「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 66 67 68 69 70 71 72 73 74 .... 78 79 次へ＞- In other words, when a defect occurs in the wiring 20 due to stress such as patterning in a wafer process, the defect causes resistance for increasing the value of the resistance of the wiring 20, and the defect in the wiring 20 is easily and highly sensitively detected.
すなわち、ウェハ工程においてパターニング等によるストレスによって欠陥検査用配線２０内に欠陥が発生すると、その欠陥が抵抗となって、欠陥検査用配線２０の抵抗値が増大するため、欠陥検査用配線２０内の欠陥を容易に、かつ、高感度に検出することができる。 - 特許庁 - A belt-like admixture 31 is passed in turn through pattern forming portions 15-17 comprising calender rolls 11-14 to thereby be formed into a sheet 32 having even thickness; which then it is transferred to a form-patterned roll 20 in order to simultaneously form space patterns 34 for punching operation by space pattern forming projections 25 along with patterning operation.
ベルト状の混和物３１を、カレンダーロール１１〜１４からなる絞り成形部１５〜１７に順に通して、厚みを均一化したシート３２に成形し、型入れ紋付けロール２０に移して、紋付けとともに、予備紋形成型２５により穿孔するための予備紋３４を同時に形成する。 - 特許庁 - A light shielding resist layer 2 is applied to the surface of glass board material 1 by a spin coating, and is irradiated with patterning light through a predetermined photomask to be exposed, then a photosensitive area of the light shielding resist layer 2 is dissolved by a solvent, developed and baked, thereby forming the light shielding resist layer 2 having a predetermined pattern.
ガラス基材１の表面に遮光レジスト層２をスピンコートによって塗布し、所定のフォトマスクによってパターン光を照射して感光させ、遮光レジスト層２の感光領域を溶剤で溶解して現像し、ベーキングして所定のパターンを有する遮光レジスト層２を形成する。 - 特許庁 - When a "coarse" region LD is generated during wiring patterning, as shown in Fig. (a), the shape of a variable shape-wiring region 136a, 130b is deformed such that they fit to one another, and the space between the both cell regions A and B is reduced, as shown in Fig. (b).
図１０(a)に示すように配線パターン中、密度が「疎」である領域ＬＤが生じると、同図(b)に示すように、相互に嵌めあうように形状可変−配線領域１３６ａ，１３０ｂの形状が変形され、両セル領域Ａ，Ｂ間の間隔が短縮される。 - 特許庁 - Then, when etching is started by using oxygen plasma etching in the vertical direction, the thin film 38 of a silicon oxide by oxygen plasma is formed on the surface of the patterned resist layer 37, and the cutting of a groove 47 and patterning in the resin layers 35, 36 is performed by using the silicon oxide layer 38 as a mask.
その後、垂直方向に酸素プラズマエッチングを用いてエッチングを開始すると、パターニングされたレジスト層３７は表面に酸素プラズマにより酸化シリコンの薄膜３８を作り、この酸化シリコン層３８をマスクとして、樹脂層３５および３６に溝４７を掘り、パターニングする。 - 特許庁 - A mask material layer 44 is formed on a substrate 31 composed of a silicon substrate 42 and a monocrystalline silicon device layer 43 interposing an internal layer 41 of silicon dioxide therebetween (Fig. A), and a mask 45 having the same pattern of the flat shape of a target optical device is formed by patterning the mask material layer 44.
二酸化シリコンの中間層４１を挟むシリコン基板４２及び単結晶シリコンのデバイス層４３からなる基板３１にマスク材層４４を形成し（図１０Ａ）、これをパターニングし、目的とする光デバイスの平面形状と同一パターンのマスク４５を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an EL element, in which a problem such as swelling out or eluting out of a buffer layer is not generated even when manufacturing the EL element which has both the organic EL layer, by which patterning is carried out by the photo lithography method, and the buffer layer.
本発明は、フォトリソグラフィー法によりパターニングされる有機ＥＬ層とバッファー層とを共に有するＥＬ素子を製造する場合でも、バッファー層が膨潤もしくは溶出するといった問題が生じることのないＥＬ素子の製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device suppressing process increase such as patterning, reducing an inter-wiring capacity, superior in adhesion and mechanical strength with a dispersion barrier film covering a wiring material and superior in manufacture of an insulating film, and to provide the semiconductor device.
パターニングなどの工程増を抑制し、配線間容量を低減させるとともに、配線材料を被覆する拡散バリア膜との密着性や機械的強度にも優れ、絶縁膜の加工性にも優れた半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a lid material by which patterning of parts needing adherence and parts not needing the adherence can be freely carried out without causing the complication of operation and which exhibits stable adhesiveness and easy peelability to a bottom material, a method for manufacturing the lid material, and a method for easily peeling the lid material.
粘着性の必要な部分と不要な部分とのパターニングを作業の煩雑化等を招くことなく自在に行うことができ、しかも、底材に対して安定した接着性と易剥離性とを示す蓋材、該蓋材の製造方法、及び該蓋材の易剥離方法を提供する。 - 特許庁 - The functions of a protective layer and the alignment layer can be simultaneously performed by patterning the pixel electrode on a source and a drain electrodes and then immediately vapor-depositing polyimide resin on the entire surface of the pattern from a stage for forming a substrate to a stage for forming the alignment layer in the manufacturing process of the liquid crystal display device.
本発明によると、液晶表示装置の製造過程の中、基板から配向膜まで形成する段階でソース及びドレイン電極上に画素電極をパターンニングしてすぐポリイミド樹脂を全面蒸着することで保護層及び配向膜の機能を同時に遂行できるようになる。 - 特許庁 - By the above, since oxidation/reduction reaction and dendrite formation reaction are generated only in the recess formed by surface patterning of the anode current collector, volumetric expansion and contraction of a battery cell due to the change of the thickness of the lithium anode is restrained, and cycle stability and life property are improved.
これにより、負極集電体の表面パターニングによって形成されたリセス内だけで、リチウムの酸化／還元及びデンドライト形成反応が起こるので、リチウム負極の厚さの変化による電池セルの体積膨脹及び収縮が抑制され、サイクル安定性及び寿命特性が向上する。 - 特許庁 - In a patterning method by immersion lithography, a protective coating film is formed on a photoresist layer formed on a wafer, from a resist overcoat material, developing is performed after exposing the layer structure to light in water, wherein a water-insoluble, alkali-soluble material is used as the resist overcoat material.
ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト上層膜材料による保護膜を形成し、水中で露光を行った後、現像を行う液浸リソグラフィーによるパターン形成方法において、上記レジスト上層膜材料として非水溶性でアルカリ可溶性の材料を用いる。 - 特許庁 - Subsequently, a partial cover plating layer 20 is formed in the opening 30a of the first resist 30 and after removing the first resist 30, the partial cover plating layer 20 is covered entirely and a second resist 32 for patterning the through hole plating layer 16 is formed.
続いて、第１レジスト３０の開口部３０ａに部分カバーめっき層２０を形成し、第１レジスト３０を除去した後に、部分カバーめっき層２０の全体を被覆すると共に、スルーホールめっき層１６をパターン化するためのパターンを備えた第２レジスト３２をそれぞれ形成する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the probe needle having the beam and a contact disposed at the tip of the beam, an Si wafer 20 is prepared, a seed layer 21 is formed on the Si wafer 20, and a groove having a desired shape of the beam is formed on the layer by patterning a photo resist 23.
梁と、梁の先端部に設けられるコンタクタとを有するプローブ針の製造方法は、Ｓｉウエハ２０を準備し、Ｓｉウエハ２０の上に、シード層２１を形成し、その上にフォトレジスト２３をパターニングすることにより、梁の所望の形状を有する溝を形成する。 - 特許庁 - To provide a multiple patterning wiring board capable of preventing a mother board from accidentally cracking and reducing probability of burrs occurring on a wiring board when splitting, and to provide a package for storing electronic component with high accuracy of external dimensions and reliability, and an electronic device.
母基板が不用意に割れたりするのを防止するとともに、分割した際に配線基板にバリが発生する可能性を低減した多数個取り配線基板を提供し、外形寸法の精度や信頼性の高い電子部品収納用パッケージおよび電子装置を提供すること。 - 特許庁 - Disclosed is the manufacturing method in which a translucent film and a light shielding film, and an intermediate film stopping etching using chlorine system upon occasion are provided, and chlorine-based gas and fluorine-based gas are used in combination as dry etching gas to carry out patterning in sequence without damaging a lower layer.
透明基板上に、半透過膜と遮光膜と、必要に応じて塩素系ガスのエッチングを停止する中間膜とを設け、ドライエッチングガスとして塩素系ガスとフッ素系ガスを交互に組み合わせて、順次、下層に損傷を与えないようにパターン化していく製造方法を特徴とする。 - 特許庁 - Before forming a patterned lower electrode and a first wiring layer, that is, in a state where a first conductive film is formed on the entire surface, an insulation film for capacitance formation and a second conductive film are successively deposited, then patterning is performed and an upper electrode and a capacitive insulation film are formed.
パターニングされた下部電極及び第１の配線層を形成する前に、つまり第１の導電膜が全面に形成されている状態で、容量形成用絶縁膜及び第２の導電膜を順次堆積した後、パターニングして上部電極及び容量絶縁膜を形成する。 - 特許庁 - It is therefore capable of preventing the wire that should be left from being etched by the film thickness reduction of the resist 21, and preventing a focus deviation during patterning of the third wiring layer 7 by an exposure machine, thereby preventing the occurrence of linewidth variations of the third wiring layer 7.
したがって、レジスト２１の膜減りによって残すべき配線がエッチングされることを防止できると共に、露光機による第３配線層７のパターニング時のフォーカスずれを抑制でき、第３配線層７の線幅にバラツキが生じることを防止することが可能となる。 - 特許庁 - The steps for forming the diffusion layer includes a step for preparing a roller around which a master film is wound, a step for applying a coating liquid to the base film, a step for forming the diffusion pattern by patterning the coating liquid applied to the base film by the roller, and a step for curing the diffusion pattern.
拡散層を形成する段階は、マスターフィルムが巻かれたローラーを準備する段階、ベースフィルムにコーティング液を塗布する段階、ベースフィルムに塗布されたコーティング液をローラーでパターニングして拡散パターンを形成する段階、及び拡散パターンを硬化させる段階を含む。 - 特許庁 - To enable many kinds of cells to be cultured in the same layer, to enable the patterning at a line width of a capillary vessel, to enable a structure to be controlled two-dimensionally (in the membrane direction) and three-dimensionally (in the thickness direction) by nano-scale, and to enable only the cells to be separated evenly from a base material.
本発明の目的は、多種類の細胞を、同一層内で培養を可能にし、毛細血管の線幅でパターニングでき、かつ二次元的（膜面方向）にも三次元的（膜厚方向）にも構造がナノスケールで制御でき、基材から細胞のみを均等に剥離することにある。 - 特許庁 - To obtain a general-purpose semiconductor integrated circuit device by modifying the signal arrangement freely with a re-routing pattern produced through the patterning of a lead frame.
アウターリード部の信号配列を変更するには、ＩＣチップの電極パッドの信号配列を変更するか、金属細線が交差するようなワイヤボンディングを選択することになり、ＩＣチップの再設計、製造するためのフォトマスク類の再作製およびそれらにかかる期間および費用の問題が生じる等の問題が生じる。 - 特許庁 - After forming successively a silicon oxide film, a polysilicon film, an ON film, and a polysilicon film on the respective polysilicon layers 61-63, a control gate electrode 4, a capacity insulation film 17, a floating gate electrode 50, and a tunnel oxide film are formed by patterning them so that they extend over the respective polysilicon layers 61-63.
各ポリシリコン層６１−６３の上にシリコン酸化膜，ポリシリコン膜，ＯＮ膜，ポリシリコン膜を順次形成した後、パターニングして、制御ゲート電極４，容量絶縁膜１７，浮遊ゲート電極５０，トンネル酸化膜を、各ポリシリコン層６１−６３に跨って形成する。 - 特許庁 - A method for manufacturing a solid state imaging element comprises the steps of sequentially forming a first polysilicon film 152A and a first silicon oxide film 154A on a silicon substrate 100A via a transfer gate insulating film 150, then dry etching or the like via a photomask 160, and patterning the film 154A and the film 152A together.
シリコン基板１００Ａ上に転送ゲート絶縁膜１５０を介して第１ポリシリコン膜１５２Ａ、第１シリコン酸化膜１５４Ａを順次成膜した後、フォトマスク１６０を介してドライエッチング等を行い、第１シリコン酸化膜１５４Ａと第１ポリシリコン膜１５２Ａとを併せてパターニングする。 - 特許庁 - To provide a coloring composition for a color filter which is free from the occurrence of wrinkles and has an excellent patterning characteristic with high lightness and high contrast, in display devices such as a liquid crystal display device and an organic EL display, and a color filter using the coloring composition.
液晶表示装置および有機ＥＬディスプレイなどの表示装置において、シワの発生がなく、パターニング特性に優れた高明度、高コントラストなカラーフィルタ用着色組成物の提供、及びこの着色組成物を用いたカラーフィルタを提供することを目的とする。 - 特許庁 - The liquid resin for the base material and one kind or plural kinds of patterning liquid resins are respectively injected in a static mixer from different injection ports and allowed to meet with each other by the mixer element of the mixer to form a confluent mixture which is, in turn, injected in the mold and cured to obtain patterned artificial marble.
基材用の液状樹脂と一又は複数種の模様付け用の液状樹脂をそれぞれ異なる注入口より静的ミキサー内に注入し、該ミキサーのミキサーエレメントで合流させた合流体を成形型に注入して硬化させることにより模様付人工大理石を得る。 - 特許庁 - To obtain a thermal head in which finer patterning is dealt with high pattern accuracy at the time of forming a common electrode and high efficiency print heating can be ensured while eliminating uneven print density even when a low voltage driving printer is used for printing by lowering the wiring resistance between layers.
共通電極を形成する場合に、高微細化に対応しパターン精度が良く積層間での配線抵抗を低く抑える事により、低電圧駆動プリンタでの印字の際にも印字濃度ムラを解消し、かつ高効率の印字発熱効率を行えるようにする。 - 特許庁 - To provide a resin a resin which favorably hydrophobilizes the surface of resist film to improve the followability of immersion liquid in patterning by immersion exposure and which exhibits an effect of preventing coating defect and development defect and to provide a method for production of the resin, and to provide a positive resist composition containing the resin.
液浸露光によるパターニングにおいて、良好にレジスト膜表面を疎水化し、液浸液追随性を良好とするとともに、塗布欠陥、現像欠陥の抑制に効果を示す樹脂、及び、その製造方法、該樹脂を含有するポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁 - Thereby, only the second relay layer 400 and the pixel electrode 9aa can be reliably electrically connected without being affected by formation accuracy of the contact hole 85 and patterning accuracy of the second relay layer 400 extended from the contact hole 85 along the surface of a third interlayer insulating film 43.
これにより、コンタクトホール８５の形成精度及びコンタクトホール８５から第３層間絶縁膜４３の表面に沿って延びる第２中継層４００のパターニング精度等に影響されることなく、確実に第中継層４００及び画素電極９ａａのみを電気的に接続できる。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition capable of retaining suitability to patterning excellent in both sensitivity and resolution even when the amount of a photosensitive agent blended is reduced so as to obtain a light- colored polyimide resin film after imidation and to provide a circuit board with an insulating film obtained from the photosensitive resin composition.
イミド化後に淡色のポリイミド樹脂の皮膜を得るために、感光剤の配合量を低減しても、感度、解像度ともに優れたパターンニング性を保持することのできる、感光性樹脂組成物、および、その感光性樹脂組成物から得られる絶縁層を有する、回路基板を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of conducting patterning for forming a connection hole and an wiring groove by one lithography step by suppressing the complexity of a manufacturing step and using no mask which requires difficult manufacturing and a long manufacturing time.
製造工程が複雑になるのを抑制するとともに、製造が困難で製造に時間がかかるマスクを用いることなく、１回のリソグラフィ工程により接続孔および配線溝を形成するためのパターニングを行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - After a silicon nitride film 27 and a titanium nitride film 28 are deposited in the order on the semiconductor substrate 1, by patterning the titanium nitride film 28, a capacitor MIM is formed wherein the wiring 25 is set as a lower electrode, the silicon nitride film 27 is made a capacity insulating film and the titanium nitride film 28 is set as an upper electrode.
次いで、半導体基板１上に窒化シリコン膜２７および窒化チタン膜２８を順次堆積した後、窒化チタン膜２８をパターニングすることによって、配線２５を下部電極とし、窒化シリコン膜２７を容量絶縁膜とし、窒化チタン膜２８を上部電極とするキャパシタＭＩＭを形成する。 - 特許庁 - In dry etching employing a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, a defect introduced into a silicon substrate 10 at the time of growth to cause a conical pattern defect is removed by digging down the surface of an isolation trench forming region on a silicon substrate at the time of overetching.
シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁 - To provide a construction method for a housing concrete foundation using a concrete placement form, allowing proper and convenient construction in various designs on a foundation portion exposed to a ground without requiring special patterning plates, forms to be prepared or special plastering finish.
住宅建築における基礎（土台）をコンクリート打設用型枠により施工する方法において、特別な模様板や型枠の用意あるいは特別な左官工仕上作業を必要とすることなく、地面より露出した基礎部分に、適宜に、多様なデザイン（意匠）が簡便に施工できる住宅建築用コンクリート基礎の施工方法。 - 特許庁 - To lessen dispersion in etched dimensions in a base barrier metal layer by completing with one patterning of a resist into an etching mask when an aluminum alloy wiring layer not less than 3 μm in thickness deposited on the base barrier metal layer is patterned as desired in a semiconductor device manufacturing process.
半導体装置の製造プロセスにおいて、下地バリアメタル層の上に、３μｍ以上の厚さのアルミニウム合金層が積層された積層配線層を所望のパターンに成形するにあたり、エッチングマスクとなるレジストのパターニングを１回で済ませ、下地バリアメタル層のエッチング寸法のばらつきを小さくすること。 - 特許庁 - The method includes the process of placing the molded material 3 on the surface of the mat material 2 and pressin an object to be molded onto the surface of the patterning material 3 to mold the object, the process of hardening the molded material 3 after molded and the process of removing the hardened molded material 3 from the mat material 2.
マット材２の表面に型取り材３を載置し、この型取り材３の表面に型取り対象を押し当てて、型取り対象の型を取る工程と、型を取った型取り材３を硬化させる工程と、硬化させた型取り材３をマット材２から取り外す工程とを含む型取り方法である。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the organic EL display device, a mask made in a given patterning is placed on a substrate by a letterpress reverse printing method, on which a blanket with a uniform functional film coated is pressed, and through an opening of the mask, the functional film on the blanket is formed on the substrate.
有機ELの製造方法において、凸版反転印刷法で、所定のパターニングされたマスクを基板上に設置し、前記マスク上から、均一な機能性膜がコーティングされたブランケットを押圧し、前記マスクの開口部を通して、基板上に前記ブランケット上の機能性膜を形成することにより解決した。 - 特許庁 - The production process of an electromagnetic wave shielding material comprises a step for forming a substrate with a metal thin film using a metal thin film 4 and a resin substrate material 3 by a melting extrusion laminating method, and a step for patterning the metal thin film into mesh by etching and forming a meshed metal thin film.
金属薄膜４及び樹脂基材原料３を用い、溶融押し出しラミネート法により金属薄膜付基材を形成する工程、該金属薄膜をエッチング法によりメッシュ状にパターニングし、メッシュ状金属薄膜を形成する工程、を有することを特徴とする電磁波遮蔽材およびその製造方法とする。 - 特許庁 - To provide a surface roughening method for copper foil with which the consumption of an anode electrode is reduced even in roughening treatment at a high current density, the roughening treatment can easily be performed at a high current density, and a fine, roughened plating film capable of corresponding to fine patterning or high frequency can be obtained.
高電流密度での粗化めっき処理においても陽極電極の消耗が少なく、高い電流密度で容易に粗化めっき処理を行なうことができ、ファインパターン化または高周波対応可能な微細な粗化めっき膜を得ることができる銅箔の表面粗化方法を提供する。 - 特許庁 - To suppress the deposition of foreign matter on the surface of a reticle pattern by removing chemical materials such as ammonia as materials which cause the formation of deposits from the internal space of a pellicle and to provide a pellicle which retains an accurate pattern shape and patterning precision over a long period of time.
析出物形成のための原因物質であるアンモニア等の化学物質を、ペリクル内空間から除去することでレチクルパターン面に対する異物析出を抑制し、これにより、正確なパターン形状を長期にわたって維持し、長期にわたるパターニング精度維持を図ることが可能なペリクルを提供する。 - 特許庁 - Re-synchronism at the time of demodulating data can be performed based on the pattern by patterning repeatedly recorded data itself after a consecutive recording section at the time of recording data and interpolating a synchronizing signal for demodulating data, even when the next re- synchronism signal is not detected, the demodulation of the next frame data is performed accurately.
データ記録の際に、つなぎ記録部から後の記録データそのものを繰り返しパターン化して、データ復調用の同期信号を補間することにより、そのパターンに基づいてデータ復調の際の再同期を可能とし、次の再同期信号が検出されないときでも、次フレームのデータ復調を正確に行う。 - 特許庁 - To provide a post-ashing treatment solution which prevents the corrosion of metallic wiring and reliably removes residue such as a degenerated photoresist film and a metallic deposition from a substrate subjected a ashing after dry etching under severer conditions in an ultrafine patterning process and a treatment method using the solution.
超微細パターン化プロセスにおけるより過酷な条件のドライエッチング、続いてアッシングが施された基板において、金属配線に対する腐食を防止し、かつホトレジスト変質膜、金属デポジション等の残渣物を確実に除去し得るアッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a letterpress for printing, excellent in printing characteristics, composed of a photopolymer applicable to printing of a circuit pattern such as an organic EL element which requires a fine patterning, and having an improved influence from a contamination by residual organic materials and unremoved foreign matters due to an existence of unwashed sections of the letterpress.
有機ＥＬ素子といった微細なパターニングを必要とする回路パターンの印刷に適用する感光性樹脂よりなり、版未洗浄部の存在による残留有機物の混入（コンタミ）や異物の未除去での影響を改善し、印刷特性の優れた印刷用凸版の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The production process for an embedded printed circuit substrate includes a step 1 for forming a circuit pattern region, in which a part of an insulation layer is etched by laser-patterning the insulation layer produced by laminating photosensitive substance layers; and a step 2 for forming a circuit pattern, by filling the circuit pattern region with a substance for plating.
特に、感光物質層が積層された絶縁層をレーザーパターニングして絶縁層の一部がエッチングされる回路パターン領域を形成するステップ１と、前記回路パターン領域をメッキ物質で充填して回路パターンを形成するステップ２とを含む埋込型印刷回路基板の製造工程を特徴とする。 - 特許庁 - To provide an ultraviolet curable cyan ink containing a cobalt blue pigment which is excellent in weatherability and used for patterning by ink jet recording; and to provide a building board which is patterned by the dots of plural colors including cyan dots of the ultraviolet curable cyan ink containing the cobalt blue pigment.
耐候性に優れた、インクジェット記録による模様付けに用いられる、コバルトブルー顔料を含有する紫外線硬化型シアンインクおよびこのコバルトブルー顔料を含有する紫外線硬化型シアンインクによるシアンドットを含む複数色のドットによって模様付けされた建築板を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The laminated electrode composed of an upper layer electrode 17 and a lower layer electrode 16 wider than the upper electrode 17 is formed by laminating negative conductive.photosensitive lower layer paste 12 and negative conductive.photosensitive upper layer past both having high photosensitivity and patterning them in a lamp.
強い感光性を有するネガ型の導電性・感光性下層ペースト１２とネガ型の導電性・感光性上層ペースト１３とを積層し、両者を一括でパターニングすることで上層電極１７と上層電極よりも幅が広い下層電極１６とで構成される積層電極を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for patterning a transparent conductive tin oxide film in use for a touch panel, a plasma display panel, a liquid crystal display or a solar battery requiring transparent display electrodes, allowing simple and efficient formation of a patterned film of conductive tin oxide without using a resist film.
透明な表示電極を必要とするタッチパネル、プラズマディスプレイパネル、液晶ディスプレイ、太陽電池などに用いられる透明導電性酸化スズ膜のパターニング方法に関するものであり、レジスト膜を使用することなく、簡便にかつ効率よく、導電性酸化スズのパターン膜を得る方法を提供すること。 - 特許庁 - The method for manufacturing the optical waveguide device further includes steps of applying a photoresist to the Si film, patterning the photoresist so that a portion of the photoresist corresponding to the optical waveguide remains, forming a groove on the substrate along the optical waveguide by reactive ion etching, and removing the photoresist and the Si films.
光導波路デバイスの製造方法は更に、Ｓｉ膜上にフォトレジストを塗布し、光導波路に対応する部分のフォトレジストが残るようにフォトレジストをパターニングし、反応性イオンエッチングにより、光導通路に沿って基板に溝を形成し、フォトレジスト及びＳｉ膜を剥離するステップを含んでいる。 - 特許庁 - This cathode substrate of a carbon nanotube(CNT) field remission display includes a glass substrate, a cathode layer patterned on the glass substrate, and patterning a surface of the cathode layer as mutually separate electron emitting areas, and a plurality of CNT structures respectively grown on a plurality of electron emitting areas.
本発明のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）フィールドエミッション・ディスプレイのカソード基板が、ガラス基板と、ガラス基板上にパターニングされて、カソード層の表面が互いに離された電子放出領域としてパターニングされたカソード層と、複数の電子放出領域上にそれぞれ成長された複数のＣＮＴ構造とを含む。 - 特許庁 - The deposited isolation structure 46 is manufactured by executing the steps of forming a silicon oxide film 43 on which the epitaxial layer is relatively hardly grown, forming a nitride film 44 on which the epitaxial layer is relatively easily grown, and patterning the nitride film 44 and the silicon oxide film 43.
堆積分離構造４６は、エピタキシャル層の成長が相対的に生じにくいシリコン酸化膜４３を形成する工程と、エピタキシャル層の成長が相対的に生じやすい窒化膜４４を形成する工程と、窒化膜４４およびシリコン酸化膜４３をパターニングする工程を実行して作製する。 - 特許庁 - The processing method for patterning the thin film subjects a piezoelectric film composed of the thickness several μm formed on the substrate to microfabrication by irradiating the piezoelectric film with a laser of an oscillation wavelength near 500 nm and a pulse width of pico second or below at ≥20 GW/cm^2 per unit area from the piezoelectric film side.
基板上に形成された厚さ数μｍからなる圧電素子膜に対し、前記圧電素子膜側から発振波長が５００ｎｍ近傍でパルス幅がピコ秒以下のレーザを単位面積当り２０ＧＷ／ｃｍ^２以上で照射を行い前記圧電素子膜に微細加工を施すことで解決できる。 - 特許庁
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