「reference potential」を含む例文一覧(1430)
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基準電位発生回路 - 特許庁 - REFERENCE POTENTIAL GENERATING CIRCUIT
リファレンス電位発生回路 - 特許庁 - REFERENCE POTENTIAL DIFFERENCE COMPENSATION CIRCUIT
基準電位差補償回路 - 特許庁 - INTERMEDIATE REFERENCE POTENTIAL GENERATOR
中間基準電位発生器 - 特許庁 - The first transition element M varies in potential from the reference potential VA to the reference potential VB.
第１遷移要素Ｍは、基準電位ＶAから基準電位ＶBに電位が変化する。 - 特許庁 - REFERENCE ELECTRODE FOR MEASURING POTENTIAL DIFFERENCE
電位差測定用参照電極 - 特許庁 - A potential difference δA between the reference potential VA and the lowest potential of the ejection pulse PA is smaller than a potential difference δB between the reference potential VB and the lowest potential of ejection pulse PB, and the reference potential VA is below the reference potential VB.
基準電位ＶAと噴射パルスＰAの最低電位との電位差δAは、基準電位ＶBと噴射パルスＰBの最低電位との電位差δBよりも小さく、基準電位ＶAは基準電位ＶBを下回る。 - 特許庁 - The ground part 22a is maintained at a potential of a reference potential.
グランド部２２ａは電位基準の電位に保持される。 - 特許庁 - The reference potential setting section sets potential of a low-potential-side terminal that the power storage element includes to be second reference potential higher than first reference potential from the first reference potential when the potential of the analog signal is higher than a threshold.
基準電位設定部は、アナログ信号の電位が閾値よりも高い場合に、蓄電素子が有する低電位側端子の電位を、第１基準電位から第１基準電位よりも高い第２基準電位に設定する。 - 特許庁 - REFERENCE POTENTIAL GENERATING CIRCUIT FOR GAMMA CORRECTION
ガンマ補正用基準電位発生回路 - 特許庁 - To propose a reference potential generator capable of supplying stable reference potential.
安定した基準電位を供給し得る基準電位生成装置を提案する。 - 特許庁 - The reference potential controller 10 controls a reference potential to the potential measuring probe 3 based on an input signal.
基準電位制御器10は、入力信号に基づき、電位測定プローブ3への基準電位を制御する。 - 特許庁 - A potential as a reference is applied to the reference electrode rod.
基準電極棒は、基準となる電位が印加される。 - 特許庁 - REFERENCE POTENTIAL GENERATION CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY
半導体メモリの基準電位発生回路 - 特許庁 - Vref is reference potential and is kept at fixed potential.
Ｖｒｅｆは基準となる電位であり、定電位に保持されている。 - 特許庁 - As soon as the assembling, the reference potential contact piece 42 is contacted on the reference potential pattern 34, and the case 4 is conducted to the reference potential part.
この組み付けと同時に、基準電位接触片４２が基準電位パターン３４に当接し、ケース４が基準電位部分に導通される。 - 特許庁 - To accurately generate a reference potential during sensing.
センス時のリファレンス電位を正確に生成する。 - 特許庁 - A midpoint potential generating section 13 outputs a potential difference between the reference potential V1 and the reference potential V7 from nodes N2 to N6 by means of voltage division.
中間電位発生部１３は、ノードＮ２〜Ｎ６から、基準電位Ｖ１と基準電位Ｖ７との間の電位差を分圧して出力する。 - 特許庁 - A potential at the point B terminal is made equal to the reference potential, and a cross timing D8 at which the potential at the point B terminal is equal to the reference potential is detected.
Ｂ点端子の電位を基準電位に等しくし、Ｂ点端子の電位と基準電位が等しくなるクロスタイミングＤ８を検出する。 - 特許庁 - The reference selection potential signal generating circuit 1 outputs the signal delayed in the reference potential of a reference voltage source 13.
基準選択電位信号発生回路１は、基準電圧源１３の基準電位を遅延させた信号を出力する。 - 特許庁 - 16. Reference in case of potential infringement
第16条 侵害の可能性がある場合の引用 - 特許庁 - The potential information acquisition means acquires information 204 of the reference potential.
電位情報取得手段は、基準電位の情報２０４を取得する。 - 特許庁 - The reference potential pattern imparts a reference potential to at least one of the semiconductor component and the piezoelectric element.
基準電位パターンは、半導体部品及び圧電素子の少なくとも一方に基準電位を付与する。 - 特許庁 - The correction current generation circuit generates a correction current proportional to a potential difference between a high-potential-side reference voltage and a low-potential-side reference voltage to output the correction current to the reference potential generation circuit.
補正電流生成回路は、高電位側参照電圧と低電位側参照電圧との電位差に比例する補正電流を生成して基準電位発生回路に出力する。 - 特許庁 - The filter or the duplexer is provided with the signal terminal for external connection, the reference potential terminal and a common reference potential part electrically connected with the reference potential terminal, which are all formed of conductors, on one surface of a package, and a slit part for partially separating the common reference potential part and the reference potential terminal is provided between the common reference potential part and the reference potential terminal.
パッケージの一面に、何れも導体で形成した、外部接続用の信号端子と、基準電位端子と、基準電位端子と電気的に接続された共通基準電位部とを備えたフィルタ又はデュプレクサで、共通基準電位部と基準電位端子との間に当該共通基準電位部と基準電位端子とを部分的に分離するスリット部を設ける。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS REFERENCE POTENTIAL GENERATION METHOD
半導体メモリ及びそのリファレンス電位発生方法 - 特許庁 - REFERENCE POTENTIAL GENERATION CIRCUIT AND TIMING ADJUSTMENT CIRCUIT
基準電位発生回路、およびタイミング調整回路 - 特許庁 - The reference potential setting circuit block 150 sets a potential externally specified as a potential of a reference signal on the bit line.
参照電位設定回路ブロック１５０は、装置外部から指定された電位をビット線上の参照信号の電位として設定する。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS REFERENCE POTENTIAL ADJUSTMENT METHOD
半導体装置およびその基準電位調整方法 - 特許庁 - A support substrate 2 is left only below a low-potential reference circuit part LV and a high-potential reference circuit part HV.
低電位基準回路部ＬＶの下と高電位基準回路部ＨＶの下にのみ支持基板２を残す。 - 特許庁 - At this point, the current generating circuit 700 receives the reference common potential and the reference bias potential with a high impedance.
この際、電流生成回路７００は基準共通電位と基準バイアス電位とを高インピーダンスで受ける。 - 特許庁 - A reference-potential generating circuit included in the phase difference determination circuit 144 generates a reference-potential at a second node.
位相差判定回路１４４に含まれる基準電位発生回路は、基準電位を第２ノードに発生させる。 - 特許庁 - On the other hand, voltage generated by a reference potential generating circuit 1 is outputted as a reference potential VREF0.
一方、基準電位発生回路１が発生した電圧が基準電位ＶＲＥＦ０として出力される。 - 特許庁 - The reference potential adjustment section changes the adjustment of the reference potential, according to the number of selected output terminals.
基準電位調整部は、選択された出力端子の数に応じて基準電位の調整を変更する。 - 特許庁 - When a power source potential VCC is lower than a desired DC voltage OUT, the potential of a node N3 of a reference potential adjusting part 50 is made lower than a reference potential REF.
電源電位ＶＣＣが所望の直流電圧ＯＵＴよりも低いと、基準電位調整部５０のノードＮ３の電位は基準電位ＲＥＦよりも低くなる。 - 特許庁 - A common control potential setting circuit 200 produces a reference common potential and a reference bias potential in common for a plurality of drivers 100.
共通制御電位設定回路２００は、複数のドライバ１００に対して共通に基準共通電位と基準バイアス電位とを生成する。 - 特許庁 - The potential difference detection means detects a potential difference between a potential of a measuring object 106 and a reference potential 203 of a detection electrode 105.
電位差検出手段は、測定対象１０６の電位と検知電極１０５の基準電位２０３との電位差を検出する。 - 特許庁 - The scan side fluctuation reference terminal FGND is switched between a first potential (fixed reference potential GND) for positive polarity driving and a second potential VEE for negative driving lower than the first potential by the data side power source potential VEE depending on whether the intermediate reference potential is set to the fixed reference potential GND or to the data side power source potential VEE.
そして、中間基準電位が固定基準電位ＧＮＤとデータ側電源電位ＶＥＥとのいずれに設定されるかに応じて走査側変動基準電位ＦＧＮＤを、正極性駆動用の第一電位（固定基準電位ＧＮＤ）と、それよりもデータ側電源電位ＶＥＥだけ低い負極性駆動用の第二電位ＶＥＥとの間で切り替える。 - 特許庁 - A sense amplifier detects and amplifies potential difference between bit lines using the shifted potential as reference voltage.
センスアンプはこの電位を参照電圧としてビット線間の電位差を増幅検知する。 - 特許庁 - A voltage detection part 12 detects potential Vt from a reference potential of a block B.
電圧検出部１２は、ブロックＢの基準電位からの電位Ｖｔを検出する。 - 特許庁 - The potential VR1 and the potential (VR1+α) of a first reference potential source 18 are compared by a first differential potential comparison circuit 12, and the potential VR1 and the potential (VR1-β) of a second reference potential source 20 are compared by a second differential potential comparison circuit 14.
この電位ＶＲ１と第１の参照電位源１８の電位（ＶＲ１＋α）とを第１の差動電位比較回路１２で比較する一方、電位ＶＲ１と第２の参照電位源２０の電位（ＶＲ１−β）とを第２の差動電位比較回路１４で比較する。 - 特許庁 - Further, the electronic device includes a reference potential pattern and a land.
さらに、電子装置は基準電位パターンとランドとを備える。 - 特許庁 - REFERENCE POTENTIAL SETTING APPARATUS AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR TESTER
半導体試験装置の基準電位設定装置及び方法 - 特許庁 - REFERENCE POTENTIAL GENERATION CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE PROVIDED WITH SAME
基準電位発生回路およびそれを備えた表示装置 - 特許庁 - (Reference) Examples of (Potential) Cases of Conflicts of Interest
（参考）（潜在的な）利益相反等の問題を孕む事例 - 金融庁 - The charged portion 12 includes terminals 121, 122, applies reference potential to the terminal 121 and is charged applying higher potential than the reference potential to the terminal 122.
被充電部１２は、端子１２１，１２２を有し、端子１２１に基準電位を与え、端子１２２に基準電位よりも高い電位を与えて充電される。 - 特許庁 - The current generating circuit 700 generates a bias current based on a potential difference between the reference common potential and the reference bias potential which are inputted into the circuit 700.
電流生成回路７００は入力された基準共通電位と基準バイアス電位との差電圧に基づいてバイアス電流を生成する。 - 特許庁 - The potential measurement signal generator 11 processes the reference potential, and outputs it as the potential measurement signal for indicating the surface potential in the measurement region 2.
電位測定信号発生器11は、基準電位を処理して測定領域2の表面電位を表す電位測定信号として出力する。 - 特許庁 - Interelectrode electric potential between a reference electrode 29A and an earth electrode 41 when storing a drink up to an arranging position of the reference electrode 29A is determined, and this electric potential is set as reference electric potential.
基準電極２９Ａの配設位置まで飲料が貯溜されているときの基準電極２９Ａとアース電極４１との間の電極間電位を求め、これを基準電位とする。 - 特許庁 - Since a logic supply voltage Vdd relative to the reference potential V3 lowers the same as the reference potential V3, the logic supply voltage Vdd is fixed from a viewpoint of the reference potential V3.
基準電位Ｖ３に対するロジック電源電圧Ｖｄｄは、基準電位Ｖ３と同じだけ低下していくので、基準電位Ｖ３から見たロジック電源電圧Ｖｄｄは固定される。 - 特許庁
