「reference potential」を含む例文一覧(1430)
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 .... 28 29 次へ＞- To provide a battery monitor device of an electric vehicle which is achieved in the sharing of a communication line by a simple constitution with a reference potential of a communication line between a battery monitor unit and a battery control unit as a reference potential of a secondary battery.
簡易な構成にして、電池監視ユニットと電池制御ユニット間の通信線の基準電位を補機バッテリの基準電位とし、通信線の共通化を図った電気自動車の電池監視装置を提供する。 - 特許庁 - Accurate recognition of the value of the read data can be made from the superimpose signal by using the reference potential of 2.25 when the write data are at 'H', and by using the reference potential of 1.25 when the write data are at 'L'.
一方、ライトデータが“Ｈ”である場合２．２５〔Ｖ〕の基準電位を使用して、また、ライトデータが“Ｌ”である場合１．２５〔Ｖ〕の基準電位を使用して、重畳信号からリードデータの値を正確に認識できる。 - 特許庁 - This igniter of the internal combustion engine is constituted so that the switching circuit has an output terminal without the power terminal, and connected to an ignition coil, an input terminal for receiving supply of ignition signal voltage, and a reference electric potential terminal connected to reference electric potential.
スイッチング回路は、電源端子を持たず、点火コイルに接続される出力端子と、点火信号電圧の供給を受ける入力端子と、基準電位に接続される基準電位端子を持って構成される。 - 特許庁 - A grounding pattern for setting a reference potential in the sensing circuit 200 is provided separatedly from a grounding pattern for setting a reference potential in the heater driving circuit 250, using a grounding terminal part or its vicinity as a start point.
センシング回路２００における基準電位を設定するグランドパターンと、ヒータ駆動回路２５０における基準電位を設定するグランドパターンとはグランド端子部又はその近傍を起点として分離して設けられている。 - 特許庁 - In the reference potential pattern layer 75, a groove portion 75b dented toward the thickness direction in the circuit substrate 70 is formed, the case 60 is made to contact the region including the groove portion 75b in the reference potential pattern layer 75.
そして、基準電位パターン層７５には、回路基板７０における厚さ方向に窪む溝部７５ｂが形成され、ケース体６０は、基準電位パターン層７５における溝部７５ｂを含む領域に当接される。 - 特許庁 - The level shift circuit 11 impresses to the detection voltage a prescribed partial potential provided by resistive-potential-dividing a reference voltage Vref by potential-dividing resistors Ra, Rb, and level-shifts the detection voltage.
レベルシフト回路１１は、その検出電圧に対して基準電圧Ｖｒｅｆを分圧抵抗Ｒａ、Ｒｂで抵抗分圧した所定の分圧電圧を印加し、その検出電圧のレベルシフトを行うようになっている。 - 特許庁 - At first, when the anode electric potential obtained from the reference electrode 38 and the anode side electrode 30 is determined to be exceeding a prescribed value, this anode electric potential is compared with another anode electric potential detected at another fuel cell 12.
先ず、参照電極３８とアノード側電極３０とから得られるアノード電位が、規定値を超えると判断されると、このアノード電位が他の燃料電池１２で検出された他のアノード電位と比較される。 - 特許庁 - When the temperature of the circuit becomes not less than the reference temperature, the differential amplifier 400 functions as a differential amplifier, where the potential of an input signal reaches potential DIN of a node N1 and potential V12' of a node N3.
一方、回路の温度が基準温度以上となった場合には、差動アンプ４００は、入力信号の電位がノードＮ１の電位ＤＩＮと、ノードＮ３の電位Ｖ１２’となる差動増幅器として機能する。 - 特許庁 - A level detector 12 of a DRAM (dynamic random access memory) resets a flip-flop 27, 28, when the external reference voltage VR2 becomes lower than the threshold potential in the voltage test mode, to produce the internal power-supply potential VCCP according to the external reference potential VR2, and releases the voltage test mode.
ＤＲＡＭのレベル検出器１２は、外部基準電位ＶＲ２に従って内部電源電位ＶＣＣＰを生成するための電圧テストモードにおいて、外部基準電位ＶＲ２がしきい値電位よりも低下したことに応じてフリップフロップ２７，２８をリセットし、電圧テストモードを解除する。 - 特許庁 - The loop filter 60 defines a reference potential on a semiconductor substrate as a ground potential, and the changeover switch is formed on the semiconductor substrate 2 and switches whether to connect an intermediate node of the loop filter 60 and the reference potential on the semiconductor substrate 2 in order to switch a time constant of the loop filter 60.
ループフィルタ６０は、半導体基板上の基準電位を接地電位とし、切換スイッチは、半導体基板２上に形成され、ループフィルタ６０の時定数を切り換えるためにループフィルタ６０の中間ノードと半導体基板２上の基準電位とを接続するか否かを切り換える。 - 特許庁 - The control circuit CU sets the offset potential to a positive value when a designated gray level corresponding to the data potential indicates a gray level higher than a reference gray level, and to a negative value when the designated gray level corresponding to the data potential indicates a gray level lower than the reference gray level.
データ電位に対応する指定階調が基準階調よりも高い階調を示すものである場合はオフセット電位を正の値に設定し、データ電位に対応する指定階調が基準階調よりも低い階調を示すものである場合は負の値に設定する。 - 特許庁 - This solid-state imaging unit is provided with an imaging means having a plurality of unit pixels, a selecting means for selecting a unit pixel, a signal line for receiving a signal potential or first reference potential from a unit pixel, and a correcting means for giving a second reference potential to the signal line in response to a correction instruction signal.
複数の単位画素を有する撮像手段と、単位画素を選択する選択手段と、単位画素から信号電位または第１基準電位を受ける信号線と、補正命令信号に応答して信号線に第２基準電位を与える補正手段とを具備する。 - 特許庁 - After the time t_44, respective electric potentials of picture image signal wires DTL10-1 to DTL10-N are set to the second reference electric potential Vofs2 being higher than the reference electric potential Vofs to perform divided threshold value correction operation and picture image signal writing by the signal electric potential Vsig according to the order of wires.
時刻ｔ_44以降は、映像信号線ＤＴＬ１０−１乃至１０−Ｎそれぞれの電位を基準電位Ｖｏｆｓよりも高い第２基準電位Ｖｏｆｓ２に設定しての分割閾値補正動作と、信号電位Ｖｓｉｇによる映像信号の書き込みとが、線順次に行われる。 - 特許庁 - Then, the resistive element RH for extraction is connected to HGND potential that is the reference potential of an output signal creation circuit section 70, and the resistive element Rl for extraction is connected to prescribed potential VCC3 that is the drive potential of an NOT gate 20.
そして、引き抜き用の抵抗素子ＲＨは、出力信号作成回路部７０の基準電位であるＨＧＮＤ電位に接続されており、引き抜き用の抵抗素子Ｒｌは、ＮＯＴゲート２０の駆動電位である所定電位ＶＣＣ３に接続されている。 - 特許庁 - A multivalue potential generating circuit 18 generates potential levels V2, V1, MV1 and MV2 from the potential difference between the level V3 and the potential VC by using the level VSS as a reference and supplies these levels to the panel of a liquid crystal device that is displayed and driven by an MLS driving method.
多値電位生成回路１８は、接地レベルＶＳＳを基準として、電位レベルＶ３とセンター電位ＶＣとの電位差から電位レベルＶ２、Ｖ１、ＭＶ１、ＭＶ２を生成し、ＭＬＳ駆動法により表示駆動される液晶装置のパネルに供給する。 - 特許庁 - Consequently, since the electric wire 3 is at a higher potential than the grounding potential as a reference potential, dust charged with the opposed polarity to that of the potential supplied by the AC/DC converter 4 is attracted by static electric force of the electric wire 3 and adheres to the surface of the panel 2.
これにより、電線３が、基準電位となる接地電位に比べて高電位となるため、ＡＣ／ＤＣコンバータ４より供給される電位と逆極性に帯電された塵埃が、電線３の静電気力により引き込まれ、パネル２表面に付着する。 - 特許庁 - Interelectrode electric potential between the earth electrode 41 and respective liquid level detecting electrodes 29B, 29C, 29D and 29E is set as measuring electric potential, and the measuring electric potential is compared with the reference electric potential by a comparing- judging part 42 of a liquid level detecting circuit 31 to judge the existence of the drink.
またアース電極４１と各液位検知用電極２９Ｂ,２９Ｃ,２９Ｄ,２９Ｅとの間の電極間電位を測定電位とし、該測定電位を液位検知用回路３１の比較・判定部４２で基準電位と比較して飲料の有無を判定する。 - 特許庁 - As this potential Vave is constant without depending on manufacturing process and materials of a ferroelectric capacitor and a potential of a bit line of a selection memory cell region is detected highly accurately, this potential is optimum as a reference potential given to sense amplifiers San-1, San.
この電位Ｖａｖｅは，強誘電体キャパシタの製造プロセスや材料に依存せず一定であり，選択メモリセル領域のビット線の電位を高精度に検出するためにセンスアンプＳＡｎ−１，ＳＡｎに与えられる参照電位として最適である。 - 特許庁 - A reference voltage generating circuit 23 changes the potential of the first reference voltage VREF1 and the second reference voltage VREF2 according to the frequency difference voltage Vfd output from the converting circuit 26.
参照電圧生成回路２３は、変換回路２６から出力される周波数差電圧Ｖｆｄに応じて、第１参照電圧ＶＲＥＦ１と第２参照電圧ＶＲＥＦ２の電位を変更する。 - 特許庁 - The current is converted into a voltage for a negative electrode potential of a secondary battery B2 as a reference by the resistance R21.
この電流は、抵抗Ｒ２１によって、２次電池Ｂ２の負極電位を基準とする電圧に変換される。 - 特許庁 - The driver IC 51 generates a reference signal held at a predetermined potential, and supplies it to the common electrode.
ドライバＩＣ５１は、所定電位に保持された基準信号を生成すると共に、共通電極に供給する。 - 特許庁 - Ranking of potential routes (or the next hop in a route) can be conducted locally, with reference to a link quality metric.
リンク品質メトリックを参照して、可能な経路（経路内の次ホップ）のランク付けが局所的に行なわれる。 - 特許庁 - The accelerator pedal reaction force control amount is calculated on the basis of the risk potential RP and the reference vehicle speed Vt.
そして、リスクポテンシャルＲＰと基準車速Ｖｔに基づいてアクセルペダル反力制御量を算出する。 - 特許庁 - A shield SH1 connected to a reference potential Vss is provided between two wiring linked to a switch SW1.
基準電位Ｖｓｓに接続されたシールドＳＨ１を、スイッチＳＷ１につながる２系統の配線間に設ける。 - 特許庁 - The integrated circuit is configured to set a first valid terminal of at least one rectifier diode into a reference potential.
少なくとも１つの整流器ダイオードの第１の有効端子が基準電位におかれるように構成する。 - 特許庁 - For this reason, the reference potential VREF can be correctly output before the enable signal EN is activated.
これにより、イネーブル信号ＥＮが活性化する前に正しく基準電位ＶＲＥＦを出力することができる。 - 特許庁 - The connecting circuit 30 supplies a reference potential equal to the logical threshold of the inverter 2 to an output node A3.
結合回路３０は出力ノードＡ３にインバータ２の理論しきい値と等しい基準電位を供給する。 - 特許庁 - To enable to surely detect a short time variation of reference potential caused by noise induction or the like by one time measurement.
１回の測定で雑音誘導等による短時間の基準電位の変動の確実な検出を可能とする。 - 特許庁 - To prevent overshoot of a reference potential at start-up without deteriorating temperature characteristics and voltage characteristics.
温度特性及び電圧特性を損なうことなく、起動時に基準電位がオーバーシュートするのを防ぐことができる。 - 特許庁 - At this time, a common waveform 11 is set to +VDD and -VDD, with respect to an IGND as a reference potential.
このとき、コモン波形１１はＩＧＮＤを基準としたプラスＶＤＤとマイナスＶＤＤの電圧とする。 - 特許庁 - The sense amplifier senses the storage data by comparing a potential or current of the read bit line with a reference level.
センスアンプは、リードビット線の電位あるいは電流とリファレンスレベルとを比較することによって記憶データをセンスする。 - 特許庁 - Bit lines BLN1, BLT1,-, BLNn, BLTn are connected to a reference potential setting circuit block 150.
ビット線ＢＬＮ１，ＢＬＴ１，〜，ＢＬＮｎ，ＢＬＴｎは、参照電位設定回路ブロック１５０に接続されている。 - 特許庁 - A fourth transistor Q4 is connected between the control terminal of the third transistor Q3 and the reference potential terminal 3.
第３のトランジスタＱ３の制御端子と基準電位端子3との間に第４のトランジスタＱ４を接続する。 - 特許庁 - A voltage between the above reference voltages is divided by an input voltage dividing circuit consisting of a resistance potential divider circuit.
前記基準電圧間電圧は抵抗分圧器回路からなる入力電圧分割回路により分割される。 - 特許庁 - An input signal is supplied from one end side of a resistance ladder, and the other end side is connected to a reference potential point.
抵抗ラダーの一端側から入力信号を供給し、他端側を基準電位点に接続する。 - 特許庁 - The earth leads 16b are so shaped that they are connected to the reference potential (earth) pad of the printed circuit board.
アースリード１６ｂは、プリント回路基板の基準電位用（アース）パッドに接続されるように、整形されている。 - 特許庁 - Meanwhile, a PMOS 21, etc., of a switch part 20 is turned on to connect a node N14 to a reference potential VDC.
一方、スイッチ部２０のＰＭＯＳ２１等はオンとなりノードＮ１４が基準電位ＶＤＣに接続される。 - 特許庁 - An intermediate layer electrode 4 is connected to a reference potential of the AC power supply 13 through an ampere meter 14.
さらに中間層電極４を、電流計１４を介して交流電源１３の基準電位に接続する。 - 特許庁 - Then, by comparing the composited potential contrast image with a reference image, the defect is extracted.
そして、前記合成された電位コントラスト画像を参照画像と比較することによって欠陥を抽出する。 - 特許庁 - The amorphous silane compound can be obtained by doping lithium up to the vicinity of 0V in terms of a lithium reference potential.
この非晶質シラン化合物は、リチウム基準電位において０Ｖ近傍までリチウムをドープして得られる。 - 特許庁 - To provide a ferroelectric memory device capable of generating highly accurate reference potential by a simple structure.
簡易な構成で精度の高い参照電位を生成することのできる強誘電体メモリ装置を提案する。 - 特許庁 - Subsequently, the transistor is turned off temporarily immediately before the reference voltage waveform falls abruptly below the ground potential.
その後、基準電圧波形が接地電位に急俊に立ち下がる直前でトランジスタを一旦オフ動作する。 - 特許庁 - The anode 3, the cathode 4 and the reference electrode 7 are connected to a potentiostat 11 to be controlled in potential.
陽極３，陰極４，及び参照電極７は、ポテンシオスタット１１に接続され、電位を制御される。 - 特許庁 - A fuse 28 is disposed between the first ink cartridge out detection terminal 21 and the reference potential terminal 22.
第１インクカートリッジアウト検出端子２１および基準電位端子２２との間にはヒューズ２８が配置されている。 - 特許庁 - As 1/2 of quantity of own polarization electric charges (2Pr) is made the reference in occurrence of a reference potential by a charge current detector 111 and its amplifier 112, a reference cell is not required, read-out can be performed stably without being affected by dispersion of reference cells, dispersion of reference potentials, and deterioration of reference cells.
チャージ電流検出器１１１とその増幅器１１２によって、リファレンス電位の発生を自らの分極電荷量（２Ｐｒ）の１／２を基準とするため、リファレンスセルが不要であり、リファレンスセルのばらつき、リファレンス電位のばらつき、リファレンスセルの劣化に依存することなく、安定して読出しを行うことができる。 - 特許庁 - A field of intensity corresponding to the potential of a region to be measured with the potential of the hands of a patient as reference is applied to the electrooptic crystal EO of an optical modulator LC1.
患者の手の電位を基準としたときの測定部位の電位に応じた大きさの電界が、光変調器ＬＣ１の電気光学結晶ＥＯに印加される。 - 特許庁 - To adopt a constitution where the reference electrode of a battery as a charging object is at the ground potential, and to measure the charging current without any influence of the potential rise of the battery.
充電対象の電池の基準電極を接地電位にする構成を採用すると共に、該電池の電位上昇に影響されずに充電電流の測定を行う。 - 特許庁 - Furthermore, comparison of the surface potential with a reference value after a fixed time, measurement of a residual film amount based on the time dependence of the surface potential, and estimation of an overetch are carried out.
さらに、一定時間後の表面電位の基準値との比較や、表面電位の時間依存性により残膜量の測定、オーバエッチ量の推定を行う。 - 特許庁 - The potential of the support substrate 2 is fixed at GND on the side of a low-potential reference circuit unit LV to suppress a voltage applied to the buried oxide film 3.
また、低電位基準回路部ＬＶ側では、支持基板２の電位をＧＮＤに固定することで、埋込酸化膜３にかかる電圧を抑制することができる。 - 特許庁 - The mask 6 for exposure is cleaned by controlling the potential of the mask with respect to the reference electrode 7 to the potential at which an absorber formed on the surface of the mask for exposure does not dissolve.
参照電極７に対する露光用マスク６の電位を露光用マスク表面に形成された吸収体が溶解しない電位に制御して洗浄する。 - 特許庁
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