「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 次へ＞- The light L', P' passed through the target substrate 60 or the light L'', P'' reflected by the target substrate 60 are detected by an optical sensor 10 and, on the basis of a signal from the optical sensor 10, a discriminating section 51 discriminates whether or not patterning is normally performed by the laser beam L for the thin film 62 of the target substrate 60.
被加工基板６０を透過した光Ｌ’， Ｐ’または被加工基板６０で反射された光Ｌ”，Ｐ”は光センサ１０によって検知され、当該光センサ１０からの信号に基づいて、被加工基板６０の薄膜６２のレーザ光Ｌによるパターニングが正常に行われているか判断部５１によって判断される。 - 特許庁 - A lower film 24 of the antireflection film 16 is commonly used as a stopper film during patterning, and a distance t1 between an edge of the light-shielding film 17 defined by interleaving a plurality of films 23, 24 of the lower layer of the antireflection film 16 and the semiconductor substrate 2 is set to be smaller than a film thickness t2 of the gate insulating film 13.
そして、反射防止膜１６のうちの下層の膜２４がパターニングの際のストッパー膜を兼ねており、反射防止膜１６のうちの下層の複数膜２３，２４を挟んで規定される遮光膜１７の端部と半導体基板２との間の間隔ｔ１が、ゲート絶縁膜１３の膜厚ｔ２より小さく設定される。 - 特許庁 - The method includes steps of: forming a recessed part (25) in a pixel area on one substrate (20); forming a light-shielding film (23') in a solid state; removing the light-shielding film in the seal area; and forming a black matrix (23) by patterning the light-shielding film in the pixel area.
本製造方法は、一方の基板（２０）上の画素領域に凹部（２５）を形成する工程と、遮光膜（２３´）をベタ状に形成する工程と、シール領域において遮光膜を除去する工程と、画素領域において遮光膜をパターニングすることにより、ブラックマトリクス（２３）を形成する工程とを備える。 - 特許庁 - To provide a surface treatment agent for a freezing process, which can suppress variations in the line width of a first resist pattern and LWR (line width roughness) which may be caused by freezing treatment applied to the first resist pattern and the formation of a second resist pattern in a double patterning method, and to provide a resist pattern formation method using the surface treatment agent.
ダブルパターニング法において、第一のレジストパターンに対して行うフリージング処理及び第二のレジストパターンの形成による、第一のレジストパターンの線幅並びにＬＷＲの変動を抑制することができるフリージングプロセス用の表面処理剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a field effect transistor capable of suppressing damage of an active layer in a patterning process by etching, and the field effect transistor which diminishes the damage, in the field effect transistor which activates an oxide semiconductor mainly composed of magnesium (Mg) and (In) indium as the active layer.
ＭｇとＩｎを主成分とする酸化物半導体を活性層とする電界効果型トランジスタにおいて、エッチングによりパターニングする工程における活性層のダメージを抑制することが可能な電界効果型トランジスタの製造方法、及び該ダメージが軽減された電界効果型トランジスタを提供すること。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a resin relief printing plate for forming a large size organic EL element using a relief printing method, in which splay developing method is used when patterning with a photolithographic method to obtain a printing plate with a high pattern accuracy and free from nonuniformity of development, and a relief printing plate obtained by the method.
サイズが大型化した有機ＥＬ素子を凸版印刷法によって形成するための樹脂凸版を、フォトリソグラフィー法でパターニングする際に、スプレー式現像方法をもちいながら、パターン精度が高く、かつ現像ムラ等を無くした製版を行う方法とその方法で得られる印刷用凸版を提供する。 - 特許庁 - An image processing device includes: a color mosaic filter 201 and a single-plate color imaging element having a patterning polarizer 202 formed by a plurality of polarization units having transmittance polarization planes of at least three different angles arranged in a plurality of pixels of the same color (G) in the color mosaic filter 201.
本発明の画像処理装置は、カラーモザイクフィルタ２０１、および、異なる少なくとも３種の角度の透過偏波面を有する複数の偏光子単位がカラーモザイクフィルタ２０１内の同一色（Ｇ）の複数の画素に設けられたパターン化偏光子２０２を有する単板カラー撮像素子をを備えている。 - 特許庁 - To suppress the characteristics variation of MOS transistors due to charging by a plasma to lessen the influence causing the characteristics deterioration of an analog circuit on both gate electrodes of the MOS transistors paired in the analog circuit of a MOS type semiconductor integrated circuit device in a process of patterning a metal wiring layer by plasma etching.
ＭＯＳ型半導体集積回路装置におけるアナログ回路の互いにペアとなるＭＯＳトランジスタ対の双方のゲート電極への金属配線層をプラズマ・エッチングによりパターニングする工程で、プラズマの帯電によるＭＯＳトランジスタの特性変動を抑制し、アナログ回路の特性の悪化の原因となる影響を軽減する。 - 特許庁 - In addition, a manufacturing method of a display device includes a process to use the adhesive layer 4 as a color filter layer by applying patterning by carrying out exposure and development after transferring the phosphor layer 3 and the adhesive layer 4 to the inner surface of a display panel by using the thermally-sensitive transfer film F.
また、この感熱性転写フィルムＦを用いて表示パネルの内面へ蛍光体層３および接着剤層４を転写した後、露光、現像を行ってパターニングを施すことにより接着剤層４をカラーフィルタ層として用いるようにする工程を含む表示装置の製造方法でもある。 - 特許庁 - To provide a multiple patterning wiring substrate the matrix substrate of which is formed by a sintered body of a non-metallic inorganic material and which is cut with excellent workability while suppressing the occurrence of troubles such as chipping by means of the dicing machining of the matrix substrate at the boundary of a wiring substrate region.
非金属無機材料の焼結体で母基板が形成された多数個取り配線基板であって、配線基板領域の境界において母基板をダイシング加工により、チッピング等の不具合の発生を抑制しながら、作業性を良好として切断することが可能な多数個取り配線基板を提供する。 - 特許庁 - A conductor layer 21 on an insulating substrate 11 is subjected to patterning treatment to form a wiring layer 21a, and a negative type resist is coated, dried and patternwise exposed to form a patternwise exposed first negative type photosensitive layer 41a, on which a patternwise exposed second negative type photosensitive layer 51a is also formed.
まず、絶縁基材１１上の導体層２１をパターンニング処理して配線層２１ａを形成し、ネガ型のレジストを塗布、乾燥、パターン露光してパターン露光された第一ネガ型感光層４１ａを、さらに、パターン露光された第一ネガ型感光層４１ａ上にパターン露光された第二ネガ型感光層５１ａを形成する。 - 特許庁 - An organic EL light source is designed to include a linear transparent electrode that is subjected to patterning with a line width thinner than the thickness of a light guide plate, a metal electrode that is thicker than the line width of the linear transparent electrode and permits a mirror reflection, and an organic EL material provided between the linear transparent electrode and the metal electrode.
有機ＥＬ光源を、導光板の厚みより細い線幅でパターニングされた線状透明電極と、線状透明電極の線幅より太く鏡面反射可能な金属電極と、線状透明電極と金属電極との間に設けられた有機ＥＬ材料を備えることとした。 - 特許庁 - The oxide film, containing Nb, is used for the hysteresis film, and the metal nitride film is used for the upper and lower electrodes; and thus, patterning of the upper electrode can be specifically executed at a high selective rate for the hysteresis film, and the MIM device and an electronic apparatus by using the MIM device can be manufactured readily.
ヒステリシス膜にＮｂを含む酸化膜を使い、上下の電極に金属窒化物膜を使うことにより、特に上部電極のパターニングを、ヒステリシス膜に対して高い選択比で実行することが可能となり、ＭＩＭ素子、およびかかるＭＩＭ素子を使った電子装置の製造を、容易に実行することが可能となる。 - 特許庁 - A conductive type impurity concentration same to a well area is concentrated in each channel forming area in the vicinity of a boundary, respectively in the well area and a source area, and the well area and a drain area, by patterning favorably the area not introduced with the impurity, so as to induce a reverse short channel effect.
上記不純物導入されない領域をうまくパターニングすることによって、ウェル領域とソース領域、及び、ウェル領域とドレイン領域それぞれの、境界近傍のチャネル形成領域における、ウェル領域と同じ導電型の不純物濃度を濃くし、逆短チャネル効果を誘起させることができる。 - 特許庁 - A solder resist layer 42 is formed on the pad 31a and the distribution layer 31b to form a solder resist pattern 42a through patterning process and plating is effected on the pad 31a and the ball lands 31c to obtain a substrate 100 for semiconductor device having ball lands 51 and pad 52, on which a plating film is formed.
パッド３１ａ及び配線層３１ｂ面にソルダーレジスト層４２を形成し、パターニング処理してソルダーレジストパターン４２ａを形成し、パッド３１ａ及びボールランド３１ｃ上にめっきを行い、めっき被膜が形成されたボールランド５１及びパッド５２を有する半導体装置用基板１００を得る。 - 特許庁 - A surface characteristic of the organic resin film is improved and peeling liquid is prevented from penetrating inside the organic resin film when the resist film formed on the organic resin film is peeled (including after peeling of the resist film) for patterning the organic resin film by previously plasma-processing a surface of the organic resin film.
有機樹脂膜の表面を予めプラズマ処理することにより、有機樹脂膜の表面特性を改善し、有機樹脂膜のパターニングのために有機樹脂膜上に形成されたレジスト膜を剥離する際（レジスト膜の剥離後も含む）に剥離液が有機樹脂膜内部に浸透するのを防ぐことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a multiple-patterning ceramic wiring board that stably and firmly sucks a ceramic mother board to a suction table for fixing without shaking when fixing the ceramic mother board onto the suction table for mounting an electronic component, and can accurately and easily mount the electronic component in each wiring substrate region.
電子部品を搭載するための吸引テーブル上に固定した際に、セラミック母基板がぐらつくことがなく吸引テーブルに安定して強固に吸引固定され、各配線基板領域に電子部品を正確かつ容易に搭載することが可能な多数個取りセラミック配線基板を提供すること。 - 特許庁 - A method for manufacturing a semiconductor device includes a process of manufacturing a thickened resist pattern by forming a resist pattern on a base layer and then coating the resist pattern surface with the thickening material to thicken the resist pattern and a process of patterning the base layer by etching the base layer by using the thickened resist pattern.
下地層上にレジストパターンを形成後、該レジストパターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該レジストパターンを厚肉化し厚肉化レジストパターンを製造する工程と、該厚肉化レジストパターンを用いてエッチングすることにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - To provide a method for forming a resist pattern and a method for manufacturing a semiconductor device by which a light source such as an ArF excimer laser in a conventional exposure apparatus can be used as it is on patterning a resist pattern with excellent mass-productivity and a resist cut-out pattern can be finely formed exceeding the exposure limit of the light source.
レジストパターンのパターニング時に既存の露光装置におけるＡｒＦエキシマレーザー光等の光源をそのまま使用可能であり量産性に優れ、レジスト抜けパターンを前記光源の露光限界を超えて微細に形成可能なレジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法等の提供。 - 特許庁 - The method comprises: establishing a power spectral density (PSD) indicative of the spatial frequency of the stray radiation produced by the projection system; and determining, from the PSD, a modulation transfer function (MTF) relating the PSD to the pattern applied by the patterning device in such a way that the effect of flare on the pattern image is taken into account.
投影システムが生成する迷光放射線の空間周波数を示す電力スペクトル密度（ＰＳＤ）を確立し、フレアがパターン像に及ぼす効果を考慮に入れる方法で、パターニングデバイスが適用するパターンにＰＳＤを関連づける変調伝達関数（ＭＴＦ）を、ＰＳＤから決定する。 - 特許庁 - The patterning apparatus has a laser irradiating device 30 for so irradiating a laser light L on the predetermined place of the processing object material S as to remove the processing object material S present in the predetermined place, a plasma generating device 40 for gasifying by a plasma the removed processing object material S, and a discharging device 50 for discharging the gasified processing object material S.
処理対象材Ｓの所定箇所にレーザ光Ｌを照射して、所定箇所の処理対象材Ｓを除去するレーザ照射装置３０と、除去された処理対象材Ｓをプラズマによりガス化するプラズマ発生装置４０と、ガス化された処理対象材Ｓを排出する排出装置５０とを備える。 - 特許庁 - In order to provide the patterning device 32, which has the material layer 31 and the patterned layer of the opaque material, on the surface of the material layer and form the PFPE liquid layer 40, the PFPE liquid which covers the surface is applied to the surface, and at least a part of the PFPE liquid layer is removed.
素材層３１および不透明材料のパターン状層を有するパターニング・デバイス３２を素材層の表面に設けることと、ＰＦＰＥ液層４０を形成するため、表面に表面を覆うＰＦＰＥ液を塗布することと、ＰＦＰＥ液層の少なくとも一部を除去することとを含む。 - 特許庁 - To provide a negative photosensitive composition which is excellent in display qualities such as burn-in and voltage retention rate, electrical reliability, sensitivity and patterning characteristics in the formation of a projection for liquid crystal alignment control in an MVA-LCD, while having a transmittance sufficient to block light from a backlight.
ＭＶＡ型ＬＣＤでの液晶配向制御用突起の形成において、焼き付き、電圧保持率などの表示品位及び電気的信頼性、並びに、感度、パターニング特性に優れ、且つバックライトからの光を遮光するのに充分な透過率を持つことも可能なネガ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁 - In this half-tone phase-shifting photomask 108 having a pattern of a half-tone phase-shifting film 102 which includes at least chromium and fluorine on a transparent substrate 101, the optical characteristic variation due to the excimer laser irradiation for exposure is reduced by patterning the film which is subjected to heat treatment with the half-tone phase-shifting film 102.
透明基板１０１上に少なくともクロムとフッ素とを含むハーフトーン位相シフト膜１０２のパターンを有するハーフトーン位相シフトフォトマスク１０８において、ハーフトーン位相シフト膜１０２により熱処理を施した膜をパターニングすることにより、露光用エキシマレーザー照射における光学特性変化を低減した。 - 特許庁 - The thin-film transistor manufacturing method includes a process for so patterning a source electrode 3 and a drain electrode 4 on a substrate 2 by the optical use of a charging controlling agent absorbed in the substrate as to form them thereafter by a selective electroless plating; and includes a process for forming an organic semiconductor, a gate insulator, and a gate electrode.
本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板２上に、ソース電極３とドレイン電極４とを、基板に吸着させた帯電制御剤を光を使ってパターニングした後、選択的無電解メッキにより形成する工程と、有機半導体、ゲート絶縁体、ゲート電極とを形成する工程を含むものである。 - 特許庁 - This gas for dry etching that is used, when performing the dry etching of a body to be etched with a resist film that is subjected to patterning as a mask containing a fluorine compound, where a C/F value (the ratio of the number of atoms between C and F elements in the fluorine compound) is larger than 0.5.
パターニングされたレジスト膜をマスクとして被エッチング体をドライエッチングする際に用いられるドライエッチング用ガスであって、前記ドライエッチング用ガスはＣ／Ｆ値（フッ素化合物中のＣ元素とＦ元素との原子数の比）が０．５より大きいフッ素化合物を含むことを特徴とするドライエッチング用ガス。 - 特許庁 - The word line pattern is formed by patterning a floating gate pattern 57a covering the first active region 53a, a first gate interlayer insulating film 64a formed on the whole surface of a cell array region having the floating gate pattern and a second conducting film 69 formed on the first gate interlayer insulating film 64a.
ワードラインパターンは第１活性領域５３ａを覆う浮遊ゲートパターン５７ａ、浮遊ゲートパターンを有するセルアレイ領域の全面に形成された第１ゲート層間絶縁膜６４ａ及び第１ゲート層間絶縁膜６４ａの上に形成された第２導電膜６９をパターニングして形成する。 - 特許庁 - In dry etching using a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, introduction defects in growth in the silicon substrate 10, which cause conical-pattern defects, are removed by digging a surface part of a separation groove forming region of the silicon substrate 10 at overetching.
シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁 - Thus, since the accumulated capacitance electrode is formed on the layer different from that of the thin film transistor, the spot defect due to the short circuit between the accumulated capacitance electrode and the transistor is suppressed and, also, the display unevenness is suppressed by making smaller the fluctuation of an offset voltage by the fluctuation of an area when patterning the accumulated capacitance electrode.
蓄積容量電極を薄膜トランジスタと異なる層に形成するため、蓄積容量電極とトランジスタの短絡による点欠陥を抑制し、また、蓄積容量電極のパターニング時の面積変動によるオフセット電圧の変動を小さくして表示むらを抑制することができる。 - 特許庁 - A method for manufacturing the semiconductor integrated circuit device comprises steps of uniformly depositing an amorphous silicon film on a substrate in which a memory cell region and an element region are formed, patterning the amorphous silicon film on the memory cell region while the amorphous silicon film remains coating on the element region on the substrate, and forming a laminated gate electrode or a single layer gate of the flash memory unit.
メモリセル領域と素子領域とを画成された基板上にアモルファスシリコン膜を一様に堆積し、さらに基板上の素子領域を前記アモルファスシリコン膜で覆ったまま、メモリセル領域において前記アモルファスシリコン膜をパターニングし、フラッシュメモリ装置の積層ゲート電極あるいは単層ゲートを形成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the flash memory device comprises the steps of forming the dielectric film 25, and then forming an amorphous silicon layer 31 to alleviate a topology generated by patterning a first polysilicon layer 24 in a cell region so that the silicon layer 31 conducts a role of a dielectric film protective layer of the cell region at the time of forming the gate oxide film 26 of the peripheral circuit region.
誘電体膜２５を形成した後、アモルフォスシリコン層３１を形成してセル領域で第１ポリシリコン層２４のパターニングで発生したトポロジーを緩和させ、アモルフォスシリコン層３１が周辺回路領域のゲート酸化膜２６形成の時にセル領域の誘電体膜保護層の役割をするようにする。 - 特許庁 - Means for imparting the mutually different designs to both the decorative sheets may include a means for patterning both the decorative sheets differently from each other, a means for coloring both the decorative sheets differently from each other, a means for shaping both the decorative sheets differently from each other by forming a groove in one or both of surfaces of the floor plate.
両化粧シートに互いに異なる意匠を付与する手段としては、両化粧シートを互いに異なる模様とする手段、両化粧シートを互いに異なる色とする手段、床板の片面あるいは両面に溝を設けて両化粧シートを互いに異なる形状とする手段等が挙げられる。 - 特許庁 - The method for producing the black matrix of the color filter includes a stage of forming a black matrix layer of a hydrophobic organic material on one surface of a transparent substrate, a stage of forming a black matrix by patterning the black matrix layer, and a stage of making side surfaces of the black matrix hydrophilic by irradiating the other surface of the transparent substrate with ultraviolet rays while heating the black matrix.
透明基板の一の面に疎水性有機物からなる遮光層を形成する段階と、遮光層をパターニングしてブラックマトリックスを形成する段階と、ブラックマトリックスを加熱しながら透明基板の他の面側に紫外線を照射してブラックマトリックスの側面を親水化させる段階とを含む。 - 特許庁 - By utilizing a residue-film-thickness distribution (a pattern-ratio distribution for CMP) which is the assumed-value distribution of residue-film thicknesses after a CMP process; and by using a computer, there is extracted a first region A in a patterning mask, which corresponds to an region X having higher values for the residue-film-thickness distribution than a first threshold.
ＣＭＰ工程後の残膜厚の推定に関する値の分布である残膜厚分布（ＣＭＰ用パターンレシオ）分布を利用して、コンピュータを用いて、この残膜厚分布の値のうち当該値が第１の閾値よりも高い領域Ｘに対応する、パターニング用マスク内における第１領域Ａを抽出する。 - 特許庁 - In addition, since the protective insulator film 17 is provided between the top 11t of the recording layer 11 and the interlayer insulator film 16, damage to the recording layer 11 can be reduced at the time of patterning of the recording layer 11 or forming of a through hole 16a by which a part of the recording layer 11 is exposed.
しかも、記録層１１の上面１１ｔと層間絶縁膜１６との間に保護絶縁膜１７が設けられていることから、記録層１１のパターニング時や、記録層１１の一部を露出させるスルーホール１６ａの形成時において、記録層１１に与えるダメージを低減することが可能となる。 - 特許庁 - The method for forming a reticle includes a process of providing a reticle blank having a quartz layer, attenuation phase change layer and metal layer, a process of coating the reticle blank with a resist, a process of patterning the resist into a plurality of levels, and a process of etching the reticle blank in accordance with the multilevel resist pattern.
本発明のレチクル形成方法は、石英層、減衰位相変化層および金属層を有するレチクルブランクを提供する工程と、該レチクルブランクをレジストで覆う工程と、該レジストを複数レベルにパターンニングする工程と、該マルチレベルレジストパターンに従って該レチクルブランクをエッチングする工程とを包含する。 - 特許庁 - A laser beam radiated in the shape of a circular cross section from a laser oscillator 4 is shaped into almost a rectangle by placing, in the laser beam, a set of two cylindrical lenses 5a and 5b arranged orthogonally to each other, when the tin oxide film applied onto a glass substrate 9 is subjected to the electrode patterning process by the irradiation of the laser beam.
ガラス基板９上に被覆された酸化錫膜にレーザービームの照射により電極パターニング加工をするとき、レーザー発振器４から出射したビームの断面円形状をシリンドリカルレンズを互いに直交方向に配置した２個のレンズ５ａ、５ｂを２個１組としてレーザービーム中に配置して略矩形に整形する。 - 特許庁 - To provide a mask material for dry etching, which is suitable for fine patterning of thin magnetic films of about several nanometers such as NiFe and CoFe composing a TMR film, and furthermore, which can simplify a manufacturing process of a TMR element and reduce a manufacturing cost concerned with facilities and materials
ＴＭＲ膜を構成するＮｉＦｅやＣｏＦｅのように数ｎｍ程度の薄い磁性膜の微細加工に適したドライエッチング用のマスク材、更に、このようなマスク材であって、なおかつ、ＴＭＲ素子の生産工程の簡略化、設備、材料に関わる製造コストの低減を図ることのできるドライエッチング用のマスク材を提供する。 - 特許庁 - The method of forming a polycrystalline silicon film comprises steps of forming an electrically insulating thermally conductive layer on a substrate, forming an amorphous silicon layer on the thermally conductive layer, patterning the amorphous silicon layer to form an amorphous silicon island, and annealing the amorphous silicon island to crystallize amorphous silicon.
基板に電気絶縁性熱伝導層を形成する工程と、熱伝導層上に非晶質シリコン層を形成する工程と、非晶質シリコン層をパターニングして非晶質シリコンアイランドを形成する工程と、アイランドをアニーリングして非晶質シリコンを結晶化する工程と、を含む多結晶シリコンフィルムの製造方法である。 - 特許庁 - To provide a fabric-fulling or tie-patterning method by which a fabric to be processed can efficiently be treated in processes for sticking the fabric to a thermally shrinkable film and then thermally shrinking the film to full and compact the fabric or draw a tie-pattern on the fabric, while omitting a process for drying an adhesive applied on the thermally shrinkable film and the fabric.
熱収縮性フイルムを被加工布帛に貼り合わせて加熱収縮させて被加工布帛を縮絨緻密化し、或いは、被加工布帛に絞り模様を描出する過程において、熱収縮性フイルムと被加工布帛に塗着した接着剤の乾燥工程を省き、効率的に被加工布帛を処理する。 - 特許庁 - In addition, since the manufacturing method is based on such a unique idea that thermocouples are not combined, but many thermocouples are produced by patterning a sheet obtained by sticking different kinds of conductive materials to each other by etching, the semiconductor technology can be applied and fine thermocouples can be mass-produced inexpensively with a high productive efficiency.
さらに、熱電対を組み立てるのではなく、異なる導電性材料を貼り合わせたシートから多数の熱電対をエッチングでパターン化するという独特の発想に基づいているため、半導体技術を応用でき、微細な熱電対を高い生産効率と低いコストで大量に生産できる。 - 特許庁 - This patterning base plate has the base material and a cell adhesion layer, wherein the cell adhesion layer is formed on the base material, contains a cell adhesion material having adhesiveness to the cells and decomposed or denatured by action of a photocatalyst due to energy irradiation, and further contains a binder.
上記目的を達成するために、本発明は、基材と、前記基材上に形成され、細胞と接着性を有しかつエネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解または変性される細胞接着材料、およびバインダを含有する細胞接着層とを有することを特徴とするパターニング用基板を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the laminated inductor having a cavity between conductor patterns includes steps of patterning a ceramic green sheet having at least a conductive material, an insulator material and a vanishing material so that one or more surfaces of a conductor pattern made of the conductive material are brought into contact with the insulator material, laminating, pressing and vanishing the ceramic green sheet.
少なくとも、導電材料、絶縁体材料、消失材料を有するセラミックグリーンシートを、導電材料からなる導体パターンの１面以上が絶縁体材料と接するようにパターンニングして積層、プレス、消失処理することを特徴とする、導体パターン間に空洞部を有する積層型インダクタの製造方法。 - 特許庁 - The semiconductor etching method has a process of forming a metal fluoride layer at a temperature of not less than 150°C as at least one part of an etching mask 3 to be formed on a semiconductor layer 2; a process of patterning the metal fluoride layer; and a process of etching the semiconductor layer using the patterned metal fluoride layer 3 as a mask.
半導体層２上に形成されるエッチングマスク３の少なくとも一部として、金属フッ化物層を１５０℃以上の温度で形成する工程と、この金属フッ化物層をパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層３をマスクとして、前記半導体層をエッチングする工程とを有する半導体層のエッチング方法。 - 特許庁 - To provide a new triarylmethane compound and a new rhodamine compound each having excellent light fastness and to provide a color conversion layer, a color conversion filter, and an organic EL display not suffering from detriments to patterning performance and the decomposition of a color conversion pigment due to reaction with active molecules by using the compounds.
優れた耐光性を有する新規トリアリールメタン化合物およびローダミン化合物の提供、ならびにそれら化合物を用いて、パターニング性を損なうことなく、活性分子との反応による色変換色素の分解を起こすことなく、優れた色変換効率および耐光性を有する色変換層、色変換フィルタ、有機ＥＬディスプレイの提供。 - 特許庁 - In addition, by providing a method of manufacturing a flat panel display through the steps of patterning a gate electrode, a source/drain electrode and a pixel electrode by using the etching liquid composition, the step can be further simplified, thus making it possible to reduce a production cost and improve productivity.
また、前記エッチング液組成物を利用して、互いに異なる導電物質からなるゲート電極、ソース／ドレイン電極及び画素電極をパターニングする工程を行ってフラットパネルディスプレイを製造する方法を提供することによって、工程をさらに単純化させることができ、生産費用の低減と生産性の向上を期待することができる。 - 特許庁 - To provide a curable resin composition capable of forming cured films having high flatness and being preferably used to form protective films for optical devices having high transparency and surface hardness, excellent in heat and pressure resistance, acid resistance, alkali resistance and spattering resistance and having good patterning characteristics of wired electrodes, and excellent in preservation stability.
平坦性の高い硬化膜を形成することができ、透明性および表面硬度が高く、耐熱耐圧性、耐酸性、耐アルカリ性、耐スパッタ性に優れ、配線電極のパターニング特性が良好な光デバイス用保護膜を形成するために好適に用いることができ、保存安定性に優れる硬化性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - The mask blank comprises a thin film formed on a substrate for forming a mask pattern, and a resist film formed above the thin film, and is characterized in that the patterned resist film is prevented from collapsing upon developing the resist film for patterning by inserting a deposition layer joined with the thin film and the resist film.
基板上に成膜されたマスクパターンを形成するための薄膜と、この薄膜の上方に成膜されたレジスト膜を備えるマスクブランクであって、 前記薄膜と前記レジスト膜とに接合した付着層を介挿することにより、前記レジスト膜をパターン形成する際の現像に際し、パターン形成されたレジスト膜の倒れを防止することを特徴とする。 - 特許庁 - In the method of manufacturing semiconductor device to perform patterning by partially removing an insulation film formed on a semiconductor wafer such as the marking of an ID number given to the semiconductor wafer, the insulation film is removed by irradiating a DUV laser which is aligned in the wavelength to the absorbing end of the insulation material forming the insulation film.
半導体ウェハに付されるＩＤ番号のマーキング等の半導体ウェハに形成された絶縁膜を部分的に除去してパターニングを行なう半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜を構成する絶縁材料の吸収端に波長を合せたＤＵＶレーザの照射によって前記絶縁膜の除去を行なう。 - 特許庁 - The tree classification method and pruning method are such that garden trees are classified in five categories from the viewpoint of a tree form, and shown as tree forms made by patterning peculiar features for each classification, based on each physiological ecology for each classification, and the pruning method backed up from the physiological ecology.
課題を解決するために、樹形という観点から庭木を5つに分類して、分類毎に其々の生理生態と生理生態から裏付けされた剪定方法に基づいて、分類毎に特徴的な形態をパターン化した樹形とて現したことを特徴とする樹木の分類法と剪定のメソッドを提供して課題解決を図るものである。 - 特許庁
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