「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 67 68 69 70 71 72 73 74 75 .... 78 79 次へ＞- To provide a gravure roll which prevents a deterioration in printing quality by preventing oscillation of doctor blades when conducting gravure printing, and furthermore to provide a method of manufacturing an electromagnetic wave shielding light transmission window material with high precision patterning formed thereon by gravure printing and the electromagnetic wave shielding light transmission window material.
グラビア印刷においてドクターブレードの振動を防止すること等により、印刷品位の低下を防ぐことができるグラビアロールを提供し、更に、グラビア印刷によって高精度なパターニングを形成した電磁波シールド性光透過窓材の製造方法及び電磁波シールド性光透過窓材を提供すること。 - 特許庁 - In a process of manufacturing the diffraction optical element through full plate exposure and dry etching by means of an exposure device, an exposure wavelength used upon the patterning of the diffraction optical element is approximately equal to the wavelength used upon the usage of the finished diffraction optical element.
回折光学素子を露光装置による一括露光とドライエッチングにより作製するプロセスにおいて、回折光学素子にパターンニングを行う際に使用される露光波長と、出来上がった回折光学素子を使用する際に用いられる波長とが、ほぼ同一であることを特徴とする回折光学素子の作製方法である。 - 特許庁 - Also, a contact hole 8 is formed in a first interlayer insulating film 4, and the high melting point metal silicide is accumulated on the whole face, and the patterning of the high melting point metal silicide is carried out without operating etching- back, and metallic wirings including the bit lines 12 are formed so that a manufacturing process can be shortened in time.
また、第１層間絶縁膜４にコンタクト孔８を形成し高融点金属シリサイドを全面に堆積させた後にエッチバックを行うことなく、そのまま高融点金属シリサイドのパタ−ニングを行い、ビット線１０を含む金属配線を形成しているので製造工程を短縮できる。 - 特許庁 - The method of patterning the conductive polymer includes a step of forming a conductive polymer layer 220 on a substrate 210, a step of arranging a shadow mask 230 on the conductive polymer layer, and a step of irradiating the conductive polymer layer with the particle beam 240 charged with a charge through the shadow mask and forming an insulating layer and the pattern layer of the conductive polymer.
基板210上に伝導性高分子層220を形成する工程と、伝導性高分子層上にシャドーマスク230を配列する工程と、シャドーマスクを通じて電荷を帯びた粒子ビーム240を伝導性高分子層に照射して、絶縁層及び伝導性高分子のパターン層を形成する工程と、を含む。 - 特許庁 - In this manufacturing method, the conductive layer 2 of a semi- insulating substrate 1 is element-isolated into a required patterning shape through mesa etching and left inside an element formation area, an insulator such as ozone is ion-implanted to step part 4, formed at the peripheral edge part of the conductive layer 2 by mesa etching and the step part 4 is constructed as an electrical insulating body.
半絶縁性基板１の導電層２をメサエッチにより必要なパターニング形状に素子分離して素子形成領域１ａ内に残し、メサエッチにより導電層２の周縁部に形成される段差部４にオゾン等の絶縁物をイオン注入し、段差部４を電気絶縁体として構築する。 - 特許庁 - Around the permanent magnet 3, a silicon rotor 5 is provided through a silicon contact spring 7 supported by a silicon hinge spring 4 on the substrate 2 in such a way as rotating round the longitudinal direction center of the magnet 3 as a fulcrum, and on this silicon rotor 5, a coil 6 is provided which is subjected to such a patterning as orbiting round the magnet.
永久磁石３の周囲には、永久磁石３の長手方向中心を支点として回動するようにシリコン基板２にシリコンひんじバネ４で支持されたシリコン接点バネ７を介したシリコン回動体５があり、その上に、永久磁石を周回するようにパターニングされたコイル６が形成される。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition simultaneously satisfying sensibility, high resolution, a pattern profile, line edge roughness and dry etching resistance, particularly in lithography using an electron beam, an X-ray or EUV light as an exposure light source, as well as a resist film and a patterning method using the composition.
特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、高解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - Furthermore, since only a small part of the conveying vessel and the storage vessel, can enter the storage space, together with the patterning means in this conveyance, if these vessels are contaminated, only a small part of them is carried into the storage space, and the storage space can easily be kept clean, as it is, essentially without particles.
また、この搬送でパターニング手段と一緒に保管スペースの中へ入るのは、搬送容器と保管容器の僅かな部分に過ぎないので、たとえこれらの容器が汚染されていても、その僅かしか保管スペースに持込まれず、保管スペースを容易に本質的に粒子のないままに保つことができる。 - 特許庁 - A method includes the steps of defining a lithography matter, designing a patterning device, deciding a first lighting structure and a radiation-sensitive material process which can print the positive tone of the lithographic features, and deciding a second lighting structure which can print the negative tone of the lithographic features by a radiation-sensitive material process.
方法は、リソグラフィ問題を画定することと、パターニングデバイスを設計することと、リソグラフィフィーチャのポジのトーンを印刷できる第一照明構成および放射線感光材料プロセスを決定することと、放射線感光材料プロセスでリソグラフィフィーチャのネガのトーンを印刷できる第二照明構成を決定することとを含む。 - 特許庁 - In a method of manufacturing a silicon spin conducting element 10, there are provided a first step of forming a silicon channel layer 7 by patterning a silicon film 3 by wet etching and a second step of forming a magnetization free layer 12C and a magnetization fixed layer 12B which are spaced apart from each other on the silicon channel layer 7.
シリコンスピン伝導素子１０の製造方法において、シリコン膜３をウェットエッチングによりパターニングしてシリコンチャンネル層７を形成する第一工程と、シリコンチャンネル層７上に、互いに離間された磁化自由層１２Ｃ及び磁化固定層１２Ｂを形成する第二工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁 - A two-dimensional picture display device 19 is constituted of a transparent supporting base plate 9, a transparent anode electrode plate 10, a hole transporting layer 11, a self light emitting layer 15 comprising a green light emitting layer 12, a blue light emitting layer 13 and a red light emitting layer 14 coated after patterning, an electron injection layer 16 and a cathode electrode plate 17.
二次元画像表示装置１９は、透明支持基板９及び透明アノード電極板１０及び正孔輸送層１１、パターニングして塗布された緑色発光層１２、青色発光層１３、赤色発光層１４からなる自発光層１５及び電子注入層１６とカソード電極板１７で構成される。 - 特許庁 - As an insulated layer of a solder bump 5 and an organic insulating film 2, one of SiO_2, SiN and SiON is used as an inorganic based insulating film 3 to form a mask for patterning on the inorganic based insulating film 3, metal films as a composition of a solder are deposited from thereon, respectively, and this mask is removed to form a bump precursor.
はんだバンプ５と有機絶縁膜２の分離層として、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、およびＳｉＯＮの１つを無機系絶縁膜３として用い、無機系絶縁膜３に、パターニングするマスクを形成し、その上からはんだの組成となる金属膜をそれぞれ蒸着し、このマスクを除去してバンプ前駆体を形成する。 - 特許庁 - Next, via holes 53 are formed at predetermined positions on the insulating layers 46 by laser work, and a series of patterning treatment is applied through a subtractive method or a semi additive method, to form wiring layers 16a, 16b and vias 17 whereby a four-layered build-up wiring board 300 employing the insulating layers 46 can be obtained.
次に、レーザー加工により、絶縁層４６の所定位置にビア用孔５３を形成し、サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法により、一連のパターニング処理を行って、配線層１６ａ、１６ｂ及びビア１７を形成し、絶縁層４６を用いた４層のビルドアップ配線基板３００を得ることができる。 - 特許庁 - To provide a resist pattern thickening material etc., which have no dependence of resist patterns on materials and sizes, thickness of the resist pattern increases uniformly and stably in the state of reducing the roughness of surface, and can form a fine resist drop-out pattern exceeding the exposure threshold of a light source in an exposure device used during patterning.
レジストパターンの材料や大きさに対する依存性がなく、レジストパターンを均一にしかも安定に、表面のラフネスを低減した状態で厚肉化し、パターニング時に用いる露光装置における光源の露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。 - 特許庁 - After a conductive film formed by scattering high-concentration impurity-containing regions 13 composed of silicon doped with an impurity at a high concentration in a low-concentration amorphous silicon layer 12, coping with the impurity at a low concentration is deposited on the insulating film 11, a lower electrode 15 is formed by patterning the conductive film.
層間絶縁膜１１の上に、シリコンに不純物が低濃度でドーピングされてなる低濃度の非晶質シリコン層１２中に、シリコンに不純物が高濃度でドーピングされてなる高濃度の不純物含有シリコン領域１３を分散させた導電膜を堆積した後、該導電膜をパターニングして下部電極１５を形成する。 - 特許庁 - After dry etching is performed for patterning the tungsten film 20 and a barrier metal 18, the impurities adhering to the surface of the substrate 10 can be removed, while the etching of the tungsten film 20 and barrier metal 18 exposed on the surface of the substrate 20 is suppressed, when the substrate 10 is cleaned by dipping the substrate 10 in either one or both of liquid chemicals, HCl and NH4OH.
タングステン膜およびバリアメタルをパターニングするドライエッチング後、ＨＣ１、ＮＨ_4ＯＨの一薬液または複数の薬液にシリコン基板を浸漬して洗浄することにより、シリコン基板の表面に露出したタングステン膜およびバリアメタルのエッチングを抑制しつつ、シリコン基板に付着した不純物を除去できる。 - 特許庁 - An etching blocking film 7, a first insulating film 8, a second insulating film 9, and first, second and third mask forming layers, are successively formed on a substrate 1; a third mask 12' having a wiring groove pattern is formed by patterning the third mask forming layer; etching is performed from the third mask 12' to the second insulating film 9; and the connection hole 13 is opened.
基板1上にエッチング阻止膜7、第１絶縁膜8、第２絶縁膜9、第１、第２、第３マスク形成層を順次成膜し、第３マスク形成層をパターンニングして、配線溝パターンを有する第３マスク12'を形成し、第３マスク12'から第２絶縁膜9までをエッチングし、接続孔13を開口する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device includes: a step of coating a semiconductor substrate, having a wiring pattern formed, with an oxide film; a step of covering the oxide film with the film to be etched made of a conductive material; and a step of patterning the film to be etched through plasma etching while giving selectivity to the oxide film by adding a compound containing no carbon and containing sulfur.
配線パターンが形成された半導体基板上に酸化膜を被覆する工程と、酸化膜上に導電材料の被エッチング膜を被覆する工程と、炭素を含まず硫黄を含む化合物を添加して、被エッチング膜を酸化膜に対して選択性を持たせつつプラズマエッチングしてパターニングする工程とを含む。 - 特許庁 - The production method of the semiconductor device comprises a step for forming a conductive layer 27 on the semiconductor substrate 23 through an insulation film 26, a step for making smooth the surface 27a of the conductive layer 27 by filling recesses in the surface with a material 44 itself shaven off from the surface, and a step for forming the dielectric element by patterning the conductive layer 27 spirally.
半導体基板２３上に絶縁膜２６を介して導電層２７を形成する工程と、導電層２７の表面２７ａを、該表面から削られた材料自体４４で表面の凹部を埋め込んで平滑化する工程と、導電層２７をスパイラル状にパターニングして誘導素子を形成する工程を有する。 - 特許庁 - Thereafter a silicon oxidation film 125 is accumulated, patterning for forming a low resistance diffusion layer for emitter and MOS source/drain taking-out is performed, As+ ion is injected on the emitter part of a bi-polar transistor and the source/drain taking-out part of an NMOS transistor, and BF2+ ion is injected to the source/drain taking-out part of a PMOS transistor.
その後、シリコン酸化膜１２５を堆積させ、エミッタ及びＭＯＳソース／ドレイン取り出し用の低抵抗拡散層を形成するためのパターンニングを行い、バイポーラトランジスタのエミッタ部とＮＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＡｓ＋イオンを注入し、ＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＢＦ２＋イオンを注入する。 - 特許庁 - In this method for manufacturing the sheet building material 5 by supplying a self-hardening material 3 into a mold 1 and releasing the material 3 from the mold 1 after its curing, a roughened surface is formed on the upper surface of the material 3 in the mold 1 by pressing a patterning material to the main region 3m of the upper surface of the material 3.
成形型１内に自硬性材料３を供給し、該自硬性材料が硬化した後、脱型して板状建材５を製造する方法において、該自硬性材料が硬化する前に、成形型内の自硬性材料の上面の主領域３ｍに型押し材を押し付けて該上面に粗面を形成する。 - 特許庁 - To provide a transparent conductive laminate film having excellent visibility and hardly emphasized patterning since the difference of optical characteristics between a part where a transparent conductive thin film is present and a part where the transparent conductive thin film is not present when the transparent conductive film is patterned, in an electrode film used for an electrostatic capacitance type touch panel or the like.
静電容量式タッチパネル等に使用される電極フィルムにおいて、透明導電性薄膜がパターニングされた際に、透明導電性薄膜の有る部分と無い部分での光学特性の差が小さいため、視認性に優れ、かつパターニングが強調されにくい透明導電性フィルムを提供する。 - 特許庁 - To provide a photosensitive dry film achieving fine patterning on a thick film, reducing loss of a coating liquid in a printing method, improving productivity, and having excellent storage stability by using the photosensitive dry film for forming a light-shielding member, which is conventionally carried out by a printing method.
本発明は、従来印刷法で行なっていた遮光部材の形成を感光性ドライフィルムで行なうことにより、厚膜であっても微細なパターニングが実現でき、印刷法のような塗液のロスが少なく生産性がすぐれており、かつ保存安定性が優れた感光性ドライフィルムを提供することを目的とする。 - 特許庁 - The lithographic projection apparatus comprises a radiation system for providing a projection beam of radiation having a wavelength λ_1 smaller than 50 nm, a support structure for supporting the patterning means that serves to pattern the projection beam according to a desired pattern, a substrate table for holding a substrate, and a projection system for projecting the patterned beam onto a target portion of the substrate.
５０ｎｍ未満の波長λ_1を有する放射線の投影ビームを提供する放射システムと、所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するパターン化手段を支持する支持構造体と、基板を保持する基板テーブルと、パターン化したビームを基板の目標部分に投影する投影システムとを含む。 - 特許庁 - The lithographic apparatus is comprised of a radiation system for providing a projection beam of radiation, a first support structure for supporting patterning means which serves to pattern the projection beam according to a desired pattern, a second support structure for supporting a substrate, and a projection system for projecting the patterned beam onto a target portion of the substrate.
リソグラフィ機器は、放射投影ビームを提供する放射システムと、所望のパターンに従って投影ビームをパターン化する働きをするパターン化手段を支持する第１支持構造と、基板を支持する第２支持構造と、基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影する投影システムとを備える。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a mask blank capable of manufacturing a high-quality mask blank with a high yield, while suppressing generation of defects in a thin film for forming a mask pattern, to provide a method for manufacturing a transfer mask manufactured by patterning the thin film of the mask blank, and to provide a sputtering target that is used for manufacturing the mask blank.
マスクパターンを形成するための薄膜の欠陥発生を抑えた高品質のマスクブランクを、高い歩留まりで製造することのできるマスクブランクの製造方法と、前記マスクブランクの薄膜をパターニングして製造する転写マスクの製造方法、並びに前記マスクブランクの製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - In this method for manufacturing the sheet building material 5 by supplying a self-hardening material 3 into a mold 1 and releasing the material 3 from the mold 1 after its curing, a roughened surface is formed on the upper surface of the material 3 in the mold 1 by pressing a patterning material to the upper surface of the material 3 prior to its curing.
成形型１内に自硬性材料３を供給し、該自硬性材料が硬化した後、脱型して板状建材５を製造する方法において、該自硬性材料が硬化する前に、成形型内の自硬性材料の上面に型押し材を押し付けて該上面に粗面を形成する。 - 特許庁 - This method for manufacturing a semiconductor memory device includes: a step (a) of sequentially laminating a TMR film 5 and a cap layer 6 on base layers 1, 2, 3 and 4; and a step (b) of patterning the TMR film 5 and the cap layer 6 to form a normal laminate structure pattern 13 and a dummy laminate structure pattern 16 thereof.
本発明に係る半導体記憶装置は、（ａ）下地層１，２，３，４上にＴＭＲ膜５、キャップ層６を順に積層する工程と、（ｂ）ＴＭＲ膜５、キャップ層６をパターニングして、それらの正規積層構造パターン１３およびダミー積層構造パターン１６を形成する工程とを備える。 - 特許庁 - A touch panel (100) according to the present invention includes a transparent substrate (110), a transparent projection part (120) formed on the transparent substrate (110) to surround a partition wall (123) which is subject to patterning, and a transparent electrode (130) formed in the transparent projection part (120) to be surrounded by the partition wall (123).
本発明に係るタッチパネル（１００）は、透明基板（１１０）と、パターニングされた隔壁（１２３）を備えるように前記透明基板（１１０）に形成される透明突出部（１２０）と、前記隔壁（１２３）に取り囲まれるように前記透明突出部（１２０）内に形成される透明電極（１３０）とを含んでなる。 - 特許庁 - To improve productivity by removing contaminant in high degree in such a manner that a vacuum chamber is kept at a desired low pressure in a lithography projector in which super-ultraviolet rays are used, patterning or projection means are equipped inside the vacuum chamber, and a thermal shield is equipped in order to thermally adjust components in the chamber.
超紫外線を使うリソグラフィ投影装置であって、パターニング手段や投影手段が真空室内にあり、この室内の部品をを熱的に状態調節するために熱遮蔽体を備える装置に於いて、この真空室を所望の低圧に維持しながら高度に汚染物質を除去して生産性を向上すること。 - 特許庁 - A transparent conductive film 12 is formed covering the top surface and a flattening film 13 is formed thereupon and the entire surface is etched until the acryl-based resin film 10a in the area except the through hole and recess is exposed to pattern pixel electrodes 12a, and contact hole processing and pixel electrode patterning are carried out by a sheet of photomask.
その表面を覆うように透明導電膜１２を形成し、その上に平坦化膜１３を形成し、貫通孔および凹所以外の領域のアクリル系樹脂膜１０が露出するまで全面エッチングすることで画素電極１２ａをパターニングし、コンタクトホール加工と画素電極パターニングを１枚のフォトマスクで行う。 - 特許庁 - In an etching liquid composition and a patterning method of a conductive film using the same and a manufacturing method of a flat panel display, the etching liquid composition contains phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, water, and additive; and the additive contains a chlorine compound, a nitrate compound, a sulfate compound, and an oxidative adjuster.
エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関し、前記エッチング液組成物は、リン酸、硝酸、酢酸、水及び添加剤を含み、前記添加剤は、塩素系化合物、硝酸塩系化合物、硫酸塩系化合物及び酸化調整剤を含む。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a wiring board capable of reliably reducing deformation of a metal frame, and warpage and cracks of a multiple-pattern base board when tentatively mounting the metal frame on a metalized layer formed on a surface of each wiring board and having a rectangular shape in a plan view, in a manufacturing method by multiple patterning of a wiring board.
配線基板の多数個取りによる製造方法にて、配線基板ごとの表面に形成した平面視が矩形のメタライズ層上に金属枠を仮付けする際に、該金属枠の変形や多数個取りベース基板の反りやクラックを確実に低減できる配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist pattern forming method which, in double patterning, can form a second resist pattern while retaining a first resist pattern without dissolving the first resist agent in the second resist agent, and which can suppress a line width variation of the first resist pattern and is suitably adopted even for a liquid immersion exposure process.
ダブルパターニングにおいて、第二のレジスト剤に第一のレジスト剤が溶解することなく、第一のレジストパターンを保持したまま第二のレジストパターンを形成することができ、更には第一のレジストパターンの線幅変動を抑制することができ、液浸露光プロセスにも好適に採用されるレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To obtain a photosensitive conductive paste for forming an organic-inorganic composite conductive pattern by which an organic-inorganic composite conductive pattern having low specific resistivity even in a low temperature curing condition can be obtained and which has the effect that fine patterning is possible by high photosensitive characteristics, and to obtain a method for producing the organic-inorganic composite conductive pattern.
低温のキュア条件においても比抵抗率の低い有機−無機複合導電性パターンが得られ、且つ高い感光特性により微細パターニングが可能という効果を有する、有機−無機複合導電性パターン形成用感光性ペーストおよび有機−無機複合導電性パターンの製造方法を得る。 - 特許庁 - To provide a halftone phase shift mask blank having a halftone phase shift film which can control the retardation and transmittance as a phase shift mask for exposure light and the transmittance at an inspection wavelength, which has excellent chemical resistance and excellent patterning property by etching, and to provide a phase shift mask and a method for transferring a pattern.
露光光での位相シフトマスクとしての位相差，透過率や検査波長での透過率を制御でき、耐薬品性に優れ、さらにエッチングによるパターニング性に優れたハーフトーン型位相シフト膜を有するハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及び位相シフトマスク並びにパターン転写方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - In the method, after the gas in the chamber of the sputtering film-forming device where the light-transmitting substrate 1 is to be conveyed is replaced by a gas containing neither water nor carbon dioxide, dry air or a mixture gas thereof, the pressure in the chamber is reduced and subsequently formation of the thin film 2 for patterning by the sputtering method is started.
ここで、透光性基板１が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いでパターン形成用薄膜２のスパッタリング法による成膜を開始する。 - 特許庁 - In the patterning retardation film 24, first regions 21 and second regions 22 different in a phase difference mutually are alternately patterned repeatedly, and between the first region and the second region, a third region 23 having an approximately average phase difference of the first region and the second region is formed so that it separates the first region and the second region from each other.
互いに位相差が異なる第一領域２１と第二領域２２が交互に繰り返してパターニングされており、第一領域と第二領域の間に、該２つの領域のほぼ平均の位相差を有する第三領域２３が第一領域と第二領域を隔てるように形成されているパターニング位相差フィルム２４。 - 特許庁 - Furthermore, a lens forming layer 22 of photosensitive layer is formed, subject to patterning, and exposed to ultraviolet rays of wavelengths 350 to 400 nm to turn into a lens formation pattern layer 22a, the pattern layer 22a is made to flow by heating to turn into a microlens array 23 composed of microlenses 22b, and thus a solid-state image sensing device 100 is obtained.
さらに、感光層からなるレンズ形成層２２を形成し、パターニング処理を行って、波長３５０ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線を露光してレンズ形成パターン層２２ａを形成し、加熱フローさせてマイクロレンズ２２ｂ及びマイクロレンズアレイアレイ２３が形成された固体撮像素子１００を得る。 - 特許庁 - Since elongation of source and drain depletion layers 27, 28 can be controlled and the depletion layer regions 29s, 29d not contributing to the threshold voltage of a MOS transistor can be minimized, short channel effect is suppressed resulting in a highly stable high performance semiconductor device in which finer patterning can be effected.
この構造によれば、ソース、ドレイン空乏層２７、２８の伸びを抑えることが出来、ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧に寄与しない空乏層領域２９ｓ、２９ｄを最小限に出来るので、ショートチャネル効果を抑制し、より微細化が可能で安定性の高い高性能なＭＯＳトランジスタを実現できる。 - 特許庁 - To provide a resin making a resist film surface well hydrophobic in patterning by immersion exposure, making an immersion liquid following property well, at the same time, prohibiting a developed acid from elution to immersion liquid and showing an effect for suppressing a development defect, and to provide a production method for the above and a positive-type resist composition containing the resin.
液浸露光によるパターニングにおいて、良好にレジスト膜表面を疎水化し、液浸液追随性を良好とするとともに、液浸液への発生酸の溶出を防止し、現像欠陥の抑制に効果を示す樹脂、及び、その製造方法、該樹脂を含有するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a structure, capable of increasing the latitude of design and making both the increase of display area and the miniaturization of a liquid crystal device compatible with each other by adopting a structure of an upper/lower conductive part, capable of narrowing the width of a peripheral part of a display region without being affected by the patterning accuracy of alignment layer.
配向膜のパターニング精度に影響されることなく、表示領域の周囲部分の狭幅化を図ることが可能な上下導通部の構造を採用することによって、設計の自由度を増大させ、液晶装置における表示面積の増大と小型化とを両立することができる構造を提供する。 - 特許庁 - In the mask for patterning the thin film used when the thin film is patterned on a color filter consisting of the organic polymer layer, a rugged part is formed on the surface on at least the side coming in contact with the organic polymer layer of the mask and at least the boundary of the rugged part is coated with a resin film.
有機高分子層よりなるカラーフィルタ上に薄膜をパターン形成する際に使用する薄膜パターン化用マスクにおいて、マスクの少なくとも前記有機高分子層と接触する側の面に凹凸を形成し、かつ少なくとも凹凸境界部分に樹脂膜をコーティングしたことを特徴とする薄膜パターン化用マスク。 - 特許庁 - After a water-repelling resin layer 11 is formed on the surface thereof, a photo resist layer 12 is formed thereon, to which halftone exposure is applied with a mask adjusted in the exposure amount, and then patterning is performed by etching so that contact holes 10b, 10c reaching the matrix circuit and a recessed part 10a are formed in a contact hole area.
その表面に撥水性樹脂層１１を形成した後、その上にフォトレジスト層１２を形成し、露光量を調整したマスクでハーフトーン露光を施し、エッチングによりコンタクトホール領域にマトリクス回路に達するコンタクトホール１０ｂ，１０ｃと、凹所領域１０ａとが形成されるようにパターニングする。 - 特許庁 - To provide a cell culture substrate which can co-culture different kinds of cells coexisting in a living body tissue in a patterned state, is easy in patterning, can sufficiently hold the functions of the cultured cells, and enables the peeling of the cultured cells in a state holding the functions of the cells after cultured.
本発明の目的は、生体組織において共存する異種の細胞をパターニングした状態で共培養することの可能な、パターニングが容易であり、かつ、培養細胞の機能が充分に保持され、また培養後に細胞機能を保持したまま剥離することの可能な細胞培養基材を提供することにある。 - 特許庁 - The ink composition for precise patterning comprises a volatile solvent, a resin which is soluble in the volatile solvent, and a solid component which is insoluble in the volatile solvent, wherein the ink composition has ink viscosity of 5 mPas or less and surface energy of 25 mN/m or less, and the volatile solvent is preferably a mixture of a quick drying solvent and a slow drying solvent.
インキ粘度が５ｍＰａ・ｓ以下、表面エネルギーが２５ｍＮ／ｍ以下である精密パターニング用インキ組成物であり、揮発性溶剤と、この揮発性溶剤に可溶な樹脂と、この揮発性溶剤に不溶な固形成分を含有し、揮発性溶剤が速乾性溶剤と遅乾性溶剤の混合物であることが好ましい。 - 特許庁 - Furthermore, a glass mask 15 with an irradiated light amount controlled according to a plane position is used to make patterning in such a way that a plurality of intra-layer lenses including an intra-layer lens 12 on an outermost peripheral circuit region 3 side and an intra-layer lens 12 in the middle part of an effective pixel region 2 will be formed in the same lens shape.
また、照射光量を平面位置に応じて制御されたガラスマスク１５を用いて、最も周辺回路領域３側の層内レンズ１２と有効画素領域２の中央部の層内レンズ１２とを含む複数の層内レンズ１２のレンズ形状が同一になるようにパターンニングを行う。 - 特許庁 - After a lower film of Al-Nd alloy and an upper film of MoW alloy are stacked sequentially on an insulation substrate, a gate line including a gate electrode is formed by patterning the resulting film using an etchant including 50 to 60% of phosphoric acid, 6 to 10% of nitric acid, 15 to 25% of acetic acid, 2 to 5% of stabilizer, and ultrapure water.
絶縁基板の上部にAl-Nd alloyの下部膜とMoW alloyの上部膜を順次に積層した後、５０-６０％範囲のリン酸、６-１０％範囲の硝酸、１５-２５％範囲の酢酸及び２-５％の安定剤とその他に超純水を含むエッチング液でパターニングしてゲート電極を含むゲート線を形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing an increase in etching targets due to a high aspect ratio in forming a contact by means of an auto-alignment contact, overcoming a step by a hard mask used in auto-alignment contact etching, facilitating subsequent patterning, and simplifying processes.
オートアライメントコンタクトを利用したコンタクト形成の際、高い縦横比によるエッチングターゲットの増加を防止でき、オートアライメントコンタクトエッチングに用いるハードマスクによる段差を克服し、後続のパターニングを容易に行い、かつ、処理を単純化させることができる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To prevent an n-type amorphous silicon film and an intrinsic amorphous silicon film from remaining unnecessarily even if a foreign matter exists on the formed n-type amorphous silicon film when the formed n-type amorphous silicon film and the intrinsic amorphous silicon film are subjected to patterning by dry etching in manufacturing of a thin film transistor.
薄膜トランジスタの製造に際し、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜のパターニングをドライエッチングによって行なうとき、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜上に異物が存在しても、ｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜が不要に残存しないようにする。 - 特許庁
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