「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 63 64 65 66 67 68 69 70 71 .... 78 79 次へ＞- The lithographic apparatus includes an optics compartment that contains the patterned surface of a patterning device and an optical element, and a substrate compartment connected to the optics compartment by a connection that is arranged to pass a patterned beam of radiation from the optical element to a substrate.
このリソグラフィ装置は、パターン形成装置のパターン形成された表面と光学素子とを収容する光学区画と、パターン形成された放射ビームを光学素子から基板に通過させるように構成された、接続部によって光学区画に連結された基板区画とを含む。 - 特許庁 - To avoid the problem that a shadowing effect or a patterning accuracy is deteriorated by lowering the height of a capacitive element on a substrate in a technique for forming the element particularly in which a pair of electrodes are formed of a polycrystal semiconductor.
容量素子で、特にその一対の電極がいずれも多結晶半導体で形成される容量素子の形成技術において、容量素子の基板に対する高さを低くすることにより、シャドウイング効果やパターニングの精度の劣化を招来するという問題点を回避することにある。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a semiconductor device which can make etching without giving a local damage to a base film, when patterning is made by using multilayer resist as a mask on a semiconductor substrate having a surface step and machining for a gate electrode, a fine wiring and so on are made.
表面段差を有する半導体基板上において、多層レジストをマスクとしてパターニングを行い、ゲート電極や微細配線等を加工する際に、下地膜に局所的な損傷を与えずに、エッチングを行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A dual-drop mode for a printer uses at least two full-length waveforms and switches between the waveforms according to one or more patterning methodologies to print a page-length document having a dual-drop size print pattern across the printed portion of the page.
プリンタのデュアル・ドロップ・モードは、少なくとも２つの全長波形を用い、１つ又はそれ以上のパターン形成方法により、これらの波形の間で切り替えて、ページの印刷された部分にわたり２つの液滴サイズの印刷パターン有する、１ページ長の文書を印刷する。 - 特許庁 - The method of manufacturing semiconductor devices by patterning a wiring material film (film to be worked) 10 containing metal to be formed on a substrate 1 consists in first forming the resist patterns 13 across an antireflection film 11 consisting of a silicon material on the wiring material film 10.
基板１上に形成された金属を含有する配線材料膜（被加工膜）１０をパターニングする半導体装置の製造方法であり、先ず、配線材料膜１０上にシリコン系材料からなる反射防止膜１１を介してレジストパターン１３を形成する。 - 特許庁 - A conductive film formed as a pixel electrode 119 is formed and subjected to patterning operation using the same photomask to form a pixel electrode 119, source wiring 117, a drain region 116, and an amorphous semiconductor film 114 for channel formation.
画素電極１１９となる導電膜を形成し、同一のフォトマスクにてパターニングすることにより、画素電極１１９、ソース配線１１７及びドレイン電極１１８、ソース領域１１５及びドレイン領域１１６、及びチャネルが形成される非晶質半導体膜１１４を形成する。 - 特許庁 - To optimize an antireflection film for use, when patterning a resist for use in an ion implantation step and enhance throughput in the manufacture of a semiconductor device, containing a step of ion-implanting impurities in a region selected by the use of a resist pattern.
レジストパターンを使用して選択された領域に不純物をイオン注入する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、イオン注入工程において使用されるレジストをパターニングする際に使用される反射防止膜の最適化を図るとともに、スループットを向上すること。 - 特許庁 - An exposure light pattern having spatially changeable intensity is formed by illuminating light on an array of a spatial light modulator and patterning the light with SLM, the patterned light is written on the object and the gray-scaled pattern is formed on the object based on the above-mentioned spatially changeable intensity.
光を空間光変調器のアレイ上に照明し、光をＳＬＭによってパターニングして、空間的可変強度を有する露光光パターンを形成し、パターニングされた光を対象上に書き込み、前記空間的可変光度に基づいて対象上にグレースケール化されたパターンを形成する。 - 特許庁 - To provide a photosensitive inorganic paste composition capable of improving pattern accuracy to such a degree that it can be adapted to fine patterning required by a plasma display; a sheetlike unfired body for production of a plasma display front panel using the same; and a method for producing a plasma display front panel.
プラズマディスプレイの要求する微細パターニングに十分に適合できる程度にまでパターン精度を向上させることのできる感光性無機ペースト組成物、これを用いたプラズマディスプレイ前面板製造用シート状未焼成体、および、プラズマディスプレイ前面板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - On the base film on which the printing projecting parts of the resin relief printing plate for printing prepared by forming a relief-like printing projecting parts made by patterning the photo-sensitive resin on the base film are formed, positioning marks for positioning and sticking the resin relief printing plate for printing on the carrier film are marked.
感光性樹脂をパターニングしてなるレリーフ状の印刷凸部をベースフィルム上に形成してなる印刷用樹脂凸版の前記印刷凸部が形成されたベースフィルムに、前記印刷用樹脂凸版を印刷用キャリアフィルムに位置決めして貼り付けるための位置決めマークを、印する。 - 特許庁 - A compression and patterning section 120 compresses image data of a document Pa rasterized at a scanner section 110 in a predetermined reproducible code type and code-patterns the compressed image in a predetermined code recording type to generate a compressed code pattern of a print image.
圧縮及びパターン化処理部１２０は、スキャナ部１１０でラスタ化された帳票Ｐａのイメージデータを再現性を有する所定のコード形式で圧縮し、更に圧縮されたイメージのコードを所定のコード記録形式でコードパターン化して、印刷イメージの圧縮化コードパターンを生成する。 - 特許庁 - This process of using two exposures with diffusion light achieves the material use efficiency, costs, responses to various substrate sizes and high-definition electrode patterning that is not successful in the ink jet method, for instance, in manufacturing TFTs, which the traditional manufacturing method cannot achieve.
拡散光を用いた２回露光プロセスによって、例えばＴＦＴ作成において従来の方法では解決できない材料使用効率、コスト、多様な基板サイズに対応という課題かつ、インクジェット方式では解決できない高精細パターニングを解決するものである。 - 特許庁 - To provide a carbon nanotube and a method of manufacturing the same by which a carbon nanotube forming region and a non-forming region are formed on the same substrate without patterning a non-catalytic metal or the like on the substrate and the ratio of the carbon nanotube forming region occupying in the total area of the substrate is controlled.
非触媒金属等を基板上にパターニングせずに、同一基板上にカーボンナノチューブ生成領域と非生成領域とを形成でき、基板の総面積に占めるカーボンナノチューブ生成領域の割合を調整することができるカーボンナノチューブ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In manufacturing the EL color filter that constitutes the EL display unit, an extraction electrode layer pattern 2 that is respectively connected to the upper electrode or the lower electrode and a shading layer pattern (black matrix) 3 that fills between the coloring layer patterns are formed simultaneously by carrying out patterning of the conductive layer 10.
ＥＬ表示装置を構成するＥＬ用カラーフィルタを製造するにあたり、導電層１０をパターンニングして、下部電極又は上部電極にそれぞれ接続される取出電極層パターン２と、着色層パターン間を埋める遮光層パターン（ブラックマトリクス）３とを同時に形成する。 - 特許庁 - In particular, the patterning step contains photolithography treatment to selectively expose the organic insulating film by using a photomask MK with average transmittance set lower in light transmitting regions LT1 for the first openings than in light transmitting regions LT2 for the second openings and to remove the exposed parts.
特に、このパターニング工程は平均光透過率が第１開口用の光透過領域ＬＴ１において第２開口用の光透過領域ＬＴ２よりも低く設定されるフォトマスクＭＫを用いて有機絶縁膜を選択的に露光しこの露光部分を除去するフォトリソグラフィ処理を含む。 - 特許庁 - This process of using two exposures with diffusion light achieves the material use efficiency, costs, responses to various substrate sizes and high-definition electrode patterning that is not successful in the ink jet method, for instance, in manufacturing wiring electrodes, which the traditional manufacturing method cannot achieve.
拡散光を用いた２回露光プロセスによって、例えばタッチパネルの配線電極作成において従来の方法では解決できない材料使用効率、コスト、多様な基板サイズに対応という課題かつ、インクジェット方式では解決できない高精細電極パターニングを解決するものである。 - 特許庁 - To provide a paste type alginate impression material for dentistry, usable for patterning of tooth and the like, wherein mixing state of two pastes is easily visually confirmed and color of the impression material is not adhered on plaster model surfaces.
本発明は、歯牙その他の型取りに使用されるペーストタイプの歯科用アルジネート印象材において、２つのペーストの混和状態を目視で容易に確認することができ、かつ石膏模型表面に印象材の色が付着しない歯科用アルジネート印象材を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The method of manufacturing the thin film transistor mounting substrate includes in order the steps of: forming an amorphous oxide thin film 13 to become the active layer on or above the plastic substrate 10; patterning the amorphous oxide thin film 13; and Joule-heating the amorphous oxide thin film 13.
プラスチック基板１０の上又はその上方に活性層となるアモルファス酸化物薄膜１３を形成する工程と、そのアモルファス酸化物薄膜１３をパターニングする工程と、そのアモルファス酸化物薄膜１３をジュール加熱する工程とをその順で少なくとも有する。 - 特許庁 - The method comprises patterning a cell adhesive domain of micro order on a cell unbondable surface, voluntarily aggregated cells on the domain to efficiently form spheroids of a uniform size, and then noninvasively collecting cell spheroids formed under the conditions.
細胞非接着性の表面上にマイクロオーダーの細胞接着性ドメインをパターニングし、このドメイン上で細胞を自発的に凝集させることでサイズの整ったスフェロイドを効率的に形成せしめた後、条件によって形成した細胞スフェロイドを非侵襲的に回収する手段の提供 - 特許庁 - The transfer film having the inorganic powder-containing resin layer comprising the inorganic powder-containing resin composition of the present invention obtained by using a specific photoinitiator can provide the flat panel display capable of forming a black matrix which is flat and smooth, has no warpage, and has excellent patterning performance.
特定の光重合開始剤を用いて得られた本発明の無機粉体含有樹脂組成物からなる無機粉体含有樹脂層を有する転写フィルムは、平滑で反りのない、優れたパターニング性能を有するブラックマトリクスを形成できるフラットパネルディスプレイを提供することができる。 - 特許庁 - The drain electrode 127 and the source electrode 128 of the TLPM 100, the drain electrode 227 and the source electrode 228 of the NMOS 200 and the drain electrode 327 and the source electrode 328 of the PMOS 300 are formed by patterning the same metal wiring layer.
また、ＴＬＰＭ１００のドレイン電極１２７およびソース電極１２８、ＮＭＯＳ２００のドレイン電極２２７およびソース電極２２８、ならびにＰＭＯＳ３００のドレイン電極３２７およびソース電極３２８を同一のメタル配線層のパターニングにより形成する。 - 特許庁 - The lithographic apparatus includes an illumination system configured to provide a radiation beam, a patterning device configured to pattern the radiation beam to form a patterned radiation beam, and a projection system configured to project the patterned radiation beam onto a substrate.
リソグラフィ装置は、放射ビームを提供するように構成された照明系と、パターニングされた放射ビームを形成するために、放射ビームをパターニングするように構成されたパターニング装置と、パターニングされた放射ビームを基板上に投影するように構成された投影系とを含む。 - 特許庁 - The method for manufacturing an active element array includes a process of forming pixel electrodes and a process of forming an amorphous transparent conductive film and then patterning the amorphous transparent conductive film into the same pattern as the pixel electrodes by a photolithographic method.
アクティブ素子アレイの製造方法であって、画素電極を形成する工程と、非晶質透明導電膜を成膜した後、前記非晶質透明導電膜をフォトリソグラフィー法で前記画素電極を同じパターンに形成する工程を有するアクティブ素子アレイの製造方法。 - 特許庁 - To reduce capacitance between adjacent data electrodes and curtail power consumption accompanying data pulse impression by patterning dielectric layers.
ＡＣ型面放電プラズマディスプレイの背面基板のデータ電極の上には全面に誘電体層が形成されているため、隣接するデータ電極間の静電容量には当該誘電体層に基く容量成分が必然的に付加されることになり、データパルス印加に伴う消費電力が大きくなる。 - 特許庁 - A light shielding pattern 2a composed of an organic film for transferring pattern is constituted of a laminated film which is formed by laminating a light absorbability organic film 3a, which shows a light shielding property or a light attenuating property to the exposure light of which wavelength is 200 nm or more, and a resist film 4a mainly to do patterning this.
パターン転写用の有機膜からなる遮光パターン２ａを、波長２００ｎｍ以上の露光光に対しても遮光性または減光性を示す吸光性有機膜３ａと、主としてこれをパターニングするためのレジスト膜４ａとの積層膜で構成した。 - 特許庁 - To provide a multi-layer film pattern which can fully prevent generation of an overhang part which overhangs from an end plane of a multi-layer film pattern, as well as generation of a failure caused by that overhang in the manufacturing method of a multi-layer film including a process of patterning the multi-layer film pattern in batch using one photomask.
一つのフォトマスクを用いて、多層膜を一括してパターニングする工程を含む、多層膜パターンの製造方法において、多層膜パターンの端面から張り出すひさし部分（オーバーハング部）の生成、及びこれに起因する不良の発生を充分に防止することができるものを提供する。 - 特許庁 - To reduce chip cost by reducing the off leak current of a memory cell connected with a bit line even in a large scale memory core and increasing the number of memory cells connected with one word line thereby reducing the total area of the memory core, and to facilitate patterning when the mask of a memory cell array is formed.
規模の大きいメモリコアにおいてもビット線に接続されるメモリセルのオフリーク電流を低減し、１本のワード線あたりに接続されるメモリセル数を増やしてメモリコア全体での面積削減によるチップコストの削減を実現し、またメモリセルアレイ部のマスク作成時のパターニングを容易にする。 - 特許庁 - The magnetic recording medium has: a magnetic pattern formed by patterning a ferromagnetic layer; and the non-magnetic layer including a component of the ferromagnetic layer and parting the magnetic pattern, wherein a thickness (a) of the non-magnetic layer and a thickness (b) of the magnetic pattern satisfy a relation of (a)<(b).
強磁性層をパターン化した磁性パターンと、前記強磁性層の成分を含み前記磁性パターン間を分断する非磁性層とを有し、前記非磁性層の厚さａと前記磁性パターンの厚さｂがａ＜ｂの関係を満たすことを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁 - Further, the manufacturing method of the photoelectric conversion device according to an embodiment includes: a process where a radiation part 8 is formed by radiating laser light to a part of the light absorption layer 3; and a process where a removal part is formed by removing the radiation part 8 by mechanical processing and patterning is performed on the light absorption layer 3.
さらに、本実施形態に係る光電変換装置の製造方法は、光吸収層３の一部に、レーザを照射してなる照射部８を形成する工程と、照射部８を機械加工で除去して除去部を形成し、光吸収層３をパターニングする工程とを備えている。 - 特許庁 - The photo spacer constituting the liquid crystal display apparatus of which the cell thickness is 2 to 4 μm is manufactured by forming and patterning a photosensitive resin layer using a photosensitive resin component of which the cross-linking radical density is ≥0.0073 mole/g and then performing heating processing so that a cross-linking reaction rate becomes 86 to 100%.
セル厚が２〜４μｍである液晶表示装置を構成するフォトスペーサーを、架橋基密度が０．００７３モル／ｇ以上の感光性樹脂組成物を用いた感光性樹脂層を形成してパターニングした後に、架橋反応率が８６〜１００％となるように加熱処理を行なう。 - 特許庁 - The selective patterning method includes a DC heating evaporation method, an ion beam evaporation method, a reactive ion beam evaporation method, a two-pole sputtering method, a magnetron sputtering method, a reactive sputtering method, a three-pole sputtering method, an ion beam sputtering method, an ion plating method, a hollow cathode beam method, an ion beam injection method and a plasma CVD method and the like.
選択的パターニング方法は、直流加熱蒸着法、イオンビーム蒸着法、反応性イオンビーム蒸着法、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、３極スパッタ法、イオンビームスパッタ法、イオンプレーティング法、ホローカソードビーム法、イオンビーム注入法及びプラズマＣＶＤ法などである。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a thin film transistor for realizing a heating process for improving the characteristics of a gate insulating film, such as reduction in the boundary surface level and reduction in the fixed charges, while preventing a problem of the alignment deviation in patterning due to expansion and contraction of glass.
本発明は、ガラスの膨張、収縮がパターニングのアライメントずれの問題を引き起こさずに、界面準位低減、固定電荷低減といったゲート絶縁膜の特性向上を目的とした加熱処理を可能とする薄膜トランジスタの作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - After patterning the metal conductive film 6 and the polycrystalline semiconductor film 5, a first gate insulating film 7 is formed on the metal conductive film 6, and then a second gate insulating film 8 which grows faster than the first gate insulating film 7 is formed on the first gate insulating film 7.
そして、金属性導電膜６及び多結晶半導体膜５をパターニングした後、金属性導電膜６上に第１のゲート絶縁膜７を形成し、第１のゲート絶縁膜７上に第１のゲート絶縁膜７に比べて成長速度が速い第２のゲート絶縁膜８を形成する。 - 特許庁 - Next, a 1st core 53a and a 2nd core 53b orthogonally crossing each other are formed by patterning the 1st core layer, and a 2nd cladding layer is formed by applying the solution of 1st polyamide fluoride to make an optical waveguide body 51 in which the 1st and 2nd cores are embedded in the 1st and 2nd cladding layers.
ついで、第１コア層をパターニングして、互いに直交する第１コア５３ａおよび第２コア５３ｂを形成し、第１フッ素化ポリイミド溶液を塗布して第２クラッド層を形成して、第１および第２コアが第１および第２クラッド層に埋設された導波路体５１を作製する。 - 特許庁 - In the magneto-resistance effect type head of the CPP structure, at least a part of a boundary between a lower shield layer 10 and a nonmagnetic film 11 formed around it is covered with an insulating protective film 20, and an area of the lower shield layer exposed to the surface of a substrate during patterning of a magneto-resistance effect sensor film is reduced.
CPP構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、下部シールド層10とその周囲に設けられている非磁性膜11との境界の少なくとも一部を絶縁保護膜20で被覆して、磁気抵抗効果センサ膜のパターニングの際に基板表面に出る下部シールド層の面積を小さくする。 - 特許庁 - In this non-inductive strain sensor and its measuring method, the strain measurement in the environment wherein the noise is generated under the high magnetic field and the extra-high voltage can be performed by a grid 2 comprising a one-turn coil subjected to patterning so as to be mutually overlapped on the front and back of an insulating substrate 1 in an approximately reverse U-shape.
略逆Ｕ字状に絶縁基板１の表裏に互に重なる様にパターニングされた１ターンコイルから成るグリッド２によって強電界、強高電圧下でノイズが発生する環境下での歪測定を行なうことが可能な無誘導歪センサ及びその測定方法を得る。 - 特許庁 - When the patterning of a multi-layer film, composed of a metal film 5 and an amorphous ITO film 4 which covers the metal film 5, is performed, a sequence of processes is executed as follows: (a) etching of the ITO film 4→(b) sufficient etching of the metal film 5→(c) etching to remove overhang part from the metal film 5 of the ITO film 4.
金属膜５と、これを覆うアモルファスＩＴＯ膜４とからなる多層膜をパターニングするにあたり、(a)ＩＴＯ膜４のエッチング→(b)金属膜５の充分なエッチング→(c)ＩＴＯ膜４の金属膜５パターンからのひさし部分を除去するためのエッチング、という一連の工程を行なう。 - 特許庁 - With respect to calling signals from a plurality of slave units and an alarm signal of a sensor, a voltage level of a power source superimposed on a transmission line by a power source supply from a master unit is changed by a voltage patterning portion of a slave unit, and the signals are transmitted to the master unit from a data transmission/reception circuit of the slave unit as a patterned signal.
複数の子機からの呼出信号、センサの警戒信号を、親機からの電源供給により伝送路上に重畳される電源の電圧レベルを子機の電圧パターン化部で変化させ、パターン化された信号として子機のデータ送受信回路から親機に送信する。 - 特許庁 - The ferromagnetic thin membrane layer 15 has 0.5-50 oersted coercive force, may have a squareness ratio regulated so as to be 0.7-1.0, may be formed into the pattered one by a thin film-removing means such as a laser processing method, an etching method and a lift-off method, and further may have a bar code mark formed by patterning.
上記強磁性薄膜層１５は、保磁力が０．５〜５０エルステッドで、かつ角型比が０．７〜１．０に調整されているようにでき、レーザ加工法、エッチング法、リフトオフ法等の薄膜除去手段によりパターン化されたものとすることができ、また、バーコードマークをパターン化して設けることができる。 - 特許庁 - To provide a chemically amplified positive resist composition giving a high resolution with a suppressed LER deterioration caused by film-thinning at the time of forming a chemically amplified resist film with a film thickness of 10-100 nm in lithography, and also to provide a resist patterning process using the chemically amplified positive resist composition.
本発明は、リソグラフィーにおいて、膜厚を１０〜１００ｎｍとした場合の化学増幅レジスト膜の薄膜化によるＬＥＲの悪化を抑制しつつ、高解像性を有する化学増幅ポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたレジストパターン形成方法を提供することもある。 - 特許庁 - First, insulating films 10 and 11 between the electrodes and an insulating film 12 are formed between transfer electrode-shadowing films by patterning the insulating material layer at the identical process using a common mask on a substrate 1, and the mutual position of the transfer electrode 4 and a photodetecting receiver 3 is decided.
まず、基板１上に電極間絶縁膜１０および１１と、転送電極−遮光膜間絶縁膜１２とを、共通のマスクを用いた同一工程で絶縁材料層をパターニングして形成し、転送電極部４と光電受光部３の相対位置を確定する。 - 特許庁 - To provide an actuator ink jet recording head in which stabilized ejection quantity and ejection speed can be achieved without increasing crosstalk due to deformation of the wall even if nozzle density is increased in order to achieve high resolution, and to provide an ink jet recorder, a patterning device and a coater.
本発明の目的は、高解像度実現のためにノズル密度を大きくしても、隔壁の変形によるクロストークを増加することなく、安定した吐出量、吐出速度を実現できるアクチュエータインクジェット記録記録ヘッド、インクジェット記録装置、パターニング装置および塗装装置を提供することである。 - 特許庁 - To provide a means for forming an organic metal thin film for manufacturing an organic semiconductor device using a conductive charge transfer complex material which is difficult to form a thin film by vacuum evaporation, and for manufacturing an electrode by patterning the organic metal thin film, and to provide a material suitable for the same.
真空蒸着法による薄膜形成が困難な導電性電荷移動錯体材料を用いた有機半導体装置用の有機金属薄膜の形成と、そのパターニングによる電極作製のための手段、及びそれに適した材料を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a multiple patterning wiring board in which, even if a lid is joined in block to a conductor for sealing of each of a plurality of wiring board regions and cut, the lid is certainly joined to the conductor for sealing and which can form an electronic apparatus excellent in hermeticity with good productivity.
蓋体を複数の配線基板領域の封止用導体に一括して接合し、切断する場合でも、封止用導体に蓋体が確実に接合された、気密性に優れた電子装置を、生産性良く形成することが可能な多数個取り配線基板を提供する。 - 特許庁 - To provide an EL display unit in which a full color display is made possible, by forming a blue charge transport organic luminescent layer on a neighboring layer through vacuum vapor deposition method, after patterning red and green organic luminescent layers for each pixel by ink-jet method, and provide a manufacturing method of the EL display unit.
赤、緑の有機発光層をインクジェット方式により画素毎にパターニングし、その隣接層に青色の電荷輸送型有機発光層を真空蒸着法等にて形成することにより、フルカラー表示可能なＥＬ表示体およびＥＬ表示体の製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - In the spectroscopic module 1, a light absorption layer 6 having a light passage hole 6a for making light L2 advancing to a spectroscopic part 3 pass therethrough, and a light passage hole 6b for making light L2 advancing to a light detection part 4a of a light detection element 4 pass therethrough is formed integrally therewith by patterning.
分光モジュール１では、分光部３に進行する光Ｌ１が通過する光通過孔６ａ、及び光検出素子４の光検出部４ａに進行する光Ｌ２が通過する光通過孔６ｂを有する光吸収層６がパターニングによって一体成形される。 - 特許庁 - A plane waveguide type optical circuit where an under-clad layer 21, a core layer 20 obtained by patterning an optical waveguide layer 15, and an over-clad layer 22 covering over the core layer 20 or the like are formed on an Si substrate 10 is prepared as an optical circuit being an object where a diffraction grating is to be formed (figure 1 (a) to (c)).
Ｓｉ基板１０上に、アンダークラッド層２１、光導波層１５をパターニングしたコア層２０、及びコア層２０等を覆うオーバークラッド層２２を形成した平面導波路型光回路を、回折格子を形成する対象となる光回路として準備する（図１（ａ）〜（ｃ））。 - 特許庁 - In the method for patterning, a photo-curable resin 24 is applied on a face of the member 10 to be etched with the hollow 13 on which the dry etching is applied, and a mold 50 having a pattern corresponding to a mask 24a with taper-shaped side face to be formed on the member to be etched is pressed on the photo-curable resin.
空洞１３を有する被エッチング部材１０のドライエッチングを施す面に光硬化性樹脂２４を付与し、被エッチング部材上に形成すべきテーパー形状の側面を有するマスク２４ａに対応したパターンを有するモールド５０を光硬化性樹脂に押し付ける。 - 特許庁 - Therefore, since several kinds of interference type filter layers are respectively arranged on the different layer through the interlayer film, the interlayer film being foundation functions as an etching stopper or an etching buffer in the case of patterning the filter layers, and dry etching can be performed to realize the scale-down of the color filter.
したがって、複数種類の干渉型フィルタ層が層間膜を介してそれぞれ別々の層に配置されているため、各フィルタ層をパターニングする際に、下地の層間膜画エッチングストッパ若しくはエッチングバッファとして機能し、ドライエッチングが可能となりカラーフィルタの微細化が可能となる。 - 特許庁 - To enable reliable wiring patterning by eliminating or reducing linear thermal expansion coefficient between a transfer mold and a substrate, and thus by eliminating a problem of expansion difference between the transfer mold and the substrate when they are heated up to a predetermined temperature in an embossing process.
転写金型と基板との間の線熱膨張係数の差をなくするか或いは減少して、エンボス加工の際に転写金型と基板とを所定温度まで加熱しても両者間の膨張差による問題を解消し、信頼性のある配線パターニングを可能にする。 - 特許庁
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