「reference potential」を含む例文一覧(1430)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 28 29 次へ＞- A DRAM 1, which is the semiconductor storage device where data is read by comparing the potential of a memory cell with the reference potential of a reference cell, is provided with a bit line 14, a bit line 16, a reference cell 20, and a reference cell 30.
ＤＲＡＭ１は、メモリセルの電位とリファレンスセルの参照電位との比較によりデータの読出しが行われる半導体記憶装置であって、ビット線１４、ビット線１６、リファレンスセル２０、およびリファレンスセル３０を備えている。 - 特許庁 - Reference potential precharge of a memory cell array 1 is performed by selecting a bit line BL by turning on a reference potential control transistor SDT in which a gate is connected to the reference potential control line SDAL connected to a control circuit 3.
メモリセルアレイ１の参照電位プリチャージは、制御回路３に接続される参照電位制御線ＳＤＡＬにゲートが接続される参照電位制御トランジスタＳＤＴのオンすることにより、ビットラインＢＬが選択され、実行される。 - 特許庁 - The reference potential precharge of a memory cell array 2 is performed by selecting the bit line BL by turning on a reference potential control transistor SDT in which a gate is connected to the reference potential control line SDBL connected to a control circuit 3.
メモリセルアレイ２の参照電位プリチャージは、制御回路３に接続される参照電位制御線ＳＤＢＬにゲートが接続される参照電位制御トランジスタＳＤＴのオンすることにより、ビットラインＢＬが選択され、実行される。 - 特許庁 - When the reference potential is lower than the power source potential VCC, the boosting circuit 10 is operated by a control signal CON, and when the reference potential exceeds the power source potential VCC, the operation of the boosting circuit 10 is stopped by the control signal CON.
参照電位が電源電位ＶＣＣよりも低ければ、制御信号ＣＯＮによって昇圧回路１０を動作させ、参照電位が電源電位ＶＣＣを越えたときには、制御信号ＣＯＮによって昇圧回路１０の動作を停止させる。 - 特許庁 - The potential of the power line DSL 101 becomes the second potential to the first potential while the transistor 3A for sampling is conducted and reference potential different from the second potential is supplied to the signal line DTL 101.
サンプリング用トランジスタ３Ａが導通している間であって、第２電位と異なる基準電位が信号線ＤＴＬ１０１に供給されている間に、電源線ＤＳＬ１０１の電位は第２電位から第１電位になる。 - 特許庁 - A second power supply potential Vssr is generated based upon the reference voltage Vref1.
基準電圧Ｖｒｅｆ１に基づいて第２電源電位Ｖｓｓｒを生成する。 - 特許庁 - To generate a reference potential whose temperature dependence and absolute value can be independently controlled.
温度依存性と絶対値を独立に制御できる参照電位を生成する。 - 特許庁 - The oxidation/reduction potential is +1,000 to -3,000 mV (Ag/Ag+reference).
酸化還元電位が＋１０００ｍＶ〜−３０００ｍＶ（Ａｇ／Ａｇ＋基準）である。 - 特許庁 - While the reference signal Rclk is 'H', the potential of the output node V0 is kept.
基準信号Ｒｃｌｋが“Ｈ”の間、出力ノードＶ０の電位は保持される。 - 特許庁 - To provide a reference potential generation circuit operable with a low power supply voltage for outputting a reference potential by reducing any influence due to the threshold variance of a transistor.
トランジスタのしきい値ばらつきによる影響を低減した基準電位を出力する、低電源電圧で動作可能な基準電位発生回路を提供する。 - 特許庁 - When the reference potential Vref is equaled to an external reference potential Ext.Vref, a differential amplifier circuit 140 stops an output of the control clock signal TCLK.
参照電位Ｖｒｅｆが外部参照電位Ｅｘｔ．Ｖｒｅｆと等しくなると、差動アンプ回路１４０は、制御クロック信号ＴＣＬＫの出力を停止させる。 - 特許庁 - The load 14 is provided between the drain of the FET 1 and a reference potential line 20, and the load 16 is provided between the drain of the FET 2 and the reference potential line 20.
負荷１４はＦＥＴ１のドレインと基準電位線２０との間に設けられ、負荷１６はＦＥＴ２のドレインと基準電位線２０との間に設けられる。 - 特許庁 - The low-potential reference circuit region 1 and the high-potential reference circuit region 2 are mutually isolated by a trench 4 formed on the outer periphery of the high-withstand-voltage isolation region 3.
高耐圧分離領域３の外縁に形成されたトレンチ４にて低電位基準回路領域１と高電位基準回路領域２とが分離されている。 - 特許庁 - The vibrator is excited with the drive vibration while fixing a reference potential of the bypass filter, after the reference potential is changed to excite the vibrator with the drive vibration.
ハイパスフィルタの基準電位を変化させて前記振動子に駆動振動を励振した後に、前記基準電位を固定して前記振動子に駆動振動を励振する。 - 特許庁 - A comparison section 22 compares the received sweep signal with the held signal potential as a reference potential and outputs a driving signal only for the time when the sweep signal is inverted in potential about the signal potential.
比較部２２は、保持された信号電位を基準にして取り入れた掃引信号を比較し、信号電位に対して掃引信号の電位が逆転している時間だけ駆動信号を出力する。 - 特許庁 - The reference potential generation circuit is composed of a plurality of resistors connecting between two reference voltages and connected in parallel.
基準電位発生回路は、二つの参照電圧間を繋ぐ直列に接続された複数の抵抗で構成される。 - 特許庁 - In a bit line reference potential (VBL) generating circuit 801, a pad 401 is connected to a reference node A2 in a reference stage 500 through a transfer gate 213.
ビット線参照電位（ＶＢＬ）発生回路８０１において、リファレンス段５００内の基準ノードＡ２にトランスファゲート２１３を介してパッド４０１を接続する。 - 特許庁 - A potential difference between this contact point and the reference voltage is digitized by a potential difference detector 7 and sent to a main body.
この接点と基準電圧との電位差を電位差検出回路７によって数値化して本体に送るようになっている。 - 特許庁 - A second booster circuit 16, making the grounding level VSS serve as the reference, generates a potential level V3 boosting the center potential VC.
第２の昇圧回路１６は、接地レベルＶＳＳを基準として、センター電位ＶＣを昇圧した電位レベルＶ３を生成する。 - 特許庁 - To provide a method for designing clock wiring in accordance with a power potential distribution and a reference potential distribution in an integrated circuit.
集積回路内の電源電位分布及び基準電位分布に応じたクロック配線を設計する方法を提供する。 - 特許庁 - Each voltage of battery cells Ci1-Cin is converted into a voltage of the same reference electric potential with an electric potential converting circuit 50.
電池セルＣｉ１〜Ｃｉｎのそれぞれの電圧は、電位変換回路５０によって同一の基準電位の電圧に変換される。 - 特許庁 - A second boosting circuit 16 generates a potential level V3 by boosting the potential VC while referring to the level VSS as a reference.
第２の昇圧回路１６は、接地レベルＶＳＳを基準として、センター電位ＶＣを昇圧した電位レベルＶ３を生成する。 - 特許庁 - A charge line CL is driven to the "L" line (reference potential) from a "H" level (power source potential VDD) when a verify writing operation is started.
ベリファイライト動作が開始されると、チャージ線ＣＬが「Ｈ」レベル（電源電位ＶＤＤ）から「Ｌ」レベル（基準電位）に駆動される。 - 特許庁 - A voltage generating circuit 100 comprises reference potential signal generating circuits 110, 120 generating an original and reference potential signals Vr0, Vr1, respectively, and an active VCD 130 for controlling the potential level of internal power supply potential Vc1 based on the reference potential signal Vr1.
電圧発生回路１００は、元参照電位信号Ｖｒ０および参照電位信号Ｖｒ１をそれぞれ生成する元参照電位信号発生回路１１０および参照電位信号発生回路１２０と、参照電位信号Ｖｒ１に基づいて内部電源電位Ｖｃｃ１の電位レベルを制御するアクティブＶＤＣ１３０とを備える。 - 特許庁 - To effectively avoid inverse surge between a reference potential terminal of a signal for driving a high potential side IGBT and a reference potential terminal of a gate drive IC even in an inverter apparatus which feeds a large current to a power module.
パワーモジュールに大きな電流を流すインバータ装置であっても、高電位側ＩＧＢＴを駆動する信号の基準電位端子とゲート駆動ＩＣの基準電位端子間の逆サージを効果的に回避する。 - 特許庁 - The electrocardiogram measurement device 31 for 3 electrodes performs electrocardiogram measurement with the detection potential of the electrodes 1 and 2 supplied through the connector 25 and the reference potential obtained from the reference potential extraction circuit 24 as input.
３電極用心電図測定装置３１は、コネクタ２５を介して与えられる電極１、２の検出電位と、基準電位抽出回路２４から得られる基準電位とを入力として、心電図測定を行う。 - 特許庁 - The voltage detection circuit changes the levels of the first reference potential and the second reference potential according to the input of the control signal, while the clock generation circuit increases the frequency of the frequency division clock signal when the levels of the first reference potential and the second reference potential are increased according to the input of the control signal.
電圧検知回路は、制御信号の入力に応じて第１の基準電位および第２の基準電位のレベルを変更するとともに、クロック生成回路は、制御信号の入力に応じて第１の基準電位および第２の基準電位のレベルが高く変更された場合には、分周クロック信号の周波数を高くする。 - 特許庁 - The high voltage power source has a variable voltage source (510) having a load terminal at load potential and a reference terminal at reference potential, and an auto-bias activity load circuit (520) which is connected with the load terminal and the reference terminal and constituted so as to retain a variable voltage fall between the load potential and the reference potential while keeping a nearly constant current.
高電源圧電源は、負荷電位にある負荷端子及び基準電位にある基準端子を有する可変電圧源（５１０）と、負荷端子と基準端子との間に接続され、略一定の電流を保ちながら負荷電位と基準電位との間の可変電圧降下を維持するよう構成される自己バイアス能動負荷回路（５２０）とを有する。 - 特許庁 - When the second pixel potential during the reset noise reading period exceeds a prescribed threshold level, the second pixel potential is defined as prescribed reference potential in the sample-and-hold circuit.
サンプルホールド回路では、リセットノイズ読み出し期間中の第２の画素電位が所定の閾値レベルを越える時に、第２の画素電位が所定の基準電位にされる。 - 特許庁 - This circuit integrates an inputted clock into a middle potential signal in slow waveform to be settled on a specified-range level, and compares the level of this intermediate potential signal with reference potential.
入力されるクロックを積分して所定範囲レベルに収まる緩やかな波形の中間電位信号にし、この中間電位信号のレベルを基準電位と比較する。 - 特許庁 - To provide an inexpensive potential detector having reduced fluctuation of a measuring potential caused by temperature conversion, concerning a potential-dividing type potential detector having an intermediate electrode provided between a conductor and a reference potential, for measuring the potential induced in the intermediate electrode, in order to measure the potential of the conductor.
導体の電位を測定する目的で、導体と基準電位との間に中間電極を設け、この中間電極に誘起する電位を計測する分圧型の電位検出器において、温度変換による計測電位の変動を低減した安価な電位検出器を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The reference potential pad 54 is formed adjoining a sub-mount 52 on a substrate 50.
基板５０上には、サブマウント５２に隣接して基準電位パッド５４が設けられている。 - 特許庁 - On the side to which input reference potentials VDD and VSS are inputted, a reference display potential selecting circuit 4 which outputs the potential corresponding to the reference display potential of a liquid crystal display(LCD) panel 6 selectively between the input reference potentials VDD and VSS according to a setting indication is provided and is connected so as to be operated at the input reference potential VDD being a bias potential.
入力基準電位ＶＤＤ，ＶＳＳが入力される側に、接続しようとする液晶表示パネルとしてのＬＣＤパネル６の基準表示電位に対応する電位を設定指示に応じて複数の入力基準電位ＶＤＤ，ＶＳＳのいずれかから選択出力する基準表示電位選択回路４を設けるとともに、バイアス電位としての入力基準電位ＶＤＤで動作するよう接続したものである。 - 特許庁 - The size, color, shape and brightness of the reference frame is set in accordance with the risk potential.
参照枠の大きさ、表示色、および輝度をリスクポテンシャルに応じて設定する。 - 特許庁 - To lessen the deviation of a node potential at a reference voltage side due to a reset operation.
リセット動作により生じる参照電圧側のノード電位のずれを軽減させる。 - 特許庁 - Consequently, a reference potential generated at the positive input terminal of an operational amplifier AMP goes down.
その結果、オペアンプＡＭＰの＋入力端子に生じる基準電位が下降する。 - 特許庁 - At this time, the reference electrode 36 is connected to a referential potential of a driving detecting circuit.
このとき、基準電極３６を駆動検出回路の基準電位に接続する。 - 特許庁 - To lessen an occupation area of a dummy capacitor and to enlarge a variation width of a reference potential.
ダミーキャパシタの占有面積を小さくし、且つ参照電位の変動幅を大きくする。 - 特許庁 - TEMPERATURE SENSING CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF ADJUSTING REFERENCE POTENTIAL FOR TEMPERATURE COMPARISON
半導体メモリの温度検知回路および温度比較用リファレンス電位調整方法 - 特許庁 - The band section 4 includes an electrode 9 for a communication and a reference potential electrode 10.
バンド部４には、通信用電極９及び基準電位電極１０が備えられている。 - 特許庁 - In a second layer 50b, a reference potential part 50e disposed facing the first signal line 50c and electrically connected to the reference potential and a second signal line 50g electrically separately disposed across the reference potential part 50e are formed.
第２の層５０ｂは、第１の信号線５０ｃに対向して配設されると共に、基準電位に電気的に接続された基準電位部５０ｅと、基準電位部５０ｅを挟んで電気的に離れて配置される第２の信号線５０ｇと、が形成されている。 - 特許庁 - A voltage different from that of a reference potential is applied to the electrode member 71.
電極部材７１には、基準電位点の電圧とは異なる電圧が印加される。 - 特許庁 - By comparing a reference potential in the band gap reference for the band gap reference circuit 10 and the output of the Vth difference reference circuit 11 by a comparator and controlling a transistor 14 acting as a switch, the reference potential in the band gap reference is raised, starting of the band gap reference circuit 10 is made earlier, and the occurrence of the deadlock in the band gap reference circuit, is prevented.
バンドギャップリファレンス回路１０のバンドギャップリファレンス内基準電位とＶｔｈ差リファレンス回路１１の出力とを比較器で対比し、スイッチとして動作するトランジスタ１４を制御することで、バンドギャップリファレンス内基準電位を上昇させ、バンドギャップリファレンス回路１０の立ち上がりを早めると共に、バンドギャップリファレンス回路のデッドロック発生を防止する。 - 特許庁 - This integrated circuit design method comprises: an arithmetic step for calculating the power potential distribution and the reference potential distribution in the integrated circuit; and a designing step for designing clock wiring in the integrated circuit based on the power potential distribution and the reference potential distribution.
集積回路内の電源電位分布及び基準電位分布を演算する演算ステップと、電源電位分布及び基準電位分布を基に集積回路内のクロック配線を設計する設計ステップとを有する集積回路設計方法が提供される。 - 特許庁 - In constitution generating a reference potential in accordance with a potential Viconst outputted from a constant current control circuit 42 and generating an internal power source potential based on the reference potential, the constant current control circuit 42 is provided with fuse elements 84.1-84.k.
定電流制御回路４２から出力される電位Ｖｉｃｏｎｓｔに応じて基準電位を発生し、その基準電位をもとにして内部電源電位を発生する構成において、定電流制御回路４２にヒューズ素子８４．１〜８４．ｋを設ける。 - 特許庁 - In this structure, when positive potential V_S is applied to a high potential electrode 2 with reference to a low potential electrode 3, then the potential V_S is also applied to the end of the spiral thin film layer 6 connected to the high potential electrode 2, thereby forming uniform potential distribution over the spiral thin film layer.
この構造において、低電位側電極３を基準にして、高電位側電極２に正電位Ｖ_S を印加すると、渦巻き状の薄膜層６の高電位側電極２と接続する端にも電位Ｖ_S が印加され、この渦巻き状の薄膜層には均一な電位分布が形成される。 - 特許庁 - When in this structure a positive potential Vs is applied to a high potential electrode 2 with reference to a low potential electrode 3, the potential Vs is also applied to the end of the spiral layer 6 connected to the high potential electrode 2, thus forming a uniform potential distribution over the spiral layer 6.
この構造において、低電位側電極３を基準にして、高電位側電極２に正電位Ｖ_S を印加すると、渦巻き状の薄膜層６の高電位側電極２と接続する端にも電位Ｖ_S が印加され、この渦巻き状の薄膜層には均一な電位分布が形成される。 - 特許庁 - When the output voltage of a differential amplifying circuit 10 falls to a reference potential from a prescribed potential and further falls to a potential that is lower than the reference potential, current is supplied from a voltage limiting circuit 2 to the circuit 10 until the output voltage of the circuit 10 coincides with the reference voltage.
差動増幅回路１０の出力電圧が、所定電位から基準電位に立ち下がる時に、基準電位からさらに下降しようとした場合、電圧制限回路２から差動増幅回路１０の出力に対して、差動増幅回路１０の出力電圧が基準電圧に一致するまで電流が供給される。 - 特許庁 - A middle point control circuit 25 compares the reference voltage generated at the reference voltage circuit for middle point control with a specified comparison potential, and performs feedback control so that the reference voltage is matched with the comparison potential.
中点制御回路２５は、中点制御用基準電圧回路で生成された基準電圧と所定の比較電位とを比較し、該基準電圧と比較電位とが等しくなるようにフィードバック制御を行う。 - 特許庁 - To provide a ferroelectric memory device where fluctuations of reference potential in a reference memory cell system can be reduced.
リファレンスメモリセル方式における基準電位のばらつきを、より一層少なく出来る強誘電体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁
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