「reference potential」を含む例文一覧(1430)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 28 29 次へ＞- By comparing this potential with another reference potential, whether the threshold value V_th is in the allowable range or not can be determined.
この電位と他の参照電位との大小を比較することによりしきい値Ｖ_ｔｈが許容される範囲内にあるか否かを判定できる。 - 特許庁 - Resistor elements 31 and 32 of a series connection body 101 are connected between a second internal reference electric potential VREF and a board electric potential VBB.
直列接続体１０１の抵抗素子３１，３２が、第２の内部基準電位ＶＲＥＦと基板電位ＶＢＢとの間に接続されている。 - 特許庁 - The control circuit 20 applies the bias voltage with a potential of the first ohmic electrode 16 as a reference when a potential of the second ohmic electrode17 is higher than the potential of the first ohmic electrode 16, and applies the bias voltage with the potential of the second ohmic electrode 17 as a reference when the potential of the second electrode 17 is lower than the potential of the first ohmic electrode 16.
制御回路２０は、第２のオーミック電極１７の電位が第１のオーミック電極１６の電位よりも高い場合には、第１のオーミック電極１６の電位を基準としてバイアス電圧を印加し、第２のオーミック電極１７の電位が第１のオーミック電極１６の電位よりも低い場合には、第２のオーミック電極１７の電位を基準としてバイアス電圧を印加する。 - 特許庁 - A negative voltage generating circuit includes a charge pump circuit 1, a first voltage division circuit 21 that divides voltage between an output V_NEG of the charge pump circuit 1 and a power supply V_DD to output a potential V_DIV for detection, a reference voltage generating circuit 3 generating a reference potential V_REF, and comparator circuit comparing the potential V_DIV for detection with the reference potential V_REF.
負電圧生成回路は、チャージポンプ回路１、当該チャージポンプ回路１の出力（Ｖ_NEG）と電源Ｖ_DDとの間を分圧して検出用電位Ｖ_DIVを出力する第１分圧回路２１、基準電位Ｖ_REFを生成する基準電圧生成回路３、検出用電位Ｖ_DIVと基準電位Ｖ_REFとを比較するコンパレータ回路２２を備える。 - 特許庁 - For a regulator 14, an input terminal T5 is connected to the high potential side output terminal T3 of the rectifier circuit 12, and a low potential side reference potential terminal T6 is connected to the low potential side output terminal T4 of the rectifier circuit 12.
レギュレータ１４は、入力端子Ｔ５が整流回路１２の高電位側出力端子Ｔ３に接続され、低電位側基準電位端子Ｔ６が整流回路１２の低電位側出力端子Ｔ４に接続される。 - 特許庁 - At this time, when the middle potential of the resonance amplitude of the resonance pulse power source-potential becomes larger than a prescribed reference potential, the driving device forcibly grounds the power source line in a period when the resonance pulse power source-potential is lowered.
この際、上記共振パルス電源電位の共振振幅の中間電位が所定の基準電位よりも大となった場合には、共振パルス電源電位の低下期間中において電源ラインを強制的に接地する。 - 特許庁 - A walk detector 30 is provided with an electret part 34 for maintaining a prescribed potential by itself, and with the potential provided in this electret part 34 as a reference potential, a potential change during walking of a walker W is detected.
歩行検出装置３０は、それ自体が所定の電位を維持するエレクトレット部３４を備え、このエレクトレット部３４で得られる電位を基準電位として、歩行者Ｗの歩行時における電位変化を検出するようにした。 - 特許庁 - The conductive electrode potential supply unit has a first operation mode to control the conductive electrode potential to a potential in the same polarity as the image signal supplied to the pixel electrode, and a second operation mode to control the conductive electrode potential to the same potential as the reference potential.
導電電極電位供給部は、画素電極に供給される画像信号と同一極性の電位を有するように、導電電極電位を制御する第１動作モードと、導電電極が基準電位と同一の電位を有するように導電電極電位を制御する第２動作モードとを有する。 - 特許庁 - This interface circuit is equipped with a potential comparison means 11 which compares the potential of a transmission signal transmitted to a signal line 300 with reference potential, and middle potential shortening means 12 and 13 which shorten the time of the level of the above transmission signal being at middle potential, according to the output of that potential comparison means.
信号線３００に伝えられる伝送信号の電位を基準電位と比較する電位比較手段１１と、該電位比較手段の出力に応じて前記伝送信号のレベルが中間電位にある時間を短縮する中間電位短縮手段１２，１３とを備えるように構成する。 - 特許庁 - A reference potential (VPP-VTM) is produced from the boosted voltage VPP by using an NMOS 36 having the same threshold voltage VTM as that of the transistor of the memory cell, and the reference potential and a power source potential VCC are compared by a differential amplifier section 30A.
メモリセルのトランジスタと同じ閾値電圧ＶＴＭを有するＮＭＯＳ３６を用いて昇圧電圧ＶＰＰから参照電位（ＶＰＰ−ＶＴＭ）を生成し、差動増幅部３０Ａによって参照電位と電源電位ＶＣＣを比較する。 - 特許庁 - The initial stage differential amplifier 4 differentially amplifiers input cell voltages using an electrical potential of a minimum electric potential end of a cell set 1 as a reference, and a latter stage differential amplifiers an output voltage of the initial differential amplifier using a vehicle body electric potential as a reference.
初段差動増幅器４は、組電池１の最低電位端の電位を基準として入力単電池電圧の差動増幅を行い、後段差動増幅器は、初段差動増幅器４の出力電圧を車体電位を基準として増幅する。 - 特許庁 - To provide a reference voltage generating circuit which can stabilize a reference voltage generated in the circuit in a reference voltage generating circuit which divides the difference voltage between reference voltages on a high-potential and a low-potential side and outputs the divided voltages in parallel through groups of switches.
高電位側及び低電位側の基準電圧の差電圧を分圧して、各分圧電圧をそれぞれ複数組のスイッチを介して並列に出力する基準電圧発生回路において、回路内部で生成する基準電圧を安定化し得る基準電圧発生回路を提供する。 - 特許庁 - In a photographing apparatus comprising an area sensor performing matrix drive, and a reference power supply circuit supplying a reference potential for driving the area sensor, the reference potential is supplied through a low-pass filter (LPF) 103 connected with the reference power supply circuit.
マトリクス駆動を行うエリアセンサと、エリアセンサの駆動のための基準電位を供給する基準電源回路と、を備える撮影装置において、基準電位は、基準電源回路に接続された低域通過フィルタ（ＬＰＦ）１０３を透過して供給されることを特徴とする。 - 特許庁 - A reference signal W[i] which maintains a low potential in the first period when a scan line 13 corresponding to a reference signal line 17 is selected, and has a potential changed with time in a second period different by reference signal lines 17 is supplied to the reference signal line 17.
各基準信号線１７には、当該基準信号線１７に対応した走査線１３が選択される第１期間にて低電位を維持するとともに基準信号線１７ごとに相違する第２期間にて経時的に電位が変化する基準信号Ｗ[i]が供給される。 - 特許庁 - The ferroelectric memory device comprises a reference potential generation circuit in a system which generates the reference potential by averaging the potential read from two ferroelectric capacitors CD00 and CD20 for reference memory cells storing high-level data and two ferroelectric capacitors CD10 and CD30 for reference memory cells storing low-level data, for example.
強誘電体メモリ装置は、例えば、ハイレベルのデータを記憶した２個のリファレンスメモリセル用強誘電体キャパシタＣＤ００、ＣＤ２０と、ローレベルのデータを記憶した２個のリファレンスメモリセル用強誘電体キャパシタＣＤ１０とＣＤ３０から読み出された各電位を平均化して、基準電位を生成する方式のリファレンス電位発生回路を有する。 - 特許庁 - A driving unit Ui comprises a reference potential setting section X which can set a reference potential Vref on the basis of reference data Dref and a driving current generating section Y which generates a pulse width-modulated driving current Ioled in accordance with gradation data Dg and sets the size of the driving current Ioled on the basis of the gradation data Dg and the reference potential Vref.
駆動ユニットＵｉは、基準データＤrefに基づいて基準電位Ｖrefを設定可能な基準電位設定部Ｘと、階調データＤｇに応じてパルス幅変調した駆動電流Ｉoledを生成し、駆動電流Ｉoledの大きさを階調データＤｇ及び基準電位Ｖrefに基づいて設定する駆動電流生成部Ｙとを備える。 - 特許庁 - In the image forming device, in the case image data from a binary conversion part 601 is magenta(M), the data are supplied to a reference potential control part 15 at a real time, in the case the data are another color, the data are supplied to another reference potential control part.
２値変換部６０１からの画像データが例えばマゼンタ（Ｍ）であれば基準電位制御部１５にリアルタイムで供給され、他の色ならば、他の基準電位制御部に供給される。 - 特許庁 - To provide technique in which the increase in the device area is small and in which a reference potential can be easily obtained, in a ferroelectric storage device generating the reference potential using a dummy cell.
ダミーセルを用いて参照電位を発生する強誘電体記憶装置において、デバイス面積の増加が少なく、かつ容易に参照電位が得ることを可能とする技術を提供すること。 - 特許庁 - In this method, the potential state of the skin surface is measured from the potential difference between a reference electrode part and a measurement electrode part by connecting the reference electrode part to the sublingual region and the measurement electrode part to the skin surface.
基準電極部を舌下に連絡し、測定電極部を皮膚表面に連絡し、前記基準電極部と前記測定電極部との電位差から皮膚表面の電位状態を測定する方法。 - 特許庁 - The gate of a constant current source transistor N1 receives a second reference potential Vref2 which is a separate system with respect to the first reference potential Vref1 to control the operating current value of the differential amplifier circuit.
定電流源トランジスタＮ１は、差動アンプ回路の動作電流値を制御するために、第１の基準電位Ｖｒｅｆ１とは別系統の第２の基準電位Ｖｒｅｆ２をゲートに受けて動作する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the semiconductor device includes: sticking a support member on a principal surface of a semiconductor layer of an SOI substrate having a low-potential reference circuit LV, a high-potential reference circuit HV, and a level shift circuit LS formed; and removing the support substrate.
低電位基準回路部ＬＶ、高電位基準回路部ＨＶ、レベルシフト回路部ＬＳを形成したＳＯＩ基板の半導体層の主面上にサポート部材を貼り付け、支持基板を除去する。 - 特許庁 - To provide a portable electronic device which increases contact points in a case member and a reference potential pattern by forming a recess in the reference potential pattern formed in a circuit substrate.
本発明は、回路基板に形成された基準電位パターンに凹部を形成することで、ケース部材と基準電位パターンとにおける接点を増加させた携帯電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁 - In this case, a 1st resistor in an electronic volume 3 is connected between the positive signal line and a reference potential line, and a 2nd resistor in the electronic volume 3 is connected between the negative signal line and the reference potential line.
その際、ポジティブ信号線と基準電位との間に電子ボリューム３内の第１の抵抗を接続し、ネガティブ信号線と基準電位との間に電子ボリューム３内の第２の抵抗を接続する。 - 特許庁 - A DRAM 1, which is the semiconductor storage device where data is read by comparing the potential of a memory cell with the reference potential of a reference cell, is provided with capacitors 22 and 32 and capacitors 82 and 92.
ＤＲＡＭ１は、メモリセルの電位とリファレンスセルの参照電位との比較によりデータの読出しが行われる半導体記憶装置であって、キャパシタ２２，３２、およびキャパシタ８２，９２を備えている。 - 特許庁 - The voltage to be supplied to the pixel electrode is made positive in polarity with respect to the reference potential of a reference electrode and the signal of negative polarity can be created by controlling a pixel potential control signal.
画素電極に供給する電圧は基準電極の基準電位に対し正極性にして、負極性の信号は画素電位制御信号を制御することにより作り出すことができる。 - 特許庁 - When the heating curlers 18 are properly connected and electric currents are fed, the comparative potential of a comparative input terminal 2 of a comparator U1 is higher than the reference potential of a reference input terminal 3, so that LEDs are lighted.
ホットカーラー１８が正しく接続されて通電されると、コンパレータＵ１の比較入力端子２の比較電位が基準入力端子３の基準電位よりも高くなるから、ＬＥＤが点灯する。 - 特許庁 - In this case, the reference electrode 50 has an active species different from the specific active species of the secondary battery 100, thereby stabilizing the potential of the reference electrode.
この場合、参照電極５０は、二次電池１００の特定の活量種とは別の活量種を有するので電位が安定する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor storage device having a reference memory cell that generates reference potential with less variation and does not need any refresh operation.
ばらつきが少ない基準電位を生成し尚且つリフレッシュ動作を必要としない基準メモリセルを備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - REFERENCE ELECTRODE CONTAINING SPECTRAL ACTIVE MATERIAL IN ELECTROLYTE SOLUTION, AND ELECTROCHEMICAL POTENTIAL AUTOMATIC CORRECTING DEVICE USING REFERENCE ELECTRODE
電解質溶液中に分光活性物質を含有した基準電極とその基準電極を使用した電気化学的電位自動補正装置 - 特許庁 - To provide an integrated circuit capable of suppressing an increase in area of a flexible printed-circuit board by sustaining the potential of the rear surface of the integrated circuit to the reference potential.
集積回路素子裏面の電位を基準電位に保ちながら、フレキシブルプリント配線板の面積の増大を抑制できる集積回路を提供すること。 - 特許庁 - A diode 13 and a resistance element 14 are connected in series between the power source and the earth, and a potential VR used as a reference potential is taken out from the connection point.
電源接地間にダイオード１３及び抵抗素子１４を直列に接続し、その接続点から基準電位となる電位Ｖ_Rを取り出す。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of enhancing accuracy when a predetermined input potential is determined to be higher or lower than a reference potential.
所定の入力電位が参照電位よりも高いか低いかを判定する際の精度を向上させることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁 - During a test period, comparing circuits in the internal potential generating circuits 200.1-200.4 compare a level in accordance with a level setting signal with the comparison reference potential.
テスト期間中は、内部電位発生回路２００．１〜２００．４内の比較回路は、レベル設定信号に応じたレベルと比較基準電位との比較を行う。 - 特許庁 - The data analyzing section extracts the evoked potential removing background brain activity by taking the potential difference between the measuring electrode and the reference electrode.
データ解析部では、計測電極及び参照電極からの電位の差を取ることにより、背景脳活動を除去した誘発電位を抽出する。 - 特許庁 - When a feedback capacitor 26 is charged by the source current Is, an output potential Vout1 of an operational amplifier 25 is lowered gradually from a reference potential Vb.
帰還キャパシタ２６がソース電流Ｉｓで充電されると、演算増幅器２５の出力電位Ｖｏｕｔ１は基準電位Ｖｂから次第に降下する。 - 特許庁 - To measure the potential of an indicator electrode easily and precisely by automatically correcting undesirable changes in the potential of a reference electrode.
本発明は、参照電極の好ましくない電位変化を自動的に補正し、簡易に精度よく指示電極電位を測定することを目的とする。 - 特許庁 - While none of the operation signal I1 is outputted from a photodiode 51b, the potential V1 of an input terminal 37A is not higher than the reference potential V2.
フォトダイオード５１ｂから操作信号Ｉ１が出力されていない状態では、入力端子３７Ａの電位Ｖ１は基準電位Ｖ２に比べて高くない。 - 特許庁 - To provide a power device driving device capable of surely interrupting the occurrence of an error signal due to the negative noise, dv/dt, or the like of a high potential side potential reference.
高電位側電位基準の負ノイズ、ｄｖ／ｄｔ等による誤信号の発生を確実に阻止できるパワーデバイス駆動装置を提供する。 - 特許庁 - The second comparator outputs a result of comparison between a potential of the differential signal received via the second signal line and the first reference potential.
前記第２の比較器は、前記第２の信号線を介して受信された前記差動信号の電位と前記第１の基準電位との比較結果を出力する。 - 特許庁 - Moreover, one end of the current detecting winding NAD is grounded to the earth, thereby obtaining a both-end voltage as a potential difference to the earth (reference potential).
また、電流検出巻線ＮADの一端はアース接地しておくことで、その両端電圧がアース（基準電位）に対する電位差として得られるようにしておく。 - 特許庁 - A sense amplifier 7A compares a potential of a bit line BL to which a variable cell resistance Rcell is connected, with a reference potential VREF to read a logic of information.
センスアンプ７Ａは、前記可変セル抵抗Ｒｃｅｌｌが接続されたビット線ＢＬの電位を参照電位ＶＲＥＦと比較し、情報の論理を読み出す。 - 特許庁 - In the device, a potential detection means detecting an abnormality in the charge eliminating means is provided and an alarm signal is outputted when the output of the potential detection means exceeds a reference value.
電荷消去手段の異常を検知する電位検知手段を設け、該電位検知手段の出力が基準値を超えたときに警告信号を出す。 - 特許庁 - A feedback signal FBK outputted from the common mode feedback part 30 controls an average potential of the node N14 so as to be the reference potential VDC.
コモンモード帰還部３０から出力される帰還信号ＦＢＫにより、ノードＮ１４の平均電位は基準電位ＶＤＣになるように制御される。 - 特許庁 - A selector 3 includes an image signal line 51 supplying signal potential Data, and a constant voltage line 52 supplying reference potential Vofs.
セレクタ３は、信号電位Ｄａｔａを供給する映像信号ライン５１と、基準電位Ｖｏｆｓを供給する定電圧ライン５２とを有する。 - 特許庁 - The step ΔG of the electrode surface LM with respect to the reference electrode surface LS is appropriately set according to the differential electric potential from the electrode 12 on the high electric potential side.
基準電極面Ｌ_Ｓに対する電極面Ｌ_Ｍの段差ΔＧの大きさは、高電位側電極（１_２）との電位差に応じて適宜設定される。 - 特許庁 - The liquid crystal driving integrated circuit 1 is provided with at least a high potential source input terminal VDD to be inputted with a high potential source voltage, a low potential source input terminal VSS to be inputted with a low potential source voltage and a reference voltage input terminal VREF arranged between these high potential source input terminal VDD and low potential source input terminal VSS and to be inputted with a middle potential reference voltage.
液晶駆動用の集積回路１は、少なくとも高電位の電源電圧が入力される高電位電源入力端子ＶＤＤと、低電位の電圧が入力される低電位電源入力端子ＶＳＳと、これらの高電位電源入力端子ＶＤＤと低電位電源入力端子ＶＳＳとの間に配置され、中間の電位の基準電圧を入力する基準電圧入力端子ＶＲＥＦとを備えている。 - 特許庁 - A bias generating circuit 22 supplies a ground potential as a bias voltage Vbias when a power supply voltage VDD is less than a first reference voltage to thereby set the intermediate potential of capacitors C1 and C2 to the ground potential.
バイアス発生回路２２は、電源電圧ＶＤＤが第１の基準電圧未満のとき、バイアス電圧Ｖbiasとして接地電位を供給し、キャパシタＣ１，Ｃ２の中間電位を接地電位に設定する。 - 特許庁 - Electric potential V_BWLH of the second word line BWL, when it is in data-holding state, is closer to the reference potential than to the potential V_BWLL of the second word line BWL, when reading/writing data.
データ保持状態であるときの第２のワード線ＢＷＬの電位Ｖ_ＢＷＬＨは、データの読出し／書込みを行うときの第２のワード線ＢＷＬの電位Ｖ_ＢＷＬＬよりも基準電位に近い。 - 特許庁 - While sense operation is not performed, the level of a reference potential VrefM is turned into potential Vref1B by a switching circuit 2100 and while sense operation is performed, that level is turned into lower potential Vref2B.
切換回路２１００は、センス動作が行なわれていない期間は、基準電位ＶｒｅｆＭのレベルを電位Ｖｒｅｆ１Ｂとし、センス動作が行なわれている期間は、より低い電位Ｖｒｅｆ２Ｂとする。 - 特許庁 - Since the electroencephalograph 1 captures not potential but an electric field which is the spacial differentiating amount of the potential, it is not necessary to prepare the reference potential, and it is possible to detect a brain wave in non-contact state.
本発明の脳波計１は、電位ではなく電位の空間微分量である電界を捉えるので、基準電位を用意する必要がなく、かつ、非接触で脳波検知を行うことが可能となる。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
