「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 64 65 66 67 68 69 70 71 72 .... 287 288 次へ＞- This apatite sol comprises apatite particles of ≤100 nm average particle diameter, and contains a polymerized phosphate and an aluminate.
平均粒子径が１００ｎｍ以下のアパタイト粒子を含有し、かつ重合リン酸塩とアルミン酸塩を含有するアパタイトゾル。 - 特許庁 - The master disk exposure apparatus corrects fogging by using a plurality of semiconductor laser light sources of ≤390 nm in wavelength.
原盤露光装置は、波長が３９０ｎｍ以下の複数の半導体レーザ光源を用いてかぶりの補正を行う。 - 特許庁 - By using the production method, nickel particles having the imaging analysis average particle diameter of 1 to 300 nm can be obtained.
そして、この製造方法を用いると、画像解析平均粒径が１ｎｍ〜３００ｎｍのニッケル粒子を得ることができる。 - 特許庁 - A fiber 50-500 nm in average diameter comprising a chitosan/sericin composite is prepared by electric field spinning process.
キトサンとセリシンの複合体を含む平均直径が５０〜５００ｎｍの繊維を、電界紡糸法によって調製する。 - 特許庁 - Concretely, the invention provides a nonporous cell culture substrate composed of a polycaprolactone and having a surface roughness (Ra) of ≤105 nm.
具体的には、表面粗さ（Ｒａ）が１０５ｎｍ以下のポリカプロラクトンからなる無孔性の細胞培養基材による。 - 特許庁 - Using this, waviness components which can be an obstacle to a flying head are eliminated, and TOH is set to 4.5 nm or smaller.
このため、ヘッドの飛行の障害となるウネリ成分をなくすことができ、ＴＯＨを４．５ｎｍ以下とすることができる。 - 特許庁 - This measuring disk is provided with a protruded part 11 capable of changing the quantity of protrusion from a surface very small in the order of nm.
表面からの突出量をｎｍオーダーで微小に変化可能な突起部１１を備えた測定用ディスク。 - 特許庁 - The average surface roughness Ra of the light extraction side surface of the transparent protective layer 7 is set to 5-30 nm.
透明保護層７の光取り出し側面の表面平均粗さＲａを、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下に設定する。 - 特許庁 - Then a silicon oxide film 15 is deposited on the wiring 12 to a thickness of 400 nm by the atmospheric pressure CVD method.
次に、常圧ＣＶＤ法により、シリコン酸化膜１５を導体配線１２上に４００ｎｍの厚さに堆積する。 - 特許庁 - To realize a laser device which is excited by a semiconductor laser exciting solid-state laser, outputs a laser beam having a wavelength of 488 nm, and is small in individual difference.
半導体レーザ励起固体レーザによる、波長が４８８ｎｍでその個体差が小さいレーザ装置を実現する。 - 特許庁 - A nanocrystal phosphor activated with an activator and having a mean particle diameter of 2-5 nm is irradiated with ultraviolet rays.
付活剤により付活した平均粒径２ｎｍ〜５ｎｍのナノクリスタル蛍光体に対し紫外線照射処理を施す。 - 特許庁 - To provide a method for producing a plastic sheet having high smoothness satisfying a maximum surface roughness of ≤200 nm.
最大表面粗さが２００ｎｍ以下の高度な平滑性を有するプラスチックシートの製造方法に関するものである。 - 特許庁 - To provide a phosphor that can give high luminance in a range between 600 to 680 nm, and a light emitting device having the high luminance using the phosphor.
600〜680nm区域において高輝度に達せる蛍光体、該蛍光体を用いる高輝度を有する発光装置の提供。 - 特許庁 - Then the seed layer 50 is electroplated with Cu etc., to reduce the width of the opening portion 48a to, for example, ≤150 nm.
次に、シード層５０の上にＣｕ等を電解めっきし、開口部４８ａの幅を例えば１５０ｎｍ以下に狭める。 - 特許庁 - Further, in microstructure observation in the cross section of the sintered compact, closed pores with a pore diameter of 100 to 200 nm is observed.
また、焼結体の断面の微構造観察を行ったところ、気孔径１００〜２００ｎｍの閉気孔が観察された。 - 特許庁 - To provide a mask blank and a transfer mask compliant with fine design rules as a size of 65 nm or less.
６５ｎｍ以下といった微細なデザインルールに対応することができるマスクブランクスおよび転写マスクを提供すること。 - 特許庁 - Preferably, the diameter of the cylindrical dendrimers is 1-30 nm, and the aspect ratio of the dendrimers is at least 5.
この場合、棒状デンドリマーの直径が、１ｎｍ〜３０ｎｍであり、かつアスペクト比が５以上である態様が好ましい。 - 特許庁 - The electric field excited light emitting device has a plurality of the closed curves in a same surface, where the length of the closed curve is ≥10 nm and ≤1 μm.
該閉曲線を同一面内に複数有し、該閉曲線の長さが１０ｎｍ以上１μｍ以下である。 - 特許庁 - The components A and B have preferably ≤10 nm micropore diameter and the natural deposit is preferably diatomaceous earth.
Ａ及びＢ成分は、微細孔径が１０ｎｍ以下であるのが好ましく、天然堆積物が珪藻土であるのがよい。 - 特許庁 - The silica has ≤10 nm modal diameter (D_max) of pores and ≤10 ppm total concentration of S, Cl and N.
細孔の最頻直径（Ｄ_max）が１０ｎｍ以下であり、ＳとＣｌとＮの合計濃度が１０ｐｐｍ以下であるシリカ。 - 特許庁 - The lustrous material for coating comprises a base resin containing micro particles formed from a coloring material with an average diameter in the range of 30-300 nm.
光輝材の基体樹脂に平均粒子径３０ｎｍ〜３００ｎｍの微粒化着色材が含有されている。 - 特許庁 - To treat a substrate by avoiding generation of approximately several tens of nm particles in the mass production process of a semiconductor device.
半導体装置の量産工程において、数十ナノメートル程度のパーティクルの発生を回避しつつ、基板処理を行う。 - 特許庁 - The thickness of the thin film is preferably ≥500 nm from the viewpoint of further enhancement of the catalytic activity.
このとき光触媒活性をより向上させる観点から、前記薄膜の膜厚は５００ｎｍ以上であるのがよい。 - 特許庁 - Thereby, the steel material acquires a structure in which Nbsp/Nbsol that is a ratio of an amount of Nb in precipitates having particle sizes of smaller than 20 nm to an amount of dissolving Nb is 0.8 to 8.0.
これにより、粒径20nm未満の析出物中のNb量と固溶Nb量との比、Nbsp／Nbsolが0.8〜8.0である組織を有する。 - 特許庁 - The diode-excited laser is provided with one or more semiconductor laser diodes which can oscillate with a wavelength of 340-640 nm and an ideally doped solid material existing in an optical resonator.
特に、青色、緑色及び黄色光を発振する小型で高効率の固体可視レーザーを実現する。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium which can acquire sufficient record reproduction characteristics when recording is performed by using light with a wavelength of about 400 nm.
４００ｎｍ付近の光で記録したときに十分な記録再生特性が得られる光記録媒体の提供。 - 特許庁 - To provide a method for producing core-shell particles, which can produce core particles with an average particle size of 5 nm or less.
平均粒径５ｎｍ以下を有するコア粒子を作製することができるコアシェル粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Then the silicon oxide film 15 is peeled through hydrogen fluoride processing, so that a shrink pattern of 15 nm in line and space pitch is formed.
この後、シリコン酸化膜１５を弗酸処理で剥離するとラインアンドスペースが１５ｎｍのシュリンクパターンを形成できる。 - 特許庁 - The resin substrate board 1 may be colored orange so as to have a characteristic absorption of 550-770 nm.
樹脂基板１は５５０〜７７０ｎｍの波長域に特性吸収を持つようにオレンジ色に着色されていても良い。 - 特許庁 - The thickness of the Mg film deposited by the second and subsequent unit deposition processing is 0.1-0.45 nm.
２回目以降の単位成膜処理において堆積されるＭｇ膜の膜厚は、０．１ｎｍ以上０．４５ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The porous fuel is a solid having a structural size of about 2-1,000 nm which has porosity of 10-98%.
多孔質燃料は約２〜１０００ｎｍの構造サイズを有する固体であり、１０〜９８％の多孔度を有する。 - 特許庁 - Preferably, the vol. average particle size of dispersed particles in the dye dispersion is 100 nm or lower.
前記染料分散物における分散粒子の体積平均粒子サイズが１００ｎｍ以下である態様が好ましい。 - 特許庁 - The silica nanoparticles containing a liquid crystal comprises dispersing a liquid-crystalline material in silica nanoparticles whose average particle size is 400 nm or smaller.
平均粒子径が400nm以下のシリカナノ粒子の内部に液晶性物質を分散してなる液晶含有シリカナノ粒子。 - 特許庁 - The smoothing layer 34 is composed of a soft magnetic body having low magnetic permeability such as NiP and formed in a thickness of 5 to 50 nm.
平滑層３４はＮｉＰ等の低透磁率の軟磁性体からなり、５〜５０ｎｍの厚さに形成されている。 - 特許庁 - The total thickness of the two passivation films at the bottom of each side wall of the ridge portion 5A is in the range of 150 to 600 nm.
リッジ部５Ａの側壁底部における２層のパッシベーション膜の合計の膜厚は、１５０ｎｍ〜６００ｎｍである。 - 特許庁 - These resin particles for cosmetics are spherical and are composed of resin minute particles having an average particle size of not more than 200 nm that are bonded together.
球状樹脂粒子は、平均粒子径が２００ｎｍ以下の樹脂微粒子が接合して構成されている。 - 特許庁 - Blue light (B) has a tendency for the transmittance thereof to be heightened when the ITO film has 160 to 200 nm film thickness.
青色光（Ｂ）は、ＩＴＯ膜の膜厚が１６０乃至２００ｎｍの範囲で透過率が高くなる傾向にある。 - 特許庁 - Green light (G) has a tendency for the transmittance thereof to be increased when the ITO film has 120 to 160 nm film thickness.
緑色光（Ｇ）は、ＩＴＯ膜の膜厚が１２０乃至１６０ｎｍの範囲で透過率が高くなる傾向にある。 - 特許庁 - The composition comprises an olefine resin, carbon black having a primary particle size of 20 nm or less, and a glass fiber.
オレフィン系樹脂、一次粒子径が２０ｎｍ以下のカーボンブラック、および、ガラス繊維を含んでなる着色剤組成物。 - 特許庁 - The oxygen-containing functional group is formed in an area in thickness of 3-10 nm from the surface 201 of the polyester resin 2.
含酸素官能基は、ポリエステル樹脂２の表面２０１から３〜１０ｎｍの厚み分の領域に形成されている。 - 特許庁 - In this case, the specified high polymer membrane consists of a hydrophilic high polymer, and the average pore size is 2 nm to 2 microns.
ここで特定された分子膜とは親水性高分子で構成され、平均孔径は２ｎｍ以上で２ミクロン以下である。 - 特許庁 - After the mask member are removed, the metal foil etching process is conducted with the electrolytic plating surface-layer NM as an etching resist.
マスク材を除去した後に、電解メッキ表面層ＮＭをエッチングレジストとした、金属箔のエッチング処理を行う。 - 特許庁 - Each of the plurality of openings has a circle equivalent diameter ranging from 10 nanometers (nm) to 5 micrometers (μm).
前記複数の開口部のそれぞれの円相当直径は、１０ナノメートル（ｎｍ）以上、５マイクロメートル（μｍ）以下である。 - 特許庁 - The upper end layer 2c and the functional layer 3 are formed of AlGaN which transmits light having a wavelength ≤300 nm.
上端層２ｃと機能層３とは３００ｎｍ以下の波長の光を透過させるＡｌＧａＮにて形成する。 - 特許庁 - If fluorescence of 346 nm wavelength is detected, the presence of the Legionella pneumophila can be determined (identified).
波長３４６ｎｍの蛍光が検出されれば、試料にレジオネラニューモフィラが存在しているものと判定（同定）できる。 - 特許庁 - The gas occuluding material comprises the carbon nanotubes 22 and is constituted so that a gap (A) between the carbon nanotubes 22 is controlled within the range of 1 to 10 nm.
カーボンナノチューブ２２を有し、カーボンナノチューブ２２間の間隙Ａが１〜１０ｎｍの範囲に制御されている。 - 特許庁 - The pellicle film for pellicles is used in a lithography process for applying ultraviolet light with the wavelength range of 350-450 nm.
３５０〜４５０ｎｍの波長域の紫外線を照射するリソグラフィ工程において用いられるペリクル用ペリクル膜。 - 特許庁 - An electrode metal film M having the thickness of 3 to 30 nm is formed on the entire upper surface of a gate insulating film 6.
ゲート絶縁膜６の上面上に、全面的に、３〜３０ｎｍの厚みのゲート電極用金属膜Ｍを形成する。 - 特許庁 - The resin particles include fine crosslinked resin particles and a particle diameter of the fine crosslinked resin particles is 40-200 nm.
その樹脂粒子は架橋樹脂微粒子を含み、その架橋樹脂微粒子の粒子径は４０〜２００ｎｍである。 - 特許庁 - In the resin, a film having a thickness of 0.1 mm may have a refractive index of ≥1.62 at a wavelength of 589 nm.
前記樹脂は、厚み０．１ｍｍのフィルムについて、波長５８９ｎｍでの屈折率が１．６２以上であってもよい。 - 特許庁
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