「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 次へ＞- The multiple patterning ceramic substrate is provided on the main surface of a ceramic matrix substrate 1 with partitioning grooves 3 for dividing the substrate 1 into a plurality of divisions, while a ceramic layer 6 made of a material same as that of a ceramic matrix substrate 1 is formed from the inner surface of the partitioning grooves 3 to the periphery of the partitioning grooves 3 on the main surface.
多数個取りセラミック基板は、セラミック母基板１の主面に、セラミック母基板１を複数の区画に区分する分割溝３を形成して成る多数個取りセラミック基板であって、分割溝３の内面から主面の分割溝３の周囲にかけてセラミック母基板１と同じ材質のセラミック層６が形成されている。 - 特許庁 - To provide an Ag alloy-based reflective film improving adhesion and patterning to a substrate, by making a reflectance a constant value in a visible range after maintaining a high reflectance and providing thermal resistance and corrosive resistance, and to provide a sputtering target material for forming the Ag alloy-based reflective film, and a high quality and low power consumption planar display unit.
高い反射率を維持した上で、可視光範囲での反射率が一定値になり、耐熱性、耐食性を兼ね備え、さらに基板への密着性とパタニング性を改善したＡｇ合金系反射膜とそのＡｇ合金系反射膜を形成するためのスパッタリングターゲットおよびより高品位かつ低消費電力な平面表示装置を提供する。 - 特許庁 - The method includes: forming an opening portion in a first film; forming a phase-change substance on the first film and inside the opening portion; heating the phase-change substance at a first temperature at which the phase-change substance is reflowed into the opening portion; and patterning the phase-change substance after heating to define a phase-change element inside the first opening portion.
この方法は、第１膜内に開口部を形成すること、第１膜上及び開口部内に相変化物質を形成すること、相変化物質が開口部内にリフローされる第１温度で相変化物質を加熱すること、及び相変化物質を加熱した後に相変化物質をパターニングして、第１開口部内に相変化要素を定義することを含む。 - 特許庁 - The package of the fabric semiconductor device comprises a fabric printed circuit board which has textile fabrics, and a lead part formed by patterning a conductive material on the textile fabrics; a semiconductor device which has an electrode connected to the lead part of the fabric printed circuit board; and a molding part which seals the fabric printed circuit board and the semiconductor device.
布製半導体素子のパッケージは、織布と、前記織布上に導電材をパターニングして形成されたリード部（lead）と、を有する布製印刷回路基板と、前記布製印刷回路基板のリード部に接続された電極部を有する半導体素子と、前記布製印刷回路基板と、前記半導体素子とを密封する成形部（molding）と、を含む。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a flexible wiring circuit board which causes no deterioration of patterning accuracy and less pattern fault, and is relatively easy to downsize its production equipment and its lead time can be relatively shortened and can be cut out by laser cutting method, even if the pattern pitch of the flexible wiring circuit board is made extremely small.
フレキシブル配線回路基板のパターンピッチが非常に小さくなった場合であっても、パターニング精度が低下せず、パターン不良も生じにくく、製造設備の小型化も比較的容易であり、リードタイムを比較的短くすることができ、レーザーカッティング法で抜き加工を実施することもできるフレキシブル配線回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing elements on flexible substrates includes a step of holding a plurality of flexible substrates 14 on a supporting substrate 10 having less dimensional variation than the flexible substrates in a divided state and a step of patterning elements on respective flexible substrates held on the supporting substrate.
可撓性基板上に素子を製造する方法であって、前記可撓性基板よりも寸法変化率の小さい支持基板１０上に複数の前記可撓性基板１４を分割した状態で保持する工程と、前記支持基板上に保持された各可撓性基板上に素子をパターニングする工程と、を含むことを特徴とする素子の製造方法。 - 特許庁 - A patterning substrate dryer using a hot-water bringing-down method includes a plurality of drying tanks by which washed substrates are dried successively in each drying tank and a mechanism by which hot water is supplied via piping that connect drying tanks from a drying tank where the subject substrate is brought down and is under drying to the next drying tank at which drying will be performed subsequently.
温水引き下げ方式を用いたパターニング基板乾燥装置において、複数の乾燥槽を具備し、それぞれの乾燥槽にて被洗浄基板の乾燥を逐次行い、且つ、乾燥槽同士をつないでいる配管を介して引き下げ乾燥中の乾燥槽から次に乾燥を行う乾燥槽の方へ温水を供給する機構を持つ。 - 特許庁 - To obtain an artificial marble having a novel and varied color pattern, which can be obtained by effect through changing a formed patterning effect by controlling the curing speed of at least one of a gel coat layer or a pattern layer in forming the gel coat layer and the pattern layer to change the formed pattern, and enhanced in design effect and grade properties not obtained in a conventional product.
ゲルコート層及び柄付け模様層を形成する際に、ゲルコート層又は柄付け模様層の少なくとも一方の硬化速度をコントロールして、形成した柄付け模様を変化させることにより、斬新で変化に富んだ色柄付け模様を得ることができ、従来品にはない意匠性やデザイン性、品位性を高めた人造大理石を得る。 - 特許庁 - The method of manufacturing a liquid ejection head includes a step of forming and patterning a mask 52 containing chromium on another side surface of a channel formation substrate 10 with a piezoelectric actuator 300 formed on its one side surface, and a step of forming a liquid channel 12, etc. by anisotropically etching the channel formation substrate 10 from the another surface side via the mask 52.
圧電アクチュエーター３００が一方面に形成された流路形成基板１０の他方面にクロムが含有されたマスク５２を形成すると共にパターニングする工程と、前記流路形成基板１０を他方面側から前記マスク５２を介して異方性エッチングすることにより、液体流路１２等を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁 - To provide a surface treatment method of a resist pattern which meets the requirement that the line width and LWR (Line Width Roughness) of a first resist pattern are not varied by the freezing of the first resist pattern and the formation of a second resist pattern in a double patterning method.
ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅及びＬＷＲが変動しないという要件を満たすレジストパターンの表面処理方法およびその表面処理方法を用いたレジストパターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method by which fine patterning with a metal oxide can directly be carried out on a substrate by treatment at ordinary temperature or treatment at a relatively low temperature and to inexpensively provide various high density electronic devices having a high degree of integration, a high functional optical element and a photocatalytic member to markets by utilizing the pattern forming method.
常温処理或いは比較的低温での処理により基板上に直接金属酸化物による微細形状のパターニングを行うことを可能としたパターン形成方法を提供し、また、このパターン形成方法を利用することで、高密度、高集積度の各種電子デバイス、高機能の光学素子、光触媒性部材を安価に市場に提供する。 - 特許庁 - By using a sputtering target 14, containing silicon and having a hardness of 900 HV or more in Vickers' hardness, a thin film for forming the mask pattern on a substrate 1 is formed by sputtering, and the high-quality mask blank that suppresses generating of defects is manufactured; and further, the transfer mask is manufactured by patterning the thin film.
シリコンを含有するスパッタリングターゲット１４であって、ターゲットの硬度が、ビッカース硬さで９００ＨＶ以上であるスパッタリングターゲットを用いて、基板１上にマスクパターンを形成するための薄膜をスパッタリング法で形成し、欠陥発生を抑えた高品位のマスクブランクを製造し、さらに、薄膜をパターニングすることで転写マスクを製造した。 - 特許庁 - To solve the issues of the limits in thinning of interlaminar thickness and copper foil and the necessity, etc., of the step of roughing the surface of an adhesive layer incorporated in prior art, to provide sheet material for printed wiring boards which can be thinned and formed with fine patterning, and has durability, and to provide a multilayer printed circuit board using it.
従来技術が有していた層間厚みや銅箔の薄化の限界、および、接着剤層表面を粗化する工程の必要性等の問題点を解決し、薄化が可能であり、かつファインパターン化が容易であるとともに、耐久性を有するプリント配線板用シート材料およびそれを用いた多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁 - The method for producing the group III-V compound crystal is comprised of a step to deposit a metal film 2 on a substrate 1, a step to heat-treat the metal film 2 at an atmosphere where a patterning compound exists and a step to grow the group III-V compound crystal 4 on the heat-treated metal film 2.
基板１上に金属膜２を堆積する工程と、前記金属膜２をパターニングする化合物の存在雰囲気下で熱処理する工程と、前記熱処理後の金属膜２上にＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶４を成長させる工程とを備えることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶の製造方法。 - 特許庁 - In the method for manufacturing an active matrix substrate to be used for a reflective liquid crystal display device, projections 701, 702 to roughen the surface of the pixel electrode (reflection electrode) to scatter light are formed by patterning by using the same photomask used for the formation of TFTs(thin film transistors) to form recessed and projections on the surface of the pixel electrode 169.
本発明は、反射型の液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の作製方法において、画素電極（反射電極）の表面に凹凸を持たせて光散乱性を図るための凸部７０１、７０２の形成をＴＦＴの形成と同じフォトマスクでパターニングを行い、画素電極１６９の表面に凸凹を形成する。 - 特許庁 - To provide a surface treatment agent and a resist composition for a freezing process being applied to the first resist pattern in a double patterning method and satisfying the requirements for preventing line width and LWR of the first resist pattern from fluctuating due to the freezing process and the formation of the second resist pattern and resist composition and to provide a pattern formation process by use of them.
ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅及びＬＷＲが変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤、レジスト組成物およびそれらを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - The manufacturing method of the lower panel for the plasma display panel includes a process for preparing a base substrate, a process for forming a material layer for a barrier rib on the base substrate, a process for forming the barrier rib pattern by irradiating the X-ray on the material layer for the barrier rib, a process for developing and patterning the material layer for the barrier rib.
基底基板を準備する工程と、基底基板上に隔壁用素材層を形成する工程と、隔壁用素材層上にＸ線を照射することによって隔壁パターンを形成する工程と、隔壁用素材層を現像してパターン化する工程と、を含むことを特徴とする、プラズマディスプレイパネル用下部パネルの製造方法が提供される。 - 特許庁 - To provide an effective manufacturing method of a highly efficient semiconductor device which can use even ArF (argon fluoride) excimer laser light as exposure light in patterning, can control the thickening amount of a resist pattern to be fixed even if conditions such as temperature and atmosphere change, and has a fine wiring pattern or the like beyond exposure limit in a light source of an exposure device.
パターニング時に露光光としてＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザー光をも利用可能であり、レジストパターンの厚肉化量を温度、雰囲気等の条件が変化しても一定にコントロールすることができ、露光装置の光源における露光限界を超えて微細な配線パターン等を有する高性能な半導体装置の効率的な製法方法の提供。 - 特許庁 - This artificial marble 1 obtained by injecting a resin composition 2 obtained by being blended with additives such as a filler, a patterning material, an inner releasing agent, and a hardening agent, into a casting mold to be formed and hardened, is formed by using a material obtained by adding and mixing aluminosilicate balloon B into the resin composition 2.
熱硬化性樹脂に充填剤、柄材、内部離型剤、硬化剤等の添加物を配合した樹脂組成物２を得て、この樹脂組成物２を注型用金型に注入して成型硬化させて得られる人造大理石１において、樹脂組成物２中にアルミノ・シリケート・バルーンＢを添加配合したものを用いて成るものである。 - 特許庁 - The step includes a step to pattern the organic insulating film 33, a step to apply plasma to the substrate including the organic insulating film 33, a step to form contact holes 26, 27 throughout the inorganic insulating film 32, a step to deposit the transparent conductive film on the interlayer insulating film, and a step to form the transparent electrodes 71, 72 by patterning the transparent conductive film.
その工程は、有機絶縁膜３３をパターン形成する工程と、有機絶縁膜３３を含む基板にプラズマ処理を施す工程と、無機絶縁膜３２にコンタクトホール２６，２７を開口する工程と、層間絶縁膜上に透明導電膜を堆積する工程と、透明導電膜をパターニングして透明電極７１、７２を形成する工程とを含む。 - 特許庁 - To provide a zinc oxide-based transparent conductive film-forming material usable for a target for film formation of a transparent conductive film which holds conductivity endurable for practical use, has weatherability, and has a suitable etching rate in patterning, a method for manufacturing the same, a target using the same, and a method for forming a zinc oxide-based transparent conductive film.
実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。 - 特許庁 - In a producing method of a magnetic head by forming an element part having prescribed characteristics through a deposition process of depositing on the surface of the substrate 10 and an etching process of patterning the film formed by the deposition process, the circumference of a region, where each element part on the substrate 10 is formed, is surrounded by an electrically conductive film and worked.
基板１０の表面に成膜する成膜工程と、成膜工程によって形成された膜をパターンニングするエッチング工程を経て所要の特性を有する素子部を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記基板１０上の各々の素子部が形成される領域の周囲を導体膜で包囲して加工する。 - 特許庁 - This pattern forming method includes a process wherein an electron beam emission element 10 having at least one pyramid part 18 whose surface is made of diamond is prepared; a process wherein an electron beam 19 is emitted from the pyramid part 18 to expose an electron beam sensitive resist layer 22 by applying a voltage; and a process wherein a portion of the resist layer 22 is removed to execute patterning.
表面がダイヤモンドからなる少なくとも一つの錐体部１８を有する電子線放出素子１０を用意する工程と、電圧を印加して錐体部１８から電子線１９を放出させて、電子線感応性のレジスト層２２を暴露する工程と、レジスト層２２の一部を除去してパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁 - This patterning base plate has the base material and a cell adhesion inhibiting layer, wherein the cell adhesion inhibiting layer is formed on the base material and contains a cell adhesion inhibiting material having cell adhesion inhibiting properties of inhibiting adhesion to the cells and denatured by action of a photocatalyst due to energy irradiation.
上記目的を達成するために、本発明は、基材と、前記基材上に形成され、細胞と接着することを阻害する細胞接着阻害性を有しかつエネルギー照射に伴う光触媒の作用により変性される細胞接着阻害材料を含有する細胞接着阻害層とを有することを特徴とするパターニング用基板を提供する。 - 特許庁 - To provide an inorganic powder-containing resin composition capable of forming a black matrix with good sensitivity, a transfer film having an inorganic powder-containing resin layer comprising the inorganic powder-containing resin composition, and a method for manufacturing a flat panel display capable of forming a black matrix which is flat and smooth, has no warpage, and has good patterning performance.
感度の良好なブラックマトリクスを形成することのできる無機粉体含有樹脂組成物、該無機粉体含有樹脂組成物からなる無機粉体含有樹脂層を有する転写フィルムならびに平滑で反りのない、パターニング性能の良好なブラックマトリクスを形成することのできるフラットパネルディスプレイの製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - A thermal shield 6 of the lithography projector has a particle propagation channel 9 which passes contamination particles produced by patterning means MT, MA or a projection means PM from the first side I to the second side O of it, and a cryopump 7 used for keeping a vacuum chamber 5 at the desired low pressure can also capture the particles coming out of these channel 9.
このリソグラフィ投影装置の熱遮蔽体６には、パターニング手段ＭＴ、ＭＡや投影手段ＰＭが発生する汚染物粒子をその第１側Ｉから第２側Ｏへ通す粒子伝播チャンネル９があり、真空室５を所望の低圧に維持するためのクライオポンプ７がこれらのチャンネル９から出る粒子を捕捉することもできる。 - 特許庁 - The cell transistor formation step is provided with a gate electrode formation step for forming a gate electrode 8, a source wiring layer formation step for forming the source wiring layer at a cell transistor part, and a peripheral transistor part and a source wiring formation step for patterning the source wiring layer and connecting the source wiring 12 to a source diffused layer 10.
セルトランジスタ形成ステップは、ゲート電極８を形成するためのゲート電極形成ステップと、ソース配線用層をセルトランジスタ部と周辺トランジスタ部に形成するためのソース配線用層形成ステップと、ソース配線用層をパターニングしてソース配線１２をソース拡散層１０に接続するためのソース配線形成ステップとを備える。 - 特許庁 - Although a deposit 18 that is made of reaction products between titanium and fluorine is generated, when forming the hard mask 17 by patterning the insulation film, washing is made by using washing liquid containing an inorganic acid which contains no fluorine, thus removing a deposit 19 and at the same time, suppressing the generation of a new deposit at the time of washing.
絶縁膜をパターニングしてハードマスク１７を形成する際にチタンとフッ素との反応生成物からなる堆積物１８が生じるが、フッ素を含まない無機酸などを含む洗浄液を用いて洗浄することにより、堆積物１９を除去するとともに、洗浄の際に新たな堆積物が発生するのを抑制する。 - 特許庁 - The manufacturing method of the semiconductor device includes a process of forming an amorphous silicon layer 13 on a substrate such as a plastic substrate 11, a process of patterning the amorphous silicon layer 13 and forming a prescribed pattern to be a thin film transistor, and a process of crystallizing the patterned amorphous silicon layer 13 thereafter, and the semiconductor device provided with the thin film transistor is manufactured.
プラスチック基板１１等の基板上にアモルファスシリコン層１３を形成する工程と、アモルファスシリコン層１３をパターニングして、薄膜トランジスタとなる所定のパターンを形成する工程と、その後、パターニングされたアモルファスシリコン層１３を結晶化する工程とを有して、薄膜トランジスタを有する半導体装置を製造する。 - 特許庁 - The method includes, after patterning the substrate to form at least one structure extending from the substrate in a direction substantially perpendicular to the plane of a major surface of the substrate, forming locally modified regions 6 at locations in the substrate which are not covered by the at least one structure, thus locally increasing etching resistance of these regions 6.
基板をパターニングし、基板の第１主表面の平面に実質的に垂直な方向に、基板から延びた、少なくとも１つの構造を形成した後に、少なくとも１つの構造により覆われていない基板の位置に、部分的に変更された領域６を形成し、それらの領域６のエッチング抵抗を部分的に増加させる工程とを含む。 - 特許庁 - In this patterning method, a donor substrate in which a photothermal conversion layer and a transfer material are formed and a device substrate are disposed face to face to transfer the transfer material to the device substrate by irradiating light to the photothermal conversion layer, and intensity of light irradiated in an irradiated region is unsymmetrically changed with the passage of time.
基板上に光熱変換層と転写材料が形成されたドナー基板をデバイス基板と対向配置し、光を光熱変換層に照射することで転写材料をデバイス基板に転写するパターニング方法であって、照射領域において照射される光の強度を経時的に非対称に変化させることを特徴とするパターニング方法。 - 特許庁 - To provide a surface treatment agent for a freezing process being applied to the first resist pattern in a double patterning method and satisfying the requirements for preventing line width and LWR of the first resist pattern from fluctuating owing to the freezing process and the formation of the second resist pattern, and also to provide a pattern formation method by use of it.
ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅とＬＷＲが変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれおよびそれを用いたパターン形成方法を提供すること - 特許庁 - The patterning apparatus has a vacuum chamber adjustable in pressure, a nozzle connected to a material feeding source and also arranged in the vacuum chamber, into which a material from the material feeding source is fed, and a substrate stage for holding to fix a substrate, arranged in the vacuum chamber.
本発明に係るパターニング装置は、圧力を調整可能な真空チャンバーと、材料供給源に接続され、かつ前記真空チャンバーに取り付けられ、前記真空チャンバー内に前記材料供給源からの材料を供給するノズルと、前記真空チャンバー内に設けられた、基体を保持固定するための基体ステージと、を備えている。 - 特許庁 - To provide a radiation sensitive resin composition having a high sensitivity, capable of obtaining a sufficient spacer form even by ≤1,200 J/m^2 exposure, excellent in flexibility, high recovery rate, rubbing resistance, close adhesion with a transparent substrate plate, heat resistance, etc., further excellent in developing property on spacer-patterning and capable of forming the spacer for a liquid crystal-displaying element.
高感度で、１，２００Ｊ／ｍ^２以下の露光量でも十分なスペーサー形状が得られ、柔軟性と高回復率、ラビング耐性、透明基板との密着性、耐熱性等に優れ、さらにスペーサーパターニング時の現像特性にも優れた液晶表示素子用スペーサーを形成することができる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a new triarylmethane compound and a new rhodamine compound each having excellent light fastness and to provide a color conversion layer, a color conversion filter, and an organic EL display not suffering from detriments to patterning performance and the decomposition of a color conversion pigment due to reaction with active molecules by using the compounds.
優れた耐光性を有する新規トリアリールメタン化合物およびローダミン化合物の提供、ならびにそれら化合物を用いて、パターニング性を損なうことなく、活性分子との反応による色変換色素の分解を起こすことなく、優れた色変換効率および耐光性を有する色変換層、色変換フィルタ、有機ＥＬディスプレイの提供。 - 特許庁 - In addition, by providing a method of manufacturing a flat panel display through the steps of patterning a gate electrode, a source/drain electrode and a pixel electrode by using the etching liquid composition, the step can be further simplified, thus making it possible to reduce a production cost and improve productivity.
また、前記エッチング液組成物を利用して、互いに異なる導電物質からなるゲート電極、ソース／ドレイン電極及び画素電極をパターニングする工程を行ってフラットパネルディスプレイを製造する方法を提供することによって、工程をさらに単純化させることができ、生産費用の低減と生産性の向上を期待することができる。 - 特許庁 - The semiconductor etching method has a process of forming a metal fluoride layer at a temperature of not less than 150°C as at least one part of an etching mask 3 to be formed on a semiconductor layer 2; a process of patterning the metal fluoride layer; and a process of etching the semiconductor layer using the patterned metal fluoride layer 3 as a mask.
半導体層２上に形成されるエッチングマスク３の少なくとも一部として、金属フッ化物層を１５０℃以上の温度で形成する工程と、この金属フッ化物層をパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層３をマスクとして、前記半導体層をエッチングする工程とを有する半導体層のエッチング方法。 - 特許庁 - The method of manufacturing the laminated inductor having a cavity between conductor patterns includes steps of patterning a ceramic green sheet having at least a conductive material, an insulator material and a vanishing material so that one or more surfaces of a conductor pattern made of the conductive material are brought into contact with the insulator material, laminating, pressing and vanishing the ceramic green sheet.
少なくとも、導電材料、絶縁体材料、消失材料を有するセラミックグリーンシートを、導電材料からなる導体パターンの１面以上が絶縁体材料と接するようにパターンニングして積層、プレス、消失処理することを特徴とする、導体パターン間に空洞部を有する積層型インダクタの製造方法。 - 特許庁 - When a formed n-type amorphous silicon film 43 and an intrinsic amorphous silicon film 41 are subjected to patterning by dry etching using resist films 45a to 45d as a mask, the n-type amorphous silicon film and the intrinsic amorphous silicon film are left unnecessarily under a foreign matter 46 in the existence of the foreign matter 46 on the formed n-type amorphous silicon film 43.
レジスト膜４５ａ〜４５ｄをマスクとして、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜４３および真性アモルファスシリコン膜４１のパターニングをドライエッチングによって行なうとき、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜４３上に異物４６が存在すると、異物４６下にｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜が不要に残存される。 - 特許庁 - To obtain an artificial marble product exhibiting rugged patterns of relief patterns and having excellent design value, designability and sophisticated feeling by a method in which a molded article is obtained by adding and mixing patterning materials having higher hardness than that of the compound into the material for forming the artificial marble, and the hardened portion of the matrix compound on the surface of the molded article is scraped out.
人造大理石成形用材料にそのコンパウンドよりも硬度の高い柄材を添加配合して成形品を得て、成形品の表面のマトリックスコンパウンドの硬化物部分を掻き取るという方法により、浮作り模様の凹凸模様を表現し、意匠性やデザイン性の高い高級感のある人造大理石製品を得る。 - 特許庁 - To provide an Ag alloy film in which a reflectance in a visible light range takes a fixed value while keeping a high reflectance and which has low electric resistance and combines heat resistance, corrosion resistance, adhesion to a substrate and patterning characteristics, and also to provide a sputtering target material for depositing the Ag alloy film and a planar display device having low power consumption.
高い反射率を維持した上で、可視光範囲での反射率が一定値になり、かつ低い電気抵抗を有し、さらに耐熱性、耐食性、そして基板への密着性およびパタニング性を兼ね備えたＡｇ合金膜とそのＡｇ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材および低消費電力な平面表示装置を提供する。 - 特許庁 - The laminate manufacturing apparatus comprises in the same vacuum tank 1 a dielectric layer forming device 7 for forming a dielectric layer on a substrate 2, a patterning device 11 for forming a metal thin layer pattern on the dielectric layer, and a metal film layer forming device 5 for forming a metal thin layer on the dielectric layer according to the metal thin layer pattern.
積層体の製造装置は、同一真空槽１内に、基板上２に誘電体層を形成する誘電体層形成装置７と、誘電体層上に金属薄層パターンを形成する金属薄層パターン形成装置１１と、金属薄層パターンに従って誘電体層上に金属薄層を形成する金属薄層形成装置５とを備える。 - 特許庁 - The method of patterning the conductive tin oxide film using a solution containing a tin compound and a dopant compound soluble in an organic solvent, dissolved in the organic solvent comprises drying a dry film within the range of retaining solubility in a developer, exposing it to a light containing a ultraviolet region to make it insoluble in part and etching a non- exposed portion with the developer.
有機溶媒に可溶なスズ化合物とドーパント化合物を該有機溶媒に溶解した溶液を用い、該乾燥膜が現像液に対する溶解性を保持する範囲内で乾燥して、紫外領域を含む光により露光することで部分的に不溶にし、現像液で未露光部をエッチングすることを特徴とする導電性酸化スズ膜のパターニング方法。 - 特許庁 - A branch office server 4 functions as both a customer pattern ID creating means 155a for patterning customers into a plurality of types on the basis of at least one of customer data and business activity data obtained from business activities aimed at the customers and an advice processing means 155b for extracting and outputting business support information suited for the types.
支部サーバ４は、顧客データと、顧客に対する営業活動により得られた営業活動データの少なくとも一つに基づき、顧客を複数の類型にパターン化する顧客パターンＩＤ生成手段１５５ａと、パターンこのパターン化された類型に適した営業支援情報を抽出して出力するアドバイス処理手段１５５ｂとして機能する。 - 特許庁 - The exposure apparatus is equipped with: a pattering substrate supporting unit to support a patterning substrate; and an exposure unit which includes an energy irradiation unit having at least two or more fluorescent lamps emitting light in a 250 nm to 450 nm wavelength range and an outer frame supporting the energy irradiation unit.
上記目的を達成するために、本発明は、パターニング用基板を支持するパターニング用基板支持部と、２５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内の波長の光を放出する蛍光ランプを少なくとも２以上有するエネルギー照射部と、前記エネルギー照射部を支持する外枠部とを含む露光ユニットを有することを特徴とする露光装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a transparent conductive laminate which improves pattern alignment accuracy of a plurality of transparent conductive films by suppressing a dimensional change due to heat applied during a post process by conducting crystallization of a transparent conductive layer in a short time and a heat contraction processing of a substrate prior to patterning and joining of the conductive layer.
短時間で透明導電層を結晶化させること、及び、基板の熱収縮処理を行い、導電層のパターニング、貼り合せの前に、後工程で加えられる熱による寸法変化を抑制することで、複数の透明導電性フィルムのパターン位置合わせ精度を向上させる透明導電性積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a zinc oxide-based transparent conductive film-forming material usable for a target for film formation of a transparent conductive film which holds conductivity endurable for pracrtical use, has weather resistance, and has a suitable etching rate in patterning, a method for manufacturing the same, a target using the same, and a method for forming zinc oxide-based transparent conductive film.
実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。 - 特許庁 - When such the metal mask 11 is used, at least a part in the relief 12a is filled with a stress relaxation layer material during patterning of the stress relaxation layer 5, so that a projecting part 14 projecting outside from an intersection O between extension lines X-X and Y-Y of adjoining two sides is formed at four corners of the stress relaxation layer 5.
このメタルマスク１１を用いると、応力緩和層５のパターニング時に逃げ部１２ａ内の少なくとも一部に応力緩和層材料が充填されるので、応力緩和層５の四隅部分に、隣接する２辺の延長線Ｘ−Ｘ及びＹ−Ｙの交点Ｏよりも外側に突出する突出部１４が形成される。 - 特許庁 - The method of manufacturing a thin film transistor, which has the process of applying a precursor solution to form an oxide semiconductor thin film, forms the oxide semiconductor thin film by using a liquid jet apparatus for jetting charged droplets in patterning a precursor thin film formed by the application of the precursor solution.
前駆体溶液を塗布して酸化物半導体の薄膜を形成する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法において、 該前駆体溶液を塗布して形成される前駆体薄膜のパターニングに帯電させた液滴を吐出する液体吐出装置により酸化物半導体の薄膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁 - This production method of the graphene conductive film includes: a first step of providing a metallic substrate having a first surface and a second surface facing the first surface; a second step of growing a graphene structure on the first surface of the metallic substrate; and a third step of patterning the metallic substrate by etching to form an electrode.
本発明のグラフェン導電膜の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、エッチングによって、前記金属基材をパターニングして電極を形成させる第三ステップと、を含む。 - 特許庁
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