「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 66 67 68 69 70 71 72 73 74 .... 287 288 次へ＞- It is also preferable that the outermost layer A is formed from the low hardness hard carbon layer in a layer thickness of 2 to 200 nm.
また、最外層Ａを低硬度硬質炭素層で形成し、その層厚を２ｎｍ〜２００ｎｍとすることが好ましい。 - 特許庁 - The polarization dispersion mode of the polarization mode dispersion suppressing and transmitting device 500 increases/decreases in a B(nm) cycle on a wavelength axis.
偏波モード分散抑制伝送装置５００の偏波分散モードは波長軸上でＢ（ｎｍ）の周期で増減する。 - 特許庁 - The measuring wavelength is, for example, 1,000 nm, preferably for which the dichroism substance shows no absorption.
前記測定波長とは、前記二色性物質が吸収を示さない波長であることが好ましく、例えば、1000ｎｍである。 - 特許庁 - The inorganic particle includes a first particle having a mean particle size of 1-10 m and a second particle of 1-100 nm.
無機粒子は、平均粒径が１〜１０μｍの第１粒子と、平均粒径が１〜１００ｎｍの第２粒子とを含む。 - 特許庁 - The optical fiber has a clad containing fluorine and exhibits a transmission loss of 0.32 dB/km or less at a wavelength of 1,380 nm.
光ファイバは、クラッドがフッ素を含有し、波長１３８０ｎｍでの伝送損失が０．３２ｄＢ／ｋｍ以下である。 - 特許庁 - To realize an attenuating filter for ultraviolet light at <200 nm wavelengths withstanding continuously applied laser irradiation.
連続使用されるレーザ照射に耐えることができる、２００ｎｍ未満の波長の紫外線用の減衰フィルタを実現。 - 特許庁 - To provide a display unit, having a resolution of about the wavelengths (several hundred nm to 1 μm) of visible light.
可視光の波長程度（数百ｎｍ〜１μｍ）の分解能を有する表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a group III nitride semiconductor substrate having a surface which is higher than 14.0 nm^-2 in dangling bond density, and is flat.
ダングリングボンド密度が１４．０ｎｍ^-2よりも大きくて平坦な面を有するIII族窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁 - Reaction ion etching for the electrode film 12 is so made by using chloride gas 0.5 to 1,000 nm of the electrode film 12 as to remain.
電極膜１２を０.５ｎｍ〜１０００ｎｍ残すように、塩素系ガスで電極膜１２を反応性イオンエッチングする。 - 特許庁 - To provide a high-pressure mercury lamp having strong luminescence at a wavelength below 300 nm, and having a high ultraviolet maintenance factor.
波長３００ｎｍ以下に強い発光を持ち、かつ高い紫外線維持率を持つ高圧水銀ランプを提供する。 - 特許庁 - The initial electrodes 12 and 13 having a gap of 100 nm to 1 μm are fabricated on a substrate in positions where the electrodes face each other.
基板１０上に１００ｎｍ〜１μｍの間隙を持つ初期電極１２，１３を対向する位置に作製する。 - 特許庁 - To provide slurry with which the errosions (local recesses) of a surface to be polished can be reduced to values not larger than 20 nm after CMP.
ＣＭＰ後における被研磨面のエロージョン（局所的な凹み）を２０ｎｍ以下に低減し得るスラリーを提供する。 - 特許庁 - In addition, more preferably, the average particle diameter of the fine particles is set to be 150 nm or less and their glass transition temperature is set to be 50°C or higher.
さらに、該微粒子の平均粒子径が１５０ｎｍ以下、ガラス転移温度が５０℃以上であるとより好ましい。 - 特許庁 - The sewage treatment material has a number of pores, and pores of ≤10 nm amount to ≥10% of the total pores.
汚水処理材は多数の細孔を有し、１０ｎｍ以下の細孔が細孔全体中の１０％以上を占める。 - 特許庁 - The openings penetrate through the metal portion along the direction and have a circle-equivalent diameter ranging from 10 nm or more to 5 μm or less.
開口部は、前記方向に沿って金属部を貫通し、円相当直径が１０ｎｍ以上、５μｍ以下である。 - 特許庁 - On an uppermost layer of the electrically conductive soft metal structure, the metal particles with particle sizes of 200 nm or larger are adhered.
導電性軟金属構造の最上部層に２００ｎｍ以上の粒子サイズを有する金属粒子を付着する。 - 特許庁 - The thickness (machining allowance) of the glass substrate after the texture formed is removed is preferably 0.5 to 10 nm in average.
テクスチャーの形成によって除去されるガラス基板の厚み（取り代）は平均０．５〜１０ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁 - A crystalline AIN layer of 5 to 80 nm-thickness superior in orientation is installed on a surface of a single-crystal state Al plate.
単結晶状のＡｌ板の表面に、厚さ５〜８０nmの配向性に優れた結晶質のＡｌＮ層を設ける。 - 特許庁 - To provide a method for forming an ultrafine particle construction, made of ultrafine particles of the order of a few nm.
数ｎｍスケ−ルの極微細な粒子から構成される超微粒子構造を作製する方法を提供する。 - 特許庁 - Thus, superior boundary characteristic with EOT of 1.3 nm or less and greatly reduced leak current can be realized.
これによって、ＥＯＴが１．３ｎｍ以下で、リーク電流の大幅な低減（約３桁）と良好な界面特性が得られる。 - 特許庁 - A metal fine particle 11 comprising silver fine particles with diameters of 5 nm or less are adsorbed on a surface of an measurement object 1.
測定対象１の表面に、半径が５ｎｍ以下の銀微粒子から成る金属微粒子１１を吸着させる。 - 特許庁 - The semiconductor device of a structure with the film thickness of the film 29 located under the lower parts of the grooves 51 and has a film thickness of 50 nm or larger.
配線溝５１の下部の第２の絶縁膜２９の膜厚が５０ｎｍ以上である半導体装置である。 - 特許庁 - The new 200 kV TEM features a high-brightness Schottky field emission electron gun that produces a probe size of less than 0.15 nm.
その新型200kV-TEMは、0.15nmよりも小さなプローブサイズを生み出す高輝度のショットキー電界放出型電子銃を特徴とする。 - 科学技術論文動詞集 - Many electrons suffer single plasmon losses since the typical mean free path for the generation of a plasmon is about 50 nm.
プラズモンの生成についての典型的な平均自由行程は約50nmなので、多くの電子は1回のプラズモン損失を受ける。 - 科学技術論文動詞集 - To obtain a W nanopowder of the order of several tens nm from a precursor containing wolfram by a low pressure gas phase reaction.
低圧気相反応法によりタングステンが含有された前駆体を用いて、数１０ｎｍ級のＷ粉末を得る。 - 特許庁 - In the electronic component 10 having the terminal 15, an Sn-based plating layer 16 and an Sn-based compound layer 17 on its surface with the thickness in the range between 500 nm and 1,000 nm are formed on the surface of the terminal 15 as the Sn-based thin film layer.
端子１５を有する電子部品１０において、端子１５の表面に、Ｓｎ系薄膜層として、Ｓｎ系めっき層１６と、その表面に厚さ５００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であるＳｎ系化合物層１７を形成する。 - 特許庁 - Therefore, the Cr film 20 with a low resistance value and good adhesion with a product of a sheet resistance (Ω/square) and a film thickness (nm) of 220 to 300 (Ω/square) nm is formed as an auxiliary electrode on the surface of the ITO film 14 having excellent surface flatness.
そのため、表面平坦性の優れたＩＴＯ膜１４表面に、シート抵抗（Ω／□）と膜厚（ｎｍ）との積が２２０〜３００（Ω／□）・ｎｍと抵抗値が低くかつ密着性の良いＣｒ膜２０を補助電極として形成することができる。 - 特許庁 - A film of a metal or a metal compound material, which is the same metal or metal compound material as that constituting the metal back 13, is provided in a thickness ≥0.2 nm and ≤4.5 nm in an adjacent range of the electron emitting part of each electron emitting element 8.
各電子放出素子８の電子放出部隣接領域に、メタルバック１３を構成する金属または金属化合物材料と同じ金属または金属化合物材料の被膜を０．２ｎｍ以上４．５ｎｍ未満の厚さで設けておく。 - 特許庁 - A reference ceramic plate is irradiated via an optical fiber 7 with dispersed near-infrared light in the band of 700 nm-1100 nm from the slit of a near-infrared device 1 to measure the intensity of light transmitted through the ceramic plate, which is reference matter for spectrum measurement.
先ず、近赤外装置１のスリットからの７００ｎｍ〜１１００ｎｍ域の分光した近赤外光を光ファイバー７を介して基準のセラミック板に照射し、スペクトル測定の基準物質であるセラミック板の透過光強度を測定する。 - 特許庁 - To provide a polymerizable composition capable of forming the cured film which has the high sensitivity to the light of wavelengths of 365 nm and 405 nm and the excellent stability with time, and also which makes it possible to inhibit the coloration due to the heating with time, and to provide a color filter using it.
波長３６５ｎｍや４０５ｎｍの光に対する感度が高く、経時安定性に優れ、更に、加熱経時による着色を抑制しうる硬化膜を形成可能な重合性組成物及びそれを用いたカラーフィルタを提供する。 - 特許庁 - In a semiconductor LD epitaxial structure 1 constituted by laminating thin film crystals of multi layers containing an N cladding layer 4, an active layer 5 and a P cladding layer 6 on a substrate 2, a thin film of the N cladding layer 4 is carried out in 500 nm or more, 1,000 nm or less.
基板２上に、Ｎクラッド層４、活性層５、Ｐクラッド層６を含む多層の薄膜結晶を積層した半導体ＬＤエピ構造１において、Ｎクラッド層４を５００ｎｍ以上、１０００ｎｍ未満に薄膜化したものである。 - 特許庁 - Alternatively, a pore distribution of the porous titanium oxide layer 2 has the maximum value in 40 nm or less of range, and the pore distribution includes a portion of which the pore volume is 0.05 mL/g or more per unit mass, in 40 nm or more of range.
または、多孔質酸化チタン層２の細孔分布が４０ｎｍ以下の範囲で最大値を示し、且つ、該細孔分布が、単位質量当たりの細孔容積が０．０５ｍＬ／ｇ以上である部分を４０ｎｍ以上の範囲において含む。 - 特許庁 - The polyamide resin molded article is prepared by compounding a polyamide resin with glass fibers, at least one inorganic filler selected from among wallastonite, talc, kaolin, and mica, and a carbon black with an aggregate size of 50-120 nm and a primary particle size of 20 nm or less in a specified quantity ratio.
ポリアミド、ガラス繊維、ワラストナイト、タルク、カオリン、マイカから選ばれる少なくとも一種の無機充填材およびアグリゲート径が５０〜１２０ｎｍ、一次粒子径が２０ｎｍ以下のカーボンブラックを特定の量比で配合してなるポリアミド樹脂成形体とする。 - 特許庁 - By forming the layer B containing the fluorescent whitening agent on at least the reflection usage surface side of the layer A which easily absorbs light in the wavelength region in the vicinity of 400 nm, a reflection factor in the wavelength region in the vicinity of 400 nm is increased.
４００ｎｍ付近の波長領域の光線を吸収し易いＡ層の少なくとも反射使用面側に、蛍光増白剤を含有するＢ層を形成することにより、４００ｎｍ付近の波長領域の反射率を高めることができる。 - 特許庁 - The thickness of the silica ceramic layer 25 is set to a range of 55-1010 nm and the thickness of the photocatalyst containing layer 26 is set to a range of 25-200 nm so that the reflectance of the mirror surface 22 can be held at 50% or more.
このシリカ質セラミックス層２５の層厚を５５〜１０１０ｎｍの範囲とし、また光触媒含有層２６の層厚を２５〜２００ｎｍの範囲にすることにより、鏡面２２の反射率を５０％以上に維持させることができる。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium on which high density optical information recording and reproducing can be made by using a short wavelength laser beam in a range of about 350 nm-530 nm and reproduced signal strength is not lowered over repeated recording and reproducing information.
３５０ｎｍ〜５３０ｎｍ程度の短波長レーザ光によって高密度の光情報の記録再生が可能であり、繰り返し操作による光情報の再生記録信号の強度が低下しない光記録媒体を提供すること。 - 特許庁 - The particles containing precious metal fine particles dispersed in a solvent of the coating liquid for forming the transparent conductive film form chained agglutinates with an average main chain length of 20 to 500 nm through junction of primary particles with an average particle size of 1 to 50 nm.
透明導電膜形成用塗布液の溶媒中に分散された貴金属含有微粒子は、平均粒径１〜５０ｎｍの一次粒子が連接して、平均主鎖長さ２０〜５００ｎｍの連鎖状凝集体を形成している。 - 特許庁 - Average surface roughness Ra of the surface of the substrate 81 side on which the dielectric films are provided is made equal to or less than 0.50 nm when the roughness is obtained by measuring a plurality of measurement points having measurement distances equal to or less than 100 nm.
光学基板８１の誘電体膜を設ける側の表面を測定点間距離が１００ｎｍ以下の複数の測定点を測定することにより得られた平均表面粗さＲａが０．５０ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - Since impurity concentration in an area from 20 >nm] depth to 100 [nm] from an interface between the gate oxide film 7 and the silicon board 1 being the cause of the unevenness of threshold voltage is lowered, the unevenness of the threshold voltage is suppressed.
しきい値電圧のばらつきの原因となるゲート酸化膜７とシリコン基板１との界面から２０〔ｎｍ〕から１００〔ｎｍ〕の深さまでの領域での不純物濃度が低下するから、しきい値電圧のばらつきが抑制されることになる。 - 特許庁 - The microporous carbonaceous material 5 has a three-dimensional long-period ordered structure in the range of 0.7 nm to 2 nm and has micropores 2a, wherein a transition metal 4 is supported on the surface of the micropores 2a.
ミクロポーラス炭素系材料５であって、０．７ｎｍ以上２ｎｍ以下の範囲内の３次元の長周期規則構造と、ミクロ細孔２ａとを有するミクロポーラス炭素系材料であって、ミクロ細孔２ａ表面に遷移金属４が担持されている。 - 特許庁 - This aqueous dispersion for polishing a color filter includes: (A) inorganic particles having a mean primary particle diameter of 10-100 nm and a means secondary particle diameter of 30-300 nm, and (B) water soluble polymer having a molecular weight of 5,000-5,000,000.
本発明に係るカラーフィルターの研磨用水系分散体は、（Ａ）平均一次粒子径が１０〜１００ｎｍで平均二次粒子径が３０〜３００ｎｍである無機粒子と、（Ｂ）分子量が５０００〜５００万の水溶性高分子と、を含む。 - 特許庁 - A thermal oxide film 4 which serves as a pad oxide film is made 5-30 nm thick on a silicon substrate 2, and a silicon nitride film which serves as a CMP stopper is accumulated to 100-300 nm, and patterning is performed by resist so that becomes a desired element isolation region.
シリコン基板２に対し、パッド酸化膜となる熱酸化膜４を５〜３０ｎｍ形成し、ＣＭＰストッパーとなるシリコン窒化膜６を１００〜３００ｎｍ堆積させ、それを所望の素子分離領域になるようレジスト８にてパターニングを行う。 - 特許庁 - The aqua-based nano sol-gel coating agent composition comprises a transparent aqua-based zeolite sol-gel with a particle diameter of ≤100 nm, a polysiloxane derivative, a surfactant and a transparent aqua-based titanium dioxide photo-catalysis sol-gel with a particle diameter of ≤100 nm and a component such as water.
粒径１００ｎｍ以下の透明アクアベースゼオライトゾル・ゲルと、ポリシロキサン誘導体と、界面活性剤と、粒径１００ｎｍ以下の透明アクアベース二酸化チタン光触媒ゾル・ゲルと、水等の成分を配合してなるアクアベースナノゾル・ゲルコーティング剤組成物。 - 特許庁 - To provide a processing method capable of executing formation of a minute hole of 1 nm or a groove 2 nm wide on a surface of a base material without using a multistage process such as masking, and processing by combining them with one another, and a device therefor.
マスク等の多段階のプロセスを使用することなく基材の表面に１ナノメートルの微細な穴あけや幅２ナノメートルの溝掘り、また、これらを組み合わせた加工を行なうことができる加工方法とそのための装置を提供する。 - 特許庁 - In the cellulose acylate film, Rth (retardation in thickness direction) (in 446 wavelength), Rth (in 548 wavelength) and Rth (in 629 wavelength) are each ≥-10 nm and ≤10 nm even in either one environmental humidity of 10% RH at 25°C, 60% RH at 25°C and 80% RH at 25°C.
２５℃１０％ＲＨ、２５℃６０％ＲＨおよび２５℃８０％ＲＨのいずれの環境湿度においてもＲｔｈ（４４６）、Ｒｔｈ（５４８）、Ｒｔｈ（６２９）が−１０ｎｍ以上１０ｎｍ以下であるセルロースアシレートフィルム。 - 特許庁 - λS (80)≥55 nm and λS (50)≤90 nm, where λS (80) is the width of the spectral sensitivity distribution in 80% of the maximum sensitivity o the spectral sensitivity distribution, and λS (50) is the width of the spectral sensitivity distribution in 50% of the maximum sensitivity of the spectral sensitivity distribution.
λＳ（８０）≧５５ｎｍ λＳ（５０）≦９０ｎｍ λＳ（８０）：分光感度分布の最大感度の８０％における分光感度分布の幅 λＳ（５０）：分光感度分布の最大感度の５０％における分光感度分布の幅 - 特許庁 - The thin film particles obtained by oxidizing graphite are layered and mutually bonded in a plurality of pieces to obtain a layered aggregate capable of isolatedly existing in a liquid, and having a thickness of ≥10 nm, and dimensions in a planar direction of ≥100 nm.
黒鉛を酸化して得られる薄膜状粒子を複数個で積層かつ互いに結合させて、液体中に孤立して存在することが可能な、厚さが１０ｎｍ以上、平面方向の大きさが１００ｎｍ以上の積層集合体を得る。 - 特許庁 - This biaxially stretched polyester film used for simultaneous forming and transfering and having a coated layer is characterized by having 1 to 20 nm Ra surface roughness of the coated layer, and also 25 to 100 nm surface roughness of the other surface.
塗布層を有する二軸延伸ポリエステルフィルムであって、当該塗布層の表面粗さＲａが１〜２０ｎｍであり、もう一方の表面の表面粗さが２５〜１００ｎｍ以下であることを特徴とする成形同時転写用二軸延伸ポリエステルフィルム。 - 特許庁 - These LED chips 2, 3a, and 3b are covered with a phosphor-containing resin layer 10 wherein phosphors (green phosphors) having emission peaks at a wavelength of 490 to 510 nm and a wavelength of 530 to 580 nm are mixed and dispersed in transparent resin.
またこれらのＬＥＤチップ２，３ａ，３ｂは、波長４９０〜５１０ｎｍと５３０〜５８０ｎｍにそれぞれ発光ピークを有する蛍光体（緑色蛍光体）を透明樹脂に混合・分散させた蛍光体含有樹脂層１０により覆われている。 - 特許庁 - Thus, the sensitivity of the dye of the BCA is enhanced, and even a laser having a wavelength (wavelength within a range of 600 to 800 nm) other than the wavelength (for example, 405 nm) complying with information recording of the dye can record a bar code pattern on the BCA.
これによりＢＣＡの色素の感度を上げて、色素の情報記録に対応する波長（例えば４０５ｎｍ）以外の波長（６００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲内の波長）を持つレーザでもＢＣＡにバーコードパターンを記録できるようにする。 - 特許庁
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