「pattern space」を含む例文一覧(760)

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  • A mark or a space is formed by using recording waveform having a DC recording pattern and an erasure pattern comprising multi-pulse.
    ＤＣ記録パターン、及びマルチパルスを含む消去パターンを有する記録波形を用いてマークまたはスペースを形成する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which a pattern including a fine line-and-space pattern is formed.
    微細なラインアンドスペースパターンを含むパターンを形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The cross-section pattern members 45-1, -2 are formed by plating in a space of the resist pattern layers 44-1, -2, -3 which are a reversed pattern of the cross-section pattern of the structure, and are formed by removing the resist pattern layers 44-1, -2, -3.
    構造体の断面パターンの反転パターンであるレジストパターン層４４−１〜３の空間に、メッキにより断面パターン部材４５−１，２を形成し、レジストパターン層４４−１〜３を除去することにより形成する。 - 特許庁
  • A resist of a pattern having a line width/space width ratio of 1:1 is formed thereover.
    その上にライン幅とスペース幅の比率が１：１のパターンのレジストを形成する。 - 特許庁
  • A multivalued signal is distributed in a frequency space to generate a signal pattern, and it is subjected to inverse discrete Fourier transform to generate a watermark pattern in an image space.
    周波数空間に多値化した信号を分布させて信号パターンを生成し、これを逆離散フーリエ変換して画像空間における透かしパターンを生成する。 - 特許庁
  • The evaluation pattern uses a shortest mark and a space for several kinds of lengths.
    評価パターンは最短マーク及び数種の長さのスペースの組み合わせを用いる。 - 特許庁
  • The photomask is to be used for transferring a predetermined transfer pattern including a line-and-space pattern onto a resist film formed on a process object to be etched to obtain a resist pattern in the resist film, which functions as a mask in the etching process, wherein the line pattern of the line-and-space pattern formed on a transparent substrate comprises a translucent portion while the space pattern comprises a light-transmitting portion.
    エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを転写させ、レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクにおいて、透明基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンを半透光部で設け、スペースパターンを透光部で設ける。 - 特許庁
  • A fused pattern verification part 34 verifies the space between oblique lines having protruding parts by via cells of the oblique wiring mask pattern fused by the second pattern fusing part 32 with an allowable minimum space value T(T<S).
    融合図形検証部３４は、第２図形融合部３２で融合された斜め配線マスク図形のビアセルによる突出部をもつ斜め線同士の間隔を許容最小間隔値Ｔ（但しＴ＜Ｓ）により検証する。 - 特許庁
  • Assuming that a dummy pattern prescribed by process conditions is arranged in a free space inside an instance or a free space of a chip, a pattern occupancy ratio inside a check window or a pattern area ratio of the chip is verified.
    チップの空き領域又はインスタンス内の空き領域に、プロセス条件により規定されるダミーパターンが配置されると仮定して、チップのパターン面積率又はチェックウィンドウ内におけるパターン占有率の検証を行なう。 - 特許庁
  • The representative point of a dot pattern table on a dither space closest to the address coordinates of a pixel under consideration on the dither space is obtained.
    ディザ空間上の注目画素のアドレス座標に最も近い、ディザ空間上の網点パターンテーブルの代表点を求める。 - 特許庁
  • To provide a method of fabricating a semiconductor device for highly accurately forming a pattern including a minute line and space pattern.
    微細なラインアンドスペースパターンを含むパターンを精度良く形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of forming a pattern including a fine line and space pattern accurately.
    微細なラインアンドスペースパターンを含むパターンを精度良く形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The servo pattern space is minimized by the optimum usage of islands 301.
    サーボパターン空間は島３０１を最適に利用することによって最小限に抑えられる。 - 特許庁
  • To enhance uniformity in the width at a space portion when a periodic pattern is exposed or formed.
    周期的パターンを露光又は形成する際にスペース部の幅の均一性を高める。 - 特許庁
  • y/ source / dest / Transliterate the characters in the pattern space which appear in source to the corresponding character in dest .
    y/ source / dest /パターンスペースにある文字のうち、sourceにあるものを、destの同じ位置にある文字に交換する。 - JM
  • Manen Oban has two kinds of surface patterns: taganeme, in which tiny dots were chiseled all over the surface without space, and noshime, which is a pattern of binding knots.
    表面は鏨目（たがねめ）のものと熨斗目（のしめ）のものが存在する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To improve DOF of both a fine dense pattern and an isolated space pattern, while avoiding generation of a side lobe in a photo mask and a pattern formation method with the photo mask.
    フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法において、サイドローブの発生を避けつつ微細な密集パターン及び孤立スペースパターンの両方のＤＯＦを向上する。 - 特許庁
  • If the compared sets are the same, the sum set of the first closed pattern and additional pattern is detected as a second closed pattern in a second item space.
    比較された集合が互いに一致したことを条件に、当該第１閉パターンおよび追加パターンの和集合を、第２アイテム空間における第２閉パターンとして検出する。 - 特許庁
  • The measurement pattern consists of a line pattern of which shape changes when the focus shifts to the positive side and a space pattern of which shape changes when the focus shifts to the negative side.
    この測定パターンはフォーカスがプラス側にシフトしたときに形状が変化するラインパターンと、フォーカスがマイナス側にシフトしたときに形状が変化するスペースパターンからなる。 - 特許庁
  • A recording space analysis means 330 analyzes a status within the recording space, outputs an analysis result information, and stores an operation pattern in an operation pattern data base 340.
    収録空間解析手段３３０は収録空間内の状況解析を行い、解析結果情報を出力するとともに、動作パターンを動作パターンデータベース３４０に蓄積する。 - 特許庁
  • To provide a pattern measuring device and a pattern measuring method capable of discriminating a line from a space, when the line which is a measuring object and the space are formed approximately at equal intervals.
    測定対象のラインとスペースがほぼ等間隔に形成されているときに、ラインとスペースを識別することのできるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供すること。 - 特許庁
  • Space pattern light is applied from a projector 10 to the observation area ahead of a vehicle and the image of the observation area where the space pattern light is applied is picked up by a camera 20.
    車両前方の観測領域に対して投光器１０から空間パタン光を照射して、この空間パタン光を照射した観測領域の画像をカメラ２０で撮像する。 - 特許庁
  • The system consists of a function that receives the pattern allocated with the commodities, a storage device that records difference information when the unique shelf space allocation pattern is generated on the basis of the previous pattern received, and a pattern generator that generates unique shelf space allocation pattern for the pattern received this time, on the basis of the difference information recorded.
    商品を棚に割り当てたパターンを受信する手段と、前回の受信したパターンをもとに独特の棚割してパターンを作成したときの差分情報を記憶する手段と、受信した今回のパターンに対して、記憶した差分情報をもとに独特の棚割したパターンを作成する手段とを備えるように構成する。 - 特許庁
  • To save space by enlarging the interval of contact hole and land on a printed board thereby ensuring a space for passing a print pattern between them.
    プリント基板の接続穴及びランドの間隔を広げ、その間にプリントパターンを通すスペースを確保することにより、省スペース化を図る。 - 特許庁
  • The label body 3 and the blank space part 5 allow the printing by the inkjet printer, and a printing pattern 11 is printed in the blank space part 5.
    ラベル本体３と余白部５には、インクジェットプリンタにより印刷可能であり、余白部５には、印刷パターン１１が印刷されている。 - 特許庁
  • A rectangular pattern 14 is connected to a line and space pattern 42 having a width not separately resolved by a stepper or an optical length measuring instrument.
    矩形パターン４１は，ステッパあるいは光学測長機で分離解像しない幅を有するラインアンドスペースパターン４２と接合している。 - 特許庁
  • The photomask includes a line/space circuit pattern in the first direction and a line/space circuit pattern in the second direction actually transferred to a wafer, operates as a polarizer and includes a lattice pattern that occupies spaces and is perpendicular to lines.
    フォトマスクは、ウェーハに実際に転写される第１の方向のライン／スペース回路パターン及び第２の方向のライン／スペース回路パターンそして偏光子として作用し、スペースに設けられ、ラインに垂直である格子パターンを含む。 - 特許庁
  • This resist pattern measuring method acquires two resist pattern images, measures an inner dimension and an outer dimension of the resist pattern in each resist pattern image, determines which resist pattern is the remaining part (line pattern) or the cut-out part (space pattern), by comparing measured values, and calculates the shrinkage amount, based on a difference between the measured values.
    ２枚のレジストパターン画像を取得し、各レジストパターン画像においてレジストパターンの内側寸法と外側寸法を測定し、測定値の比較によってレジストパターンが残し部（Ｌｉｎｅパターン）と抜き部（Ｓｐａｃｅパターン）のどちらであるかを判定するとともに、測定値の差分からレジストのシュリンク量を算出する。 - 特許庁
  • A phase space filtering phenomenon is used for the principle of discrimination of an optical signal pattern.
    光信号パターンの識別の原理に、スピンに依存する位相空間フィリング現象を用いる。 - 特許庁
  • The receiving plane and the ground pattern of the antenna element (21) are installed in opposite sides placing a predetermined space.
    アンテナ素子（２１）の受信面とグランドパターンとが所定の間隔を空けて対向設置されている。 - 特許庁
  • The resist film 61 is partitioned with a pattern space 62 forming the contour of the magnetoresistance effect film.
    レジスト膜６１には、磁気抵抗効果膜の輪郭を象ったパターン空間６２が区画される。 - 特許庁
  • A target space ratio is determined to a ratio different from 1:1 on a monitor pattern of an inspection wafer (S1).
    検査用ウェハのモニターパターンの目標スペース比率を１：１と異なる比率に決定する（Ｓ１）。 - 特許庁
  • Next, a resist film by a line/space pattern of a horizontal direction is formed to perform second etching.
    次に今度は横方向のライン／スペースパターンによるレジスト膜を形成し第２のエッチングを行う。 - 特許庁
  • To reduce a polishing process and have a fine gate space pattern on an element separating area.
    研磨工程などを削減するとともに素子分離領域の上に微細なゲートスペースパターンを有する。 - 特許庁
  • A stroboscopic light source 38 is used as a light source to project pattern light for space coding.
    空間コード化のためのパターン光の投影のために、光源としてストロボ光源３８を用いる。 - 特許庁
  • An element value specification section 231 specifies the element value corresponding to the each pixel from the space pattern Ps.
    要素値特定部２３１は、各画素に対応する要素値を空間パターンＰsから特定する。 - 特許庁
  • A stripe pattern A_k having a sine wave shape indispensable for three-dimensional shape measurement utilizing a phase shift method, and a space code pattern C_k for deciding a fringe order n of the stripe pattern A_k by coding a space are projected onto the measuring object simultaneously as a projection pattern P_k and imaged.
    位相シフト法を利用した３次元形状計測において必須となる正弦波状の縞パターンＡ_kと、空間をコード化して縞パターンＡ_kの縞次数ｎを確定するための空間コードパターンＣ_kとを投影パターンＰ_kとして被計測物に同時に投影して撮像する。 - 特許庁
  • After measuring the actual pattern by the model-based measurement, a solution space (actual solution space) is determined by matching between an actual waveform and a waveform in the library, and then presented.
    また、モデルベース計測による実パターンの計測後に、実波形とライブラリ波形とのマッチングにより解空間（実解空間）を求め提示する。 - 特許庁
  • Before measuring an actual pattern by the model-based measurement, a solution space (predicted solution space) is determined by matching between waveforms in a library, and then presented.
    モデルベース計測にて実パターンの計測を行うのに先立ち、ライブラリ波形間のマッチングにより解空間（予測解空間）を求め提示する。 - 特許庁
  • The thick-line pattern 2C of the photomask 10 extends in parallel to the repetitive patterns 2a and 2b, and has a larger line width W1 than a line pattern 2a and a space pattern 2b.
    フォトマスク１０の太線パターン２ｃは、繰り返しパターン２ａ、２ｂと並走するように延び、かつラインパターン２ａおよびスペースパターン２ｂよりも太い線幅Ｗ１を有している。 - 特許庁
  • A dummy pattern of chrome or tungsten is further formed in a free space on the membrane of a conventional electron beam mask, which contains only a main pattern corresponding to the pattern of a semiconductor device.
    半導体素子のパターンに対応するメインパターンだけを含む従来の電子ビームマスクのメンブラン上の余裕空間に、クロムまたはタングステンパターンよりなるダミーパターンをさらに形成する。 - 特許庁
  • By applying the exposure, which is to be applied to the pattern 42, in 85% to the pattern 45, a fine space L3 can be highly accurately formed.
    パターン４５にパターン４２に与える露光量の８５％を与えることにより、微細スペースＬ３を高精度に形成することができる。 - 特許庁
  • To provide an exposure system for forming a circuit pattern of a first direction and a line/space circuit pattern of a second direction through only one exposure.
    第１の方向の回路パターン及び第２の方向のライン／スペース回路パターンを一回の露光に形成するための露光システムを提供する。 - 特許庁
  • Accordingly, a space for mounting a number of protection devices and a space for forming a high current pattern are secured, and the work of mounting the protection devices and forming the high current pattern are easily performed.
    したがって、複数の保護素子を実装することができる空間及び大電流パターンを形成するための空間を確保することができ、実装及びパターンを形成するための作業を容易にできる。 - 特許庁
  • According to space frequency characteristics on each portion of the pattern image, a space filter (width which is the column-wise size of a variable window VW, for example) is set for each portion of the pattern image.
    パターン画像の各部分における空間周波数特性に基づき、各部分に対応する空間フィルタ（例えば、可変窓ＶＷの列方向サイズである幅）をパターン画像の各部分ごとに設定する。 - 特許庁
  • To provide a radiation sensitive resin composition for forming a fine line pattern particularly even when the space width of a line-and-space pattern is wide and excellent also in transparency, sensitivity and resolution to radiation.
    特に、ライン・アンド・スペースパターンのスペース幅が広い場合にも、微細なラインパターンを形成でき、しかも放射線に対する透明性、感度、解像度等にも優れた感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
  • After an ArF resist pattern is formed, the space and opening size of the pattern are reduced by temporarily reducing T_g of the resist pattern by the irradiation of a VUV excimer laser or of the E beam irradiation during the thermal treatment of the resist pattern.
    ＡｒＦレジストパターンを形成した後、レジストパターンを熱処理する間にＶＵＶエキシマレーザーからの照射またはＥビーム照射により露光してレジストパターンのＴ_ｇを一時的に低めてパターンのスペース及び開口サイズを縮める。 - 特許庁
  • This method can form the first space 111 towards the lower part of the stripe pattern 103a.
    このことにより、第１空間１１１が、ストライプパターン１０３ａの下部にかけて形成された状態とする。 - 特許庁
  • The insulating pattern extends to the mounting surface of the substrate across the end of the adhesive layer from the space between the grooves.
    絶縁パターンは、溝の間から接着剤層の端部を横切って基板の実装面に延びている。 - 特許庁
  • A separating pattern 4 separated from the ground conductor layer 2 is formed inside the space 3.
    そして、スペース３の内側に、接地導体層２から切り離された分離パターン４が形成されている。 - 特許庁
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