「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 次へ＞- The pattern forming method includes steps of: forming an etching mask 9 having a predetermined pattern formed on a member 3 to be processed; impregnating the etching mask 9 with a predetermined material 12; and patterning the member 3 to be processed using the etching mask 9 impregnated with the predetermined material 12.
被加工部材３上に所定のパターンが形成されたエッチングマスク９を形成する工程と、前記エッチングマスク９に所定の物質１２を含浸させる工程と、前記所定の物質１２を含浸した前記エッチングマスク９を用い、前記被加工部材３をパターニングする工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法が提供される。 - 特許庁 - The fabric type semiconductor device package comprises a fabric printed circuit substrate having a woven fabric and a first lead part formed by patterning a conductive material on the woven fabric; a semiconductor device having an electrode part connected to the lead part of the fabric printed circuit substrate; and a molding that seals the fabric printed circuit substrate and the semiconductor device.
布製半導体素子のパッケージは、織布と、前記織布上に導電材をパターニングして形成された第１リード部と、を有する布製印刷回路基板と、前記布製印刷回路基板のリード部に接続された電極部を有する半導体素子と、前記布製印刷回路基板と、前記半導体素子とを密封する成形部（molding）と、を含む。 - 特許庁 - An alignment marker used for patterning in repeatedly performing epitaxial growth and ion implantation on a low resistance arsenic-doped silicon substrate by using the multistage epitaxial system is formed as a projection or recess having a level difference which is formed by selectively reducing the thickness of an oxide film provided on a back side opposite to an epitaxial growth side.
低抵抗砒素ドープシリコン基板に多段エピタキシャル方式によるエピタキシャル成長とイオン注入を繰り返し実施する際にパターニングに用いられるアライメントマーカーを、前記エピタキシャル成長面とは反対側の裏面に設けた酸化膜の膜厚を選択的に減厚して形成した段差からなる凸部又は凹部として形成する。 - 特許庁 - To provide an improved plasmon element itself important for assisting and supporting various application techniques and utilization techniques and a relatively simple method of high capacity for manufacturing the same, especially to provide a composite film capable of patterning a surface plasmon intensifying field in high density and having the surface plasmon intensifying field low in cost.
各種応用技術、利用技術の発展を援助し、支えるのに重要な改良されたプラズモン素子自体、及びそのための、比較的簡単で高性能な製造法を提供することを目的とするものであり、特に、表面プラズモン増強場を高密度にパターニングでき、かつ低コストな表面プラズモン増強場を有する複合膜を提供すること。 - 特許庁 - To provide resin compositions, which have high dimensional stability and sufficient mechanical strength and can obtain a porous polyimide resin film performable of minute patterning and giving excellent photosensitivity; a porous polyimide obtained by using these resin compositions; and a printed wiring board having a protective film formed of the porous polyimide.
高い寸法安定性と十分な機械強度を有し、かつ微細なパターニングが可能な優れた感光性を付与することが可能な多孔質ポリイミド樹脂膜を得ることができる樹脂組成物、及びこれらの樹脂組成物を用いて得られる多孔質ポリイミド、当該多孔質ポリイミドからなる保護膜を有するプリント配線板を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: preparing the semiconductor wafer; forming an etching groove by patterning the compound semiconductor epitaxial layer using an etching mask; and bonding the compound semiconductor epitaxial film, obtained by etching the peeling layer and peeling the compound semiconductor epitaxial layer, onto the substrate.
また、半導体装置の製造方法は、前記半導体ウェハを用意する工程と、エッチングマスクにより、化合物半導体エピタキシャル層をパターニングし、エッチング溝を形成する工程と、剥離層をエッチングし、化合物半導体エピタキシャル層を剥離することによって得られた化合物半導体エピタキシャルフィルムを基板上にボンディングする工程とを有するものである。 - 特許庁 - The method of manufacturing a gallium nitride compound semiconductor element having a p-type gallium nitride semiconductor layer doped with Mg comprises irradiating the surface of the p-type gallium nitride semiconductor layer with ultrasonic waves in at least one treating liquid among strong acids and strong alkalis to pretreat the surface of the layer before resist coating for p-type patterning.
マグネシウムがドープされたｐ型窒化ガリウム系半導体層を有する窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法において、ｐ型パターニングのためのレジスト塗布の前に、強酸及び強アルカリの少なくとも１つの処理液中で超音波を照射しながらｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を前処理する。 - 特許庁 - If polymethyl methacrylate is irradiated with electron beams or is subjected to irradiation with the electron beams by applying a technique of electron beam lithography and is reacted with a metal complex, the reducing power of the metal captured into the polymethyl methacrylate can be regulated; free patterning can be performed and the polymethyl methacrylate-metal cluster complex can be obtained.
ポリメチルメタクリレートに対し、電子線を照射、又は電子線 リソグラフィーの手法を適用して、電子線照射を行い、これに金属錯体を反応させると、ポリメチルメタクリレート内部に取りこまれる金属の還元力を調整することができ、自由なパターニングを行うことでき、ポリメチルメタクリレート−金属クラスター複合体をえることができる。 - 特許庁 - The reticle 2 usable for EUV aligners comprises a super-invar substrate 20, a smoothed layer FL formed on the upside of the substrate, a multilayer film ML formed on the layer FL for reflecting EUV rays and a patterning layer AL having an exposure pattern on the multilayer film.
本発明に係るレチクルは、ＥＵＶ露光装置に用いるレチクル２であって、スーパインバ基板２０と、このスーパインバ基板の上面に形成された平滑化層ＦＬと、この平滑化層上に形成された、ＥＵＶ光を反射するための多層膜ＭＬと、この多層膜上に形成された、露光パタンを有するパタニング層ＡＬと、を具備するものである。 - 特許庁 - The exposure apparatus is equipped with: a pattering substrate supporting unit to support a patterning substrate; and an exposure unit which includes an energy irradiation unit having at least two or more fluorescent lamps emitting light in a 250 nm to 450 nm wavelength range and an outer frame supporting the energy irradiation unit.
上記目的を達成するために、本発明は、パターニング用基板を支持するパターニング用基板支持部と、２５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内の波長の光を放出する蛍光ランプを少なくとも２以上有するエネルギー照射部と、前記エネルギー照射部を支持する外枠部とを含む露光ユニットを有することを特徴とする露光装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a zinc oxide-based transparent conductive film-forming material usable for a target for film formation of a transparent conductive film which holds conductivity endurable for pracrtical use, has weather resistance, and has a suitable etching rate in patterning, a method for manufacturing the same, a target using the same, and a method for forming zinc oxide-based transparent conductive film.
実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。 - 特許庁 - A photoresist pattern 35 is formed so that an aperture width of an aperture 35K is gradually narrowed as the aperture approaches a seed layer 12 by exposing a photoresist film to light while a reflection suppressing layer 31 is formed in an area F1 to perform patterning and then a precursor magnetic pole partial layer 13AZ is formed in the aperture 35K of the photoresist pattern 35.
領域Ｆ１に反射抑制層３１を形成した状態においてフォトレジスト膜を露光してパターニングすることにより、開口３５Ｋの開口幅がシード層１２に近づくにしたがって次第に狭まるようにフォトレジストパターン３５を形成したのち、そのフォトレジストパターン３５の開口３５Ｋに前駆磁極部分層１３ＡＺを形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a transparent conductive laminate which improves pattern alignment accuracy of a plurality of transparent conductive films by suppressing a dimensional change due to heat applied during a post process by conducting crystallization of a transparent conductive layer in a short time and a heat contraction processing of a substrate prior to patterning and joining of the conductive layer.
短時間で透明導電層を結晶化させること、及び、基板の熱収縮処理を行い、導電層のパターニング、貼り合せの前に、後工程で加えられる熱による寸法変化を抑制することで、複数の透明導電性フィルムのパターン位置合わせ精度を向上させる透明導電性積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method by which fine patterning with a metal oxide can directly be carried out on a substrate by treatment at ordinary temperature or treatment at a relatively low temperature and to inexpensively provide various high density electronic devices having a high degree of integration, a high functional optical element and a photocatalytic member to markets by utilizing the pattern forming method.
常温処理或いは比較的低温での処理により基板上に直接金属酸化物による微細形状のパターニングを行うことを可能としたパターン形成方法を提供し、また、このパターン形成方法を利用することで、高密度、高集積度の各種電子デバイス、高機能の光学素子、光触媒性部材を安価に市場に提供する。 - 特許庁 - When such the metal mask 11 is used, at least a part in the relief 12a is filled with a stress relaxation layer material during patterning of the stress relaxation layer 5, so that a projecting part 14 projecting outside from an intersection O between extension lines X-X and Y-Y of adjoining two sides is formed at four corners of the stress relaxation layer 5.
このメタルマスク１１を用いると、応力緩和層５のパターニング時に逃げ部１２ａ内の少なくとも一部に応力緩和層材料が充填されるので、応力緩和層５の四隅部分に、隣接する２辺の延長線Ｘ−Ｘ及びＹ−Ｙの交点Ｏよりも外側に突出する突出部１４が形成される。 - 特許庁 - The process (a) of forming an electrode made of inorganic oxide as a continuous layer among the plurality of electroluminescent elements, and a process (b) of irradiating light on the electrode made of the inorganic oxide and making an electric resistance of all or a part of areas where light irradiation is carried out higher than before the irradiation and carrying out patterning.
（ａ）該無機酸化物からなる電極を複数の電界発光素子間で連続した層として形成する工程 （ｂ）酸化性ガス雰囲気中で該無機酸化物からなる電極に対して光照射を行い、光照射を行った領域の全域又は一部の電気抵抗を光照射前に比して高くしたパターニングする工程 - 特許庁 - An upper surface protective film 91 after patterning, NMOSFET gate formation mask 31a, and PMOSFET gate formation mask 31b are used as masks for etching, so that a gate electrode 33 of a transistor of a DRAM memory cell part Rm and lower part electrodes 34a and 34b of each transistor of a CMOS part Rc are formed at the same time.
次に、パターニングした後の上面保護膜９１、ＮＭＯＳＦＥＴゲート形成用マスク３１ａおよびＰＭＯＳＦＥＴゲート形成用マスク３１ｂをマスクとして用いて、エッチングを行うことにより、ＤＲＡＭメモリセル部Rmのトランジスタのゲート電極３３、ＣＭＯＳ部Rcの各トランジスタの下部電極３４ａ、３４ｂを同時に形成する。 - 特許庁 - The magnetic card comprises a first concealing layer 3 and a second concealing layer 4 to cover a magnetic recording layer 2 on the basic material for the card 1 provided with the magnetic recording layer 2, a solid ink layer 7 not having the same color as that of the concealing layer and a patterning layer 5 onto the first concealing layer 3 disposed partially, and a protective layer 6.
磁気記録層２を設けたカード基材１上に、該磁気記録層２を被覆するように第一隠蔽層３と第二隠蔽層４とを設け、部分的に露出させた第一隠蔽層３上に、隠蔽層とは同一色ではないベタインキ層７と絵柄層５とを施し、さらに保護層６を設けたことを特徴とする磁気カード。 - 特許庁 - This method of manufacturing display device includes a step of patterning a resist layer 2 having a thickness excluding the thickness of the thickest resist film of a plurality of resist films having different film thicknesses in an area 13 other than a display area in a photoengraving process in which the plurality of resist films are provided for forming the pattern of the display device on the surface of a substrate 5.
基板５表面上に表示装置のパターンを形成するために、複数のレジスト膜厚を設ける写真製版工程において、表示領域以外の領域１３に、前記複数のレジスト膜厚のうち、最も厚いレジスト以外の厚さを有するレジスト層２をパターン形成する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 特許庁 - To provide a surface treatment agent for a freezing process that meets the requirement that (1) the line width of a first resist pattern does not fluctuate and (2) the line edge roughness (LER) of the first resist pattern does not deteriorate, by a freezing process in a freezing process that is applied to the first resist pattern in a double patterning method, and a pattern forming method using it.
ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理によって、（１）第一のレジストパターンの線幅が変動しない、（２）第一のレジストパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が悪化しない、という要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - The method includes: forming an opening portion in a first film; forming a phase-change substance on the first film and inside the opening portion; heating the phase-change substance at a first temperature at which the phase-change substance is reflowed into the opening portion; and patterning the phase-change substance after heating to define a phase-change element inside the first opening portion.
この方法は、第１膜内に開口部を形成すること、第１膜上及び開口部内に相変化物質を形成すること、相変化物質が開口部内にリフローされる第１温度で相変化物質を加熱すること、及び相変化物質を加熱した後に相変化物質をパターニングして、第１開口部内に相変化要素を定義することを含む。 - 特許庁 - The color filter substrate 100 has a plurality of color filters through patterning processes, such as pattern exposure, by the use of exposure mask having the transflective region at the end of the transmissive region, development, and post baking so that an overlap step-like portion of the color filter formed on a black matrix 21a can be reduced to a height of 0.5 m or smaller.
本発明のカラーフィルタ基板１００は、透過領域の端部に半透過領域が形成された露光マスクを用いてパターン露光、現像、ポストベーク等のパターニング処理を行って複数の着色フィルタを形成しているので、ブラックマトリクス２１ａ上に形成される着色フィルタのオーバーラップ（重なり）段差を０．５μｍ以下にすることができる。 - 特許庁 - A lower electrode 31 and the piezoelectric layer (PZT thin film) 32 are formed on the entire surface of one surface side of a support substrate (single-crystal MgO substrate) 1 before patterning, and an opening 4a partially exposing the piezoelectric layer 32 and an insulating layer 4 including an etching hole 5 are formed at one surface side of the support substrate 1, and then an upper electrode 33 is formed.
支持基板（単結晶ＭｇＯ基板）１の一表面側の全面に下部電極３１、圧電層（ＰＺＴ薄膜）３２を形成した後にそれぞれをパターニングし、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよびエッチングホール５を有する絶縁層４を形成してから、上部電極３３を形成する。 - 特許庁 - The laminate composed of the dielectric layer and the metallic tin-film layer is manufactured by using a process in which a resin material is attached and the dielectric layer is formed, a process in which a patterning material is attached on the dielectric layer in a beltlike manner, and a process in which the metallic thin-film layer is laminated as one unit and repeating the processes in fixed numbers.
樹脂材料を付着させて誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上にパターニング材料を帯状に付着させる工程と、金属薄膜層を積層する工程とを一単位とし、これを所定の回数繰返すことにより、誘電体層と金属薄膜層とからなる積層体を製造する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: (a) forming a resin layer 20 on a semiconductor substrate 10 with an integrated circuit 12 by patterning; (b) curing the resin layer 20; (c) forming a resist layer 24 in a manner to cover the resin layer 20; and (d) dry-etching the resist layer 24 and the resin layer 20 until the resin layer 20 is exposed.
半導体装置の製造方法は、（ａ）集積回路１２が形成された半導体基板１０に、樹脂層２０をパターニングして設けること、（ｂ）樹脂層２０を硬化させること、（ｃ）レジスト層２４を、樹脂層２０を覆うように設けること、（ｄ）レジスト層２４及び樹脂層２０を、樹脂層２０が露出するまでドライエッチングすること、を含む。 - 特許庁 - A mask member provided with an aperture patterning for forming a recessed part at a short circuit waveguide termination is formed on a base member for forming the short circuit waveguide termination and thereafter fine abrasive grains are jetted to the surface of the base member exposed in the opening of the mask member to form the recessed part thereby forming the short circuit waveguide termination the bottom side of which is a short circuit side.
短絡導波管終端を形成する基材上に、短絡導波管終端の凹部を形成するための開口パターニングを備えたマスク材を形成した後、マスク材の開口内に露出する基材表面に、微細砥粒を噴射させて凹部を形成し、その底面を短絡面とする短絡導波管終端を形成する。 - 特許庁 - In a process of patterning a wiring 210 on a metal plug 206, when a photoresist 218 is removed, impurity is added to oxygen plasma 220 with a ratio of oxygen to impurity at about 1:1 or with the amount of oxygen decreased with respect to that of impurity, and then the photoresist 218 is removed by an oxygen plasma and then a substrate 200 is wet-cleaned with an alkaline solution.
金属プラグ上に配線をパターニングする工程において、フォトレジストを除去する時に、酸素プラズマ中に不純物を添加し、かつ酸素と不純物との比率を約１：１または酸素含有量が不純物含有量よりも小さくしてから、酸素プラズマによりフォトレジストを除去し、アルカリ性溶液で基板に対する湿式洗浄を行う。 - 特許庁 - The mask blank having a thin film 12, 13 to form a pattern on a substrate 11 is to be subjected to a dry etching process applicable to the method of producing an exposure mask, the method including patterning the thin film by dry etching using an etching gas substantially containing no oxygen through a resist pattern 14a to be formed on the thin film as a mask.
基板１１上にパターンを形成するための薄膜１２，１３を有するマスクブランクにおいて、前記薄膜上に形成されるレジストパターン１４ａをマスクにして、酸素を実質的に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング処理により、前記薄膜をパターニングする露光用マスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクである。 - 特許庁 - The method for creating a pattern data of a photomask for multiple exposure techniques is to be applied for multiple patterning using a plurality of photomasks prepared by dividing a designed pattern; and the method is characterized in that the pattern is divided to render the area of each pattern set to be almost equal to others in each pattern set in the plurality of photomasks after dividing the pattern.
設計パタンをパタン分割した複数のフォトマスクを用いて多重パターニングを行う多重露光技術用フォトマスクのパタンデータ作成方法であって、前記パタン分割後の複数のフォトマスクの各々のパタン集合において、前記各々のパタン集合の面積がほぼ等しくなるようにパタン分割することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display device capable of improving brightness of display while improving adhesion between an organic transparent insulation film and an electrode formed on it, suppressing reduction in transmissivity of the organic transparent insulation film in the position wherein there is no electrode, and preventing patterning defective of the electrode, and to provide a method of manufacturing the same.
有機系透明絶縁膜とその上に形成される電極との密着性を改善すると同時に、前記電極が存在していない箇所における前記有機系透明絶縁膜の透過率の低下を抑制し、もって前記電極のパターン化不良を防止しながら表示の明るさを向上できる液晶表示装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - When a formed n-type amorphous silicon film 43 and an intrinsic amorphous silicon film 41 are subjected to patterning by dry etching using resist films 45a to 45d as a mask, the n-type amorphous silicon film and the intrinsic amorphous silicon film are left unnecessarily under a foreign matter 46 in the existence of the foreign matter 46 on the formed n-type amorphous silicon film 43.
レジスト膜４５ａ〜４５ｄをマスクとして、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜４３および真性アモルファスシリコン膜４１のパターニングをドライエッチングによって行なうとき、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜４３上に異物４６が存在すると、異物４６下にｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜が不要に残存される。 - 特許庁 - To obtain an artificial marble product exhibiting rugged patterns of relief patterns and having excellent design value, designability and sophisticated feeling by a method in which a molded article is obtained by adding and mixing patterning materials having higher hardness than that of the compound into the material for forming the artificial marble, and the hardened portion of the matrix compound on the surface of the molded article is scraped out.
人造大理石成形用材料にそのコンパウンドよりも硬度の高い柄材を添加配合して成形品を得て、成形品の表面のマトリックスコンパウンドの硬化物部分を掻き取るという方法により、浮作り模様の凹凸模様を表現し、意匠性やデザイン性の高い高級感のある人造大理石製品を得る。 - 特許庁 - On a substrate used for a production process of a large liquid crystal display, a probe card capable of the simultaneous collective contact to the entire chips on a wafer in high accuracy and low cost is disposed by patterning the following components using photolithography technique or the like: a contact pad with wafer and required wiring; a correction capacity for frequency characteristic improvement; and a signal switching thin-film transistor, and the like.
大型液晶ディスプレイの製造工程で採用されている基板上に、ウエハーとのコンタクトパッドと必要な配線、周波数特性改善用の補正容量、信号切り替え薄膜トランジスター等をフォトリソグラフ技術等でパターンニングすることにより、高精度且つ低コストのウエハー全チップ一括同時コンタクトが可能なプローブカードを作成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the partition of the biochip 100 including a substrate 10 and the partition 20 for partitioning its surface includes a first film formation process for forming a first film on the substrate 10 by using the radiation-sensitive composition containing a color former (A), and a partition forming process for forming the partition 20 by patterning the first film by a lithography method.
基板１０とその表面を区画する隔壁２０とを備えるバイオチップ１００における隔壁製造方法で、カラーフォーマー（Ａ）を含む感放射線性組成物を用いて基板１０上に第１膜を形成する第１膜形成工程と、第１膜をリソグラフィー法によりパターニングして隔壁２０を形成する隔壁形成工程と、を備える。 - 特許庁 - The method of manufacturing the electrooptical device includes the steps of: forming the conductive layer (9) of the light-reflective conductive material; forming a protective film (19) on the conductive layer; forming resist (60) on the protective film and performing patterning of the resist; and etching the protective film and conductive layer using the patterned resist as a mask.
電気光学装置の製造方法は、光反射性を有する導電性材料から導電層（９）を形成する工程と、導電層上に保護膜（１９）を形成する工程と、保護膜上にレジスト（６０）を形成し、当該レジストをパターニングする工程と、パターニングされたレジストをマスクとして、保護膜及び導電層に対してエッチングを施す工程とを備える。 - 特許庁 - To achieve the object, there are provided a cell culture patterning substrate comprising, a substrate material provided with a convex portion, and a cell culture region, which is a region for culturing a cell, formed on a surface of the substrate material, wherein the cell culture region is partitioned with the convex portion of the substrate material provided with the convex portion.
上記目的を達成するために、本発明は、凸部を有する基材と、前記基材表面に形成された細胞を培養する領域である細胞培養領域とを有し、前記細胞培養領域が、凸部を有する基材の前記凸部によって区画されていることを特徴とする細胞培養用パターニング基板を提供する。 - 特許庁 - When the temperatures of a shield plate assembly 130 and the patterning slit sheet 150 are sufficiently low, the vapor deposition substances 115 radiated to no-desired directions are all absorbed to the face of the shield board assembly 130 to retain a high vacuum, thereby the straight travelling properties of the vapor deposition substances can be secured without generating collision between the vapor deposition substances.
遮断板アセンブリ１３０とパターニングスリットシート１５０との温度が十分に低ければ、所望しない方向に放射される蒸着物質１１５は、いずれも遮断板アセンブリ１３０面に吸着されて高真空を維持できるため、蒸着物質間の衝突が発生せずに、蒸着物質の直進性を確保することができる。 - 特許庁 - To provide: a method for forming a solder layer in which the solder layer is formed on a surface of a terminal with high patterning precision even when terminals have high density without using a large-scale device; a method for connection between the terminals that uses the solder layer formed by the method for forming the solder layer; a semiconductor device having high reliability; and an electronic apparatus.
大掛かりな装置を用いることなく、高密度な端子であっても高いパターニング精度で端子の表面に半田層を形成することができる半田層の形成方法、かかる半田層の形成方法により形成された半田層を用いた端子間の接続方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。 - 特許庁 - This artificial marble 1 obtained by injecting a resin composition 2 obtained by being blended with additives such as a filler, a patterning material, an inner releasing agent, and a hardening agent, into a casting mold to be formed and hardened, is formed by using a material obtained by adding and mixing aluminosilicate balloon B into the resin composition 2.
熱硬化性樹脂に充填剤、柄材、内部離型剤、硬化剤等の添加物を配合した樹脂組成物２を得て、この樹脂組成物２を注型用金型に注入して成型硬化させて得られる人造大理石１において、樹脂組成物２中にアルミノ・シリケート・バルーンＢを添加配合したものを用いて成るものである。 - 特許庁 - The step includes a step to pattern the organic insulating film 33, a step to apply plasma to the substrate including the organic insulating film 33, a step to form contact holes 26, 27 throughout the inorganic insulating film 32, a step to deposit the transparent conductive film on the interlayer insulating film, and a step to form the transparent electrodes 71, 72 by patterning the transparent conductive film.
その工程は、有機絶縁膜３３をパターン形成する工程と、有機絶縁膜３３を含む基板にプラズマ処理を施す工程と、無機絶縁膜３２にコンタクトホール２６，２７を開口する工程と、層間絶縁膜上に透明導電膜を堆積する工程と、透明導電膜をパターニングして透明電極７１、７２を形成する工程とを含む。 - 特許庁 - To provide a zinc oxide-based transparent conductive film-forming material usable for a target for film formation of a transparent conductive film which holds conductivity endurable for practical use, has weatherability, and has a suitable etching rate in patterning, a method for manufacturing the same, a target using the same, and a method for forming a zinc oxide-based transparent conductive film.
実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。 - 特許庁 - In a producing method of a magnetic head by forming an element part having prescribed characteristics through a deposition process of depositing on the surface of the substrate 10 and an etching process of patterning the film formed by the deposition process, the circumference of a region, where each element part on the substrate 10 is formed, is surrounded by an electrically conductive film and worked.
基板１０の表面に成膜する成膜工程と、成膜工程によって形成された膜をパターンニングするエッチング工程を経て所要の特性を有する素子部を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記基板１０上の各々の素子部が形成される領域の周囲を導体膜で包囲して加工する。 - 特許庁 - A patterning substrate dryer using a hot-water bringing-down method includes a plurality of drying tanks by which washed substrates are dried successively in each drying tank and a mechanism by which hot water is supplied via piping that connect drying tanks from a drying tank where the subject substrate is brought down and is under drying to the next drying tank at which drying will be performed subsequently.
温水引き下げ方式を用いたパターニング基板乾燥装置において、複数の乾燥槽を具備し、それぞれの乾燥槽にて被洗浄基板の乾燥を逐次行い、且つ、乾燥槽同士をつないでいる配管を介して引き下げ乾燥中の乾燥槽から次に乾燥を行う乾燥槽の方へ温水を供給する機構を持つ。 - 特許庁 - To obtain an artificial marble having a novel and varied color pattern, which can be obtained by effect through changing a formed patterning effect by controlling the curing speed of at least one of a gel coat layer or a pattern layer in forming the gel coat layer and the pattern layer to change the formed pattern, and enhanced in design effect and grade properties not obtained in a conventional product.
ゲルコート層及び柄付け模様層を形成する際に、ゲルコート層又は柄付け模様層の少なくとも一方の硬化速度をコントロールして、形成した柄付け模様を変化させることにより、斬新で変化に富んだ色柄付け模様を得ることができ、従来品にはない意匠性やデザイン性、品位性を高めた人造大理石を得る。 - 特許庁 - The method of manufacturing a liquid ejection head includes a step of forming and patterning a mask 52 containing chromium on another side surface of a channel formation substrate 10 with a piezoelectric actuator 300 formed on its one side surface, and a step of forming a liquid channel 12, etc. by anisotropically etching the channel formation substrate 10 from the another surface side via the mask 52.
圧電アクチュエーター３００が一方面に形成された流路形成基板１０の他方面にクロムが含有されたマスク５２を形成すると共にパターニングする工程と、前記流路形成基板１０を他方面側から前記マスク５２を介して異方性エッチングすることにより、液体流路１２等を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁 - The manufacturing method of the lower panel for the plasma display panel includes a process for preparing a base substrate, a process for forming a material layer for a barrier rib on the base substrate, a process for forming the barrier rib pattern by irradiating the X-ray on the material layer for the barrier rib, a process for developing and patterning the material layer for the barrier rib.
基底基板を準備する工程と、基底基板上に隔壁用素材層を形成する工程と、隔壁用素材層上にＸ線を照射することによって隔壁パターンを形成する工程と、隔壁用素材層を現像してパターン化する工程と、を含むことを特徴とする、プラズマディスプレイパネル用下部パネルの製造方法が提供される。 - 特許庁 - To provide an effective manufacturing method of a highly efficient semiconductor device which can use even ArF (argon fluoride) excimer laser light as exposure light in patterning, can control the thickening amount of a resist pattern to be fixed even if conditions such as temperature and atmosphere change, and has a fine wiring pattern or the like beyond exposure limit in a light source of an exposure device.
パターニング時に露光光としてＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザー光をも利用可能であり、レジストパターンの厚肉化量を温度、雰囲気等の条件が変化しても一定にコントロールすることができ、露光装置の光源における露光限界を超えて微細な配線パターン等を有する高性能な半導体装置の効率的な製法方法の提供。 - 特許庁 - To provide a surface treatment agent and a resist composition for a freezing process being applied to the first resist pattern in a double patterning method and satisfying the requirements for preventing line width and LWR of the first resist pattern from fluctuating due to the freezing process and the formation of the second resist pattern and resist composition and to provide a pattern formation process by use of them.
ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅及びＬＷＲが変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤、レジスト組成物およびそれらを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - By using a sputtering target 14, containing silicon and having a hardness of 900 HV or more in Vickers' hardness, a thin film for forming the mask pattern on a substrate 1 is formed by sputtering, and the high-quality mask blank that suppresses generating of defects is manufactured; and further, the transfer mask is manufactured by patterning the thin film.
シリコンを含有するスパッタリングターゲット１４であって、ターゲットの硬度が、ビッカース硬さで９００ＨＶ以上であるスパッタリングターゲットを用いて、基板１上にマスクパターンを形成するための薄膜をスパッタリング法で形成し、欠陥発生を抑えた高品位のマスクブランクを製造し、さらに、薄膜をパターニングすることで転写マスクを製造した。 - 特許庁 - To solve the issues of the limits in thinning of interlaminar thickness and copper foil and the necessity, etc., of the step of roughing the surface of an adhesive layer incorporated in prior art, to provide sheet material for printed wiring boards which can be thinned and formed with fine patterning, and has durability, and to provide a multilayer printed circuit board using it.
従来技術が有していた層間厚みや銅箔の薄化の限界、および、接着剤層表面を粗化する工程の必要性等の問題点を解決し、薄化が可能であり、かつファインパターン化が容易であるとともに、耐久性を有するプリント配線板用シート材料およびそれを用いた多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁
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