「Patterning」を含む例文一覧(3921)

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  • To provide a multifunctional optical laminated film using micro-patterning, with which a viewing angle is compensated by simultaneously realizing condensation and diffusion of light.
    本発明は、液晶表示装置(LCD、Liquid Crystal Display)のバックライトユニットにおける光学積層フィルムに関するものであって、さらに詳しくは光の集光及び拡散を共に具現することによって、視野角を補償し得るようにマイクロパターニングを用いた多機能性光学積層フィルムを提供する。 - 特許庁
  • To provide a multiple-patterning ceramic wiring board in which a ceramic mother board can be stably and firmly sucked and fixed onto a suction table without shaking while fixing the board onto the suction table for mounting an electronic component, and an electronic component can be accurately and easily mounted in each wiring board region.
    電子部品を搭載するための吸引テーブル上に固定した際に、セラミック母基板がぐらつくことがなく吸引テーブルに安定して強固に吸引固定され、各配線基板領域に電子部品を正確かつ容易に搭載することが可能な多数個取りセラミック配線基板を提供すること。 - 特許庁
  • To select a water-soluble resin which can smoothly effect thermal shrinkage of a photoresist pattern by heat treatment and can easily be removed by washing with water after the heat treatment of the resist pattern as a water- soluble resin for forming a coating film for increasing fineness of resist patterning and to efficiently form a fine resist pattern.
    レジスト微細化用塗膜を形成するための水溶性樹脂として、熱処理により、ホトレジストパターンを円滑に熱収縮させることができ、しかもレジストパターンの熱処理後に水洗により容易に除去しうるものを選択して、効率よく微細レジストパターンを形成させることを目的とする。 - 特許庁
  • This method of forming a carbon nanotube pattern contains patterning process in which a desired pattern is printed on the surface of the substrate with a carbon nanotube dispersion in which the carbon nanotube is dispersed in a dispersant and the dispersant is vaporized to form a pattern layer, and a pattern fixing process in which the pattern layer is fixed on the surface of the substrate.
    カーボンナノチューブが分散媒に分散したカーボンナノチューブ分散液にて基板表面に所望のパターンを印刷し、分散媒を蒸発させてパターン層を形成するパターニング工程と、パターン層を基板表面に固定するパターン固定工程とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブパターンの形成方法。 - 特許庁
  • In the patterning method, the pattern of a photomask is transferred to an underlying material by exposure processing thus forming a first guide where the surface energy of the underlying material is changed, and a second guide where the surface energy of the underlying material is changed is formed between the first guides by diffraction of exposure light resulting from exposure processing.
    実施の形態のパターン形成方法は、露光処理により、フォトマスクのパターンを下地材に転写して下地材の表面エネルギーを変化させた第1のガイドを形成すると共に、露光処理により生じる露光光の回折により、第1のガイド間に下地材の表面エネルギーを変化させた第2のガイドを形成する。 - 特許庁
  • There are provided a process of forming a film of the piezoelectric precursor on a lower electrode, a process of patterning the piezoelectric precursor film into a predetermined shape, a process of obtaining a piezoelectric film by crystallizing the patterned piezoelectric precursor film, and a process of forming an upper electrode onto the piezoelectric film.
    下部電極上に圧電体前駆体膜を成膜する工程と、前記圧電体前駆体膜を所定の形状にパターニングする工程と、前記パターニングされた圧電体前駆体膜を結晶化させ圧電体膜を得る工程と、前記圧電体膜上に上部電極を形成する工程と、を備える。 - 特許庁
  • The deposited isolation structure 46 is manufactured by executing the steps of forming a silicon oxide film 43 on which the epitaxial layer is relatively hardly grown, forming a nitride film 44 on which the epitaxial layer is relatively easily grown, and patterning the nitride film 44 and the silicon oxide film 43.
    堆積分離構造46は、エピタキシャル層の成長が相対的に生じにくいシリコン酸化膜43を形成する工程と、エピタキシャル層の成長が相対的に生じやすい窒化膜44を形成する工程と、窒化膜44およびシリコン酸化膜43をパターニングする工程を実行して作製する。 - 特許庁
  • The processing method for patterning the thin film subjects a piezoelectric film composed of the thickness several μm formed on the substrate to microfabrication by irradiating the piezoelectric film with a laser of an oscillation wavelength near 500 nm and a pulse width of pico second or below at ≥20 GW/cm^2 per unit area from the piezoelectric film side.
    基板上に形成された厚さ数μmからなる圧電素子膜に対し、前記圧電素子膜側から発振波長が500nm近傍でパルス幅がピコ秒以下のレーザを単位面積当り20GW/cm^2以上で照射を行い前記圧電素子膜に微細加工を施すことで解決できる。 - 特許庁
  • The lithograph projector comprises a mechanism for supplying a projection radiation beam, a structure supporting a member for patterning the projection beam according to a desired pattern, and a mechanism for projecting a patterned beam to a target part of a substrate.
    投影放射線ビームを供給するための放射線機構;前記投影ビームを希望のパターンに従いパターン化する働きをするパターン化部材を支持するための支持構造体;基体を支持するための基体テーブル;及び基体の目標部分にパターン化されたビームを投影するための投影機構;を具えたリトグラフ投影装置。 - 特許庁
  • A lower film 24 of the antireflection film 16 is commonly used as a stopper film during patterning, and a distance t1 between an edge of the light-shielding film 17 defined by interleaving a plurality of films 23, 24 of the lower layer of the antireflection film 16 and the semiconductor substrate 2 is set to be smaller than a film thickness t2 of the gate insulating film 13.
    そして、反射防止膜16のうちの下層の膜24がパターニングの際のストッパー膜を兼ねており、反射防止膜16のうちの下層の複数膜23,24を挟んで規定される遮光膜17の端部と半導体基板2との間の間隔t1が、ゲート絶縁膜13の膜厚t2より小さく設定される。 - 特許庁
  • The method includes steps of: forming a recessed part (25) in a pixel area on one substrate (20); forming a light-shielding film (23') in a solid state; removing the light-shielding film in the seal area; and forming a black matrix (23) by patterning the light-shielding film in the pixel area.
    本製造方法は、一方の基板(20)上の画素領域に凹部(25)を形成する工程と、遮光膜(23´)をベタ状に形成する工程と、シール領域において遮光膜を除去する工程と、画素領域において遮光膜をパターニングすることにより、ブラックマトリクス(23)を形成する工程とを備える。 - 特許庁
  • To enable an insulated gate field effect transistor (MOSFET), whose gate length is of the order of sub-micron or sub-0.1 μm to be enhanced in characteristics and improved in characteristics uniformity by a method, where the planarity of a resist underlying layer serving as a gate electrode is ensured, and a gate electrode is formed accurately by actuate patterning.
    絶縁ゲート電界効果トランジスタ(MOSFET)において、ゲート電極となるレジスト下地層の平坦性を確保し、ゲート電極の精度良いパターニングを実現することによりゲート長がサブミクロン領域、或いはサブ0.1μm領域のMOSFETにおいて、トランジスタ特性の向上、ばらつきの低減を図る。 - 特許庁
  • The laminated electrode composed of an upper layer electrode 17 and a lower layer electrode 16 wider than the upper electrode 17 is formed by laminating negative conductive.photosensitive lower layer paste 12 and negative conductive.photosensitive upper layer past both having high photosensitivity and patterning them in a lamp.
    強い感光性を有するネガ型の導電性・感光性下層ペースト12とネガ型の導電性・感光性上層ペースト13とを積層し、両者を一括でパターニングすることで上層電極17と上層電極よりも幅が広い下層電極16とで構成される積層電極を形成する。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the optical waveguide device further includes steps of applying a photoresist to the Si film, patterning the photoresist so that a portion of the photoresist corresponding to the optical waveguide remains, forming a groove on the substrate along the optical waveguide by reactive ion etching, and removing the photoresist and the Si films.
    光導波路デバイスの製造方法は更に、Si膜上にフォトレジストを塗布し、光導波路に対応する部分のフォトレジストが残るようにフォトレジストをパターニングし、反応性イオンエッチングにより、光導通路に沿って基板に溝を形成し、フォトレジスト及びSi膜を剥離するステップを含んでいる。 - 特許庁
  • This cathode substrate of a carbon nanotube(CNT) field remission display includes a glass substrate, a cathode layer patterned on the glass substrate, and patterning a surface of the cathode layer as mutually separate electron emitting areas, and a plurality of CNT structures respectively grown on a plurality of electron emitting areas.
    本発明のカーボンナノチューブ(CNT)フィールドエミッション・ディスプレイのカソード基板が、ガラス基板と、ガラス基板上にパターニングされて、カソード層の表面が互いに離された電子放出領域としてパターニングされたカソード層と、複数の電子放出領域上にそれぞれ成長された複数のCNT構造とを含む。 - 特許庁
  • In the method, after the gas in the chamber of the sputtering film-forming device where the light-transmitting substrate 1 is to be conveyed is replaced by a gas containing neither water nor carbon dioxide, dry air or a mixture gas thereof, the pressure in the chamber is reduced and subsequently formation of the thin film 2 for patterning by the sputtering method is started.
    ここで、透光性基板1が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いでパターン形成用薄膜2のスパッタリング法による成膜を開始する。 - 特許庁
  • In the patterning retardation film 24, first regions 21 and second regions 22 different in a phase difference mutually are alternately patterned repeatedly, and between the first region and the second region, a third region 23 having an approximately average phase difference of the first region and the second region is formed so that it separates the first region and the second region from each other.
    互いに位相差が異なる第一領域21と第二領域22が交互に繰り返してパターニングされており、第一領域と第二領域の間に、該2つの領域のほぼ平均の位相差を有する第三領域23が第一領域と第二領域を隔てるように形成されているパターニング位相差フィルム24。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a wiring board capable of reliably reducing deformation of a metal frame, and warpage and cracks of a multiple-pattern base board when tentatively mounting the metal frame on a metalized layer formed on a surface of each wiring board and having a rectangular shape in a plan view, in a manufacturing method by multiple patterning of a wiring board.
    配線基板の多数個取りによる製造方法にて、配線基板ごとの表面に形成した平面視が矩形のメタライズ層上に金属枠を仮付けする際に、該金属枠の変形や多数個取りベース基板の反りやクラックを確実に低減できる配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a letterpress for printing, excellent in printing characteristics, composed of a photopolymer applicable to printing of a circuit pattern such as an organic EL element which requires a fine patterning, and having an improved influence from a contamination by residual organic materials and unremoved foreign matters due to an existence of unwashed sections of the letterpress.
    有機EL素子といった微細なパターニングを必要とする回路パターンの印刷に適用する感光性樹脂よりなり、版未洗浄部の存在による残留有機物の混入(コンタミ)や異物の未除去での影響を改善し、印刷特性の優れた印刷用凸版の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a resist pattern forming method which, in double patterning, can form a second resist pattern while retaining a first resist pattern without dissolving the first resist agent in the second resist agent, and which can suppress a line width variation of the first resist pattern and is suitably adopted even for a liquid immersion exposure process.
    ダブルパターニングにおいて、第二のレジスト剤に第一のレジスト剤が溶解することなく、第一のレジストパターンを保持したまま第二のレジストパターンを形成することができ、更には第一のレジストパターンの線幅変動を抑制することができ、液浸露光プロセスにも好適に採用されるレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
  • The production process for an embedded printed circuit substrate includes a step 1 for forming a circuit pattern region, in which a part of an insulation layer is etched by laser-patterning the insulation layer produced by laminating photosensitive substance layers; and a step 2 for forming a circuit pattern, by filling the circuit pattern region with a substance for plating.
    特に、感光物質層が積層された絶縁層をレーザーパターニングして絶縁層の一部がエッチングされる回路パターン領域を形成するステップ1と、前記回路パターン領域をメッキ物質で充填して回路パターンを形成するステップ2とを含む埋込型印刷回路基板の製造工程を特徴とする。 - 特許庁
  • To obtain a photosensitive conductive paste for forming an organic-inorganic composite conductive pattern by which an organic-inorganic composite conductive pattern having low specific resistivity even in a low temperature curing condition can be obtained and which has the effect that fine patterning is possible by high photosensitive characteristics, and to obtain a method for producing the organic-inorganic composite conductive pattern.
    低温のキュア条件においても比抵抗率の低い有機−無機複合導電性パターンが得られ、且つ高い感光特性により微細パターニングが可能という効果を有する、有機−無機複合導電性パターン形成用感光性ペーストおよび有機−無機複合導電性パターンの製造方法を得る。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a field effect transistor capable of suppressing damage of an active layer in a patterning process by etching, and the field effect transistor which diminishes the damage, in the field effect transistor which activates an oxide semiconductor mainly composed of magnesium (Mg) and (In) indium as the active layer.
    MgとInを主成分とする酸化物半導体を活性層とする電界効果型トランジスタにおいて、エッチングによりパターニングする工程における活性層のダメージを抑制することが可能な電界効果型トランジスタの製造方法、及び該ダメージが軽減された電界効果型トランジスタを提供すること。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a resin relief printing plate for forming a large size organic EL element using a relief printing method, in which splay developing method is used when patterning with a photolithographic method to obtain a printing plate with a high pattern accuracy and free from nonuniformity of development, and a relief printing plate obtained by the method.
    サイズが大型化した有機EL素子を凸版印刷法によって形成するための樹脂凸版を、フォトリソグラフィー法でパターニングする際に、スプレー式現像方法をもちいながら、パターン精度が高く、かつ現像ムラ等を無くした製版を行う方法とその方法で得られる印刷用凸版を提供する。 - 特許庁
  • In an etching liquid composition and a patterning method of a conductive film using the same and a manufacturing method of a flat panel display, the etching liquid composition contains phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, water, and additive; and the additive contains a chlorine compound, a nitrate compound, a sulfate compound, and an oxidative adjuster.
    エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関し、前記エッチング液組成物は、リン酸、硝酸、酢酸、水及び添加剤を含み、前記添加剤は、塩素系化合物、硝酸塩系化合物、硫酸塩系化合物及び酸化調整剤を含む。 - 特許庁
  • To provide a halftone phase shift mask blank having a halftone phase shift film which can control the retardation and transmittance as a phase shift mask for exposure light and the transmittance at an inspection wavelength, which has excellent chemical resistance and excellent patterning property by etching, and to provide a phase shift mask and a method for transferring a pattern.
    露光光での位相シフトマスクとしての位相差,透過率や検査波長での透過率を制御でき、耐薬品性に優れ、さらにエッチングによるパターニング性に優れたハーフトーン型位相シフト膜を有するハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及び位相シフトマスク並びにパターン転写方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • A transparent conductive film 12 is formed covering the top surface and a flattening film 13 is formed thereupon and the entire surface is etched until the acryl-based resin film 10a in the area except the through hole and recess is exposed to pattern pixel electrodes 12a, and contact hole processing and pixel electrode patterning are carried out by a sheet of photomask.
    その表面を覆うように透明導電膜12を形成し、その上に平坦化膜13を形成し、貫通孔および凹所以外の領域のアクリル系樹脂膜10が露出するまで全面エッチングすることで画素電極12aをパターニングし、コンタクトホール加工と画素電極パターニングを1枚のフォトマスクで行う。 - 特許庁
  • The lithographic projection apparatus comprises a radiation system for providing a projection beam of radiation having a wavelength λ_1 smaller than 50 nm, a support structure for supporting the patterning means that serves to pattern the projection beam according to a desired pattern, a substrate table for holding a substrate, and a projection system for projecting the patterned beam onto a target portion of the substrate.
    50nm未満の波長λ_1を有する放射線の投影ビームを提供する放射システムと、所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するパターン化手段を支持する支持構造体と、基板を保持する基板テーブルと、パターン化したビームを基板の目標部分に投影する投影システムとを含む。 - 特許庁
  • The lithographic apparatus is comprised of a radiation system for providing a projection beam of radiation, a first support structure for supporting patterning means which serves to pattern the projection beam according to a desired pattern, a second support structure for supporting a substrate, and a projection system for projecting the patterned beam onto a target portion of the substrate.
    リソグラフィ機器は、放射投影ビームを提供する放射システムと、所望のパターンに従って投影ビームをパターン化する働きをするパターン化手段を支持する第1支持構造と、基板を支持する第2支持構造と、基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影する投影システムとを備える。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a mask blank capable of manufacturing a high-quality mask blank with a high yield, while suppressing generation of defects in a thin film for forming a mask pattern, to provide a method for manufacturing a transfer mask manufactured by patterning the thin film of the mask blank, and to provide a sputtering target that is used for manufacturing the mask blank.
    マスクパターンを形成するための薄膜の欠陥発生を抑えた高品質のマスクブランクを、高い歩留まりで製造することのできるマスクブランクの製造方法と、前記マスクブランクの薄膜をパターニングして製造する転写マスクの製造方法、並びに前記マスクブランクの製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁
  • In this method for manufacturing the sheet building material 5 by supplying a self-hardening material 3 into a mold 1 and releasing the material 3 from the mold 1 after its curing, a roughened surface is formed on the upper surface of the material 3 in the mold 1 by pressing a patterning material to the upper surface of the material 3 prior to its curing.
    成形型1内に自硬性材料3を供給し、該自硬性材料が硬化した後、脱型して板状建材5を製造する方法において、該自硬性材料が硬化する前に、成形型内の自硬性材料の上面に型押し材を押し付けて該上面に粗面を形成する。 - 特許庁
  • To provide a surface treatment agent for a freezing process, which can suppress variations in the line width of a first resist pattern and LWR (line width roughness) which may be caused by freezing treatment applied to the first resist pattern and the formation of a second resist pattern in a double patterning method, and to provide a resist pattern formation method using the surface treatment agent.
    ダブルパターニング法において、第一のレジストパターンに対して行うフリージング処理及び第二のレジストパターンの形成による、第一のレジストパターンの線幅並びにLWRの変動を抑制することができるフリージングプロセス用の表面処理剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
  • The light L', P' passed through the target substrate 60 or the light L'', P'' reflected by the target substrate 60 are detected by an optical sensor 10 and, on the basis of a signal from the optical sensor 10, a discriminating section 51 discriminates whether or not patterning is normally performed by the laser beam L for the thin film 62 of the target substrate 60.
    被加工基板60を透過した光L’, P’または被加工基板60で反射された光L”,P”は光センサ10によって検知され、当該光センサ10からの信号に基づいて、被加工基板60の薄膜62のレーザ光Lによるパターニングが正常に行われているか判断部51によって判断される。 - 特許庁
  • To suppress the characteristics variation of MOS transistors due to charging by a plasma to lessen the influence causing the characteristics deterioration of an analog circuit on both gate electrodes of the MOS transistors paired in the analog circuit of a MOS type semiconductor integrated circuit device in a process of patterning a metal wiring layer by plasma etching.
    MOS型半導体集積回路装置におけるアナログ回路の互いにペアとなるMOSトランジスタ対の双方のゲート電極への金属配線層をプラズマ・エッチングによりパターニングする工程で、プラズマの帯電によるMOSトランジスタの特性変動を抑制し、アナログ回路の特性の悪化の原因となる影響を軽減する。 - 特許庁
  • To improve productivity by removing contaminant in high degree in such a manner that a vacuum chamber is kept at a desired low pressure in a lithography projector in which super-ultraviolet rays are used, patterning or projection means are equipped inside the vacuum chamber, and a thermal shield is equipped in order to thermally adjust components in the chamber.
    超紫外線を使うリソグラフィ投影装置であって、パターニング手段や投影手段が真空室内にあり、この室内の部品をを熱的に状態調節するために熱遮蔽体を備える装置に於いて、この真空室を所望の低圧に維持しながら高度に汚染物質を除去して生産性を向上すること。 - 特許庁
  • An image processing device includes: a color mosaic filter 201 and a single-plate color imaging element having a patterning polarizer 202 formed by a plurality of polarization units having transmittance polarization planes of at least three different angles arranged in a plurality of pixels of the same color (G) in the color mosaic filter 201.
    本発明の画像処理装置は、カラーモザイクフィルタ201、および、異なる少なくとも3種の角度の透過偏波面を有する複数の偏光子単位がカラーモザイクフィルタ201内の同一色(G)の複数の画素に設けられたパターン化偏光子202を有する単板カラー撮像素子をを備えている。 - 特許庁
  • To provide a gravure roll which prevents a deterioration in printing quality by preventing oscillation of doctor blades when conducting gravure printing, and furthermore to provide a method of manufacturing an electromagnetic wave shielding light transmission window material with high precision patterning formed thereon by gravure printing and the electromagnetic wave shielding light transmission window material.
    グラビア印刷においてドクターブレードの振動を防止すること等により、印刷品位の低下を防ぐことができるグラビアロールを提供し、更に、グラビア印刷によって高精度なパターニングを形成した電磁波シールド性光透過窓材の製造方法及び電磁波シールド性光透過窓材を提供すること。 - 特許庁
  • The method of manufacturing the solar cell 100 includes a cleaning step of cleaning an exposure area R2 out of a backside of an n-type crystalline substrate 10n, before an i-type amorphous semiconductor layer 12i forming step, after a patterning step of the i-type amorphous semiconductor layer 11i and a p-type amorphous semiconductor layer 11p.
    太陽電池100の製造方法は、i型非晶質半導体層11i及びp型非晶質半導体層11pのパターニング工程の後、i型非晶質半導体層12iの形成工程前に、n型結晶シリコン基板10nの裏面のうち露出領域R2のクリーニング工程を備える。 - 特許庁
  • To provide a method for mounting components and apparatus for mounting components which can shorten mounting time by reducing a suction preparation operation of suction nozzles in such a manner that the number of replacement times of the suction nozzles is suppressed, or intervals of the suction nozzles on a moving head are adjusted when components are mounted on a multiple patterning substrate.
    多面取り基板に対する部品実装時に、吸着ノズルの交換回数を抑制し又は移載ヘッドでの吸着ノズルの間隔を調整するといった吸着ノズルの吸着準備動作を軽減することで、実装時間の短縮化を図ることができる部品実装方法及び部品実装装置を提供する。 - 特許庁
  • The method for manufacturing a wiring board comprises a step for partially making thin a conductive foil 20 formed on a base substrate 10 by etching, a step for patterning the conductive foil 20 by etching, and a step for forming a wiring 30 having a thin part 32 on the base substrate 10 in an area being bonded to the electrode of an electronic component.
    配線基板の製造方法は、ベース基板10に形成された導電箔20の一部をエッチングによって薄くすること、及び、導電箔20をエッチングによってパターニングすることを含み、ベース基板10に、電子部品の電極との接合領域に薄肉部32を有する配線30を形成することを含む。 - 特許庁
  • To provide a polymer compound, having a high sensitivity, a high degree of resolution, a good pattern configuration after exposure, and in addition an excellent etching resistance, suitable as a base resin for a positive resist material, especially for a chemically amplified positive resist material; a positive resist material using the polymer compound; and a patterning process.
    高感度および高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a circuit board device manufactured by applying a manufacturing technique of multiple patterning, which improves operation reliability and product life cycle by preventing an abnormal signal voltage or corrosion of a wiring layer caused by contaminants sticking to the end face of each circuit board.
    多数個取りの製造技術を適用して製造される回路基板装置において、各回路基板の端面に付着した汚染物質による信号電圧の異常や配線層の腐食を防止して、動作の信頼性や製品寿命を向上させることができる回路基板装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element capable of easily adding contrast, lowering a production cost and at the same time applying a material other than a chemical compound having an arylamine skeleton in a hole injection layer as an organic electroluminescent element for patterning, and expanding a range of choices for materials.
    容易にコントラストをつけることができ、かつ製造コストを下げることができると同時に、パターン化に用いる有機電界発光素子として正孔注入層にアリールアミン骨格を有する化合物以外の材料をも適用することが可能であり、材料選択の幅を広げることができる有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁
  • The production method of the semiconductor device comprises a step for forming a conductive layer 27 on the semiconductor substrate 23 through an insulation film 26, a step for making smooth the surface 27a of the conductive layer 27 by filling recesses in the surface with a material 44 itself shaven off from the surface, and a step for forming the dielectric element by patterning the conductive layer 27 spirally.
    半導体基板23上に絶縁膜26を介して導電層27を形成する工程と、導電層27の表面27aを、該表面から削られた材料自体44で表面の凹部を埋め込んで平滑化する工程と、導電層27をスパイラル状にパターニングして誘導素子を形成する工程を有する。 - 特許庁
  • Thereafter a silicon oxidation film 125 is accumulated, patterning for forming a low resistance diffusion layer for emitter and MOS source/drain taking-out is performed, As+ ion is injected on the emitter part of a bi-polar transistor and the source/drain taking-out part of an NMOS transistor, and BF2+ ion is injected to the source/drain taking-out part of a PMOS transistor.
    その後、シリコン酸化膜125を堆積させ、エミッタ及びMOSソース/ドレイン取り出し用の低抵抗拡散層を形成するためのパターンニングを行い、バイポーラトランジスタのエミッタ部とNMOSトランジスタのソース/ドレイン取り出し部にAs+イオンを注入し、PMOSトランジスタのソース/ドレイン取り出し部にBF2+イオンを注入する。 - 特許庁
  • In this method for manufacturing the sheet building material 5 by supplying a self-hardening material 3 into a mold 1 and releasing the material 3 from the mold 1 after its curing, a roughened surface is formed on the upper surface of the material 3 in the mold 1 by pressing a patterning material to the main region 3m of the upper surface of the material 3.
    成形型1内に自硬性材料3を供給し、該自硬性材料が硬化した後、脱型して板状建材5を製造する方法において、該自硬性材料が硬化する前に、成形型内の自硬性材料の上面の主領域3mに型押し材を押し付けて該上面に粗面を形成する。 - 特許庁
  • On the film, a titanium oxide film 8, a metal film 9 containing aluminum , a cap film 15 made up of a second titanium 13 and a second titanium film 14, and an anti-reflection film 16, are laminated in order; patterning is carried out by lithography and etching to form wiring; and the wiring is then heat-treated at some temperature of 385 to 415°C.
    その上に酸化チタン膜8、アルミニウムを含む金属膜9、第二チタン膜13および第二窒化チタン膜14からなるキャップ膜15、反射防止膜16を順次積層し、リソグラフィおよびエッチングによりパターニングして配線を形成した後、この配線を385〜415℃程度の温度で熱処理する。 - 特許庁
  • A conductive type impurity concentration same to a well area is concentrated in each channel forming area in the vicinity of a boundary, respectively in the well area and a source area, and the well area and a drain area, by patterning favorably the area not introduced with the impurity, so as to induce a reverse short channel effect.
    上記不純物導入されない領域をうまくパターニングすることによって、ウェル領域とソース領域、及び、ウェル領域とドレイン領域それぞれの、境界近傍のチャネル形成領域における、ウェル領域と同じ導電型の不純物濃度を濃くし、逆短チャネル効果を誘起させることができる。 - 特許庁
  • A solder resist layer 42 is formed on the pad 31a and the distribution layer 31b to form a solder resist pattern 42a through patterning process and plating is effected on the pad 31a and the ball lands 31c to obtain a substrate 100 for semiconductor device having ball lands 51 and pad 52, on which a plating film is formed.
    パッド31a及び配線層31b面にソルダーレジスト層42を形成し、パターニング処理してソルダーレジストパターン42aを形成し、パッド31a及びボールランド31c上にめっきを行い、めっき被膜が形成されたボールランド51及びパッド52を有する半導体装置用基板100を得る。 - 特許庁
  • To provide a multiple-patterning ceramic wiring board that stably and firmly sucks a ceramic mother board to a suction table for fixing without shaking when fixing the ceramic mother board onto the suction table for mounting an electronic component, and can accurately and easily mount the electronic component in each wiring substrate region.
    電子部品を搭載するための吸引テーブル上に固定した際に、セラミック母基板がぐらつくことがなく吸引テーブルに安定して強固に吸引固定され、各配線基板領域に電子部品を正確かつ容易に搭載することが可能な多数個取りセラミック配線基板を提供すること。 - 特許庁
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