「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 68 69 70 71 72 73 74 75 76 .... 78 79 次へ＞- The word line pattern is formed by patterning a floating gate pattern 57a covering the first active region 53a, a first gate interlayer insulating film 64a formed on the whole surface of a cell array region having the floating gate pattern and a second conducting film 69 formed on the first gate interlayer insulating film 64a.
ワードラインパターンは第１活性領域５３ａを覆う浮遊ゲートパターン５７ａ、浮遊ゲートパターンを有するセルアレイ領域の全面に形成された第１ゲート層間絶縁膜６４ａ及び第１ゲート層間絶縁膜６４ａの上に形成された第２導電膜６９をパターニングして形成する。 - 特許庁 - The oxide film, containing Nb, is used for the hysteresis film, and the metal nitride film is used for the upper and lower electrodes; and thus, patterning of the upper electrode can be specifically executed at a high selective rate for the hysteresis film, and the MIM device and an electronic apparatus by using the MIM device can be manufactured readily.
ヒステリシス膜にＮｂを含む酸化膜を使い、上下の電極に金属窒化物膜を使うことにより、特に上部電極のパターニングを、ヒステリシス膜に対して高い選択比で実行することが可能となり、ＭＩＭ素子、およびかかるＭＩＭ素子を使った電子装置の製造を、容易に実行することが可能となる。 - 特許庁 - In addition, a manufacturing method of a display device includes a process to use the adhesive layer 4 as a color filter layer by applying patterning by carrying out exposure and development after transferring the phosphor layer 3 and the adhesive layer 4 to the inner surface of a display panel by using the thermally-sensitive transfer film F.
また、この感熱性転写フィルムＦを用いて表示パネルの内面へ蛍光体層３および接着剤層４を転写した後、露光、現像を行ってパターニングを施すことにより接着剤層４をカラーフィルタ層として用いるようにする工程を含む表示装置の製造方法でもある。 - 特許庁 - A method for manufacturing a semiconductor device includes a process of manufacturing a thickened resist pattern by forming a resist pattern on a base layer and then coating the resist pattern surface with the thickening material to thicken the resist pattern and a process of patterning the base layer by etching the base layer by using the thickened resist pattern.
下地層上にレジストパターンを形成後、該レジストパターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該レジストパターンを厚肉化し厚肉化レジストパターンを製造する工程と、該厚肉化レジストパターンを用いてエッチングすることにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - To provide a multiple patterning wiring substrate the matrix substrate of which is formed by a sintered body of a non-metallic inorganic material and which is cut with excellent workability while suppressing the occurrence of troubles such as chipping by means of the dicing machining of the matrix substrate at the boundary of a wiring substrate region.
非金属無機材料の焼結体で母基板が形成された多数個取り配線基板であって、配線基板領域の境界において母基板をダイシング加工により、チッピング等の不具合の発生を抑制しながら、作業性を良好として切断することが可能な多数個取り配線基板を提供する。 - 特許庁 - A conductor layer 21 on an insulating substrate 11 is subjected to patterning treatment to form a wiring layer 21a, and a negative type resist is coated, dried and patternwise exposed to form a patternwise exposed first negative type photosensitive layer 41a, on which a patternwise exposed second negative type photosensitive layer 51a is also formed.
まず、絶縁基材１１上の導体層２１をパターンニング処理して配線層２１ａを形成し、ネガ型のレジストを塗布、乾燥、パターン露光してパターン露光された第一ネガ型感光層４１ａを、さらに、パターン露光された第一ネガ型感光層４１ａ上にパターン露光された第二ネガ型感光層５１ａを形成する。 - 特許庁 - An organic EL light source is designed to include a linear transparent electrode that is subjected to patterning with a line width thinner than the thickness of a light guide plate, a metal electrode that is thicker than the line width of the linear transparent electrode and permits a mirror reflection, and an organic EL material provided between the linear transparent electrode and the metal electrode.
有機ＥＬ光源を、導光板の厚みより細い線幅でパターニングされた線状透明電極と、線状透明電極の線幅より太く鏡面反射可能な金属電極と、線状透明電極と金属電極との間に設けられた有機ＥＬ材料を備えることとした。 - 特許庁 - A surface characteristic of the organic resin film is improved and peeling liquid is prevented from penetrating inside the organic resin film when the resist film formed on the organic resin film is peeled (including after peeling of the resist film) for patterning the organic resin film by previously plasma-processing a surface of the organic resin film.
有機樹脂膜の表面を予めプラズマ処理することにより、有機樹脂膜の表面特性を改善し、有機樹脂膜のパターニングのために有機樹脂膜上に形成されたレジスト膜を剥離する際（レジスト膜の剥離後も含む）に剥離液が有機樹脂膜内部に浸透するのを防ぐことを特徴とする。 - 特許庁 - In a method of manufacturing a silicon spin conducting element 10, there are provided a first step of forming a silicon channel layer 7 by patterning a silicon film 3 by wet etching and a second step of forming a magnetization free layer 12C and a magnetization fixed layer 12B which are spaced apart from each other on the silicon channel layer 7.
シリコンスピン伝導素子１０の製造方法において、シリコン膜３をウェットエッチングによりパターニングしてシリコンチャンネル層７を形成する第一工程と、シリコンチャンネル層７上に、互いに離間された磁化自由層１２Ｃ及び磁化固定層１２Ｂを形成する第二工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing an increase in etching targets due to a high aspect ratio in forming a contact by means of an auto-alignment contact, overcoming a step by a hard mask used in auto-alignment contact etching, facilitating subsequent patterning, and simplifying processes.
オートアライメントコンタクトを利用したコンタクト形成の際、高い縦横比によるエッチングターゲットの増加を防止でき、オートアライメントコンタクトエッチングに用いるハードマスクによる段差を克服し、後続のパターニングを容易に行い、かつ、処理を単純化させることができる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To prevent an n-type amorphous silicon film and an intrinsic amorphous silicon film from remaining unnecessarily even if a foreign matter exists on the formed n-type amorphous silicon film when the formed n-type amorphous silicon film and the intrinsic amorphous silicon film are subjected to patterning by dry etching in manufacturing of a thin film transistor.
薄膜トランジスタの製造に際し、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜のパターニングをドライエッチングによって行なうとき、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜上に異物が存在しても、ｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜が不要に残存しないようにする。 - 特許庁 - After a water-repelling resin layer 11 is formed on the surface thereof, a photo resist layer 12 is formed thereon, to which halftone exposure is applied with a mask adjusted in the exposure amount, and then patterning is performed by etching so that contact holes 10b, 10c reaching the matrix circuit and a recessed part 10a are formed in a contact hole area.
その表面に撥水性樹脂層１１を形成した後、その上にフォトレジスト層１２を形成し、露光量を調整したマスクでハーフトーン露光を施し、エッチングによりコンタクトホール領域にマトリクス回路に達するコンタクトホール１０ｂ，１０ｃと、凹所領域１０ａとが形成されるようにパターニングする。 - 特許庁 - To provide a cell culture substrate which can co-culture different kinds of cells coexisting in a living body tissue in a patterned state, is easy in patterning, can sufficiently hold the functions of the cultured cells, and enables the peeling of the cultured cells in a state holding the functions of the cells after cultured.
本発明の目的は、生体組織において共存する異種の細胞をパターニングした状態で共培養することの可能な、パターニングが容易であり、かつ、培養細胞の機能が充分に保持され、また培養後に細胞機能を保持したまま剥離することの可能な細胞培養基材を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a structure, capable of increasing the latitude of design and making both the increase of display area and the miniaturization of a liquid crystal device compatible with each other by adopting a structure of an upper/lower conductive part, capable of narrowing the width of a peripheral part of a display region without being affected by the patterning accuracy of alignment layer.
配向膜のパターニング精度に影響されることなく、表示領域の周囲部分の狭幅化を図ることが可能な上下導通部の構造を採用することによって、設計の自由度を増大させ、液晶装置における表示面積の増大と小型化とを両立することができる構造を提供する。 - 特許庁 - In the mask for patterning the thin film used when the thin film is patterned on a color filter consisting of the organic polymer layer, a rugged part is formed on the surface on at least the side coming in contact with the organic polymer layer of the mask and at least the boundary of the rugged part is coated with a resin film.
有機高分子層よりなるカラーフィルタ上に薄膜をパターン形成する際に使用する薄膜パターン化用マスクにおいて、マスクの少なくとも前記有機高分子層と接触する側の面に凹凸を形成し、かつ少なくとも凹凸境界部分に樹脂膜をコーティングしたことを特徴とする薄膜パターン化用マスク。 - 特許庁 - Furthermore, a lens forming layer 22 of photosensitive layer is formed, subject to patterning, and exposed to ultraviolet rays of wavelengths 350 to 400 nm to turn into a lens formation pattern layer 22a, the pattern layer 22a is made to flow by heating to turn into a microlens array 23 composed of microlenses 22b, and thus a solid-state image sensing device 100 is obtained.
さらに、感光層からなるレンズ形成層２２を形成し、パターニング処理を行って、波長３５０ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線を露光してレンズ形成パターン層２２ａを形成し、加熱フローさせてマイクロレンズ２２ｂ及びマイクロレンズアレイアレイ２３が形成された固体撮像素子１００を得る。 - 特許庁 - Since elongation of source and drain depletion layers 27, 28 can be controlled and the depletion layer regions 29s, 29d not contributing to the threshold voltage of a MOS transistor can be minimized, short channel effect is suppressed resulting in a highly stable high performance semiconductor device in which finer patterning can be effected.
この構造によれば、ソース、ドレイン空乏層２７、２８の伸びを抑えることが出来、ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧に寄与しない空乏層領域２９ｓ、２９ｄを最小限に出来るので、ショートチャネル効果を抑制し、より微細化が可能で安定性の高い高性能なＭＯＳトランジスタを実現できる。 - 特許庁 - To provide a resin making a resist film surface well hydrophobic in patterning by immersion exposure, making an immersion liquid following property well, at the same time, prohibiting a developed acid from elution to immersion liquid and showing an effect for suppressing a development defect, and to provide a production method for the above and a positive-type resist composition containing the resin.
液浸露光によるパターニングにおいて、良好にレジスト膜表面を疎水化し、液浸液追随性を良好とするとともに、液浸液への発生酸の溶出を防止し、現像欠陥の抑制に効果を示す樹脂、及び、その製造方法、該樹脂を含有するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - A mask M3 for forming gates is disposed on a lower surface of the substrate and light is applied from a lower portion, a shadow generated by a light-shielding region of the mask M3 and that generated by the source and drain electrodes 120, 130 become non-exposure regions of the resist layer 191, and a gate electrode layer is formed by patterning.
基板下面にゲート形成用マスクＭ３を配置して下方から光を照射し、マスクＭ３の遮光領域によって生じる影とソース電極１２０およびドレイン電極１３０によって生じる影とが、レジスト層１９１の非露光領域となるような背面露光を行い、パターニングしてゲート電極層を形成する。 - 特許庁 - To provide a resist material for manufacturing a substrate having a nanoscale rugged structure by patterning a resin composition applied to the surface of a substrate to be processed by a nanoimprinting method to form a resin layer having a rugged structure and then processing the substrate by a dry etching method using the resin layer as a resist.
被加工基材上に塗布した樹脂組成物をナノインプリント法にてパターニングを行い、凹凸構造を有する樹脂層を形成し、この樹脂層をレジストとしてドライエッチング法にて加工することによりナノスケールの凹凸構造を有する基材を製造するためのレジスト材料を提供すること。 - 特許庁 - To uniformly bring a pattern formed surface of a mold into pressure contact with the surface to be imprinted of a magnetic recording medium over the entire surfaces for forming a pattern shape which is uniform and has excellent reliability, in a process for performing patterning of a fine shape on a discrete track medium and a patterned medium using an imprint technique.
インプリント技術を用いてディスクリートトラックメディアやパターンドメディアに微細な形状パターニングを行うプロセスにおいて、均一かつ信頼性に優れた形状パターンの形成を行うためには、モールドのパターン形成面と磁気記録媒体の被インプリント面とを全面に渡って均一に圧接することが必要である。 - 特許庁 - Since the electron beam shielding region 11 adheres tightly to the pattern formation layer 2 by the effect of the minute adhesiveness of the minute adhesive layer 14, the electron beam does not enter the region that shields the electron beam from an oblique direction even if an inexpensive general-purpose electron beam irradiation device is used, thereby allowing very fine and high-resolution patterning.
微粘着層１４の微粘着効果により、パターン形成層２に電子線遮蔽領域１１が密着するので、汎用型の安価な電子線照射装置を使用しても、電子線を遮蔽する領域に電子線が斜め方向から入射することがなく、高精細、高解像度のパターニングが期待できる。 - 特許庁 - To provide an electronic component which comprises enabling its thinning and downsizing as a result of densifying integrated elements, and enhancing Q factor in the element which employs mainly an inductive element such as an inductor and a resonator, as a result of enhancing a patterning accuracy and an interlayer accuracy, and to provide a manufacturing method therefor.
内蔵素子の高密度化が可能となり、その結果、薄型化、小型化が可能となると共に、パターニング精度や層間精度を高くすることができ、インダクタ、共振器等のような主として誘導成分を用いる素子においてはＱ値の高いものが得られる構成の電子部品とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the nozzle sheet used for an ink-jet head of an ink-jet printer adopts a process of exposing a first photosensitive resin sheet 20 on which a photosensitive liquid repelling film 21 is formed and patterning first nozzles 21a, 20a at the same time on the photosensitive liquid repelling film 21 and the first photosensitive resin sheet 20.
インクジェットプリンタのインクジェットヘッドに用いられるノズルシートは、感光性撥液膜２１が形成された第１感光性樹脂シート２０に露光し、感光性撥液膜２１及び第１感光性樹脂シート２０に一度に第１ノズル２１ａ、２０ａのパターニングを行う工程を採り入れた製造方法とする。 - 特許庁 - To solve the problem that a transistor varies in element characteristics resulting from unevenness in film thickness, patterning precision, etc., of a semiconductor film and a gate insulating film laminated in a manufacturing stage, and a polysilicon transistor further has variance in crystallinity depending upon a crystal growth direction, a defect at a crystal gain boundary, etc.
トランジスタは、製造過程における積層された半導体膜やゲート絶縁膜の膜厚の不均一性や膜のパターニング精度等に起因して素子特性がばらつき、ポリシリコントランジスタの場合は加えて、結晶成長方向や結晶粒界における欠陥等により結晶性がばらついてしまう。 - 特許庁 - The optional pattern is formed with high precision and high accuracy by patterning the photo paste, prepared by imparting photosensitive function to a functional material such as having conductivity, by printing such as offset, screen and after that, exposing, developing and removing excess parts due to the correction of the shape, the short defect or the like, drying and firing.
導電等の機能材料に感光性の機能を付加したフォトペーストをオフセットやスクリーン等の印刷によりパターニングした後、露光、現像を行い、形状の補正やショート欠陥等の余分な部分を除去し、乾燥焼成により任意のパターンを高精度高精細に形成することができる。 - 特許庁 - To provide a method for patterning an organic thin film capable of preventing the surface of an organic semiconductor layer from being damaged, an organic thin-film transistor capable of preventing the surface of the organic semiconductor layer from being damaged and reducing OFF-current and its manufacturing method and an organic electroluminescent display provided with the organic thin-film transistor.
有機半導体層の表面損傷を防止できる有機薄膜をパターニングする方法、有機半導体層の表面損傷を防止し、オフ電流を減少させることができる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、有機薄膜トランジスタを備えた有機電界発光表示装置を提供する。 - 特許庁 - The anode forming process includes a process of forming an insulating film 15 on the anode A after patterning the anode A in a predetermined shape, and further providing the insulating film 15 with an opening to expose the metal, and in the organic layer forming process, the organic layer 10 is formed to come into contact with the metal in the opening.
又陽極形成工程は、陽極Ａを所定の形状にパターニングした後、陽極Ａ上に絶縁膜１５を形成し、更に絶縁膜１５に開口を設けて金属を露出させる処理を含み、有機層形成工程は、開口にて金属と接するように有機層１０を形成する。 - 特許庁 - To provide a structure which increases the degree of freedom of design and not only increases the display area on a liquid crystal device but also miniaturize the device by adopting a structure of a vertical conduction part with which the peripheral part of a display area can be narrowed without being affected by the patterning precision of an alignment layer.
配向膜のパターニング精度に影響されることなく、表示領域の周囲部分の狭幅化を図ることが可能な上下導通部の構造を採用することによって、設計の自由度を増大させ、液晶装置における表示面積の増大と小型化とを両立することができる構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a fluorescent converting filter having a fluorescent converting film capable of converting the light of an area from the near ultraviolet area to the green area emitted by a light emitting element to the light of the red area and capable of accurate patterning and showing the excellent display performance, and to provide a color display device having this filter.
発光素子が発する近紫外領域から緑色領域の光を赤色領域の光に変換することができるとともに、高精細なパターニングが可能である蛍光変換膜を有し、優れた表示性能を発揮する蛍光変換フィルタおよび該フィルタを有してなるカラー表示装置を提供する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing a transmissive type optical modulation element, firstly a driving circuit is formed on a Si (silicon) substrate, secondly a film of a transmissive type optical modulation part is formed on the driving circuit and a patterning is performed, then the driving circuit and the transmissive type optical modulation part are transferred from the Si substrate to a transparent substrate.
透過型光変調素子の製造方法において、まず、Ｓｉ（シリコン）基板上に駆動回路を形成し、次に、その上に透過型光変調部の成膜をしてパターニングを行い、その後、前記駆動回路と前記透過型光変調部を前記Ｓｉ基板から透明基板上に転写するようにした。 - 特許庁 - The patterning step for applying an electron beam is provided with a correction step for changing a way of irradiation (irradiation quantity and position) of the electron beam in the respective areas where the structural body of a first wiring layer 1 forming a lower wiring structure exists, in consideration of the structural body on alignment in advance.
電子線を照射するパターニング工程は、下層配線構造を形成する第一配線層１等の構造体の各々が露光に与える影響を予め考慮し、上記構造体の各々の存在領域それぞれについて、上記電子線の照射の仕方（照射量や照射位置等）を変える補正ステップを有する。 - 特許庁 - The polarizing element 1 includes: a substrate 11A; a plurality of metal filaments 18A provided on the substrate 11A by patterning a metal film by means of etching; and a deposition film 118 formed in an upper end part of each metal filament 18A, by chemical reaction of an etching gas with an etching product when etching the metal film.
基板１１Ａと、金属膜をエッチングによりパターニングし基板１１Ａ上に設けられた複数の金属細線１８Ａと、金属膜のエッチング時におけるエッチングガス及びエッチング生成物が化学反応することで各金属細線１８Ａの上端部に形成されてなる堆積膜１１８とを備えた偏光素子１である。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an optical element by which the following problem is solved without requiring addition of a new step; even if a polymerizable liquid crystal is cooled after holding at a temperature showing liquid crystal regularity, the liquid crystal recrystallizes between bringing back to room temperature and an exposure/development step and by which patterning is also possible if necessary.
重合性液晶を液晶規則性を示す温度で保持した後冷却しても、常温に戻してから露光／現像の工程までの間に再結晶化する問題があった点を、新たな工程の追加の必要もなく、必要に応じてパターン化も可能な光学素子の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - A stencil mask manufacturing process in the preceding back etching process includes forming gradations of a film thickness of a resist left in a pattern field, after developing by adjusting the amount of exposed light, and selectively thinning a masking substrate film in a minute pattern formation field, with an aspect ratio higher than that of the surrounding region, prior to patterning.
先行バックエッチングプロセスのステンシルマスク製造工程において、現像後のパターン領域のレジスト残膜厚に露光量を調整することにより階調をつけ、周辺領域よりアスペクト比が高い微細パターン形成領域のマスク基板膜厚を選択的にパターニング以前に薄膜化することにより、ステンシルマスクを形成する。 - 特許庁 - To provide a transfer material for forming a circuit, which is to be used for transferring a circuit pattern obtained from patterning a metal foil on an insulating board or ceramic green sheet, which is suitable for the increase in fineness of a circuit pattern, and which can relax the heat pressing conditions and enables to transfer the circuit pattern naturally and stably.
金属箔のパターニングにより得られた回路パターンを絶縁性基板またはセラミックグリーンシートに転写するのに用いられる、回路パターンの微細化に対応することができ、熱プレス条件を緩和でき、かつ回路パターンを無理なくかつ安定に転写することを可能とする回路形成用転写材を提供する。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method which can form a uniformly thin film having an thickness of not more than 100 nm applicable to lithography using nanoimprint for patterning in not more than 100 nm and can be applied to nanoimprint, and to provide a manufacturing apparatus of an electrolyte film for pattern formation which can realize such a method.
１００ｎｍ以下のパターニングが可能なナノインプリントを用いたリソグラフィーに適用できる１００ｎｍ以下でも均一な厚みの薄膜形成ができ、それをナノインプリントに応用できるようパターンの形成方法とそのような方法を実現することができるパターン形成用電解質膜の製造装置を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing an exposure mask includes: a step S1 of patterning a light shielding film 2 formed on a quartz substrate 1 to form a light shielding pattern 2c; and a step S4 of directly measuring the level difference H from the surface of the quartz substrate 1 to the upper face of the light shielding pattern 2c and obtaining the measured value of the level difference H.
石英基板１上に形成された遮光膜２をパターニングして遮光パターン２ｃを形成するステップＳ１と、石英基板１の表面から遮光パターン２ｃの上面までの段差Hを直接測定して、該段差Hの実測値を得るステップＳ４と、を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法による。 - 特許庁 - In the liquid crystal display, a planarization layer covering pigment dispersion layers 14-R, 14-G, 14-B which are laminated and patterned for each of primary colors R, G, B(red, green, blue) separately and block matrices 13 is provided, and thereon a number of columnar spacer protrusions 11 having uniform dimension of protrusion and distribution are constructed with resin coating and patterning.
Ｒ，Ｇ，Ｂの各原色について別個に積層、パターニングされる顔料分散層１４−Ｒ，１４−Ｇ，１４−Ｂ、及びブラックマトリクス１３を覆う平滑化層１６を設け、この上に、樹脂の塗布及びパターニングによって、突出寸法及び分布の均一な多数の柱状スペーサ突起１１を設ける。 - 特許庁 - To provide a construction method for a housing concrete foundation using a concrete placement form, allowing proper and convenient construction in various designs on a foundation portion exposed to a ground without requiring special patterning plates, forms to be prepared or special plastering finish.
住宅建築における基礎（土台）をコンクリート打設用型枠により施工する方法において、特別な模様板や型枠の用意あるいは特別な左官工仕上作業を必要とすることなく、地面より露出した基礎部分に、適宜に、多様なデザイン（意匠）が簡便に施工できる住宅建築用コンクリート基礎の施工方法。 - 特許庁 - To lessen dispersion in etched dimensions in a base barrier metal layer by completing with one patterning of a resist into an etching mask when an aluminum alloy wiring layer not less than 3 μm in thickness deposited on the base barrier metal layer is patterned as desired in a semiconductor device manufacturing process.
半導体装置の製造プロセスにおいて、下地バリアメタル層の上に、３μｍ以上の厚さのアルミニウム合金層が積層された積層配線層を所望のパターンに成形するにあたり、エッチングマスクとなるレジストのパターニングを１回で済ませ、下地バリアメタル層のエッチング寸法のばらつきを小さくすること。 - 特許庁 - The gate pattern is formed by patterning a gate electrode pattern 57b covering the peripheral circuit region, a second gate interlayer insulating film 64b which is formed on the gate electrode pattern and thicker than the first gate interlayer insulating film 64a and a second conducting film 69 formed on the second gate interlayer insulating film.
又、ゲートパターンは周辺回路領域を覆うゲート電極パターン５７ｂ、ゲート電極パターンの上に形成され、第１ゲート層間絶縁膜６４ａより厚い第２ゲート層間絶縁膜６４ｂ、及び第２ゲート層間絶縁膜の上に形成された第２導電膜６９をパターニングして形成する。 - 特許庁 - The method includes the process of placing the molded material 3 on the surface of the mat material 2 and pressin an object to be molded onto the surface of the patterning material 3 to mold the object, the process of hardening the molded material 3 after molded and the process of removing the hardened molded material 3 from the mat material 2.
マット材２の表面に型取り材３を載置し、この型取り材３の表面に型取り対象を押し当てて、型取り対象の型を取る工程と、型を取った型取り材３を硬化させる工程と、硬化させた型取り材３をマット材２から取り外す工程とを含む型取り方法である。 - 特許庁 - After a silicon nitride film 27 and a titanium nitride film 28 are deposited in the order on the semiconductor substrate 1, by patterning the titanium nitride film 28, a capacitor MIM is formed wherein the wiring 25 is set as a lower electrode, the silicon nitride film 27 is made a capacity insulating film and the titanium nitride film 28 is set as an upper electrode.
次いで、半導体基板１上に窒化シリコン膜２７および窒化チタン膜２８を順次堆積した後、窒化チタン膜２８をパターニングすることによって、配線２５を下部電極とし、窒化シリコン膜２７を容量絶縁膜とし、窒化チタン膜２８を上部電極とするキャパシタＭＩＭを形成する。 - 特許庁 - In dry etching employing a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, a defect introduced into a silicon substrate 10 at the time of growth to cause a conical pattern defect is removed by digging down the surface of an isolation trench forming region on a silicon substrate at the time of overetching.
シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁 - A patterning unit 1 is equipped with a chemical seed generating unit 2 which generates chemical seeds from material by irradiating it with a laser beam, a nozzle unit 3 which discharges the chemical seeds generated by the chemical seed generating unit 2, and a movable mechanism 15 which moves the nozzle unit 3 relatively to a base where the chemical seeds are disposed.
材料にレーザー光を照射することによってこの材料から化学種を発生させる化学種発生部２と、化学部発生部２で発生した化学種を吐出するノズル部３と、ノズル部３と化学種が配置される基体との相対的な位置を移動させる可動機構１５とを備えたパターニング装置１。 - 特許庁 - This method for manufacturing a semiconductor memory device includes: a step (a) of sequentially laminating a TMR film 5 and a cap layer 6 on base layers 1, 2, 3 and 4; and a step (b) of patterning the TMR film 5 and the cap layer 6 to form a normal laminate structure pattern 13 and a dummy laminate structure pattern 16 thereof.
本発明に係る半導体記憶装置は、（ａ）下地層１，２，３，４上にＴＭＲ膜５、キャップ層６を順に積層する工程と、（ｂ）ＴＭＲ膜５、キャップ層６をパターニングして、それらの正規積層構造パターン１３およびダミー積層構造パターン１６を形成する工程とを備える。 - 特許庁 - A touch panel (100) according to the present invention includes a transparent substrate (110), a transparent projection part (120) formed on the transparent substrate (110) to surround a partition wall (123) which is subject to patterning, and a transparent electrode (130) formed in the transparent projection part (120) to be surrounded by the partition wall (123).
本発明に係るタッチパネル（１００）は、透明基板（１１０）と、パターニングされた隔壁（１２３）を備えるように前記透明基板（１１０）に形成される透明突出部（１２０）と、前記隔壁（１２３）に取り囲まれるように前記透明突出部（１２０）内に形成される透明電極（１３０）とを含んでなる。 - 特許庁 - To provide a polymer compound suitable as a base resin for a positive resist material, especially for a chemically amplified positive resist material, having a high sensitivity, a high degree of resolution, a good pattern configuration after exposure, and in addition an excellent etching resistance; a positive resist material using the polymer compound; and a patterning process.
高感度および高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the electro-optical device, which includes a process of forming the metallic film on a glass substrate, the glass substrate having the metallic film formed thereon is subjected to heat treatment after formation of the metallic film on the glass substrate and before patterning processing of the metallic film, whereby bend of the glass substrate is relaxed.
ガラス基板上に金属膜を形成する工程を含む電気光学装置の製造方法であって、ガラス基板上に金属膜を形成した後、当該金属膜に対してパターニング処理を行う前に、金属膜が形成されたガラス基板を加熱処理することにより、ガラス基板の反りを緩和することを特徴とする。 - 特許庁
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