿って洗浄ガスを流すために固定してあるので、基板との隙間を十分小さく維持することが困難であると共に基板を損傷するおそれもあり、これらを解決すること。 - 特許庁 - A lithography projection apparatus is provided with a substrate holder for supporting at least one substrate, a patternizing means for patterning a projection beam according to a desired pattern, and at least one vacuum chamber including a projection means for projecting the above patterned projection beam at the target portion of the above substrate.
本発明は、さらに、少なくとも１つの基板を保持するための基板ホルダと、所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するためのパターン化手段と、前記パターン化された投影ビームを前記基板の目標部分に投影するための投影手段とを含む少なくとも１つの真空チャンバを備えるリソグラフィ投影装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of more reliably forming a semiconductor material layer, an electrode, and a wiring pattern, especially the pattern of source and drain electrodes requiring precise patterning in a thin-film transistor, and to provide a method of forming a semiconductor channel having high mobility precisely with improved reproducibility together with the electrode pattern.
薄膜トランジスタにおいて、より確実に半導体材料層また電極や配線パターン、特に、高精度なパターニングが要求されるソース、ドレイン電極のパターンを形成する方法を提供することにあり、更に電極パターンと共に移動度が高い半導体チャネルを高精度、再現性よく形成する方法を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a polyamide resin for providing a polybenzoxazole resin or a polyimide resin or their copolymer excellent in low stress properties, and to provide a positive photosensitive resin composition which can be subjected to a patterning treatment, a semiconductor device and a display element and to provide a method for manufacturing the semiconductor device and the display element.
低応力性に優れたポリベンゾオキサゾール樹脂又はポリイミド樹脂又はその共重合樹脂を提供することを目的とするポリアミド樹脂とそれらを用いたパターン加工ができるポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置及び表示素子並びにそれら半導体装置及び表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method comprises the stages of: providing a substrate having semiconductor layer which includes low concentration doping region adjacent to each both sides of channel region, and each source/drain regions adjacent to the low concentration region; and, after forming gate insulating film and conductive film on the substrate in order, forming a gate electrode by patterning the above-mentioned conductive film.
チャンネル領域両側に各々隣接した低濃度ドーピング領域及び低濃度ドーピング領域に各々隣接したソース/ドレーン領域を含む半導体層が形成されている基板を提供する段階及び基板上にゲート絶縁膜及び導電膜を順に形成した後、前記導電膜をパターニングしてゲート電極を形成する段階を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁 - The method includes steps of depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.
また、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁 - The liquid crystal display device has a counter electrode facing pixel electrodes and drives liquid crystal by applying an electric field between the pixel electrodes and counter electrode in parallel to a substrate surface, and a pixel part is exposed repeatedly from one mask for patterning.
本発明の液晶表示装置の製造方法は、画素電極に対向する対向電極を有し、該画素電極および該対向電極の間に基板面に対して水平方向の電界を印加して液晶を駆動する液晶表示装置の製造方法において、画素部を露光する際に１枚のマスクから繰り返し露光してパターニングする液晶表示装置の製造方法である。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a semiconductor chip 30 mounted on a flexible printed wiring board 20 having a wiring pattern 21 formed by patterning a conductor layer 11 deposited at least on one side of an insulating layer 12 and mounting the semiconductor chip and provided with a release layer 13 on the side of the insulating layer 12 opposite to the side mounting the semiconductor chip.
絶縁層１２の少なくとも一方面に積層された導体層１１をパターニングして形成されると共に半導体チップが実装される配線パターン２１を有すると共に前記絶縁層１２の半導体チップが実装される側とは反対側の面上に離型層１３が設けられているフレキシブルプリント配線板２０上に、半導体チップ３０を実装した半導体装置である。 - 特許庁 - A first process for producing an electric circuit component comprises steps (a) for forming a nonconductive trench structure on a substrate, (b) for patterning solution containing an electroless plating medium in the trench on the substrate by ink jet technology, and (c) for depositing a conductive substance in the opening of the trench structure by electroless plating followed by or not followed by elctroplating.
本発明の電気回路部品の第１の製造方法は、（ａ）基板上に非導電性の溝構造を形成する工程；（ｂ）インクジェット技術によって、該基板上の溝に無電解メッキ触媒含有溶液をパターニングする工程；および（ｃ）無電解メッキ法または無電解メッキ法に続く電解メッキ法により、該溝構造の開口部に導電性物質を析出させる工程を含む。 - 特許庁 - This manufacturing method includes a process of patterning a photoresist 2 by performing a developing process after coating the surface of a substrate 1 with the photoresist and performing proximity exposure of the photoresist 2 through a photomask 7, and then a process performing a heat treatment and a process of forming a reflecting film 3 on the heat-treated photoresist 2, and the proximity exposure is carried out under specified conditions.
この製造方法では、基板１の表面上にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト２にフォトマスク７を介してプロキシミティ露光を施した後、現像処理を行うことにより、フォトレジスト２をパターニングし、しかる後、熱処理を施す工程と、熱処理されたフォトレジスト２上に反射膜３を形成する工程と備え、プロキシミティ露光を所定の条件で実行する。 - 特許庁 - To provide a method for patterning on the surface of a rock wool board capable of continuously imparting a random complicated pattern by continuously forming a rugged pattern on a surface of a wet mat and thereafter drying to harden the mat to form a rock wool board with a surface pattern and capable of improving a surface decorativeness and improving a productivity.
ウエットマットの表面に模様付けロールで連続的に凹凸模様を形成し、しかる後、ウエットマットを乾燥硬化させて表面模様付けロックウールボードを形成することで、ランダムな複雑な模様を連続的に付与することができ、表面化粧性の向上と生産性の向上をも図ることができるロックウールボードの表面模様付け方法を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a transparent conductor in which an auxiliary electrode layer is formed partially on a concavo-convex part by vapor depositing obliquely a conductive material without patterning, and high transparency and high conductivity are realized compatibly, and which includes an improved light extraction efficiency when used for a light emitting element, and a manufacturing method of the transparent conductor for manufacturing the transparent conductor efficiently.
凹凸部に導電性材料を斜め蒸着することによりパターニングなしで、部分的に補助電極層を形成可能であり、高透明性と高導電性を両立することができ、発光素子に用いると光取り出し効率の向上を図れる透明導電体、及び該透明導電体を効率よく製造することができる透明導電体の製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method for detecting failure of database patterns of a photomask in which different space widths are applied according to critical dimensions of lines of the patterns of the photo mask to detect patterning failure varied according to illuminating systems, sub-films and thicknesses of resist, and to preliminarily detect failure, such as collapse or bridges, generated from the different lengths of pattern lines having the same critical dimension.
フォトマスクパターンのライン臨界大きさ別に差等的なスペース幅を適用することで、照明系、サブ膜、レジスト厚さなどによって変わるパターニング不良を検査することができ、同一の臨界大きさを有するが、パターンラインの相異なる長さにより発生する崩れまたはブリッジなどの不良を予め検査できるフォトマスクデータベースパターンの不良検査方法を提供する。 - 特許庁 - The exposure phase includes fast switching for the conditioning of the radiation beam to a second beam condition, with the second beam condition which is different from the first beam condition, forming the patterned radiation beam by imparting the radiation beam with the second beam condition with a second pattern in its cross-section, with the second pattern being provided by a patterning device, and projecting the patterned beam onto a target portion of the substrate.
露光段階は、放射ビームを、第１のビーム条件とは異なる第２のビーム条件に調整する高速切替えステップと、第２のビーム条件を含む放射ビームに、その断面のパターニングデバイスが提供した第２のパターンを付与することによりパターン形成された放射ビームを形成するステップと、基板のターゲット部分上にパターン形成されたビームを投影するステップとを含む。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a color filter substrate in which a plurality of color filters are formed through patterning processes, such as pattern exposure and development by use of an exposure mask having a transflective region formed at an end of a transmissive region so as to reduce an overlapped step-like portion of the color filter formed on a black matrix 21a, and to provide the color filter substrate.
ブラックマトリクス２１ａ上に形成される着色フィルタのオーバーラップ（重なり）段差を減少させるために、透過領域の端部に半透過領域が形成された露光マスクを用いてパターン露光、現像等のパターニング処理を行って複数の着色フィルタを形成するカラーフィルタ基板の製造方法及びカラーフィルタ基板を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A growth source region 2, a target region 3 provided away from it, an amorphous silicon path 4, which made of one bent part 4a, connects the growth source region 2 to the target region 3, and a peripheral amorphous silicon region 5 which encloses the growth source region 2, amorphous silicon path 4, and target region 3, are formed by patterning an amorphous silicon film.
成長源領域２と、成長源領域２に対して隔離されたターゲット領域３と、成長源領域２とターゲット領域３とを繋ぎ、１つの屈曲部４ａを有する非晶質珪素経路４と、成長源領域２、非晶質珪素経路４およびターゲット領域３取り囲む周囲非晶質珪素領域５とを、非晶質珪素膜をパターニングして形成する。 - 特許庁 - The method includes: a step of manufacturing first and second photosensitive layers 52a and 52b laminated at both ends of a laminate 50 having a base material film 32, first and second conductive layers 40 and 45 laminated at both the ends of the base material film, and a light shielding layer laminated on the conductive layers; and a step of etching and patterning the light shielding layer and the conductive layers.
製造方法は、基材フィルム３２と、基材フィルムの両側に積層された第１および第２の導電層４０，４５と、導電層上に積層された遮光層と、を有する積層体５０の両側に積層された第１および第２の感光層５２ａ，５２ｂを製版する工程と、その後、遮光層および導電層をエッチングしてパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁 - A semiconductor device comprises a polyorganosiloxane-cured relief pattern obtained by a method comprising a step of applying a certain polyorganosiloxane composition to obtain a coating film on a substrate; a step of irradiating the coating film with an active ray through a patterning mask to photo-cure an exposure part; a step of removing an uncured part of the coating film by using a developer; and a step of heating each of the substrates.
基材上に、特定のポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を得る工程、 パターニングマスクを介して該塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該塗布膜の未硬化の部分を除去する工程該基材ごと加熱する工程からなる方法によって得られるポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンを含む半導体装置。 - 特許庁 - To provide a method for forming a resist pattern by which ArF (argon fluoride) excimer laser light can be used as exposure light upon patterning, a resist pattern can be stably made thick to a desired thickness without depending on the size, and a fine resist cut-out pattern can be inexpensively, easily and efficiently formed over the exposure limit (resolution limit) of a light source of an exposure device.
パターニング時に露光光としてＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザー光をも利用可能であり、レジストパターンをそのサイズに依存することなく、所望の厚みに安定的に厚肉化することができ、露光装置の光源における露光限界（解像限界）を超えて微細なレジスト抜けパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジストパターンの形成方法等の提供。 - 特許庁 - The nozzle portion 11 of the silicone substrate 1 is manufactured by coating a polyimide precursor 101a on the portion to be the nozzle portion 11 of a silicone base material 100, forming a polyimide mask 101b for the formation of the nozzle portion by patterning the polyimide precursor 101a into a desired shape, and applying etching on the portion to be the nozzle portion 11 of the silicone base material 100 using the polyimide mask 101b.
シリコン基板１のノズル部１１は、シリコン基材１００のノズル部１１となる部分にポリイミド前駆体１０１ａを塗布し、このポリイミド前駆体１０１ａを所望の形状にパターニングしてノズル部形成用のポリイミドマスク１０１ｂを形成し、このポリイミドマスク１０１ｂを用いてシリコン基材１００のノズル部１１となる部分をエッチングして製造する。 - 特許庁 - Also, the patterning roller is characterized in that, the height of the washer-like projecting row is made higher than the height of the circular arc projection, and the number of washer-like projecting rows is three or more and the mutually adjacent circular-arc projections formed at different grooves are formed circumferentially at different angular positions on the cylindrical base surface.
また、座金状凸条の高さが円弧状突起の高さに比べ高くすること、円弧状突起の円周方向片端ないし両端の突起高さを他の部分に比べ高くしたこと、座金状凸条が３本以上であり、異なる溝に形成した隣接する円弧状突起が円柱状基面の円周方向において、異なる角度位置に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a low-cost Ag alloy film and an Ag alloy reflecting film which have a fixed value as a reflection factor within a visible light range while keeping a high reflection factor and has heat resistance and corrosion resistance and have adhesion to a substrate and a patterning capability improved and to provide a flat panel display device having the Ag alloy film and a sputtering target material for Ag alloy film formation.
高反射率を維持した上で、可視光範囲での反射率が一定値になり、耐熱性、耐食性を兼ね備え、基板への密着性とパタニング性を改善した低コストなＡｇ合金膜およびＡｇ合金系反射膜、ならびにそのＡｇ合金膜を有する平面表示装置およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a color filter substrate by simply correcting a black matrix exposure pattern, fabricating an exposure mask and forming a black matrix in a black matrix forming process in which a series of patterning treatments such as pattern exposure with a proximity exposure method on a black photosensitive resin layer on a transparent substrate, a development treatment and so on are conducted.
透明基板上の黒色感光性樹脂層に近接露光法（プロキシミティー）にてパターン露光し、現像処理等の一連のパターニング処理を行ってブラックマトリクスを形成する工程において、簡易的にブラックマトリクス露光パターンのパターン補正を行って露光マスクを作製してブラックマトリクスを形成するカラーフィルタ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The method comprises the steps of: forming a silicon (Si) substrate; forming a silicon oxide film located on the substrate; forming a lower electrode, to which patterning has been conducted and which is located on the silicon oxide film; letting a PGO film located on the lower electrode be selectively deposited; annealing; and forming an upper electrode located on the PGO film.
本発明の方法は、シリコン（Ｓｉ）基板を形成する工程と、この基板の上に位置するシリコン酸化膜を形成する工程と、シリコン酸化膜の上に位置するパターニングされた下部電極を形成する工程と、下部電極の上に位置するＰＧＯ膜を選択堆積させる工程と、アニールする工程と、ＰＧＯ膜の上に位置する上部電極を形成する工程とを包含する。 - 特許庁 - The method of lithography patterning includes: forming a first resist pattern including a plurality of openings, on a substrate 110; forming a second resist pattern including at least one opening between the plurality of openings of the first resist pattern; and removing the first resist pattern to expose a part of the substrate 110 covered by the first resist pattern.
リソグラフィパターンの形成方法は、複数の開口を含む第１のレジストパターンを基板１１０上に形成する工程と、第１のレジストパターンの複数の開口の間に、少なくとも１つの開口を含む第２のレジストパターンを形成する工程と、第１のレジストパターンを除去し、第１のレジストパターンで覆われている基板１１０の一部を露出させる工程と、を含む。 - 特許庁 - An air temperature prediction part 116 generates forecast weather pattern information obtained by patterning a weather forecast, reads out a date (date of similar weather) of weather pattern information matching the generated forecast weather pattern, reads out a reference air temperature difference associated with the read date, and adds the read reference air temperature difference to a reference air temperature calculated on the basis of an air temperature model to calculate an air temperature predictive value.
気温予測部１１６は、天気予報をパターン化した予報天気パターン情報を生成し、生成した予報天気パターンにマッチする天気パターン情報の日付（天気類似日付）を読み出し、読み出した日付に対応する基準気温差を読み出し、気温モデルに基づいて算出される基準気温に、読み出した基準気温差を加算して気温の予測値を算出する。 - 特許庁 - The method for preparing metal powder includes the steps of: providing a base substrate 100; forming a pattern layer 110, having a concavo-convex pattern of a predetermined shape, on the base substrate 100; forming a metal film 120a separated from the pattern layer 110 by the concave-convex pattern 111; and separating the metal film 120a from the pattern layer 110, thereby naturally patterning the metal film 120a in the predetermined shape.
ベース基板１００を用意し、該ベース基板１００上に一定な形状の凹凸パターン１１１のパターン層１１０を形成し、該パターン層１１０上に該凹凸パターン１１１により互いに分離された金属薄膜１２０ａを形成し、該パターン層１１０から該金属薄膜１２０ａを分離することによって自然に該金属薄膜１２０ａを該一定な形状にパターニングする。 - 特許庁 - The semiconductor layer 15 in the thin film transistor TFT is formed, by patterning a photothermal conversion layer 22 only on a region which serves as a channel layer on an amorphous silicon thin film 15x formed on one surface side of the substrate 11, and then irradiating the whole area of the substrate 11 with a laser beam BM, by laser beam scanning and applying thermal annealing to crystallize the amorphous silicon thin film 15x.
薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層１５は、基板１１の一面側に成膜された非晶質シリコン薄膜１５ｘに対して、チャネル層となる領域上にのみ光熱変換層２２をパターニング形成した後、レーザー光ＢＭを走査して基板１１全域に照射し、熱アニールを施すことにより、非晶質シリコン薄膜１５ｘが結晶化されて形成される。 - 特許庁 - The lithographic device is equipped with an illumination system constituted to adjust an irradiation beam, a supporting body constituted to support a patterning device capable of forming a patterned irradiation beam by setting a pattern on the sectional surface of the irradiation beam, a substrate table constituted to support a substrate, and a projection system constituted to project the patterned irradiation beam to the target of the substrate.
リソグラフィ装置は、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築された支持体と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムとを備える。 - 特許庁 - When balls such as solder balls are mounted on substrates 400 to be mounted, a cutting process of cutting a multiple patterning substrate 500 patterned with the plurality of substrates 400 to divide into the respective substrates 400 and electric inspection on the respective substrates 400 are performed in predetermined order, and balls are mounted only on substrates 400 determined as conforming articles through the electric inspection.
搭載対象の基板４００に半田ボール等の球状体を搭載する際に、基板４００が複数面付けされた多面付け基板５００を切断して各基板４００に分割する切断処理、および各基板４００に対する電気的検査を所定の順序で実行し、電気的検査において良品と判別された基板４００にのみ球状体を搭載する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a metal oxide thin film pattern by applying a photosensitive metal-organic material precursor solution onto a substrate without using a photosensitive prepolymer resin and directly patterning a coating film layer of the applied solution by a nanoimprint system and to provide the metal oxide thin film pattern patterned directly by this forming method and a method for producing an LED element including a photonic crystal layer by using this forming method.
本発明は、感光性プレポリマーレジンを使用せずに、感光性金属有機物前駆体溶液を基板に塗布して、ナノインプリント方式で直接パターニングする金属酸化薄膜パターンの形成方法、当該形成方法によって直接パターニングされた金属酸化薄膜パターン、および、当該形成方法によって光結晶層を含むＬＥＤ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method comprises the steps of providing a mold plate, patterning a set of rings arrayed across the mold plate, opening spaces between the rings so that the rings become an in-situ mask on the mold plate, directing an optical polymer into the spaces between the rings, polymerizing the optical polymer to form an array of ring lenses, and transferring the array of ring lenses to a substrate.
本方法は、型板を設ける工程と、型板に配列されたリングのセットをパターニングする工程と、リング間に、該リングが上記型板上で原位置マスクとなるようにスペースを開ける工程と、上記リング間のスペースにオプティカル・ポリマを向ける工程と、オプティカル・ポリマを重合させてリング・レンズのアレイを形成する工程と、リング・レンズのアレイを基板へ移送する工程とを含む。 - 特許庁 - The method includes steps of: providing a substrate; forming a barrier layer on the substrate, patterning the barrier layer, and thus exposing a portion of the substrate to form an electrode pattern region; changing the surface property of the substrate in the electrode pattern region to form a visible patterned mark; removing the barrier layer; and using the visible patterned mark as an alignment mark.
本発明による方法は、基板を提供する段階と、基板に障壁層を形成し、更に障壁層をパターン化して基板の一部を露出させて電極パターン領域を形成する段階と、電極パターン領域の基板の表面特性を変えて、パターン化可視マークを形成する段階と、障壁層を除去する段階と、パターン化可視マークをアラインメントマークとする段階とを含む。 - 特許庁 - The manufacturing method of a plasma display panel equipped at least with a plurality of transparent electrodes 2a, 3a, a plurality of bus electrodes 2b, 3b and a plurality of blackstripes is one of first forming at least a transparent electrode film 14 over a whole display area, then forming bus electrodes 2b, 3b and blackstripes and afterwards patterning the transparent electrode film into a given pattern shape.
少なくともガラス基板上に複数の透明電極２ａ，３ａと複数のバス電極２ｂ，３ｂと複数のブラックストライプを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、少なくとも表示領域全面に透明電極膜１４を形成した後、バス電極２ｂ，３ｂとブラックストライプを形成し、その後透明電極膜１４を所定のパターン形状にパターニングする方法である。 - 特許庁 - After a resist window pattern 3 is formed by adhering photoresist 2 onto a substrate 1 and patterning it by photolithography, the substrate 1 is etched by dry etching to form an overhang 5, a pattern material 6 of metal is vapor-deposited thereupon, and the photoresist 2 is removed to remove an unnecessary pattern material 6a, thereby forming a desired pattern 6b.
基板１上にフォトレジスト２を被着形成し、これをフォトリソグラフィでパターニングしてレジスト窓パターン３を形成した後、等方性ドライエッチングで基板１をエッチングすることによりオーバーハング５を形成し、その上から金属のパターン材料６を蒸着し、フォトレジスト２を除去することによって不要なパターン材料６ａを除去して所望のパターン６ｂを形成する。 - 特許庁 - The method includes: a step of forming an insulating film; a step of forming a conductive film on the insulating film; a step of forming a pixel electrode with an aperture by patterning the conductive film; and a step of forming the contact hole for communicating with the insulating film through the aperture by an etching method using the pixel electrode with the aperture as an etching mask.
絶縁膜を成膜する工程と、絶縁膜の上に導電膜を成膜する工程と、導電膜をパターニングして開口が設けられた画素電極を形成する工程と、開口が設けられた画素電極をエッチングマスクとしてエッチング法により絶縁膜に開口と連通するコンタクトホールを形成する工程と、を有することを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製造方法。 - 特許庁 - A method for manufacturing the organic electroluminescent display device comprises a step of preparing the base substrate of the donor substrate; a step of washing the base substrate; a step of forming a transfer layer on the washed based substrate; and a step of patterning the transfer layer by disposing the donor substrate and a substrate with a pixel electrode formed thereon oppositely to each other.
本発明に係る有機電界発光表示装置の製造方法は、ドナー基板のベース基板を用意する段階と、前記ベース基板を洗浄する段階と、前記洗浄されたベース基板上に転写層を形成する段階と、前記ドナー基板を画素電極が形成された基板と対向するようにして、前記転写層をパターニングする段階と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁 - The circuit board is produced by bonding the metal circuit board onto the ceramic substrate through the solder material, patterning the bonded metal circuit board and a corresponding solder material layer to form a metal circuit, and then removing a part of a conductive reaction layer formed through reaction of the solder material and the basic material of the ceramic substrate and exposed between the patterns of the metal circuit.
本回路基板は、セラミック基板に上記ろう材を用いて接合し、接合された金属回路板及びそれに対応するろう材層をパターン形成して金属回路を形成し、ろう材及びセラミッ基板の基材との反応によって形成された導電性の反応層のうち上記金属回路のパターン間により露出した部分を除去して製造される。 - 特許庁
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