「reference potential」を含む例文一覧(1430)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 28 29 次へ＞- To provide a reference voltage generation circuit in which it is prevented that output reference voltage is made a high potential in a reset period.
リセット期間において，出力基準電圧が高い電位になることを防止した基準電圧生成回路を提供する。 - 特許庁 - The shield member 4 has a reference terminal 4a to be connected to a reference potential line to shield the assembly part 6.
また、シールド部材４は、基準電位線に接続されるように設けられた基準端子４ａを有しアセンブリ部６をシールドする。 - 特許庁 - A comparator 107 measures the potential of the resistor means on the logical circuit 101 side in the nonconductive state of the switch means and compares with the reference potential, judges that the logical circuit 101 has a leak if the measured potential is smaller than the predetermined reference potential, and judges that the logical circuit 101 has no leak if the measured potential is larger.
比較器１０５は、スイッチ手段１０１が非導通の状態で抵抗手段１０８の論理回路１０１側の電位を測定して基準電位と比較し、測定した電位がある定められた基準電位より小さければ論理回路１０１にリークがあるとし、大きければリークがないと判定する。 - 特許庁 - Therefore, the internal circuit of the DRAM will not produce errors, even if the external reference potential VR2 becomes lower than the threshold potential.
したがって、外部基準電位ＶＲ２がしきい値電位よりも低下した場合でも、ＤＲＡＭの内部回路が誤動作することがない。 - 特許庁 - A ground fault phase is detected using a neutral potential of three-phase transmission line to be monitored and each potential of three phases of reference distribution line.
監視対象の三相送電線の中性点電位と、基準配電線の三相の電位を用いて、地絡事故相を検出する。 - 特許庁 - When an external potential VDDI becomes lower than the reference potential VX, the power source sensor circuit 120 turns on a second current source 124.
外部電位ＶＤＤＩが基準電位ＶＸよりも低くなると、電源センサ回路１２０は第２電流源１２４をオンする。 - 特許庁 - At this time, an adjustment amount of the internal clock signal DCLK per adjustment changes when the detection potential is higher than the reference potential.
このとき、検出電位が基準電位よりも大きいときには内部クロック信号ＤＣＬＫの１回あたりの調整量が変化する。 - 特許庁 - The conductive platen 22 has conductivity and it is connected with a grounded potential holding part 24 and held at a reference potential 0V.
導電性プラテン２２は、導電性を有し、接地された電位保持部２４と接続されることにより基準電位０Ｖに保持されている。 - 特許庁 - A plurality of thermal vias 8 are formed in the copper core 3, and the copper core 3 is connected to a reference potential (ground potential) VSS.
銅コア３には、ビア状の複数のサーマルビア８が形成されており、該銅コア３は、基準電位（グランド電位）ＶＳＳに接続されている。 - 特許庁 - The lighting circuit 5 impresses a positive rectangular wave voltage on the inner electrode 1 with the potential of the outer electrode 2a as the reference potential (OV).
点灯回路５は、外部電極２ａの電位を基準電位（０Ｖ）として、正の矩形波電圧を内部電極１に印加する。 - 特許庁 - When a potential of the point A is lowered more than a reference potential Vref, a transistor Q1 connected to a word line potential VWD is turned off, a transistor Q2 is turned on, and a potential VWO of a word line WL1 is lowered.
Ａ点の電位が基準電位Ｖｒｅｆよりも低下すると、ワード線電位ＶＷＤに接続されたトランジスタＱ１がオフ、トランジスタＱ２がオンしてワード線ＷＬ１の電位ＶＷＯを低下させる。 - 特許庁 - Further, a reference electrode 13 is connected to the potential controller 11, and the potential controller 11 retains the electric potential of the bar screen 6 to the one capable of corrosion prevention based on the electric potential detected by the referential electrode 13.
また、電位制御装置１１には基準電極１３が接続され、電位制御装置１１は、基準電極１３によって検知される電位に基づいて、バースクリーン６の電位を防食可能な電位に保持する。 - 特許庁 - To make a potential difference hardly generated between the power source potential of reference potential Vofs and signal line potential during an overlapping period of the conduction state of a switching transistor for Vofs and the conduction state of a writing transistor.
Ｖｏｆｓ用のスイッチングトランジスタの導通状態と書込みトランジスタの導通状態とのオーバーラップ期間において、基準電位Ｖｏｆｓの電源電位と信号線電位との間に電位差が生じないようにする。 - 特許庁 - A high-potential voltage reference circuit section HV and a low-potential reference circuit section LV are formed on first and second substrates 1, 2, respectively, for bonding and integrating.
高電位基準回路部ＨＶと低電位基準回路部ＬＶとを第１、第２の基板１、２という別々の基板に形成し、これらを互いに貼り合せることで一体化する。 - 特許庁 - Values of the three resistors 7 to 9 are selected such that the internally divided voltage is within a range between reference electric power supply potential VC2 and reference ground potential VG2 of the ECU 3.
内分された電圧は、ＥＣＵ３の基準電源電位ＶＣ２と基準グランド電位ＶＧ２との間の電圧範囲内となるように三つの抵抗器７〜９の値が選択される。 - 特許庁 - A zero-cross detection part 11 detects a positive cross point on which a voltage of an electric device crosses a reference potential in a negative-to-positive direction or a negative cross point on which the voltage crosses the reference potential in a positive-to-negative direction.
ゼロクロス検出部１１は、電気機器の電圧が負から正に基準電位を横切る正クロス点、または、正から負に基準電位を横切る負クロス点を検出する。 - 特許庁 - A regulator circuit 14 generates a center potential VC using the level VSS as a reference while referring to a reference potential level Vref and adjusting the level VOUT.
レギュレータ回路１４は、接地レベルＶＳＳを基準に、参照電位レベルＶｒｅｆを参照し、第１の昇圧電位レベルＶＯＵＴを調整したセンター電位ＶＣを生成する。 - 特許庁 - A plurality of lead wires 6 are connected to respective reference potential terminals 5a and respective contact terminals 5; thus, the two lead wires 6 and 13 are connected to the reference potential terminal 5a.
また、複数本のリード線６はそれぞれ基準電位端子５ａ及び各接点端子５とに接続しているため、基準電位端子５ａには２本のリード線６、１３が接続されている。 - 特許庁 - Accordingly, a part below the low-potential reference circuit LV and a part below the high-potential reference circuit HV among the support substrate 2 are brought into states of being insulated by an insulation member 30.
これにより、支持基板２のうち低電位基準回路部ＬＶの下の部分と高電位基準回路部ＨＶの下の部分とが絶縁部材３０にて絶縁された状態となる。 - 特許庁 - Accordingly, a part below the low-potential reference circuit part LV and a part below the high-potential reference circuit part HV among the support substrate 2 are brought into a state insulated by an insulation member 30.
これにより、支持基板２のうち低電位基準回路部ＬＶの下の部分と高電位基準回路部ＨＶの下の部分とが絶縁部材３０にて絶縁された状態となる。 - 特許庁 - Each variable capacitance unit 23 includes a variable capacitance element 31, a control terminal 41 for applying a control potential to the variable capacitance element 31, and a reference potential terminal 43 for applying a reference potential to the variable capacitance element 31.
各可変容量ユニット２３は、可変容量素子３１と、可変容量素子３１に制御電位を印加する制御端子４１と、可変容量素子３１に基準電位を印加する基準電位端子４３とを有している。 - 特許庁 - To realize a reference electrode at a low cost which is used for reference to a reference potential of a chemical sensor of potential-measuring type including an ion-selective electrode, an enzyme electrode, etc., which produce a stable potential for a long period, and of a detector etc., for an immuno- analyzer using electrochemiluminescence.
長期間安定な電位を発生するイオン選択電極，酵素電極等の電位計測型の化学センサー及び電気化学発光を利用した免疫分析装置用検出器等の基準電位参照用として用いられる比較電極を安価に提供する。 - 特許庁 - The multilayered circuit board has a signal via 110 connecting the second signal pad to the first wiring, and a plurality of reference potential vias 112, connecting the second reference potential pad to the third wiring, and the signal via is enclosed by a plurality of the reference potential vias.
多層回路基板は、第２信号用パッドと第１配線とを接続する信号用ヴィア１１０と、第２基準電位用パッドと第３配線とを接続する複数の基準電位用ヴィア１１２とを有し、信号用ヴィアは複数の基準電位用ヴィアにより囲まれている。 - 特許庁 - The biomedical electrode is a myoelectric potential measurement electrode 1 including: a pair of detection electrodes 7, 9 brought into contact with a living body to detect a bioelectric potential; and a reference electrode 11, brought into contact with the living body, for setting a reference potential compared with the potential detected by the detection electrodes 7, 9.
生体に接触させて生体電位を検出する一対の検出電極７、９と、生体に接触させるとともに検出電極７、９で検出される電位と対比する基準電位を設定するための基準電極１１と、を備えた筋電位測定電極１である。 - 特許庁 - A part of a fuel cell oxygen electrode 21 is used as a detecting piece 41 insulated from the surrounding oxygen electrode 21, the potential of a collecting member 32 brought into contact with the oxygen electrode is set as a reference potential, and a voltmeter 5 to measure a potential difference between the reference potential and the detecting piece 41 is provided.
燃料電池酸素極２１の一部を周囲の酸素極２１から絶縁された検出片４１とし、酸素極に接触する集電部材３２の電位を基準電位として、検出片４１の電位との電位差を計測する電圧計５を設ける。 - 特許庁 - The evaluation method of an electrode has a feature having a potential measuring process immersing an electrode and a reference electrode in electrolyte solution and measuring potential of the electrode against the reference electrode, and an evaluation process evaluating its electrode by comparing the measured electrode potential and a given potential.
電極及び参照電極を電解液内に浸漬しその電極の参照電極に対する電位を測定する電位測定工程と、測定した該電極の電位を所定電位と比較することでその電極を評価する評価工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁 - The current sources 1 and 2 cause a reference current Iref to flow to a side of a low-potential side power source VSS on the basis of a reference voltage supplied from a band gap reference circuit 4.
電流源１及び２はバンドギャップリファレンス回路４から供給される基準電圧に基づいて基準電流Ｉｒｅｆを低電位側電源ＶＳＳ側に流す。 - 特許庁 - The IC 15 has the cathode terminal C, an anode terminal A connected to reference potential (GND) and a reference terminal R to which reference voltage Vref is impressed.
シャントレギュレータＩＣ１５は、カソード端子Ｃとともに、ＧＮＤ（基準電位）に接続されるアノード端子Ａおよび基準電圧Ｖrefが印加されるリファレンス端子Ｒを有する。 - 特許庁 - The reference potential Vb is a potential minimizing a pre-charge output potential in the case of 0 gradation display (black display) of a pixel 100, namely, a current flowing through a P^type transistor T35.
基準電位Ｖｂは、画素１００が０階調表示（黒表示）を行う場合のプリチャージ出力電位、即ちＰ型トランジスタＴ３５に流れる電流が最も小さくなる電位とする。 - 特許庁 - A positive potential generator 41 sets a potential of a positive electrode output terminal T_21 to a potential corresponding to a value obtained by adding the first signal S_43 to a reference voltage signal S_21.
正電位生成回路４１は、正極出力端子Ｔ２１の電位を第１の電圧信号Ｓ４３と基準電圧信号Ｓ２１とを加算した値に対応する電位にする。 - 特許庁 - The reference potential Vb is a potential minimizing a precharge output potential in the case of 0 gradation display (black display) of a pixel 100, namely, a current flowing to a P-type transistor T35.
基準電位Ｖｂは、画素１００が０階調表示（黒表示）を行う場合のプリチャージ出力電位、即ちＰ型トランジスタＴ３５に流れる電流が最も小さくなる電位とする。 - 特許庁 - An input terminal of a selector SA1 is connected to a minus electrode of the battery cell B6 so that potential equal to reference potential VSS1 of the low potential measuring LSI chip 20 is applied.
低電位計測ＬＳＩチップ２０の基準電位ＶＳＳ１に等しい電位が与えられるように、セレクタＳＡ１の入力端子がバッテリセルＢ６のマイナス電極に接続される。 - 特許庁 - A bit line potential selecting means for applying a write-in potential to the bit line of an electric charges accumulating side and applying a ground potential to the bit line of the other side is provided on a memory cell being adjacent to the reference cell.
レファレンスセルに隣接するメモリセルに対して、電荷蓄積側のビット線に書込み電位、他方のビット線に接地電位を印加するためのビット線電位選択手段を設ける。 - 特許庁 - In a comparator circuit 4, the potential held in the potential holding circuit 3 is compared with reference potential, whether it is a squelch state or a non-squelch state is decided, and its result is outputted as a detection signal.
比較回路４では、電位保持回路３で保持された電位と基準電位とを比較しスケルチ状態か非スケルチ状態かを判定し、その結果を検出信号として出力する。 - 特許庁 - A multi-value potential generating circuit 18, making the grounding level VSS serve as the reference, generates potential levels V2, V1, MV1 and MV2 from a potential difference between the potential level V3 and the center potential VC, and supplies them to a panel of the liquid crystal device driven for display by an MLS drive method.
多値電位生成回路１８は、接地レベルＶＳＳを基準として、電位レベルＶ３とセンター電位ＶＣとの電位差から電位レベルＶ２、Ｖ１、ＭＶ１、ＭＶ２を生成し、ＭＬＳ駆動法により表示駆動される液晶装置のパネルに供給する。 - 特許庁 - A reference potential V_ref is input to the reference terminal 23, and a resistor R and a capacitor C are added to the wiring line 24.
参照端子２３には参照電位Ｖ_ｒｅｆが入力され、配線２４には抵抗Ｒ及び容量Ｃが付加されている。 - 特許庁 - Reference potential to be a reference of the light emitting quantity of each light emitting element is corrected on the basis of the detection result of the sensor 30.
各発光素子１４の発光量の基準となる基準電位はセンサ３０による検出の結果に基づいて補正される。 - 特許庁 - And then, the reference electrostatic latent image is formed by superposing the beams from the LD1 and the LD2, the surface potential of the reference electrostatic image is detected.
そして、ＬＤ１、ＬＤ２のビームを重ねた基準静電潜像を形成し、その基準静電潜像の表面電位を検知する。 - 特許庁 - A capacitor 61 is connected between the base of a bias supply transistor 41 and a reference potential.
バイアス供給用トランジスタ４１のベースと基準電位との間にキャパシタ６１を接続する。 - 特許庁 - Then, a predetermined terminal as a reference potential is selected in the case of performing circuit analysis (S804).
次いで、回路解析をする際に基準電位となる所定の端子を選択する（Ｓ８０４）。 - 特許庁 - This memory cell array 1 is provided with an auxiliary cell array 2 used for adjusting a reference potential.
このメモリセルアレイ１に対して、参照電位調整に用いられる補助セルアレイ２が設けられる。 - 特許庁 - The conductive case 24 is connected directly to the reference potential (GND) in the high-frequency circuit.
またケース２４は、高周波回路内で直接的に基準電位（ＧＮＤ）に接続されている。 - 特許庁 - A sense amplifier column 50 comprising a plurality of sense amplifiers shares a reference potential generating circuit 60.
複数のセンスアンプを含むセンスアンプ列５０が参照電位発生回路６０を共有する。 - 特許庁 - The input signal determination part 116 compares an input signal VIN and a reference potential Vref.
入力信号判定部１１６は、入力信号ＶＩＮと参照電位Ｖｒｅｆを比較する。 - 特許庁 - The variable voltage range of a reference electric potential is made to be changed during a same horizontal synchronization period.
基準電位の可変電圧範囲を同一の水平同期期間中に変更するようにする。 - 特許庁 - The reference potential pad 54 and a conductive layer 27 are electrically connected through a connection wire 55.
基準電位パッド５４と導電性膜２７とは、接続ワイヤ５５で電気的に接続されている。 - 特許庁 - The wiring patterns 7a and 7b are connected to a reference potential Vref through a load resistance RL.
配線パターン７ａ，７ｂは負荷抵抗ＲＬ を経て基準電位Ｖｒｅｆ に接続される。 - 特許庁 - Response time can be shortened by restricting the output equal to or below the reference potential.
出力を基準電位以下に制限することにより、応答時間を短縮することができる。 - 特許庁 - A comparison circuit 17 compares a voltage of a reflected signal with the reference potential to obtain difference between them.
比較回路１７は、反射信号の電圧値と基準電位とを比較して電位差を求める。 - 特許庁 - The lower end edge part of the case 4 is folded inward to form a reference potential contact piece 42.
ケース４の下端縁部分を内部側に折り曲げて基準電位接触片４２を形成する。 - 特許庁
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