「reference potential」を含む例文一覧(1430)
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ここで白金電極の電位とは白金電極で実測される参照電極に対する相対電位＋参照電極の種類により決定される参照電極電位を表す。 - 特許庁 - The electrification control part 3 performs feedback control to put the electrification potential back to the reference electrification potential when the surface potential measuring instrument 15 takes a measurement to judge that the reference electrification potential varies.
又、帯電制御部３は、表面電位測定装置１５の計測により基準帯電位に変化が生じたと判断された場合、基準帯電位に戻すようフィードバック制御を行う。 - 特許庁 - A shield layer 3b formed at a low-potential reference circuit section LV is set to GND potential and a shielding layer 3b formed at a high-potential reference circuit section HV is set to be virtual GND potential.
低電位基準回路部ＬＶに形成されたシールド層３ｂをＧＮＤ電位とし、高電位基準回路部ＨＶに形成されたシールド層３ｂを仮想ＧＮＤ電位とする。 - 特許庁 - The electric potential of an acting electrode is made positive, with respect to an electric potential of a reference electrode or an electric potential of an opposite pole.
作用電極の電位を参照電極の電位又は対極の電位に対して正にした点に特徴がある。 - 特許庁 - The common reference potential part is formed over the almost entire one surface of the package, the slit part and a bridging part composed of the conductor are provided between the common reference potential part and the reference potential terminal, and the reference potential terminal is formed of solder resist.
共通基準電位部をパッケージの一面の略全面に亘って形成し、共通基準電位部と基準電位端子との間に前記スリット部と、導体からなる橋絡部とを設け、基準電位端子をソルダーレジストにより画成する。 - 特許庁 - Then, a fixed reference voltage Vref is added to the potential of a point 7 at the current input side of the resistance R3 as a reference so that the reference potential can be generated.
抵抗R3の電流入側のポイント７の電位を基準にして、その上に一定の参照電圧Vrefを加えることで、参照電位が生成される。 - 特許庁 - The potential selection circuit 10 selects one of a plurality of input potentials, and the level shift circuit 20 inputs a voltage pulse having first potential as reference potential and outputs a voltage pulse having second potential as reference potential and is operated by potential difference between the output potential of the potential selection circuit and the first potential and that between the selected potential and the second potential.
電位選択回路１０は複数の入力電位のうちの一つを選択し、レベルシフト回路２０は第１の電位を基準電位とする電圧パルスを入力し、第２の電位を基準電位とする電圧パルスを出力し、前記電位選択回路の出力電位と第１の電位との電位差及び前記選択電位と第２の電位との電位差で動作する。 - 特許庁 - METHOD FOR REFERENCE POTENTIAL SUPPLY WIRING OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
半導体集積回路の基準電位供給配線方法 - 特許庁 - A reference potential is generated by averaging these memory cells.
これらのメモリセルを平均化してリファレンス電位を発生させる。 - 特許庁 - A reference potential pattern 34 is formed on the projection part 33.
張り出し部３３上に基準電位パターン３４を形成する。 - 特許庁 - Reference electric power supply potential VC1 and reference ground potential VG1 of the ECU 2 are also given to the AD converter 5 of the ECU 3.
ＥＣＵ２の基準電源電位ＶＣ１と基準グランド電位ＶＧ１が、ＥＣＵ３のＡＤコンバータ５にも与えられる。 - 特許庁 - The reference potential pad 54 is connected with a ground component not illustrated and is at the ground potential.
基準電位パッド５４は、不図示の接地部材と接続されておりＧＮＤ電位とされている。 - 特許庁 - Potential of the conductive layer 14B is held at a reference potential 0V by means of the belt roller 20A.
導電層１４Ｂの電位は、ベルトローラ２０Ａにより、基準電位０Ｖに保持されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which an internal potential can be restored quickly to a reference potential.
内部電位を基準電位に迅速に回復させることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The reference potential on the integrated circuit, e.g. the ground potential VSS is given to the wiring layer M5.
配線層Ｍ５は集積回路における基準電位、例えばグランド電位ＶＳＳが与えられる。 - 特許庁 - Specifically, reference potential having a constant difference from the offset potential is input to the integrator.
具体的には、基準電位との差が一定に保たれた参照電位を積分器に入力する。 - 特許庁 - A surface electric potential sensor 11 and a signal processing circuit 3 operate having the electric potential of a common ground line C. GND as their reference potential.
表面電位センサ１１及び信号処理回路３は、コモングランド線Ｃ．ＧＮＤの電位を基準電位として動作する。 - 特許庁 - Furthermore, both the high-potential reference circuit HV and support substrate 2 and the low-potential reference circuit LV and the support substrate 2, or at least the high-potential reference circuit HV and the support substrate 2 are held at the same potential.
さらに、高電位基準回路部ＨＶと支持基板２との間および低電位基準回路部ＬＶと支持基板２との間の双方、もしくは、少なくとも高電位基準回路部ＨＶと支持基板２との間を同電位にする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which a low-potential reference circuit and a high-potential reference circuit are mixedly loaded and the level shift between the low-potential reference circuit and the high-potential reference circuit can be preformed, and which is compact and is superior in breakdown voltage.
低電位基準回路と高電位基準回路とを混載させた半導体装置であって，低電位基準回路と高電位基準回路との間でレベルシフトを行うことができ，コンパクトであるとともに耐圧に優れた半導体装置を提供すること。 - 特許庁 - PMOS transistors P1-P7 as reference potential side switches are used for switching a path between a reference potential terminal Vref and a reference potential side resistor R1 such that all potentials to be applied to PMOS transistors P1-P7 are the reference potential and common.
基準電位側スイッチたるＰＭＯＳトランジスタＰ１〜Ｐ７は，基準電位端子Ｖｒｅｆと基準電位側抵抗Ｒ１との間の経路を切り替えるために用いられるため，ＰＭＯＳトランジスタＰ１〜Ｐ７に印加される電位は，すべて基準電位で共通である。 - 特許庁 - A DRAM 1 is a semiconductor memory device in which read-out of data is performed by comparison of a potential of a memory cell and a reference potential of a reference cell, and the device is provided with capacitors 22, 32 and capacitors 82, 92, and a potential line 18 supplying the reference potential to the reference cell.
ＤＲＡＭ１は、メモリセルの電位とリファレンスセルの参照電位との比較によりデータの読出しが行われる半導体記憶装置であって、キャパシタ２２、３２、およびキャパシタ８２、９２、リファレンスセルに参照電位を供給する電位線１８を備えている。 - 特許庁 - The potential measuring apparatus has a potential measuring probe 3, an induced charge detector 5, a reference potential controller 10, a target potential difference detector 13, a switch 14, and a potential measurement signal generator 11.
電位測定装置は、電位測定プローブ3と誘導電荷検出器5と基準電位制御器10と目標電位差分検出器13と切替器14と電位測定信号発生器11を有する。 - 特許庁 - A bandgap reference circuit 30 inputs a reference potential trimming signal RTM and generates a first temperature dependent potential VTEMPM depending on temperature, while generating a reference potential REF utilizing properties of P-N junction diode.
バンドギャップリファレンス回路３０は、基準電位トリミング信号RTMを入力し、PN接合ダイオード特性を利用して基準電位REFを生成すると共に、温度に依存した第１の温度依存電位VTEMPMを生成する。 - 特許庁 - Therefore, in normal operation in the SSTL mode, the reference potential VREF0 is a voltage generated by the reference potential generating circuit, and the reference potential VREF is 1.5 V supplied to the pad PAD1.
従って、ＳＳＴＬモードにおける通常動作では、基準電位ＶＲＥＦ０は基準電位発生回路が発生した電圧、基準電位ＶＲＥＦはパッドＰＡＤ１に供給された１．５Ｖとなる。 - 特許庁 - At this time, the current path of the reference potential 17 becomes short by grounding directly the reference potential 17 to the metal chassis and the reference potential becomes constant and the interference electromagnetic waves to be radiated from the data drivers 2 are suppressed.
ことで、基準電位１７を直接金属シャーシに接地することで基準電位の電流経路が短くなり、基準電位が安定し、データドライバ２より放射される妨害電磁波を抑制できる。 - 特許庁 - Thus, the output of a reference potential generating part 20 is drawn through an NMOS54 to a node N3, and a reference potential REF is decreased to the same potential as a control voltage VC.
このため、基準電位発生部２０の出力はＮＭＯＳ５４を介してノードＮ３に引き込まれ、基準電位ＲＥＦは制御電圧ＶＣと同電位まで低下する。 - 特許庁 - A read-out potential of a bit line is indirectly grasped from a result of differential amplification by operating a reference potential by this reference potential setting circuit block 150.
この参照電位設定回路ブロック１５０により参照電位を操作することにより、差動増幅の結果からビット線読み出し電位を間接的に把握する。 - 特許庁 - A potential detecting section 51 generates a reference potential lower than a power source potential of 3.3 V by 1.5 V, and detects the interruption of a power source by comparing potentials of power source wiring of 1.5 V group with the reference potential.
電位検知部５１は、３．３Ｖの電源電位から１．５Ｖより低い参照電位Ｖｒｅｆを発生し、１．５Ｖ系の電源配線の電位と比較することにより電源断を検出する。 - 特許庁 - Electric-potential difference VBC at two middle points B and C of the bridge circuit is compared to electric- potential differences VCE and VBE between the electric potential at the middle points B and C and a reference electric-potential of the reference electric- potential generating circuit 2, for judging the disorder of the bridge circuit.
ブリッジ回路の２つの中点Ｂ、Ｃにおける電位差Ｖ_BCと、中点Ｂ、Ｃにおける電位と基準電位発生回路２の基準電位との電位差Ｖ_CE、Ｖ_BEとを比較することにより、ブリッジ回路の故障判定をする。 - 特許庁 - A reference voltage source generates first reference voltage being higher than a ground potential by VREF.
基準電圧源は、接地電位よりもＶＲＥＦだけ高い、第１の基準電圧を生成する。 - 特許庁 - To easily generate a stable reference potential.
安定した参照電位を容易に発生させることを可能とすること。 - 特許庁 - REFERENCE POTENTIAL GENERATING CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE PROVIDED WITH THE CIRCUIT
基準電位発生回路及びそれを備えた半導体記憶装置 - 特許庁 - REFERENCE POTENTIAL GENERATING CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT USING THE SAME
基準電位発生回路とそれを用いた半導体集積回路 - 特許庁 - To shorten a period of test to be performed using reference potential.
参照電位を用いて実行されるテストの時間を短縮化する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory comprising a reference potential generating circuit which can generate a stable reference potential at the time of a test mode.
テストモード時に安定した基準電位を発生することが可能な基準電位発生回路を含む半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - Then, a reference potential of the pixel signal outputted by the transistor 42 and a reference potential of the ramp signal outputted by the reference voltage circuit 26 are at a same level.
そして、トランジスタ４２が出力する画素信号の基準電位と、参照電圧回路２６が出力するランプ信号の基準電位とが同一のレベルである。 - 特許庁 - The potential generation part 25 obtains a desired reference potential by storing predetermined charges.
電位生成部２５は、予め定めた電荷を蓄積することで、所望のリファレンス電位を得ることができる。 - 特許庁 - The potential of a row wiring and the output potential of a reference voltage source 12 are inputted to an error amplifier 13.
エラーアンプ１３には列配線の電位と基準電圧源１２の出力電位とが入力される。 - 特許庁 - Potential of a reference toner image transferred on a transfer member 205 is detected by a potential detection means 207.
転写部材２０５上に転写させた基準トナー像の電位を、電位検知手段２０７で検知する。 - 特許庁 - Even in cases connected to either of the sensors, a comparator 4 compares the electric potential of the specific point A with the reference electric potential and will output the first level signal, when the electric potential of the specific point A is higher than the reference electric potential, and the second level signal is output, when the electric potential of the specific point A is lower than the reference electric potential.
どちらのセンサに接続された場合も、比較器４は特定点Ａの電位を基準電位と比較して、特定点Ａの電位が基準電位よりも高いときに第１のレベルの信号を、特定点Ａの電位が基準電位よりも低いときに第２のレベルの信号を出力する。 - 特許庁 - In this coordinate input device, when inputting the coordinates, a transparent electrode 101 receives a coordinate signal outputted by a coordinate signal drive circuit 116 for a row having a reference potential of the same potential as a prescribed reference potential from the other end in a state that a potential of one end is set to be equal to the prescribed reference potential.
座標を入力する際は、透明電極１０１は、一方の端の電位を所定の基準電位と等しくした状態で、他方の端から基準電位が所定の基準電位と同電位である行用座標信号駆動回路１１６が出力する座標信号を受信する。 - 特許庁 - A potential difference detecting circuit 13 detects the potential difference between a reference voltage VREF and an internal step-down power supply voltage VINT and amplifies that potential difference.
電位差検出回路１３は、参照電圧（VREF）と内部降圧電源電圧（VINT）との電位差を検出し、その電位差を増幅する。 - 特許庁 - In the first area 24a of the reference potential wiring 24, a first reference potential terminal 8 passing through a frame 15 and a cover 17 is disposed; and in the second area 24b of the reference potential wiring 24, a second reference potential terminal 9 passing through the frame 15 and the cover 17 is disposed.
基準電位配線２４の第１領域２４ａには、枠部１５および蓋部１７を貫通する第１基準電位端子８が配置され、基準電位配線２４の第２領域２４ｂには、枠部１５および蓋部１７を貫通する第２基準電位端子９が配置されている。 - 特許庁 - The target potential difference detector 13 outputs a second signal for indicating a difference between the reference potential and a target potential corresponding to a predicted surface potential in the measurement region 2.
目標電位差分検出器13は、測定領域2の予測表面電位に対応する目標電位と基準電位の差を表す第2の信号を出力する。 - 特許庁 - The frame 41 is a conductor, and works as a reference electrode with a reference potential which serves as a reference for discharging with respect to the discharge needle.
フレーム４１は、導体であって、放電針に対する放電の基準となる基準電位を有する基準電極である。 - 特許庁 - In a first layer 50a, a first signal line 50c and a reference potential part 50d electrically connected to a reference potential are formed.
第１の層５０ａは、第１の信号線５０ｃと、基準電位に電気的に接続された基準電位部５０ｄとが形成されている。 - 特許庁 - In the course of the threshold correction processing, reference potential written to a gate electrode of a driving transistor is switched from a first reference potential Vofs1 to a second reference potential Vofs2 lower than the first one.
閾値補正処理を行っている途中で駆動トランジスタのゲート電極に書き込む基準電位を第１基準電位Ｖｏｆｓ１からそれよりも低い第２基準電位Ｖｏｆｓ２に切り替えるようにする。 - 特許庁 - The displacement current is therefore suppressed at both the low-potential reference circuit unit LV and high-potential reference circuit unit HV.
したがって、低電位基準回路部ＬＶと高電位基準回路部ＨＶの双方において変位電流を抑制することが可能となる。 - 特許庁 - REFERENCE POTENTIAL STABILIZER FOR MEASURING BIOELECTRIC SIGNAL AND ELECTROMYOGRAPH
生体電気信号計測の基準電位安定化装置および筋電計 - 特許庁 - To improve a reference potential generating circuit for use in a calibration circuit.
キャリブレーション回路に用いる基準電位生成回路を改良する。 - 特許庁
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