「buffer」を含む例文一覧(23848)

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  • In rendering processing, an object to be drawn is a water surface object, new color data (VR', VG', VB') according to color parameters (αr, αg, αb) preset based on the property of water are generated from color data (VR, VG, VB) of an object such as terrain already written in a frame buffer.
    レンダリング処理において、描画対象のオブジェクトが水面オブジェクトである場合、フレームバッファに既に書き込まれている地形等のオブジェクトの色データ（ＶＲ，ＶＧ，ＶＢ）から、水の性質に基づいて予め設定された色パラメータ（αｒ，αｇ，αｂ）に応じた新たな色データ（ＶＲ’，ＶＧ’，ＶＢ’）が生成される。 - 特許庁
  • The liquid agent for contact lenses containing a thickener and a buffer agent of 0.05 to 10% and is 5 to 50 cps in viscosity at 20°C (precluding the case where the liquid agent is filled in a plastic container using a material selected from a group consisting of polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, and polycarbonate).
    増粘剤と０.０５〜１０％の緩衝剤とを含有し、２０℃での粘度が５〜５０cpsであることを特徴とするコンタクトレンズ用液剤（但し該液剤を、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート及びポリカーボネートからなる群から選択される素材を用いたプラスチック製容器に充填してなる場合を除く）。 - 特許庁
  • A frame reception circuit section 21 of the authentication hub 2 receives a frame transmitted from the terminal 1, determines frame transmission, rewrite transmission or abort by referencing the registration information database 22 on the basis of sender information and transmits the transmission frame whose transmission or rewrite transmission is permitted to a transmission buffer 23.
    認証用ハブ２は端末装置１が送信したフレームをフレーム受信回路部２１において受信し、その送信元情報を基に登録情報データベース２２を参照することによって、フレームの送信、書換え送信、破棄を決定し、送信または書換え送信が許可された送信フレームについては送信バッファ２３に送る。 - 特許庁
  • A buffer 15 applies buffering to the MBMS data from a BMSC received via a host device side interface section 14 and an MBMS data management section 16 divides the buffered MBMS data into data whose size can be transmitted/received between a Node B and the UE and decides MBMS data distribution schedule information.
    バッファ１５は上位装置側インタフェース部１４を介して受信するＢＭＳＣからのＭＢＭＳデータをバッファリングし、ＭＢＭＳデータ管理部１６はそのバッファリングされたＭＢＭＳデータをＮｏｄｅＢとＵＥとの間で送受信可能な大きさに分割するとともに、そのＭＢＭＳデータ配信スケジュール情報を決定する。 - 特許庁
  • When detecting response degradation (FSTRRSP=0), a correction quantity SELVCR is computed according to the response characteristics, that is, delay time τ (steps S90, 91), and the selection timing of output VLAF of an LAF sensor stored in a ring buffer is corrected to later timing with the correction quantity SELVCR (step S92).
    応答劣化検出時（ＦＳＴＲＲＳＰ＝０のとき）は、応答特性、即ち遅れ時間τに応じて補正量ＳＥＬＶＣＲが算出され（ステップＳ９０，９１）リングバッファに格納されたＬＡＦセンサ出力ＶＬＡＦの選択タイミングが、補正量ＳＥＬＶＣＲにより、より遅いタイミングに補正される（ステップＳ９２）。 - 特許庁
  • To provide a functional soil amendment improving a soil to a soil excellent in air permeability, water holding property, fertilizer-retaining capability or the like, neutralizing an acidic soil or suppressing change of the soil into the acidic soil by a buffer action of calcium, and abbreviating fertilizing work of an organic fertilizer.
    通気性、保水性、保肥力等に優れた土壌に改良すると共に、カルシウムの緩衝作用によって、酸性土壌の中和或いは酸性土壌化の抑制を図ることができ、更には有機質肥料の施肥の手間を省くことのできる機能性土壌改良材、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • The charging circuit for a noise pass capacitor comprising a capacitor with one end connected between a reference voltage source and an error amplifier and the other end grounded connects a buffer circuit comprising a differential amplifier circuit between the reference voltage source and the error amplifier, and has an offset in transistors forming the differential amplifier.
    基準電圧源と誤差アンプの間に一端が接続されて他端が接地されるコンデンサとを具えたノイズパスコンデンサの充電回路において、上記基準電圧源と誤差アンプの間に差動アンプ回路を具えたバッファ回路が接続され、その差動アンプを構成するトランジスタにオフセットを持たせる。 - 特許庁
  • This device which receives data packets on a communication link is constituted so that an interface control unit 4 receives the data packets, decides the border mark of the data packets in response, and writes the data packets and border mark in a buffer memory 8 to form a logical link between the data packets and border mark.
    通信リンク上でデータパケットを受信するための装置は、インタフェース−コントロールユニット４は、データパケットを受信し、これに応じて、データパケットの境界標識を判定し、データパケットおよび境界標識をバッファメモリ８に書き込み、データパケットと境界標識との間に論理リンクを形成するように実行される。 - 特許庁
  • An inter-TP motion prediction and compensation unit 78 performs motion prediction within a predetermined search range based principally upon search for predictive motion vector information generated by an intra-prediction motion vector generation unit 79 based upon an image to be inter-predicted from the screen rearrangement buffer 62 and the reference image from the frame memory 72.
    インターＴＰ動き予測・補償部７８は、画面並べ替えバッファ６２からのインター符号化が行われる画像と、フレームメモリ７２からの参照画像に基づいて、インター予測動きベクトル生成部７９により生成された予測動きベクトル情報を探索の中心とした所定の探索範囲での動き予測を行う。 - 特許庁
  • The packet communication equipment 103 directly reports the renewal of data in the case that the power source 104c of the information terminal is turned on and stores the packets in a data buffer 103a, turns on the power source of the information terminal 104 in a power source control part 103b and then transmits the database renewal information in the case that the power source is not turned on.
    パケット通信装置１０３は、情報端末の電源１０４ｃが入っている場合は直接データの更新を通知し、入っていない場合はデータバッファ１０３ａにパケットを蓄積しておき、電源制御部１０３ｂで情報端末１０４の電源を立ち上げた後、データベース更新情報を伝達する。 - 特許庁
  • To obtain a composition for improving a plant or a soil, having a stable growth promoting function for the plant, improving a pathological resistance of the plant itself, showing antagonistic action on phyto-pathogenic fungi and further promoting the formation of a polyuronide by microorganisms for the soil and showing a buffer capacity to the soil, and to provide a method for using the composition.
    植物の安定成長促進機能を有し、植物自体の耐病理性を向上させ、更に植物病原菌拮抗作用し、更に土壌に対しては微生物によるポリウロナイド生成を促し緩衝能を有する、植物体乃至士壌改善用組成物と、該組成物の使用方法を提供する。 - 特許庁
  • A GaN buffer layer 12, an n-type GaN contact layer 13, an n-type InGaN quantum well active layer 14, a p-type AlGaN sublimation preventing layer 15, and a p-type GaN contact layer 16 are laminated successively on a sapphire substrate 11, where the quantum well active layer 14 is equipped with a well layer sandwiched inbetween a pair of barrier layers.
    サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮコンタク層１３、ｎ型ＩｎＧａＮ量子井戸活性層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ昇華防止層１５、ｐ型ＧａＮコンタクト層１６が順次積層されており、量子井戸活性層１４は、一対の障壁層にて挟まれた井戸層を有している。 - 特許庁
  • During that time, for example, past images (a-e) of the object per one second are selectively read from among the series of images of the object stored in the buffer, the read images are composited with determined regions G1-G5 of a through image 101 and displayed, and the images of the regions G1-G5 are successively updated in accordance with elapse of time.
    その間には、バッファに記憶してある一連の被写体画像の中から、例えば１秒毎の過去の被写体画像（ａ〜ｅ）を選択的に読み出し、それらをスルー画像１０１の決められた領域Ｇ１〜Ｇ５に合成して表示するとともに、領域Ｇ１〜Ｇ５の画像を時間の経過に合わせて逐次更新する。 - 特許庁
  • On a sapphire substrate 1, a GaN buffer layer 2, an n-type GaN contact layer 3, an MWQ active layer 4, and a p-type GaN contact layer 5 are stacked in order, and a partial region is mesa-etched from the p-type GaN contact layer 5 halfway to the n-type GaN contact layer 3 to form an (n) electrode 7.
    サファイア基板１上に、ＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮコンタクト層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が順次積層されており、ｐ型ＧａＮコンタクト層５からｎ型ＧａＮコンタクト層３の途中まで一部領域がメサエッチングされて、ｎ電極７が形成されている。 - 特許庁
  • A DFB laser device 10, an embedding hetero type having an oscillation wavelength of 1,550 nm, comprises, on an n-InP substrate 12, an n-InP buffer layer 14, an active layer 16, a p-InP spacer layer 18, a grating 20 consisting of GaInAsP layer, and a lamination structure of p-InP first cladding layer 22 in which a grating is embedded.
    ＤＦＢレーザ素子１０は、発振波長が１５５０ｎｍの埋め込みへテロ型であって、ｎ-ＩｎＰ基板１２上に、ｎ-ＩｎＰバッファ層１４、活性層１６、ｐ-ＩｎＰスペーサ層１８、ＧａＩｎＡｓＰ層からなる回折格子２０、及び回折格子を埋め込んだｐ-ＩｎＰ第１クラッド層２２の積層構造を備える。 - 特許庁
  • The shock absorbing device 10 for the fuel assembly includes each nozzle support 12 mounted respectively on a recessed part 24U of the lower nozzle 24 and on a recessed part 23U of the upper nozzle 23, and each buffer 11 combined with each nozzle support 12, whose rigidity in the longitudinal direction of the fuel rods 21 is below that of the nozzle support 12.
    燃料集合体の衝撃吸収装置１０は、下部ノズル２４の凹部２４Ｕ及び上部ノズル２３の凹部２３Ｕに取り付けられるノズル支持体１２と、ノズル支持体１２と組み合わされ、かつ燃料棒２１の長手方向における剛性がノズル支持体１２以下の緩衝体１１とで構成される。 - 特許庁
  • A display body 2 with the advertising display part 3 on the front side is formed of a soft synthetic resin sheet material in a flat plate form so as to be mounted by wrapping it around a pillar or the like of a building, and the display main body is formed so that a buffer material 5 can be selected and housed in a housing part 4 formed in the inside thereof.
    表面側に広告用表示部３を備える表示本体２が、建物の柱などに巻いて装着可能となるべく柔軟合成樹脂製シート材で平板状に形成され、該表示本体は、その内部に形成された収納部４内に、緩衝材５を選択して収納可能に形成されてなる。 - 特許庁
  • This mounting device includes a supporting body 15 attached to a case body and a buffer part 16 provided with a joint part 17 joined with the internal equipment and an arm part 18 linking the joint part 17 and the supporting body 15 mutually, having small width when compared with the joint part 17, and held on the supporting body 15 in a cantilever manner.
    本発明の取り付け装置は、筐体に取り付けられる支持体１５と、内部機器に接合される接合部１７と、接合部１７と支持体１５とを連絡し、接合部１７に比較して幅狭とされかつ、支持体１５に片持ち保持された腕部１８とを備える緩衝部１６とを含む。 - 特許庁
  • The CPU 11 of this streamed-data repeater 10 is enabled to easily discriminate a packet whether the packet is a main signal data packet or control data packet by giving a function that stores packets one by one in a buffer 12 divided into a plurality of areas having a fixed size, by detecting the leading and last packets to a DMA controller 13 provided in the repeater 10.
    ストリームデータ中継装置１０内のＤＭＡコントローラ１３に、パケットの先頭と最後を検出して、サイズを固定した複数の領域に分割したバッファ１２にパケット単位で格納する機能を持たせて、ＣＰＵ１１が主信号データのパケットか制御データのパケットかを容易に見分けることができるよう。 - 特許庁
  • When a power supply voltage Vcc is applied to a semiconductor integrated circuit device, a transistor 2 is turned on because a power supply voltage Vcc is applied to its gate, and a device such as an input buffer B or the like can be protected against breakdown caused by electrostatic discharge noises by making either a transistor 3 or a diode 5 absorb a overvoltage through the intermediary of the transistor 2.
    半導体集積回路装置に電源電圧Ｖ_CCが供給されている場合、ゲートに電源電圧Ｖ_CCが供給されるトランジスタ２がＯＮとなり、静電放電ノイズはトランジスタ２を介してトランジスタ３、またはダイオード５のいずれかに過電圧が吸収され、入力バッファＢなどのデバイス破壊を防止する。 - 特許庁
  • A vehicle body 4 is rotated around a shaft 15 of a base 1 together with a turntable 2 common use for traveling or the vehicle body 4 is made to travel along the top of guide rails 3 of the turntable 2 common use for traveling and is bought into collision against an impact buffer device 5, by which the crew is made to experience the wearing effect of the seat belt.
    基台１のシャフト１５を軸に、車体本体４を走行兼回転台２と共に回転させたり、車体本体４を走行兼回転台２のガイドレール３上に沿って走行させ、衝撃緩衝装置５に衝突させたりすることによって、乗員にシートベルトの着用効果を体験させる。 - 特許庁
  • The first core 11 is so constituted that two approximately U-shaped skeleton members 2 and 2 are arranged to oppose open sections of them to each other, at the same time, the open ends 23 and 23 are connected to each other with a buffer member 3 and that a sound absorbing material 6 is filled between the skeleton members 2 and 2 formed by the constitution.
    第１の芯材１１は、略コ字形状の２つの骨部材２，２が、その開放部同士を向き合わされて配置されると共に、開放端部２３，２３同士が緩衝部材３にて接合されてなり、且つこのようにして構成される骨部材２，２間に吸音材６が充填されてなる。 - 特許庁
  • An N-type GaAs buffer layer, an N-type InGaP clad layer, an InGaAsP barrier layer, an InGaAs active layer, an InGaAsP barrier layer, a P-type InGaP clad layer, a P-type InGaAsP etching stop layer, a P-type InGaP clad layer, and a P-type GaAs contact layer are successively laminated on an N-type GaAs substrate.
    ｎ型ＧａＡｓ基板11上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層12、ｎ型ＩｎＧａＰクラッド層13、ＩｎＧａＡｓＰバリア層14、ＩｎＧａＡｓ活性層15、ＩｎＧａＡｓＰバリア層16、ｐ型ＩｎＧａＰクラッド層17、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰエッチングストップ層18、ｐ型ＩｎＧａＰクラッド層19、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層20を順次積層する。 - 特許庁
  • A plurality of balls 7 are accommodated in the peripheral side of the inside 6a of the accommodation chamber, and on the inner side, a buffer material 8a is installed on the balls 7 in pressure contact with the rear of the turntable 5 and the inner bottom surface of the balancer case 6, and thereby the auto-balancer 9 is accomplished.
    又、ターンテーブル５とバランサケース６で構成される扁平環状の中空型の格納室の内部６ａの外周側にはボール７が複数個格納されており、内周側にボール７に緩衝材８ａがターンテーブル５の裏部とバランサケース６の内底面に圧接されながら装着されオートバランサ９を構成している。 - 特許庁
  • When temporary stop is commanded during normal playback, a control part 10 controls a playback control part 16 to make the playback control part 16 temporarily stop the playback, and controls a video recording control part 13 to make the video recording control part 13 start to store (start video recording for time-shift playback) program data of a scene to be subsequently played back in a buffer 15.
    制御部１０は、通常再生中にその一時停止が指令されると、再生制御部１６を制御して、その再生を一時停止させるとともに、録画制御部１３を制御して、それ以降に再生されるべき場面の番組データの、バッファ１５への記憶を開始させる（追っかけ再生用の録画を開始させる）。 - 特許庁
  • The operation of the switch B3 is inverted from the operations of the switches A2, C4, and the output buffer circuit generates two kinds of control signals comprising a noninverting signal "A" obtained from an output from a modulation circuit and an inverting signal "B" resulting from inverting the output from the modulation circuit by an inverting circuit 10 as signals for controlling the inverted operation.
    スイッチＡ２とスイッチＣ４に対してスイッチＢ３は反転した動作を行い、この反転した動作を制御するための信号として、変調回路からの出力に対して正信号「Ａ」と、変調回路からの出力を反転回路１０で反転させた反転信号「Ｂ」の２種類の制御信号を生成する。 - 特許庁
  • An arithmetic exception buffer 28 is provided with an entry in each branch level to be applied and updated by a branch level controlling means 100, and an ROB registration number and exception classification information is held in each entry, and the information of the oldest instruction among exception generation instructions in each branch level is registered in each entry by comparison controlling parts 44-47.
    演算例外バッファ２８は、分岐レベル制御手段１００で付与・更新される分岐レベル毎にエントリを有し、各エントリにＲＯＢ登録番号および例外種別情報を保持し、比較制御部４４〜４７により各分岐レベルの例外発生命令中で最古の命令の情報を各エントリに登録する。 - 特許庁
  • The importance of connection among Japan, China, and Russia was his passionate political belief, about which he told Hirobumi ITO just before his assassination, and it is considered that he tried to make approach to discuss the ideas of the mandatory administration of Manchuria or the foundation of a buffer state there, behind the scenes of the plan of the cabinet of Giichi Tanaka to establish the Department of Overseas Affairs.
    日中露の結合関係の重要性は新平が暗殺直前の伊藤にも熱く語った信念であり、田中義一内閣が拓務省設置構想の背後で構想した満洲委任統治構想、もしくは満洲における緩衝国家設立を打診せんとしたものとも指摘される。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The semiconductor multilayer structure 24 comprises a buffer layer 22 of a III nitride based semiconductor containing at least boron (B), and a GaN based semiconductor layer 23 formed sequentially on the crystal substrate 21.
    本発明の半導体積層構造は、結晶基板２１上に、少なくともホウ素（Ｂ）を含むＩＩＩ族窒化物系半導体からなる緩衝層２２と、ＧａＮ系半導体層２３を順次積層し、この緩衝層２２とＧａＮ系半導体層２３により半導体積層構造２４を構成したことを特徴とする。 - 特許庁
  • After control clock signal generating circuits 1a to 1l convert plural external clock signals to plural internal clock signals having an internal signal level by each input buffer amplifier, and generate control clock signals controlling operation of a semiconductor memory based on converted plural internal clock signals.
    制御クロック信号発生回路１ａ乃至１ｌは、複数の外部クロック信号をそれぞれ各入力バッファアンプにより内部信号レベルを有する複数の内部クロック信号に変換した後、変換された複数の内部クロック信号に基づいて半導体記憶装置の動作を制御する制御クロック信号を発生する。 - 特許庁
  • The invention comprises a method for resolving a mixture of alkyl ester enantiomers that includes bringing the mixture of alkyl ester enantiomers to contact with a protease which is an effective enzyme for preferentially promoting one of enantiomers in the presence of a buffer agent selected from the group consisting of phosphates, borates and carbonates.
    アルキルエステルエナンチオマーの混合物を、ホスフェート、ボレートおよびカーボネートからなる群から選ばれる緩衝剤の存在下で該エナンチオマーの1つの加水分解を選択的に促進するのに有効な酵素であるプロテアーゼと接触させることを含むアルキルエステルエナンチオマーの混合物を分割する方法からなる。 - 特許庁
  • This solar cell includes: a glass substrate 12; a back electrode layer 14 formed on the glass substrate 12 and acting as a back electrode; a CIGS light absorption layer 16 formed on the back electrode layer 14; and a transparent electrode layer 20 formed on the CIGS light absorption layer 16 through a buffer layer 18.
    太陽電池は、ガラス基板１２と、該ガラス基板１２上に形成され、裏面電極となる裏面電極層１４と、該裏面電極層１４上に形成されたＣＩＧＳ光吸収層１６と、該ＣＩＧＳ光吸収層１６上に緩衝層１８を介して形成された透明電極層２０とを有する。 - 特許庁
  • The storage device, its controller and its data storage control method sequentially write the write command (1) data and the write command (2) data temporarily stored in the buffer memory on the magnetic disk from the time receiving the write command (4) which is the received command after detecting the vibrations until a certain time passes.
    本発明の記憶装置用制御装置、記憶装置およびそのデータ記憶制御方法は、既にバッファメモリに一時記憶されているライトコマンド（１）データ、ライトコマンド（２）データを、振動を検出してから受領したライトコマンドであるライトコマンド（４）受領から一定時間が経過するまで、順次磁気ディスクへ書き込む。 - 特許庁
  • The semiconductor inspection device includes a cassette 7 where a lot box 2 containing a plurality of wafers 1 is set, a wafer transfer section for transferring the wafers from the lot box 2 to a water test section, and a wafer buffer 8 for storing a predetermined wafer of the plurality of wafers between the cassette 7 and water test section.
    本発明にかかる半導体検査装置は、複数のウェハ１が格納されたロットボックス２がセットされるカセット７と、ロットボックス２からウェハテスト部へウェハを搬送するウェハ搬送部と、カセット７とウェハテスト部との間に複数のウェハのうち所定のウェハを格納するウェハバッファ８と、を備えるプローバを有する。 - 特許庁
  • This information storage medium contains an ENAV file for generating AV data in an interactive mode, a search information file to be referred to for accessing the ENAV file, and searh information to be referred to for accessing the ENAV file while the search information file is cached in an ENAV buffer.
    ＡＶデータをインタラクティブモードで再生するためのＥＮＡＶファイルと、前記ＥＮＡＶファイルに接近するために参照される探索情報ファイルを含み、前記探索情報ファイルはＥＮＡＶバッファにキャッシュされて前記ＥＮＡＶファイルに接近するために参照される探索情報を含んでいることを特徴とする情報貯蔵媒体である。 - 特許庁
  • In the cooling box 16 or in the cryostat 10, an upstream side pressure buffer 44 absorbing the pressure fluctuation within the refrigerant supply passage 18 by quenching in the coil 12 is provided to arrest or delay the sudden stoppage of the refrigerant compressor or opening of the safety valve 40 resulted from the pressure fluctuation.
    保冷箱１６内またはクライオスタット１０内においては、超電導コイル１２でのクエンチによる冷媒供給通路１８内の圧力変動を吸収する上流側圧力バッファ４４を設け、当該圧力変動に起因する冷媒圧縮機の急停止や安全弁４０の開弁を阻止し、または遅延させる。 - 特許庁
  • According to the band allocation method of the prevent invention, if the order of priority in which the data stored in an uplink ONU buffer is transmitted is interpreted differently between an OLT and ONUs, the order of priority which each ONU interprets is discriminated on the OLT side, and bands are allocated based on the result thereof.
    本発明に係る帯域割当方法は、ＯＮＵの上りバッファに蓄積されているデータを送信するための優先順位の解釈が、ＯＬＴとＯＮＵで異なる場合に、ＯＬＴ側で各ＯＮＵの解釈する優先順位を判別し、その結果に基づいて帯域を割り当てることとした。 - 特許庁
  • A charge-pump circuit comprises a couple of switching transistors TR1, TR2, capacitor C1, output capacitor Cout, timing adjustment circuit 10, CMOS inverters 1, 2 having a source terminal S of an N-channel MOS transistor respectively connected with the source terminal S of the transistors TR1, TR2 and a buffer circuit B1.
    チャージポンプ回路は、２個のスイッチングトランジスタＴＲ１，ＴＲ２、キャパシタＣ１、及び出力キャパシタＣｏｕｔ、タイミング調整回路１０、そのＮチャネル型ＭＯＳトランジスタのソース端子ＳがトランジスタＴＲ１，ＴＲ２のソース端子Ｓにそれぞれ接続されるＣＭＯＳインバータ１，２、及びバッファ回路Ｂ１を備える。 - 特許庁
  • The control unit 100 selects the recording area of a writing bit rate whose power consumption is lower than a predetermined value among recording areas of different writing rates on the hard disk 11 according to the transfer bit rate of the input data to the write buffer 31, and performs control so as to record data in this recording area.
    制御部１００は、ハードディスク１１上の書き込みレートの異なる記録領域の中から、入力データのライトバッファ３１への転送ビットレートとに応じて、消費電力が所定値よりも低くなる書き込みレートの記録領域を選択し、この記録領域にデータを記録するように制御する。 - 特許庁
  • Excitation light having energy that is lower than the band gap energy of a substrate is applied from the rear side of the substrate and photoluminescence is detected from the rear of the substrate in a method for non-destructively inspecting the carrier concentration of the semiconductor epitaxial film formed on the front of the substrate via a buffer layer by photoluminescence.
    基板の表面にバッファ層を介して形成された半導体エピタキシャル膜のキャリア濃度をフォトルミネッセンスで非破壊検査する方法において、該基板のバンドギャップエネルギーより低いエネルギーをもつ励起光を該基板の裏面側から照射し、フォトルミネッセンスを該基板の裏面から検出することを特徴とする。 - 特許庁
  • A switched mode power supply system comprises two buffer capacitors CB1, CB2 connected between DC input terminals A1, A2; primary inductance units N1, NP2 connected in series with two switches SW1, SW2 that are connected in series; and a secondary coil Ns to be connected with a DC output circuit.
    スイッチモード電源システムは直流入力端子Ａ１、Ａ２の間に接続された二つのバッファコンデンサＣＢ１、ＣＢ２と、直列に接続された二つのスイッチＳＷ１、ＳＷ２に直列に接続された一次インダクタンスユニットＮＰ１、ＮＰ２、および直流出力回路に接続される二次コイルＮｓを備える。 - 特許庁
  • The error/correcting circuit 6 comprises a first error/correction computing circuit 9 which performs an error/correcting to a line code of product code blocked PI sequence stored in a buffer memory 5 and a second error/ correcting computing circuit 10 which performs an error/correcting for a line code of PO sequence.
    誤り訂正回路６は、バッファメモリ５に格納された積符号ブロック化されたＰＩ系列のライン符号に対して誤り訂正を行なう第１の誤り訂正演算回路９と、ＰＯ系列のライン符号に対して誤り訂正を行なう第２の誤り訂正演算回路１０とを備えている。 - 特許庁
  • This makes it possible to read instruction data from the cache memory 102 while the branch instruction is being executed for the instruction fetch to the predicted branch address and to either leave no instruction data on the branch address held in the branch target buffer 104 or reduce the amount of data held, so as to reduce the circuit scale.
    これにより、予測分岐先アドレスに対する命令フェッチで分岐命令実行時にキャッシュメモリ１０２から命令データを読み出すことが可能となり、分岐ターゲットバッファ１０４に分岐先アドレスの命令データを保持しない、あるいは保持するデータ量を減らすことが可能であり、回路規模を削減できる。 - 特許庁
  • In a distributed processing system where plural processors 22a to 22c are connected through a network 21 and the plural processors execute a series of processings, the arbitrary processor 22a has a picture buffer storing program executed by the other processors 22b and 22c and input/output data to a terminal 24a.
    本発明は、ネットワーク２１を介して複数のプロセッサ２２ａ〜２２ｃが接続され、複数のプロセッサにより一連の処理を実行する分散処理システムにおいて、任意のプロセッサ２２ａが、他のプロセッサ２２ｂ、２２ｃで実行中のプログラムおよびターミナル２４ａへの入出力データを格納する画面バッファを有するものである。 - 特許庁
  • For the first and second buffer layers 4 and 8, a material being a non-oxide-based conductive material, formed in an atmosphere without containing oxygen, easily oxidizable compared to silicon, and keeping high conductivity even when exposed to oxygen to be oxidized, for instance, titanium, hafnium, aluminum or the like added with niobium or gallium, is used.
    第１及び第２バッファ層４，８としては、非酸化物系の導電性材料で、酸素を含まない雰囲気中で形成され、シリコンよりも酸化し易く、且つ、酸素に晒されて酸化しても高い導電性を維持する材料、例えば、ニオブ或いはガリウムを添加した、チタン、ハフニウム、アルミニウム等が挙げられる。 - 特許庁
  • In a gap filler station 30A, a buffer 33 is provided between a TDM demodulation part 32 which demodulates a signal (TDM signal) received from a communication satellite 20 through a reception antenna 31 to generate regenerated data and a CDM modulation part 34 which generates a transmission signal (CDM signal) to the broadcast reception device.
    ギャップフィラー局３０Ａにおいて、通信衛星２０から受信アンテナ３１を介して受信した信号（ＴＤＭ信号）を復調して再生データを生成するＴＤＭ復調部３２と、放送受信装置への送信信号（ＣＤＭ信号）を生成するＣＤＭ変調部３４の間にバッファ３３を設ける。 - 特許庁
  • This communication terminal unit 1 can communicate by the e-mail, and stores the mail addresses of the communicated e-mails in a retransmission address selecting buffer arranged in a RAM 4 in response to an address classification, and can reuse the mail address at the time of next transmission and transmissions thereafter.
    電子メールによって通信を行うことのできる通信端末装置１であって、通信した電子メールのメールアドレスを宛先種別と対応させてＲＡＭ４に設けられる再送信宛先選択バッファに格納しておき、次回以降の送信の際に再利用することのできる通信端末装置１。 - 特許庁
  • A system controller 100 executes reproduction control based on presence information indicating video information to be reproduced at actually specified reproduction time in VOB (Video Object) unit search information contained in DSI (Data Search Information) data separated from a demodulated signal Sdn demodulated while containing moving and static images by a system buffer 85.
    動画及び静止画を含みつつ復調された復調信号Ｓdmからシステムバッファ８５により分離されるＤＳＩ（Data Seach Information、検索制御）データに含まれるＶＯＢ（Video Object）ユニットサーチ情報中の、実際に指定された再生時刻に再生されるべき映像情報を示す存在情報に基づき、システムコントローラ１００が再生制御を行う。 - 特許庁
  • In the case where an operation for recording signals on a disk 1 is interrupted because of a shortage of capacity of signals to be recorded in a buffer RAM 10 in such signal recording operation, an objective lens incorporated in an optical pickup 2 is designed to be in the center position relative to an optical pickup body.
    ディスク１への信号の記録動作時バッファ用ＲＡＭ１０に記憶される信号の容量が不足することによりディスク１への信号記録動作を中断させるとき、光学式ピックアップ２に組み込まれている対物レンズを光学式ピックアップ本体に対して中心位置になるようにしたものである。 - 特許庁
  • An internal voltage generation circuit 2 is provided with a voltage generation circuit 10 generating a second voltage Vref from a first voltage Vext fed from the outside and an output buffer 11 generating a third voltage Vint matching the second voltage, and the third voltage is used as an operation power source for an internal circuit.
    内部電圧発生回路（２）は、外部から供給される第１電圧（Ｖｅｘｔ）から第２電圧（Ｖｒｅｆ）を発生する電圧発生回路（１０）と、第２電圧に応ずる第３電圧（Ｖｉｎｔ）を発生する出力バッファ（１１）とを有し、第３電圧が内部回路の動作電源とされる。 - 特許庁
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