「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 次へ＞- A method for manufacturing a semiconductor device includes a step of applying the resist pattern thinning material to cover the surface of a resist pattern formed on a base layer to form a mixing layer with the resist pattern thinning material on the surface of the resist pattern and developing to form a thinned resist pattern, and a step of patterning the base layer by etching using the resist pattern as a mask.
下地層上に形成したレジストパターンの表面を覆うように該レジストパターン薄肉化材料を塗布し、レジストパターンの表面に該レジストパターン薄肉化材料とのミキシング層を形成し現像処理し、薄肉化したレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - The semiconductor device is manufactured by means of steps of patterning the conductor layer 3, depositing a coating material 4 gently along the pattern change of the conductor layer 3, and transferring the profile of the coating material 4 by an etch-back step to make the corner parts of the conductor layer 3 into a round shape or an approximately straight-line shape.
また、導電体層３をパターニングする工程と、導電体層３の形状変化に緩やかに追従しながら形状変化する被覆材４を被覆形成する工程と、被覆材４の形状をエッチバックにより導電体層３に転写して、導電体層３のコーナー部をラウンド形状又は略直線形状とする工程とを有して、上記半導体装置を製造する。 - 特許庁 - The process for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a resist 6 containing a thermally crosslinking material on the surface of a semiconductor substrate 5, a step for pressing a mold 1 provided with a pattern 4 against the resist 6, a step for heating the resist 6 while pressing the mold 1 against the resist 6, and a step for patterning the resist 6 by removing it.
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板５の表面上に、加熱により架橋する材料を含むレジスト６を形成する工程と、パターン４の形成されたモールド１をレジスト６に押し付ける工程と、モールド１をレジスト６に押し付けた状態で、レジスト６を加熱する工程と、レジスト６を除去することにより、レジスト６をパターニングする工程とを備えている。 - 特許庁 - The alignment pattern used for patterning wiring of an aluminum film 15 comprises a planar shape of an inclining face formed between the upper edge of an alignment hole 12 opened in a BPSG film 20 on a silicon substrate 18, and the surface of a tungsten plug 14 filling the alignment hole 12 wherein the alignment hole 12 is formed deeper than the thickness of the BPSG film 20.
シリコン基板１８上のＢＰＳＧ膜２０に開けられた目合わせ用ホール１２の上端エッジと、目合わせ用ホール１２に埋設されたタングステンプラグ１４表面との間に形成される傾斜面の平面形状からなり、アルミニウム膜１５の配線パターニングに用いられる目合わせパターンであって、目合わせ用ホール１２の深さを、ＢＰＳＧ膜２０の膜厚より深く形成した。 - 特許庁 - The manufacturing method for the contact pin for the electrical test, which is characterized by being made of porus metal, is desired to have metal coating process for providing a metal coating on a substrate, resist layer forming process, patterning process, porus metal filling process, resist layer removing process and porus metal removing process.
多孔質金属からなることを特徴とする電気テスト用コンタクトピンであり、その製造方法としては、基板上に金属被覆膜を設ける金属被覆工程、レジスト層形成工程、パターニング工程、多孔質金属充填工程、レジスト層除去工程、多孔質金属部分離工程を有することを特徴とする電気テスト用コンタクトピンの製造方法が好ましい。 - 特許庁 - The method of lithography patterning includes: a step of forming a first photoresist layer having at least one opening on a substrate; a step of curing the first photoresist layer; a step of forming a second photoresist layer on the substrate; a step of forming a material layer on the substrate; and a step of removing the first and second photoresist layers to expose the substrate.
リソグラフィによるパターンニング方法であって、少なくとも一つの開口部を有する第１のフォトレジスト層を基板上に形成する工程と、第１のフォトレジスト層を硬化させる工程と、第２のフォトレジスト層を基板上に形成する工程と、マテリアル層を基板上に形成する工程と、第１および第２のフォトレジスト層を除去して基板を露出させる工程と、を含む。 - 特許庁 - In patterning the barrier material layer through a masking layer by sandblast process, the pattern in the vicinity of the end portion A in the masking layer 3 is made so that the masking layer 3 having an extended portion is put adjacent to the masking layer 3 having no extended portion and that the extended portion of that adjoining masking layer 3 is positioned on the extension line of the masking layer 3 having no extended portion.
マスキング層を介してのサンドブラスト加工により障壁材料層をパターニングするに際し、マスキング層３における端部Ａ付近のパターンを、延長部分の有るマスキング層３と延長部分のないマスキング層３とが隣合わせとなり、しかも延長部分のないマスキング層３の延長線上に隣のマスキング層３の延長部分が位置するパターンとする。 - 特許庁 - The disclosed method includes the steps of: providing a substrate; coating the substrate with an organic material layer through patterning; baking the substrate and the organic material layer; forming a metal thin film over the substrate and the organic material layer; and removing the organic material layer and the metal thin film over the organic material layer and forming a thin film antenna from the substrate and the metal thin film over the substrate.
基板を提供する工程と、パターンによって有機材料層を基板に塗布する工程と、基板と有機材料層をベークする工程と、金属薄膜を基板と有機材料層に形成する工程と、有機材料層と有機材料層にある前記金属薄膜を除去し、基板と基板の上にある金属薄膜で薄膜アンテナを形成する工程を含む。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the thin film transistor comprising the process of patterning at least one element of the thin film transistor (TFT) on an intermediate transfer medium and the process of transferring the at least one patterned element onto a long-length support body, the manufacturing method of the thin film transistor has the process of executing heating treatment to the at least one patterned element.
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の少なくとも一つの要素を中間転写媒体上にパターニングする工程、該パターニングされた少なくとも一つの要素を、長尺支持体上に転写する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法において、 前記パターニングされた少なくとも一つの要素に、加熱処理を行う工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁 - The method for manufacturing the ZnO nanowire by using ultrasonic energy comprises: a first step of forming a Zn layer on the surface of a substrate; a second step of patterning the Zn layer; and a third step of putting the resulting substrate in a mixed solution of a Zn-containing solution with a Zn ionization solution and forming the ZnO nanowire on the Zn layer by using an ultrasonic generator.
基板の表面にＺｎ層を形成する第１段階と、Ｚｎ層をパターニングする第２段階と、基板をＺｎを含む溶液とＺｎをイオン化する溶液との混合溶液に入れ、超音波発生器を使用し、Ｚｎ層上にＺｎＯナノワイヤを形成する第３段階とを含むことを特徴とする超音波エネルギーを利用したＺｎＯナノワイヤの製造方法である。 - 特許庁 - To remove residues after patterning an electrode film on one principal surface side of a wafer without affecting the other principal surface side even if a curvature is generated on the wafer in a method of manufacturing an insulation gate type semiconductor device that includes a step of forming an Al-based alloy electrode film on the one principal surface of a thin wafer of 200 μm.
２００μｍ以下の薄いウエハの一方の主面にＡｌ系合金電極膜を形成する工程を有する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において、ウエハに反りが生じても他方の主面側に影響を及ぼさずに一方の主面側の電極膜のパターニング後の残渣除去ができる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a new half mirror material formed by using a mirror ink; to provide a half mirror material suitable for easy small-lot production of patterning of a half mirror part by using normal printing operation to advantageously form the half mirror part without requiring large size equipment; and to provide a method for simply and easily manufacturing the half mirror material.
ミラーインキを用いて形成される新規なハーフミラー材料を提供すること、また、大型の設備を要することなく、通常の印刷操作を利用してハーフミラー部位が有利に形成され、且つ、そのようなハーフミラー部位のパターニングの容易な小ロッド生産に適したハーフミラー材料を提供すること、更に、そのようなハーフミラー材料を簡便に且つ容易に製造し得る方法を提供すること。 - 特許庁 - The manufacturing method of the micro mirror actuator is characterized by including a step for etching a trench corresponding area on a substrate, a step for laminating the film shaped organic film on the substrate so as to maintain a hollow state of the trench corresponding area, and a step for eliminating the film shaped organic film after depositing and patterning a metal film on the film shaped organic film.
マイクロミラーアクチュエータの製造方法は、基板上にトレンチ対応領域をエッチングする段階と、前記トレンチ対応領域が中空状態を保つように基板上にフィルム状有機膜をラミネーションする段階と、前記フィルム状有機膜上に金属膜を蒸着してパターニングした後、前記フィルム状有機膜を除去する段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - The artificial marble is manufactured by preforming the gel coat layer 8 on the surface of a casting mold and forming the pattern layer 9 on the gel coat layer 8, and subsequently injecting a resin compound, obtained by compounding additives such as a filler, a patterning material, an internal release agent, a hardener and the like with a thermosetting resin, into the casting mold to mold and cure the same.
予め注型用金型面にゲルコート層８を形成すると共に、該ゲルコート層８の上に柄付け模様付けした柄付け模様層９を形成し、その後、熱硬化性樹脂に充填剤、柄材、内部離型剤、硬化剤などの添加物を配合して得られた樹脂組成物を注型用金型に注入して成形硬化させて得られる人造大理石の製造方法である。 - 特許庁 - The one substrate 2 is manufactured by forming transparent electrodes 11 for forming the color filters on one surface 10a of a plastic substrate 10 having translucency, then forming the color filters 12 by an electrodeposition method using these electrodes 11 and patterning and forming transparent electrodes 13 for display by a photolithography method on the other substrate 10b of the substrate 10 with the formed color filters 12 as a mask.
一方基板２は、透光性を有するプラスチック基板１０の一方表面１０ａにカラーフィルタ形成用透明電極１１を形成した後、該電極１１を用いて電着法によってカラーフィルタ１２を形成し、形成したカラーフィルタ１２をマスクとして基板１０の他方表面１０ｂにフォトリソグラフィ法によって表示用透明電極１３をパターン形成して作製される。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the multilayer board, a conductive wiring layer 14 formed by patterning a conductive film 13 is laminated via an insulating film 12, a circular confirmation hole 14 is provided in the conductive film 13 laminated first, the position of the confirmation section 14 is recognized, and the second wiring layer 18 or thereafter is patterned.
本形態の多層基板の製造方法は、導電膜１３をパターニングすることで形成された配線層１４が絶縁膜１２を介して積層される多層基板の製造方法において、最初に積層される導電膜１３に円形の確認孔１４を設け、この確認部１４の位置を認識してから、２層目以降の配線層１８のパターンニングを行う構成に成っている。 - 特許庁 - The method for manufacturing the liquid crystal display device comprises: a process of forming an electrode layer 120a for pixel electrode on a first substrate 100; a process of forming a prescribed alignment layer pattern 500 on the electrode layer 120a for pixel electrode; and a process of patterning the electrode layer 120a for pixel electrode by using the alignment layer pattern 500 as a mask and forming a pixel electrode pattern 120.
第１基板１００上に画素電極用電極層１２０ａを形成する工程と、画素電極用電極層１２０ａ上に所定の配向膜パターン５００を形成する工程と、配向膜パターン５００をマスクにして画素電極用電極層１２０ａをパターニングし、画素電極パターン１２０を形成する工程と、を含んで液晶表示素子の製造方法を構成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the patterned polyimide precursur film comprises subjecting the photoresist film on a polyimide pattern to a heat treatment for 30 seconds to 30 minutes at a temperature ranging from 40 to 100°C within 30 minutes, before a process of peeling the photoresist film with a peeling liquid after patterning the polyimide precursur film formed on a semiconductor wafer, having a difference in level of ≥2 microns with the photoresist.
２ミクロン以上の段差を有する半導体ウエハ上に形成されたポリイミド前駆体被膜をフォトレジストでパターン加工した後、ポリイミドパターン上のフォトレジスト被膜を剥離液で剥離する工程の前６０分以内に、４０〜１００℃の範囲の温度で３０秒〜３０分間の加熱処理を施すことを特徴とするパターン化されたポリイミド前駆体被膜の製造方法。 - 特許庁 - The first electrode substrate 10 is formed by patterning metallic auxiliary electrodes 12 on a plane placed opposite to the second electrode substrate 20 of a glass substrate 11, burying gaps between the auxiliary electrodes 12 with flattening films 13 and subsequently forming transparent electrodes 14 which are electrically connected with the auxiliary electrodes 12 exposed from the flattening films 13 on the flattening films 13.
第１電極基板１０は、ガラス基板１１の第２電極基板２０と対向する対向面に金属製の補助電極１２をパターニングし、この補助電極１２パターンの相互間を樹脂製の平坦膜１３で埋めた後、平坦膜１３上に平坦膜１３から露出する補助電極１２と電気的に接続するように透明電極１４を形成してなる。 - 特許庁 - In one embodiment, a method for etching chromium includes steps of: preparing a film stack having a chromium layer in a processing chamber; patterning a photoresist layer on the film stack; depositing a conformal protective layer on the patterned photoresist layer; etching the conformal protective layer to expose the chromium layer through the patterned photoresist layer; and etching the chromium layer.
一実施形態において、クロムをエッチングする方法は、クロム層を有する膜スタックを処理チャンバー内に用意するステップと、膜スタック上でホトレジスト層をパターン化するステップと、パターン化されたホトレジスト層に適合保護層を堆積するステップと、その適合保護層をエッチングして、パターン化されたホトレジスト層を通してクロム層を露出させるステップと、クロム層をエッチングするステップとを備えている。 - 特許庁 - Moreover, on filming, the patterning by density distribution of the electrolytic fine particle 22 can be conducted, such as filming by pouring the solution of the electrolytic fine particle 22 into a cast stand which electrify positively a part corresponding to a path of fuel gas and oxygen gas when fuel cell is formed and subsequently volatilizing the solvent, thereafter pouring binder resin solution into the cast stand and volatilizing the solvent.
さらに、製膜の際、燃料電池を形成したときに燃料ガスや酸化ガスの流路に相当する部位をプラスに帯電させたキャスト台に電解質微粒子２２の溶液を流し込んだ後に溶媒を揮発させ、その後バインダ樹脂溶液を流し込んで溶媒を揮発させることによって製膜するなど電解質微粒子２２の密度分布によるパターニングを行なうことができる。 - 特許庁 - When regions 6a and 6b, where the impurities of different concentration or the impurities of different types are partially implanted, exist in a polysilicon film 6 formed on a semiconductor substrate as shown in Fig. (b), the impurities of high etching rate are implanted (6c) in an etched region after a lithographic process for patterning a gate electrode, and the etching rate is made uniform.
図３（ｂ）に示すように、半導体基板上に形成されたポリシリコン膜（６）に部分的に異なる濃度の不純物または異なる種類の不純物が注入された領域（６ａ及び６ｂ）がある場合に、図３（ｃ）に示すゲート電極をパターニングするためのリソグラフィー工程の後、エッチングする領域にエッチングレートの大きな不純物を注入し（６ｃ）、エッチングレートの均一化を図る。 - 特許庁 - In a semiconductor distortion multi-layer structure substrate having at least one sacrificial layer 6 and at least one distortion layer 7 having different lattice constants laminated therein, the beam or chip is formed by patterning the sacrificial layer 6 and the distortion layer 7 by photolithography, and etching-removing the sacrificial layer 6 by selective etching, resulting in the displacement of the remaining distortion layer 6.
互いに格子定数の異なる犠牲層６と歪層７とが少なくとも１層ずつ積層されてなる半導体歪多層構造基板において、犠牲層６と歪層７とがフォトリソ技術によってパターニングされるとともに、犠牲層６が選択的エッチングによりエッチング除去され、残存する歪層６が変位することによりビームまたはチップが形成されている。 - 特許庁 - This method for manufacturing the cushion layer for the polishing pad includes: a process for molding a mixture containing energy ray curing resin into a sheet shape; a process for performing patterning of hardened parts and unhardened parts by a photolithography method on one surface of the obtained sheet; and a process for forming irregularities on one surface of the sheet by removing the unhardened parts.
研磨パッド用クッション層の製造方法であって、エネルギー線硬化性樹脂を含む混合物をシート状に成型加工する工程、得られたシートの片面上にフォトリソグラフィー法により硬化部分と未硬化部分のパターニングを施す工程、及び未硬化部分を除去することによりシートの片面上に凹凸形状を形成する工程を含む研磨パッド用クッション層の製造方法。 - 特許庁 - The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for etching a substrate having a through hole 11 in a region different from the through hole 11, wherein etching is carried out after forming resist 72 on the substrate over the opening of the through hole 11 and then patterning the resist by exposure.
本発明の半導体装置の製造方法は、貫通孔１１を有した基板に対し、該貫通孔１１とは異なる領域においてエッチングを行う工程を含む半導体装置の製造方法であって、基板に対し、貫通孔１１の開口面に跨る形にてレジスト７２を形成し、該レジスト７２を露光によりパターニングした後に、エッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method for forming a resist underlayer film of a multilayer resist film having at least three layers used in lithography, wherein the resist underlayer film reduces reflectance, has high etching resistance, high heat, and solvent resistances, and avoids wrinkling on a substrate particularly during the etching of the substrate, and also to provide a patterning process using the same.
リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - A semiconductor apparatus manufacturing method comprises processes of patterning a bottom electrode 11 on a base film 8; applying the dielectric substance onto the bottom electrode 11 using an ink jet-type application mechanism, forming the dielectric film 12 on the bottom electrode 11 by heating the applied dielectric substance, and forming a top electrode on the dielectric film 12.
下地膜８上に、パターニングされた下部電極１１を形成する工程と、インクジェット方式の塗布機構を用いて、下部電極１１上に誘電体物質を塗布する工程と、塗布された誘電体物質を加熱することにより、下部電極１１上に誘電体膜１２を形成する工程と、誘電体膜１２上に上部電極を形成する工程とを具備する。 - 特許庁 - To provide an organic glass film containing a copolymer of a diallyl carbonate compound and an acid-decomposable allyl carbonate compound and/or an acid-decomposable acrylic ester compound (particularly a monomer forming a hydrophilic group by acid decomposition) and a compound which generates an acid under electron beams and to provide a method for producing a patterned film by patterning the organic glass film with electron beams.
ジアリルカーボネート化合物と、酸で分解するアリルカーボネート化合物又は／及び酸で分解するアクリル酸エステル化合物（特に、酸により分解し親水性基を生じるモノマー）との共重合体、並びに電子線で酸を発生する化合物を含む有機ガラス膜に関し、又その膜の電子ビームによるパターン形成を行い、パターン形成された膜を作製する方法に関する。 - 特許庁 - In the line patterning method, functional liquid X is ejected from positions displaced in the width direction from the center A between banks 34 in the width direction so that the functional liquid X temporarily overflowing from between adjacent banks 34 do not touch each other thus arranging the functional liquid simultaneously between the plurality of banks 34.
線パターンの形成方法であって、隣合うバンク間３４から一時的に溢れ出した上記機能液Ｘ同士が接触しないように各上記バンク間３４の幅方向の中央Ａに対し当該幅方向に変位した位置を各々のバンク間３４の吐出位置として上記機能液Ｘを吐出することによって複数の上記バンク間３４に同時に機能液を配置する。 - 特許庁 - To provide a new cationic photopolymerizable epoxy resin composition to compatibilize improved patterning characteristics with improved properties such as ink resistance and adhesiveness to a substrate and further provide a fine structure member composed of a cured product of the resin cmoposition and a method for forming the fine structure member.
パターニング特性のより一層の向上と、耐インク性や基板に対する密着性といった性能の向上と、の両立が可能な新規な光カチオン重合性エポキシ樹脂組成物を提供すること、更には、本発明の他の目的は、上述の樹脂組成物の硬化物からなる微細構造体、およびその製造方法といった関連する諸発明を提供すること。 - 特許庁 - An anisotropically electrically conductive double-sided tape which has anisotropy in electrical conductivity and adhesion and does not require heat treatment is formed by applying an electrically conductive adhesive 17 having a patterning at the position of electrodes on both front and back surfaces of an anisotropically electrically conductive sheet 15 composed of an insulation elastic material 11 such as an insulation silicone rubber and an electrically conductive filament 13 such as a metal wire.
絶縁シリコンゴム等の絶縁性弾性材１１と金属線等の導電性線状体１３とからなる異方導電性シート１５の表裏の両面に、電極の位置にパターニングした導電性接着剤１７を塗布することで、導電性に異方性を持ち、接着性があり、熱処理を必要としない異方導電性両面テープを形成する。 - 特許庁 - The forming method of the bump includes a process for patterning a resist layer 20 so as to have a through hole 22 upward of a pad 12, a process for hardening at least the surface of the resist layer 20 by applying energy 36 producing crosslinking reaction on the resist layer 20, and a process for forming metal layers 40, 42 connected electrically to the pad 12 in the through hole 22.
バンプの形成方法は、パッド１２の上方に貫通穴２２を有するようにレジスト層２０をパターニングする工程と、レジスト層２０に架橋反応を生じさせるエネルギー３６を加えてレジスト層２０の少なくとも表面を硬化させる工程と、貫通穴２２内にパッド１２と電気的に接続する金属層４０、４２を形成する工程と、を含む。 - 特許庁 - To provide a substrate for an organic EL element and its manufacturing method capable of patterning a light-emitting layer, or the like, without damaging a hole transport property, or the like, in the case of a layer for formation of a lyophilic area or a liquid-repellent area has such a property, and capable of restraining color shades or generation of short circuiting between electrodes.
親液性および撥液性領域を形成するための層が正孔注入性や正孔輸送性等を有する場合にその正孔注入性や正孔輸送性等を損なうことなく、発光層等をパターニングすることが可能であり、また色むらや電極間の短絡発生を抑制可能な有機ＥＬ素子用基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - By patterning one or both of the electrodes 3 and 5 with small scale non-conducting gaps which have widths less than about 2.5 times of a cell gap t and are disposed substantially within the liquid crystal domains, or a combination of such gaps with gaps disposed primarily along the domain boundaries, not only control of the nature of the liquid crystal domains but also the responsiveness of the cell can be obtained.
セルギャップｔの約２．５倍未満の幅を有するとともに実質的には液晶ドメイン内に配置される小さな寸法の非導電性ギャップ或いは主にドメインの境界に沿って配置されたこのようなギャップの組み合わせで、電極（３，５）の１方又は双方をパターニングすることで、液晶ドメインの性質に対する優れた制御のみならずセルの反応性をも得ることができる。 - 特許庁 - The exposure apparatus for exposing the patterns of the original plates on the substrate by double patterning includes a stage that moves with the original plate placed thereon, a holding means for holding the original plate to be exposed following the original plate placed on the stage, a heating means for heating the original plate held by the holding means, and a control means for controlling the heating means.
ダブルパターニングにより複数の原版のパターンを基板に露光する露光装置において、 原版を搭載して移動するステージと、前記ステージに搭載されている原版の次に露光すべき原版を保持する保持手段と、前記保持手段により保持された原版を温調する温調手段と、前記温調手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an organic EL element of a simple manufacturing process and high productivity of zoning pixel electrodes formed in patterning on a substrate by a liquid-repellent layer formed by a stable liquid-repellent layer forming method, and forming a stable pixel in each zone with the use of a droplet discharge method, as well as an organic EL element and a device using the organic EL element.
製造工程が簡便で、生産性が高く、安定した撥液層形成方法を用いて形成した撥液層により、基板上にパターン化されて形成された画素電極を区画し、各区画内に液滴吐出法を使用し、安定した画素を形成する有機ＥＬ素子の製造方法、有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ素子を使用した装置の提供。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, capable of reducing the connection resistance of a pixel electrode and a drain electrode through a interlayer insulating film, and also, capable of satisfactorily patterning an ITO film free from a short circuit between mounted terminals on a single etching processing stage at the time of forming the pixel electrode, as for the liquid crystal display device having a pixel uppermost layer structure.
画素最上層構造を有する液晶表示装置において、層間絶縁膜を介した画素電極とドレイン電極の接続抵抗を低減できると共に、画素電極形成時に、ＩＴＯ膜を一回のエッチング処理工程で実装端子間に短絡のないかつ良好なパターン形状にパターニングすることのできる液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To improve characteristics of an organic thin film transistor by suppressing repellency of a coating in an area corresponding to a semiconductor thin film region by patterning a surface by using a finishing agent having a specified structure, improving crystallinity of a semiconductor, improving carrier mobility of a semiconductor thin film, and precisely forming a semiconductor film pattern.
本発明の目的は、特定構造の表面処理剤を用いて表面をパターン化することにより、半導体薄膜領域に相当する領域における塗膜のはじきを抑え、半導体の結晶性を向上させ、半導体薄膜のキャリア移動度を向上させると共に、半導体薄膜パターンを精度よく形成して有機薄膜トランジスタの特性を向上させることにある。 - 特許庁 - The cationic photopolymerizable epoxy resin composition for forming a structure member using the patterning by light irradiation contains (a) an epoxy resin, (b) a cationic photoinitiator, (c) a cationic polymerization inhibitor, (d) a compound having a fluoroalkyl group and a substituent crosslinkable with the epoxy group of the epoxy resin at a terminal and (e) a cationic thermal polymerization catalyst.
光照射によるパターンニングを利用した構造体形成用の樹脂として、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）光カチオン重合開始剤、（ｃ）カチオン重合阻害物質、（ｄ）フルオロアルキル基を有し、かつ前記エポキシ樹脂のエポキシ基と架橋反応する置換基を末端に有する化合物及び（ｅ）熱カチオン重合触媒を含む光カチオン重合性エポキシ樹脂組成物を用いる。 - 特許庁 - A method includes a step of forming a titanium oxide film, preferably with a patterning, on a glass substrate having three-dimensional curvature shape by an electrodeposition method using a water dispersion solution containing a resin and titanium oxide capable of electrodeposition, and a step of forming the dye-sensitized solar cell using the titanium oxide film as a photoelectric conversion layer.
色素増感太陽電池を備えた車載用ガラスを製造する方法であって、電着可能な樹脂と酸化チタンを含む水分散液を用いた電着法により、３次元曲面形状を有するガラス基板の上に、好ましくはパターニングされた酸化チタン膜を形成する工程と、酸化チタン膜を光電変換層として用いて色素増感太陽電池を作製する工程とを備えることを特徴としている。 - 特許庁 - To provide a resist underlayer film material of a multilayer resist film used in lithography for forming a resist underlayer that prevents wiggling in substrate etching and prevents a poisoning problem in forming an upper layer pattern using a chemically amplified resist, to provide a process for forming the resist underlayer film, and to provide a patterning process and a fullerene derivative.
本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜、を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。 - 特許庁 - This label producing method includes both a step for adding a membrane made of a material for functional surfaces onto a substrate made of a material for structure parts and a step for patterning the membrane made of the material for functional surfaces and the substrate made of the material for structure parts by electron-beam lithography or etching using a mask made of a plurality of resin particles adhered onto the membrane made of the material for functional surfaces.
標識製造方法は、機能性表面用材料の薄膜を構造部用材料の基板上に付加するステップと、電子ビームリソグラフィー、又は、機能性表面用材料の薄膜上に付着した複数の樹脂粒子から成るマスクを使用するエッチングによって、前記機能性表面用材料の薄膜及び構造部用材料の基板をパターニングするステップとを含むものである。 - 特許庁 - The method for forming the contact structure comprises the steps of: forming an interlayer insulating film on a semiconductor substrate; forming a contact hole by patterning the interlayer insulating film and exposing the predetermined region of the semiconductor substrate; and forming the contact spacer on the side wall of the contact hole by the use of a depositing method having a depositing direction slanted to the main surface of the semiconductor substrate.
本発明のコンタクト構造体の形成方法は、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜をパターニングして半導体基板の所定領域を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、半導体基板の主表面に対して傾斜した蒸着方向を有する蒸着法を用いてコンタクトホールの側壁にコンタクトスペーサを形成する工程と、を有する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor device comprises processes for forming a resist pattern on a base layer; smoothing, at least the wall surfaces of the resist pattern by applying a resist pattern smoothing material to the surface of the resist pattern and by controlling at least either one of coating thickness and heating temperature, including heating and development; and patterning the base layer by etching, using the smoothed resist pattern.
下地層上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンの表面にレジストパターン平滑化材料を塗布した後、加熱し、現像することを含み、塗布の厚み及び加熱の温度の少なくともいずれかを調整することにより、レジストパターンにおける少なくとも壁面を平滑化させる工程と、平滑化されたレジストパターンを用いてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - The method of patterning a dielectric film includes a step of forming a first dielectric film on a silicon substrate, a step of forming a second dielectric film on the first dielectric film, a step of partially exposing the first dielectric film by partially etching the second dielectric film with use of an etching paste, and a step of etching the exposed first dielectric film using an etching solution.
シリコン基板上に、第１の誘電体膜を形成する工程と、該第１の誘電体膜上に、第２の誘電体膜を形成する工程と、エッチングペーストを用いて、第２の誘電体膜を部分的にエッチングすることにより、第１の誘電体膜を部分的に露出させる工程と、露出した第１の誘電体膜を、エッチング液を用いてエッチングする工程とを含む誘電体膜のパターニング方法を提供する。 - 特許庁 - The method is a thermolysis mutual fusion method for heat decomposable particles for heating the heat decomposable particles selectively, by performing on various kinds of boards surface application or circuit patterning of particles having a heat decomposable property and capable of absorbing high frequency electromagnetic waves, and subsequently performing high frequency electromagnetic irradiation, and relates to electronic mounted components such as conductive materials, conducting paths, bumps, pads, vias, etc. formed by the method.
熱分解性を有し且つ高周波電磁波を吸収する粒子を、各種基板上に表面塗布又は回路パターンニングを行った後に、高周波電磁波照射を行うことで、熱分解性粒子を選択的に加熱する熱分解性粒子の加熱分解相互融着方法とこの方法を用いて形成した導電材、導電路、アンテナ、バンプ、パッド、ビア等の電子実装部品である。 - 特許庁 - A method for manufacturing the capacitor of the semiconductor element comprises a step of vapor depositing a Ta metal film 28 on a semiconductor substrate 20, a step of crystallizing the Ta metal film 28, a step of forming a lower electrode 30 by patterning a prescribed part of the film 28, a step of forming the TaON film on the electrode 30, a step of forming an upper electrode 34 on the TaON film 32.
半導体基板20上にＴａ金属膜を蒸着するステップと、Ｔａ金属膜28を結晶化するステップと、Ｔａ金属膜28の所定部分をパターニングして、下部電極30を形成するステップと、下部電極30上にＴａＯＮ膜を形成するステップと、ＴａＯＮ膜32上に上部電極34を形成するステップとを含む半導体素子のキャパシタの製造方法及びこれにより製造される半導体素子のキャパシタ。 - 特許庁 - Degradation of a transfer layer 153 can be prevented by using laser beams 240 of high intensity generated from the laser generator 211 for patterning, and advantageously, transfer can be excellently performed without occurrence of any edge open failure even in a portion having a step of an acceptor substrate 160 by preheating the portion with laser beams 245 generated from the laser generator 212 for preheating.
パターニング用レーザ発生器２１１から発生する高強度のレーザビーム２４０を利用することによって，転写層１５３が劣化するのを防止することができると同時に，予熱用レーザ発生器２１２から発生するレーザビーム２４５で予熱することによって，アクセプタ基板１６０の段差が存在する部分でもエッジオープン不良が発生することなく，転写を良好に行うことができるという利点がある。 - 特許庁 - The manufacturing method of the organic EL element consisting of a first electrode patterned on a substrate, an organic layer containing an organic light-emitting layer arranged on the first electrode, and a second electrode arranged on the organic layer, includes a process in which the first electrode is formed by patterning with the use of printing of resist liquid or etchant liquid.
基板上にパターニング配設された第一電極、該第一電極上に配設された有機発光層を含む有機層および該有機層上に配設された第二電極からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法において、前記第一電極は、レジスト液またはエッチャント液の印刷を用いたパターニングにより形成されて工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法。 - 特許庁 - The method for manufacturing the partition wall in the biochip 100, equipped with the substrate 10 and the partition wall 20 demarcating the surface thereof, includes a step of forming a first film on the substrate 10 using a composition containing a colorant (A), an acylphosphine oxide type radiation-sensitive polymerization initiator (d) and the polyfunctional monomer (C) and a step of patterning the first film by a lithography to form the partition wall 20.
基板１０とその表面を区画する隔壁２０とを備えるバイオチップ１００における隔壁を製造する方法であって、着色剤（Ａ）とアシルホスフィンオキサイド系感放射線性重合開始剤（ｄ）と多官能性単量体（Ｃ）とを含む組成物を用いて基板１０上に第１膜を形成する工程と、第１膜をリソグラフィー法によりパターニングして隔壁２０を形成する工程を備える。 - 特許庁
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