used in or connected with a sacrifice 犠牲に関わるまたはそれに使用される - 日本語WordNet
love of country and willingness to sacrifice for it
国を愛すること、またそのために進んで犠牲になること - 日本語WordNet
socialism achieved by voluntary sacrifice 自発的な犠牲で達成される社会主義 - 日本語WordNet
a tyrannical power to be propitiated by human subservience or sacrifice 人を従わせ、犠牲にすることで気を鎮める暴君 - 日本語WordNet
he had to sell his car at a considerable sacrifice 彼は自分の車をかなり投げ売りしなければならなかった - 日本語WordNet
to sacrifice something small in order to save something great 小の虫を殺して大の虫を生かす - JMdict
to sacrifice something small in order to save something great 小の虫を殺して大の虫を助ける - JMdict
sacrifice something small in order to save something great 大の虫を生かして小の虫を殺す - JMdict
sacrifice something small in order to save something great 大の虫を生かして小の虫を殺せ - JMdict
He achieved his success at great sacrifice. 彼は多大な犠牲を払って成功を勝ち得た - Eゲイト英和辞典
kill a lamb as a sacrifice to God 神へのいけにえとして子羊を殺す - Eゲイト英和辞典
I won't sacrifice my family life for wealth. 家庭生活を犠牲にしてまで富を得たいとは思わない - Eゲイト英和辞典
He hit a sacrifice fly in the first inning. 彼は初回に犠牲フライを打った。 - 旅行・ビジネス英会話翻訳例文
Please sacrifice stress once in a while. たまにはストレス発散をしてください。 - 旅行・ビジネス英会話翻訳例文
I thought I could understand things like sacrifice. 私は犠牲といったことが分かると思った。 - 旅行・ビジネス英会話翻訳例文
Born in Mexico, Sergeant Weston is a fine example of self-sacrifice. メキシコ生まれのウエストン軍曹は自己犠牲の模範だ。 - 旅行・ビジネス英会話翻訳例文
Your sacrifice for the team is much appreciated. チームへの貢献が高く評価されています。 - 旅行・ビジネス英会話翻訳例文
(2) The sacrifice member 40 is conducted with the separator 18. (2)犠牲部材40はセパレータ18と導通する。 - 特許庁
The contact probe is formed on the sacrifice layer 8. 犠牲層8上にコンタクトプローブを形成する - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR INSPECTING SACRIFICE ANODE 犠牲陽極の検査方法及び検査装置 - 特許庁
Then the HEMT is covered to form a sacrifice layer 15. 次に、HEMTを覆って犠牲層15を形成する。 - 特許庁
Then, the sacrifice nitride film 105 is removed. 次に、犠牲窒化膜105を除去する。 - 特許庁
A crust part of the sacrifice film G is melted (Fig.7(d)). 犠牲膜Gの表層部を溶解させる(図7(d))。 - 特許庁
who had an interest in her death, to the sacrifice 一族はアウダにいけにえとして死んでもらいたかった。 - JULES VERNE『80日間世界一周』
Upon manufacture, a sacrifice layer 8 is formed on the organic material layer 4, and a photoresist 9 is formed on the sacrifice layer 8. 作製にあたり、有機材料層4上に犠牲層8が形成され、その犠牲層8の上にフォトレジスト9が形成される。 - 特許庁
Then, the sacrifice film 105 is selectively etched, thereby forming a trench pattern 105a in the sacrifice film 105. その後、犠牲膜105を選択的にエッチングすることにより犠牲膜105にトレンチパターン105aを形成する。 - 特許庁
The sacrifice film is etched through the trench having the buffer layer on the trench sidewall to remove at least a part of the sacrifice film in the via hall. トレンチ側壁にバッファー層を有するトレンチを通じて犠牲膜を食刻して犠牲膜の少なくとも一部分をビアホールで除去する。 - 特許庁
After a fixed electrode 5 is formed through a sacrifice layer, the sacrifice layer is removed to form an air gap 21 between the fixed electrode 5 and a movable electrode 4. 本発明は、犠牲層を介して固定電極5を作成した後、犠牲層を除去して可動電極4との間の空隙21を作成する。 - 特許庁
After the sacrifice layer part under the probe is removed, the probe is separated from the holding part while the sacrifice layer part under the holding part remains. プローブ下の犠牲層部分が除去された後、保持部下の犠牲層部分が残る間に、プローブを保持部から分離する。 - 特許庁
Then, the metal sacrifice layer is removed by the supply of a metal etching liquid to the metal sacrifice layer. そして、金属犠牲層に金属エッチング液が供給されることにより、金属犠牲層が除去される。 - 特許庁
A lower thin film 5 having a lower through hole 12 is formed on the lower sacrifice layer 30, and an upper sacrifice layer 34 is formed on the lower thin film 5. 下部犠牲層30の上には、下貫通孔12を有する下薄膜5が形成され、下薄膜5の上には、上部犠牲層34が形成される。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of raising etching rate of a sacrifice layer by further raising a modification degree of the sacrifice layer. 犠牲層の改質度をさらに上げて、犠牲層のエッチングレートを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
Sacrifice layer material is deposited from the oblique direction with the substrate 1 rotating about an axis vertical to the substrate 1 to form a sacrifice layer 7. シリコン基板1に垂直な軸で、シリコン基板1を回転させながら斜め方向から犠牲層材料を蒸着し、犠牲層7を成膜する。 - 特許庁
A sacrifice film 13 is formed on the silicon oxide film 11, and the sacrifice film and the silicon oxide film 11 are planarized. シリコン酸化膜11上に犠牲膜13を形成し、犠牲膜とシリコン酸化膜11を平坦化する。 - 特許庁
The top silicon layer is arranged on the buried sacrifice layer, and the buried sacrifice layer is arranged on the base silicon layer. トップシリコン層は埋め込み型犠牲層の上に配置されており、埋め込み型犠牲層はベースシリコン層の上に配置されている。 - 特許庁
After the sacrifice layer 15 is melted, the molten sacrifice layer 15 is discharged outside through the slit 12. 次に、犠牲層15を溶解した後、溶解された犠牲層15を、スリット12を介して外部に排出する。 - 特許庁
After the film thickness of a sacrifice layer 15 is increased by the reaction of materials, this sacrifice layer 15 is removed and an opening for the ink passage is formed. 本発明は、材料の反応により犠牲層15の膜厚を増大させた後、この犠牲層14を除去してインク流路の空隙を形成する。 - 特許庁
To provide a crack detector of a sacrifice test piece capable of more simply monitoring the crack generated in the sacrifice test piece. 犠牲試験片に発生するき裂をより簡単にモニタリングできる犠牲試験片のき裂検出装置を提供すること。 - 特許庁
The inclined shape of the sacrifice layer with the terminal of the oxidized surface of the sacrifice layer as a starting point is then formed by side etching. そして、酸化した犠牲層表面の端部を起点とした犠牲層の傾斜形状をサイドエッチングにより形成する。 - 特許庁
With this, a side etching at a priming layer of a conductor hardly occurs at the time of peeling of the sacrifice layer, as a material for the sacrifice layer 2 is to be of a resin system. これによって、犠性層2の材料を樹脂系としたため、犠牲層を剥離する際に導体の下地層のサイドエッチングが生じ難い。 - 特許庁
Upon forming the surface protective film, the surface protective film so fills the sacrifice delamination pattern as to have a vacancy inside the sacrifice delamination pattern. ここで、表面保護膜を形成する際には、表面保護膜は犠牲剥離パターンの内部に空孔部を有するように犠牲剥離パターン内を埋め込む。 - 特許庁