「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 63 64 65 66 67 68 69 70 71 .... 287 288 次へ＞- The miscut angle is within the scope of 0.1 to 0.5°, and the distance between the level differences is within the scope of 1 to 250 nm.
ミスカット角度は０．１度から０．５度の範囲内にあり、段差間の間隔は１から２５０ｎｍの範囲内にある。 - 特許庁 - A half value width of light resulting from mixing red light from the red LED chips 3a and 3b is 40 to 80 nm.
赤色ＬＥＤチップ３ａ，３ｂからの赤色光を混合した光の半値幅が４０〜８０ｎｍとなっている。 - 特許庁 - After recessed parts 3a are formed on the lower shielding layer 3, the insulating film 5 consisting of alumina is formed to a thickness of about 500 nm.
下部シールド層３に凹部３ａを形成した後、アルミナよりなる絶縁膜５を約５００ｎｍの厚みに形成する。 - 特許庁 - In the coating exfoliation method, an insulated coated conductor 1 is irradiated by an SHG laser which is a laser of wavelength of 532 nm.
被覆剥離方法において絶縁被覆導線１は、波長が５３２ｎｍのレーザたるＳＨＧレーザが照射される。 - 特許庁 - The activated carbon having 1-3.5 nm average pore diameter is especially effectively used as the activated carbon used in the invention.
本発明で使用される活性炭としては、特に平均細孔直径が１〜３．５ｎｍのものが効果的に使用される。 - 特許庁 - The first light-emitting elements Sn emit laser beam with a certain wavelength λ ranging 400-420 nm.
第１発光素子Ｓ_ｎは、４００ｎｍ〜４２０ｎｍの範囲にある特定波長λのレーザ光を出力する素子である。 - 特許庁 - The largest thickness, which is located on the side of the upper surface of a resistor 12, of the resin 20 is formed in a thickness of 0.5 to 1.0 nm.
シリコン樹脂２０に関しては、その抵抗体１２上面側の最大層厚は０．５〜１．０ｍｍとする。 - 特許庁 - The ink for inkjet comprises a solvent and a pigment of not larger than 250 nm average grain diameter dispersed in the solvent.
溶剤と、前記溶剤に分散された平均粒子径２５０ｎｍ以下の顔料とを含有するインクジェット用インクである。 - 特許庁 - A porous Si layer 2 having a thickness between 300 nm and 50 μm is formed under the surface of a single-crystal Si substrate 1.
Ｓｉ単結晶基板１の表面下に３００ｎｍ〜５０μｍの厚さのポーラスＳｉ層２が形成されている。 - 特許庁 - To provide a quartz glass which can be manufactured without producing harmful gas and which has high transmittance at 157 nm wavelength.
有害ガスを発生せずに製造可能であり、１５７ｎｍにおける光透過率の高い石英ガラスを提供する。 - 特許庁 - A hiding part is provided to protect privacy from a person standing next, and the width of the urinal is set to 400-500 nm.
隣の人からプライバシーを守るために隠し部を持たせ、かつ便器の幅を４００ｍｍから５００ｍｍとする。 - 特許庁 - The pyridobisimidazole fiber has a root mean square roughness of the fiber surface of not more than 30 nm.
本発明のピリドビスイミダゾール繊維は、繊維表面の二乗平均粗さが３０ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method for producing copper nanoparticles in which particle diameter is the nanosize of ≤10 nm, and also, a particle size distribution width is narrow.
粒子径が１０ｎｍ以下のナノサイズでかつ、粒度分布幅の狭い銅微粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Where PMA is greater than the self-demagnetizing field of the free layer 25, the sensor can be expanded in width to less than 50 nm.
ＰＭＡがフリー層２５の自己減磁界よりも大きい場合、センサは、幅５０ｎｍ未満まで拡大可能である。 - 特許庁 - This method for removing the hexeneuronic acid is characterized by irradiating bleached pulp with ultraviolet rays having wavelengths of 100-300 nm under a condition having pH of ≤4.
漂白済みパルプに、ｐＨ４以下の条件下で、波長１００〜３００ｎｍの紫外光を照射する。 - 特許庁 - The thermosensitive color developing layer of the button is irradiated with near UV of about 400 nm by an optical fixer from above the mask.
マスクの上方からボタンの感熱発色層に光定着器で約４００ｎｍの近紫外線を照射する。 - 特許庁 - The second ESD layer 111 is non-dope GaN, where the thickness is 50-200 nm and the pit density is ≥2×10^8/cm^2.
第２ＥＳＤ層１１１は、厚さ５０〜２００ｎｍ、ピット密度２×１０^8 ／ｃｍ^2 以上のノンドープのＧａＮである。 - 特許庁 - (C) electronic conductive agent in which an average particle diameter of a primary particle is 27 nm or less and conductive quotient is 70 or more.
（Ｃ）一次粒子の平均粒子径が２７ｎｍ以下で、かつ導電性指数が７０以上である電子導電剤。 - 特許庁 - Positions of upper ends of the memory gates 8 are made higher than the position of the upper end of the control gate 6 by not less than 100 nm.
そして、メモリゲート８の上端の位置を、コントロールゲート６の上端の位置より１００ｎｍ以上高くする。 - 特許庁 - It is suitable to use a silicon resin having an absorption band with the wave length of nearly 300-400 nm.
透光性樹脂３は、シリコーン樹脂、波長３００〜４００ｎｍの付近に吸収帯を有する樹脂が好適である。 - 特許庁 - Furthermore, the thickness of the first p-type contact layer 16a and that of the second p-type contact layer 16b is totally 20 to 300 nm.
また、第１ｐ型コンタクト層１６ａと第２ｐ型コンタクト層１６ｂの厚さの合計は、２０〜３００ｎｍである。 - 特許庁 - The plated Au layer 10 has a thickness of 50 nm or less, and contains 0.32 at.% or more Fe.
本発明のＡｕめっき層１０は、厚さが５０ｎｍ以下であり、Ｆｅの含有率が０．３２ａｔ．％以上である。 - 特許庁 - Preferably, the inorganic compound and/or the organic and inorganic composite material compound have a maximum length of at most 100 nm.
無機化合物及び／または有機・無機複合材化合物の最大長が１００ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁 - After that, further, the second metal layer 106c made of gold (Au) is laminated by about 100 nm thickness by depositing.
その後更に、金（Ａｕ）から成る第２金属層１０６ｃを蒸着によって約１００ｎｍの膜厚で積層する。 - 特許庁 - Preferably 0-20 nm phase contrast value, ≥85% light transmittance and ≤2% haze are ensured as optical characteristics.
また、光学特性は、位相差値が０から２０ｎｍ、光線透過率が８５％以上、ヘーズが２％以下が好ましい。 - 特許庁 - Hence, when an electromagnetic wave from 600 to 1,000 nm is irradiated, the gold nanoparticle composition heats by itself.
このため、この金ナノ粒子組成物は、６００ｎｍから１０００ｎｍまでの電磁波が照射されると、自己発熱する。 - 特許庁 - To introduce nitrogen with higher concentration, even if it is a thin SiO_2 film of the film thickness 1.2 nm or less, while suppressing a film increase.
膜厚１．２ｎｍ以下の薄いＳｉＯ_２膜であっても増膜を抑えつつ、より高濃度に窒素を導入する。 - 特許庁 - To provide an optical fiber for efficiently compensate dispersion characteristics of NZ-DSF for the wavelength of 1,500 nm.
波長１５００ｎｍにおけるＮＺ−ＤＳＦの分散特性を効率良く補償する光ファイバを提供する。 - 特許庁 - Surfaces of the blue light-emitting phosphor particles are coated with an amorphous silicon dioxide layer having a thickness of 2-20 nm.
青色発光蛍光体粒子の表面を、厚さが２〜２０ｎｍの範囲にあるアモルファス二酸化珪素層で被覆する。 - 特許庁 - The multi-component oxide has cations with a reduction potential of less than -0.03 eV, and atomic radii of less than 0.25 nm.
この多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有している。 - 特許庁 - An average diameter of crystal grain of the surface of the ZnO thin film having varistor characteristics is set to 50 nm or greater.
バリスタ特性を有するＺｎＯ薄膜の表面の結晶粒の平均的な直径を５０ｎｍ以上とする。 - 特許庁 - It is desirable that the paper sheet includes the microphyte fiber, and the width of the microphyte fiber is 2-1,000 nm.
紙シートに微細植物繊維を含有し、前記微細植物繊維の幅が２ｎｍ〜１０００ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁 - The negative dispersion optical fiber is obtained having a suitable negative wavelength dispersion characteristic in the 1,310 and 1,550 nm wavelength band.
波長１３１０及び１５５０ｎｍ帯で好適な負の波長分散特性を有する負分散光ファイバを実現する。 - 特許庁 - The preferable anode material is vanadium nitride having the average particle diameter of less than 500 nm, especially carbon-covered vanadium nitride.
好ましいアノード材料は、５００ｎｍ未満の平均粒径を有する窒化バナジウム、特に炭素被覆窒化バナジウムである。 - 特許庁 - The thin film solid electrolyte contains an inorganic material having lithium ion conductivity and is 10 nm or more, less than 2 μm in thickness.
リチウムイオン伝導性の無機物質を含有し、厚さが10nm以上２um未満である事を特徴とする無機固体電解質。 - 特許庁 - Silicon atoms are formed as nano-silicon 4a of approximately 3.0 nm or less by a heat treatment by an inert gas.
不活性ガスにて熱処理されて前記シリコン原子は約３．０ｎｍ以下のナノシリコン４ａとして形成されること。 - 特許庁 - This polybenzazole fiber comprises a carbon nanotube having ≤20 nm outer diameter and 0.5 μm-10 μm length in the inside of the fiber.
繊維内部に外径が２０ｎｍ以下、長さが０．５μｍ〜１０μｍのカーボンナノチューブをポリベンザゾール繊維に含有する。 - 特許庁 - To enhance the durability of a semiconductor laser device using a semiconductor laser element having an oscillation wavelength of 500 nm or less.
発振波長が５００ｎｍ以下の半導体レーザ素子を用いた半導体レーザ装置の耐久性を向上させる。 - 特許庁 - The obtained indium germanate submicron tube has the length of several hundreds μm and the outer diameter of about 600 nm.
得られるゲルマニウム酸インジウムサブミクロンチューブは、その長さが数百μｍであり、その外径がおおよそ６００ｎｍである。 - 特許庁 - This polymer alloy pellet comprises the polyamide and the polyester, wherein the average dispersion diameter of the dispersed polymer is in a range of 1 and 50 nm.
ポリアミドとポリエステルからなるポリマーアロイペレットであって、分散ポリマーの平均分散径が１〜５０ｎｍであるペレット。 - 特許庁 - Composite oxide fine particles comprising titanium and niobium and/or tantalum have a BET equivalent particle diameter of ≤100 nm.
ＢＥＴ換算粒径が１００ｎｍ以下であるチタンとニオブ及び／又はタンタルとの複合酸化物微粒子に関する。 - 特許庁 - The catalyst for manufacturing olefin from ketones is made of ZSM-5 type zeolite having a crystal size of 100 nm or less.
結晶径が１００ｎｍ以下のＺＳＭ−５型ゼオライトから成るケトン類からオレフィンを製造するための触媒。 - 特許庁 - As an excitation source of a solid laser medium 24, a laser diode 13 of oscillation wavelength 809 to 810 nm at 25°C is used.
固体レーザー媒体２４の励起源として、２５℃での発振波長が809〜810 ｎｍであるレーザーダイオード１３を用いる。 - 特許庁 - An alignment layer consisting of a UV reaction type polyimide having high absorbance in ≤300 nm wavelength region is used.
３００ｎｍ以下の波長領域に高い吸光度をもつ紫外線反応型のポリイミドからなる配向膜を使用する。 - 特許庁 - In this polyester film a polyimide (B) is dispersed in a polyester (A) and the average dispersion size of the polyimide is 1-50 nm.
ポリエステル（Ａ）にポリイミド（Ｂ）が分散してなり、かつ、ポリイミドの平均分散径が１〜５０ｎｍであるポリステルフィルムである。 - 特許庁 - The light used in the irradiation preferably comprises UV light containing UV light of ≤350 nm of wave length.
また、照射する紫外光を含む光線としては、３５０ｎｍ以下の波長の紫外線を含むことが好ましい。 - 特許庁 - The thickness of the electrolyte on the catalyst carrier in the catalyst electrode is 5-1000 nm.
触媒電極中の触媒担体上の電解質の厚さが、５〜１０００ｎｍである燃料電池用触媒電極。 - 特許庁 - A laser diode 1 which is a light source having an oscillation wavelength shorter than 450 nm emits a laser beam L.
４５０ｎｍよりも短波長に発振波長を有する光源であるレーザダイオード１からレーザビームＬを出射する。 - 特許庁 - To provide a new photoresist composition having sufficiently low optical density for short wavelength radiation at 193 nm and below.
短波長放射光１９３ｎｍ以下で十分に低い光学密度を有する新しいフォトレジスト組成物の提供。 - 特許庁 - The filler includes an alkoxyl-containing phenylene alkylene resin, being 1-10,000 nm in minor axis and 1.5 or greater in aspect ratio.
アルコキシ基含有フェニレンアルキレン樹脂を含み、短径が１〜１００００ｎｍでありアスペクト比が１．５以上であるフィラー。 - 特許庁
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