「reference potential」を含む例文一覧(1430)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 28 29 次へ＞- The time constant of the waveform at a rise in boosted potential VPP is monitored at real time by measuring a time when boosted potential VPP reaches a specified reference potential by means of a system clock CLKS.
昇圧電位ＶＰＰの上昇時の波形の時定数を、昇圧電位ＶＰＰが所定の基準電位に到達する時間をシステムクロックＣＬＫＳによって計測することによりリアルタイムにモニタする。 - 特許庁 - A voltage generating section 3 comprises a voltage amplifying circuit 50 receiving a boosting potential VPP generated by a charge pump circuit 4 and outputting an output potential VOUT being equal to a reference potential VIN.
電圧発生部３は、チャージポンプ回路４２が発生する昇圧電位ＶＰＰを受けて基準電位ＶＩＮと等しい出力電位Ｖｏｕｔを出力する電圧アンプ回路５０を含んでいる。 - 特許庁 - A potential difference between the first electrode and the second electrode is monitored, and in the case that the potential difference between them exceeds a prescribed reference potential difference, an image indicating an alarm is displayed on a display 110.
第１電極と第２電極１４０との間の電位差は、監視されており、この間の電位差が所定の基準電位差を超えた場合には、ディスプレイ１１０に警報を示す画像が表示される。 - 特許庁 - A potential difference between the first electrode 130 and the second electrode is monitored, and an image indicating an alarm is displayed on a display 110 when the potential difference between them exceeds a prescribed reference potential difference.
第１電極１３０と第２電極との間の電位差は、監視されており、この間の電位差が所定の基準電位差を超えた場合には、ディスプレイ１１０に警報を示す画像が表示される。 - 特許庁 - The first potential setting section 8 includes a first enhancement-type MOS transistor EP having a first conductive type, which is connected between a first reference potential node VDD and the intermediate potential node N1.
第１の電位設定部８は、第１の基準電位ノードＶＤＤと中間電位ノードＮ１との間に接続された第１の導電型を有するエンハンスメント型の第１のＭＯＳトランジスタＥＰを含む。 - 特許庁 - And, a reference voltage that is in proportion to the potential difference between both ends of the 1st resistor R1 is generated.
そして、第１の抵抗Ｒ１の両端間の電位差に比例する基準電圧を発生させる。 - 特許庁 - To provide a reference potential generation circuit for a CMOS integrated circuit usable in a low power supply voltage.
低電源電圧で使用可能なＣＭＯＳ集積回路用の基準電位発生回路を提供する。 - 特許庁 - The measuring unit measures, for example, the potential of a scalp from a reference point by measurement by unipolar induction.
計測ユニットは、例えば単極誘導による計測で基準点からの頭皮の電位を測定する。 - 特許庁 - The main substrate 23 includes a ground pattern layer 33, as a reference potential part, at its edge.
メイン基板２３は、基準電位部としてグランドパターン層３３を少なくともその周縁部に有する。 - 特許庁 - A gettering site 23 is formed at least on a part just below the reference potential supplying layer 14.
少なくとも基準電位供給層１４の直下領域の一部には、ゲッタリングサイト２３が形成される。 - 特許庁 - MASTER-SLICE-TYPE SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND REFERENCE POTENTIAL GENERATION CIRCUIT LAYOUT DEVICE AND METHOD
マスタスライス方式の半導体集積回路装置、基準電位発生回路配置装置及びその方法 - 特許庁 - The switch 14 selects the first or second signal, and inputs it to the reference potential controller 10.
切替器14は、第1の信号または第2の信号を選択して基準電位制御器10に入力させる。 - 特許庁 - A grounding pattern 40 is formed on the grid 12 and connected to a circuit reference potential by a conductor 44.
グリッド１２に接地用パタン４０を形成し、これと回路基準電位を導体４４で接続する。 - 特許庁 - This semiconductor storage device comprises a plurality of memory transistors M11 to M2n and a reference potential line.
複数のメモリトランジスタＭ１１〜Ｍ２ｎと、このメモリトランジスタ群に接続された基準電位線とを有する。 - 特許庁 - The signal line L is connected to a prescribed reference potential through a resistor R3 having a high resistance value.
信号線Ｌは、抵抗値が高い抵抗Ｒ３を介して所定の基準電位に接続されている。 - 特許庁 - REFERENCE ELECTRODE HAVING AUTOMATIC CALIBRATION FUNCTION, AND ELECTROCHEMICAL POTENTIAL AUTOMATIC CORRECTION DEVICE USING IT
自動校正機能を有する基準電極及びそれを使用した電気化学的電位自動補正装置 - 特許庁 - At a normal state, V_1 is maintained at reference bias potential V_b0 of V_OUT+ and V_OUT-.
正常状態では、Ｖ_１はＶ_ＯＵＴ＋及びＶ_ＯＵＴ−の基準バイアス電位Ｖ_ｂ０に保たれる。 - 特許庁 - a measure of the potential energy of a unit charge at a given point in a circuit relative to a reference point (ground)
参照点（地面）と比較しての回路における特定の点の単位電荷の潜在エネルギーの測定 - 日本語WordNet - By a voltage read means 35, the potential of a reference power source 31 transformed in the power source transformer 26 is detected.
電圧読取手段35により電源トランス26にて変換された基準電源31の電位を検出する。 - 特許庁 - The second switch SW_2 is connected between a reference potential input terminal to which reference potential Vref is input and a terminal of the capacitor element C on the inverting input terminal side of the amplifier circuit 20, and performs opening/closing operation according to a level of a second reset signal Reset2 to apply the reference potential Vref to the terminal of the capacitor element C.
第２スイッチＳＷ_２は、基準電位Ｖrefが入力される基準電位入力端子と増幅回路２０の反転入力端子側の容量素子Ｃの端子との間に設けられ、第２リセット信号Reset２のレベルに応じて開閉動作し、容量素子の端子に基準電位Ｖrefを印加することができる。 - 特許庁 - Thereby, by making the number ni of cells of cell group 12_i near the reference potential larger, the voltage measurement error of the cell group 12i near the reference potential and the voltage measurement error of the cell group 12_i far from the reference potential can be made to about same level, thereby cost increase can be suppressed without raising measurement accuracy unnecessarily.
このため、基準電位から近いセル群１２_ｉのセル数ｎｉを多くすることで、基準電位から近いセル群１２_ｉの電圧測定誤差と遠いセル群１２_ｉの電圧測定誤差とを同程度とすることとなり、不要に測定精度を高めることなく、コストアップを抑制することができる。 - 特許庁 - Moreover, A first driving circuit 44 is operated by receiving supply of a direct-current voltage Vd1 formed by having a potential of an emitter of the switching element 38 as a reference potential, and a second driving circuit 45 is operated by receiving supply of the direct-current voltage Vd2 formed by having a potential of an emitter of the switching element 39 as a reference potential.
また、第１の駆動回路４４は、スイッチング素子３８のエミッタの電位を基準電位として生成される直流電圧Ｖd1の供給を受けて動作し、第２の駆動回路４５は、スイッチング素子３９のエミッタの電位を基準電位として生成される直流電圧Ｖd2の供給を受けて動作する。 - 特許庁 - Further, the electrooptical apparatus has a portion electrically connected to the first node and wired along a direction in which the data lines are extended, a reference potential signal line for supplying reference potential to the first node and a supply means for reading out a potential signal input to a pixel part and supplying the potential signal to the second node.
更に、第１のノードに電気的に接続されると共にデータ線が延在する方向に沿って配線される部分を有し、第１のノードに基準電位を供給するための基準電位信号線と、第２のノードに画素部に入力された電位信号を読み出して供給する供給手段とを備える。 - 特許庁 - Preceding conduction means (SW221) controlled by a clock signal (CLK1) makes an output signal line of a first circuit (211), which has positive polarity of a potential higher than a reference potential, and an output signal line of a second circuit (212), which has negative polarity of a potential lower than the reference potential, electrically conductive with each other.
クロック信号（ＣＬＫ１）により制御される先行導通手段（ＳＷ２２１）は、基準電位より高い電位である正極性を有する第１回路（２１１）の出力信号線と、基準電位より低い電位である負極性を有する第２回路（２１２）の出力信号線とを導通させる。 - 特許庁 - In this method, the oxidation-reduction potential of the mixture liquid is detected by an oxidation-reduction potential detector 17 at a reference position P in the circulating water passage 3, and the amount of aeration from an aeration and agitation device 5 is controlled from the detected value so that the oxidation-reduction potential at the reference position P becomes a prescribed potential.
この方法では、循環水路３内の基準位置Ｐにおいて酸化還元電位検出器１７により混合液の酸化還元電位を検出し、検出値に基づいて、基準位置Ｐにおける酸化還元電位が所定電位になるように、曝気攪拌装置５からの曝気量を制御する。 - 特許庁 - A preceding conduction means (SW13) which is controlled in response to a clock signal (CLK1) makes an output signal line corresponding to a first circuit (61) which has positive polarity of a potential higher than a reference potential and an output signal line corresponding to a second circuit (62) which has negative polarity of a potential lower than the reference potential electrically conductive with each other.
クロック信号（ＣＬＫ１）により制御される先行導通手段（ＳＷ１３）は、基準電位より高い電位である正極性を有する第１回路（６１）の出力信号線と、基準電位より低い電位である負極性を有する第２回路（６２）の出力信号線とを導通させる。 - 特許庁 - The first comparator outputs a result of comparison between a potential of the differential signal received via the first signal line and a first reference potential and outputs a result of comparison between a potential of the first single end signal received via the first signal line and a second reference potential.
前記第１の比較器は、前記第１の信号線を介して受信された前記差動信号の電位と第１の基準電位との比較結果を出力し、前記第１の信号線を介して受信された前記第１のシングルエンド信号の電位と第２の基準電位との比較結果を出力する。 - 特許庁 - In response to activation of a 2nd scanning line 6, a potential- applying circuit 31 electrically connects either of a write reference potential supply line 7 or a common potential supply line 8, according to the potential of the node N1 to a pixel electrode Npx.
電位印加回路３１は、第２の走査線６の活性化に応答して、書込基準電位供給線７と共通電位供給線８のうちの、ノードＮ１の電位に応じた一方を画素電極Ｎｐｘと電気的に結合する。 - 特許庁 - In a disable mode, the first voltage potential and second voltage potential are substantially equivalent to the reference potential resulting in a clamping circuit 120 providing a nominal clamping voltage to the protected circuitry 110 so that an ESD event having a voltage between the first voltage potential and the second voltage potential is shunted to the reference potential via first 150 and second 155 ESD rails.
ディセーブルモードにおいて、第１の電位と第２の電位とが、基準電位と実質的に等価であり、この結果として、前記第１の電位と前記第２の電位との間の電圧を有するＥＳＤイベントが第１(150)及び第２(155)のＥＳＤレールを介して前記基準電位にシャントされるように、クランプ回路(120)が、公称クランプ電圧を前記保護対象回路構成(110)に対して提供することとなる。 - 特許庁 - The well electrode 46 functions as an electrode to input a back gate bias to the first transistor Q1, a reference potential Vb is connected to the source electrode 43, and an output potential Va higher than the reference potential Vb is input to the well electrode 46.
このウェル電極４６は、第１のトランジスタＱ１に対してバックゲートバイアスを入力するための電極として機能し、ソース電極４３に基準電位Ｖｂが接続され、ウェル電極４６に基準電位Ｖｂよりも大きい出力電位Ｖａが入力される。 - 特許庁 - A scanning electrode potential 32 detected by a feedback switch 11 is inputted to a reverse phase input terminal of an amplifier 7 and a reference selection potential 30 from a reference selection signal potential generating circuit 1 is inputted to a positive phase input terminal of the amplifier 7.
増幅器７の逆相入力端子には、帰還スイッチ１１により検出された走査電極電位３２を入力し、増幅器７の正相入力端子には、基準選択電位信号発生回路１からの基準選択電位３０を入力する。 - 特許庁 - This skin surface potential state measuring device is characterized by having the reference electrode part communicating with the sublingual region, the measurement electrode part communicating with the skin surface, and a potential difference detecting part detecting the potential difference between the reference electrode part and the measurement electrode part.
舌下に連絡される基準電極部と、皮膚表面に連絡される測定電極部と、前記基準電極部と前記測定電極部との電位差を検出する電位差検出部とを備えたことを特徴とする皮膚表面電位状態測定装置。 - 特許庁 - An inductor circuit, a variable capacitance circuit including a first varactor supplied with a first reference potential at one end and a second reference potential at the other end respectively, a variable capacitance adjusting unit including a second varactor supplied with a reference potential at one end and a predetermined potential at the other end respectively, and a negative resistance circuit, are connected in parallel.
インダクタ回路と、第１基準電位が一端に、制御電位が他端に、それぞれ与えられた第１可変容量素子を含む可変容量回路と、第２基準電位が一端に、制御電位または所定電位のいずれか一方が他端に、それぞれ与えられた第２可変容量素子を含む可変容量調整部と、負性抵抗回路とを並列接続する。 - 特許庁 - This smoke detector for controlling a light emitting element for smoke detection is provided with a reference potential generation circuit for generating a predetermined reference potential; a buffer circuit for reducing the output impedance of the reference potential generation circuit and a constant current supply circuit for supplying constant currents corresponding to a potential to be output by the buffer circuit to the light emitting element.
煙検出用の発光素子を制御する煙感知器において、所定の基準電位を発生する基準電位発生回路と、上記基準電位発生回路の出力インピーダンスを小さくするバッファ回路と、上記バッファ回路が出力する電位に応じた定電流を上記発光素子に供給する定電流供給回路とを有する煙感知器である。 - 特許庁 - A semiconductor device comprises: a replica buffer 110 driving a calibration terminal ZQ; a reference potential generating circuit 200 generating a reference potential VREF; a comparator circuit 151 comparing a potential appearing at the calibration terminal ZQ with the reference potential VREF; and a control circuit 140 changing the output impedance of the replica buffer 110 based on the comparison result by the comparator circuit 151.
キャリブレーション端子ＺＱを駆動するレプリカバッファ１１０と、基準電位ＶＲＥＦを生成する基準電位生成回路２００と、キャリブレーション端子ＺＱに現れる電位と基準電位ＶＲＥＦとを比較する比較回路１５１と、比較回路１５１による比較の結果に基づいてレプリカバッファ１１０の出力インピーダンスを変化させるコントロール回路１４０とを備える。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging apparatus capable of suppressing level difference between a black reference level value of reference potential reading and a black level value of an effective pixel part.
基準電位読み出しの黒基準レベル値と有効画素部の黒レベル値のレベル差を抑えることが可能な固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - A reference voltage circuit 27 for position detection generates a reference potential for detecting the position of the motor based on the output voltage from the output circuit 23.
位置検出用基準電圧回路２７は、出力回路２３からの出力電圧に基づいてモータ位置を検出するための基準電位を生成する。 - 特許庁 - To set the gate potential of a drive transistor to a reference voltage without writing the reference voltage from a signal line through a write transistor.
信号線から書き込みトランジスタを通して基準電圧を書き込まなくても、駆動トランジスタのゲート電位を基準電圧に設定できるようにする。 - 特許庁 - A reference voltage is applied to a counter electrode on a counter substrate, and display is performed by a potential difference between the reference voltage and the first or second voltage signal.
対向基板の対向電極には基準電圧が印加され、第１の電圧信号もしくは第２の電圧信号との電位差によって表示を行う。 - 特許庁 - The reference potential correction capacitors RC1 and RC2 displace reference potentials, by changing the accumulated charge amounts based on correction signals TrimA and TrimB.
参照電位補正用キャパシタＲＣ１、ＲＣ２は、補正信号ＴｒｉｍＡ、ＴｒｉｍＢにより蓄積電荷量を変化させて参照電位を変位させる。 - 特許庁 - On the other hand, computational capacitance of the three-dimensional wiring route is determined with reference to the actually measured capacitance between a reference pattern and the ground potential.
一方で、基準パターンと接地電位との間の実測静電容量を基準にして、立体的な配線経路の計算上の静電容量を求める。 - 特許庁 - As a result, the pattern is interpolated with the electrostatic potential of the deflection electrodes constant, that is, to be linear between reference potentials at reference points (Pij) of respective subfields.
従って、偏向電極の静電電位が一定、すなわち、それぞれのサブフィールドの基準点（Ｐｉｊ）における基準電位間で直線的に補間される。 - 特許庁 - A voltmeter is provided between the inspection electrode 8 and the reference electrode 4, so as to inspect the potential of the reference electrode 4 by the inspection electrode 8.
検査電極８と参照電極４の間には電圧計を設け、検査電極８により参照電極４の電位を検査できるようにする。 - 特許庁 - A reference electrode for keeping the potential impressed to a working electrode constant is further provided and the impressed potential to the working electrode based on the reference electrode is set to a -1.5 to -0.3V vs. Ag/AgCl range.
本発明は、作用極に印加する電位を一定に保つための参照極をさらに備え、しかも、該参照極を基準とした作用極に対する印加電位を−１．５〜−０．３Ｖ vs. Ag/AgClの範囲で設定する。 - 特許庁 - A portable phone 1 includes a circuit substrate 70 in which a reference potential pattern layer 75 is formed and a case 60 having conductivity laminatedly arranged in the reference potential pattern layer 75 side in the circuit substrate 70.
携帯電話機１は、基準電位パターン層７５が形成された回路基板７０と、回路基板７０における基準電位パターン層７５側に積層配置される導電性を有するケース体６０と、を備える。 - 特許庁 - Accordingly, a part below the low-potential reference circuit LV and a part below the high-potential reference circuit HV among the support substrate 2 are brought into states of being insulated by an insulation member 30.
これにより、支持基板２のうち低電位基準回路部ＬＶの下の部分と高電位基準回路部ＨＶの下の部分とが酸化膜にて構成された絶縁部材３０にて絶縁された状態となる。 - 特許庁 - After that, voltage is applied across the first positive electrode and the negative electrode for charging by using the second positive electrode as a reference electrode so that the potential of the negative electrode to the reference electrode becomes the prescribed potential or lower (S3 to S6).
その後、第２正極を参照極として、この参照極に対する負極の電位が所定電位以下となるように第１正極と負極との間に電圧を印加して充電する（Ｓ３〜Ｓ６）。 - 特許庁 - To provide a ferroelectric storage device which can be easily manufactured and which can easily generate a reference electric potential at a proper value, in the ferroelectric storage device generating the reference potential using a dummy cell.
ダミーセルを用いて参照電位を発生する強誘電体記憶装置において、製造が容易であり、かつ適切な値の参照電位を容易に発生させることが可能な強誘電体記憶装置を提供すること。 - 特許庁 - A selection circuit SEL is provided with selection transistors ST1 to ST6, and selects and outputs one of a first reference potential V1 and a second reference potential V2 in accordance with values of respective bits of digital signals D_0 to D_2.
選択回路ＳＥＬは、選択トランジスタＳＴ１〜ＳＴ６を備え、デジタル信号Ｄ_０〜Ｄ_２の各ビットの値に応じて、第１の基準電位Ｖ１か、第２の基準電位Ｖ２のいずれかを選択して出力する。 - 特許庁 - Reference electric-potential generating circuits 2 where resistors RE and RF which does not change resistance value when a pressure is applied generate a reference electric-potential are connected in parallel on one end side and the other end side of the bridge circuit.
圧力印加で抵抗値変化しない抵抗ＲＥ、ＲＦにより基準電位を発生するように構成した基準電位発生回路２を、ブリッジ回路の一端側および他端側に並列接続する。 - 特許庁
