「surface layer current」を含む例文一覧(694)
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 次へ＞- In the field-effect transistor, electric charges can be implanted into an interface between the gate insulating layer 1 and organic semiconductor layer 2 by applying the pressure acting in its surface direction (in a horizontal direction) to the gate insulating layer 1, so that a current between a drain electrode 3 and a source electrode 4 is controlled.
電界効果トランジスタは、ゲート絶縁層１にその面方向（水平方向）に作用する圧力を印加することによりゲート絶縁層１と有機半導体層２との界面に電荷を注入することができるので、これによってドレイン電極３及びソース電極４間の電流が制御される。 - 特許庁 - To prevent migration of copper in a copper wiring from an interface between a barrier metal layer and a nitride layer to an interlayer insulating film and thus to prevent the occurrence of a leak current and a short circuit between neighboring wirings, by simply covering the upper surface of the copper wiring formed in a wiring trench via a barrier metal layer with a nitride film.
配線溝の内部にバリアメタル層を介して形成した銅配線の上面に窒化膜を単に被覆した構成では、バリアメタル層と窒化膜との界面より層間絶縁膜方向に移動しようとする銅配線中の銅の移動を阻止し、リーク電流を発生および隣接する銅配線との短絡を防止する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a hetero-junction bipolar transistor improving a current gain β as HBT characteristics by preventing the damage of the surface of a base layer by an H_2 gas flow made to flow for preventing the formation of a transition layer (the layer composed of InGaPAs) on the interface of GaAs base/InGaP emitter.
ＧａＡｓベース／ＩｎＧａＰエミッタ界面において、遷移層（ＩｎＧａＰＡｓからなる層）の形成を防止するために流すＨ_2ガスフローがベース層の表面を傷めるのを防止して、ＨＢＴ特性である電流利得βを向上させるヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - An injection current is supplied in the extent at which the semiconductor laser element is not excited, light wave is turned toward a recording layer of the optical recording medium from the surface emitting semiconductor laser element, and a plurality of beam spots are formed, and this recording layer is retrieved by that the beam spots plot loci being not overlapped on the recording layer.
半導体レーザ素子が励起されない程度に注入電流が供給されて表面発光半導体レーザ素子から光記録媒体の記録層に光波を向けて複数のビームスポットを形成され、ビームスポットが記録層上で重なり合わない軌跡を描いてこの記録層が検索される。 - 特許庁 - In the negative electrode for non-aqueous electrolytic solution secondary battery, a first covering layer containing tin, tin alloy, aluminum, or aluminum alloy is formed on the current collector surface and a second covering layer containing a metal that has low formation ability of lithium compound is formed on the top of it.
集電体表面に、スズ、スズ合金、アルミニウム又はアルミニウム合金を含む第１被覆層が形成され、その上に、リチウム化合物の形成能の低い金属を含む第２被覆層が形成されていることを特徴とする非水電解液二次電池用負極。 - 特許庁 - To provide the interlayer connection hole of a printed wiring board such that a plating layer formed on the inner surface of the interlayer connection hole is large in cross section and a large current can be supplied to a circuit layer, and to provide a method of making the interlayer connection hole.
この発明は、層間接続穴の内面に形成されるメッキ層の断面積が大きく、回路層に対し大電流を通電することができるプリント配線板の層間接続穴及びその層間接続穴の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁 - A second semiconductor laser element 20 via an electrode 8 for a wiring and a metallic wire 35, or the like, via a pad electrode 6 are jointed on the surface of the current blocking layer 5 (a region 5b) that corresponds to the region, forming at least the adherence layer 30.
そして、少なくとも密着層３０が形成された領域に対応する電流ブロック層５（領域５ｂ）の表面上に、配線用電極８を介して第２半導体レーザ素子２０や、パッド電極６を介して金属線３５などが接合される。 - 特許庁 - In the electrode for a battery provided with a current collector, and an active material layer containing active material formed on the surface of the collector, a low-density area with comparatively low density and a high-density area with comparatively high density are made to exist in the active material layer.
集電体と、前記集電体の表面に形成された、活物質を含む活物質層と、を有する電池用電極において、活物質層に、比較的密度の小さい低密度領域と、比較的密度の大きい高密度領域とを存在させる。 - 特許庁 - Voltage is applied to the exposed conductive layer 116 and the electrolyte 126 for allowing a current to flow through an electrochemical cell, thus removing a copper ion from the electrolyte or the anode, and depositing copper onto a cathode surface, namely the conductive layer 116.
露呈された導体層１１６と電解質１２６に電圧を引加して電流が電気化学的セルを通じて流れ、その結果、電解質から、又は、陽極から銅イオンが取り除かれ、陰極表面、すなわち、導電層１１６上に銅が堆積される。 - 特許庁 - An N+ diffused layer 15, an N well 14, and a deep N-well 15 are formed in a position deeper than a shallow trench isolation region as an emitter diffused layer so that the discharge current of a bipolar transistor of a static protective element flows mainly vertically to the substrate surface.
静電保護素子のバイポーラトランジスタの放電電流が主に基板表面に対して縦方向となるように、シャロートレンチ分離体１６よりも深い位置に、エミッタ拡散層として、Ｎ^+拡散層１５、Ｎウエル１４及び深いＮウエル１１を形成する。 - 特許庁 - This can reduce the resistance of a current path by a secondary electron gas 8 generated near a contact surface with the AlGaN layer 4 in the GaN layer 3, and resistance between a drain and a source by the reduction of the resistance of the current path between the respective electrodes 5, 6 and the secondary electron gas 8, thereby making compatible the high breakdown strength and the low on-resistance.
これにより、ＧａＮ層３におけるＡｌＧａＮ層４との接触面付近に発生する２次元電子ガス８による電流経路の低抵抗化と、各電極５、６と２次元電子ガス８との間の電流経路の低抵抗化によりドレイン・ソース間抵抗を低減でき、高耐圧化と低オン抵抗化を両立できる。 - 特許庁 - Source and control electrodes 6 and 5 are respectively formed on the layer 3 and the film 4, which are formed in such a way, while a drain electrode 7 is formed on the side of the other main surface 1b of the layer 1 and a current between the source and drain electrodes 6 and 7 flows through a space limiting current mechanism.
こうして形成された第３ダイヤモンド層３および絶縁薄膜４上には、それぞれソースおよび制御電極６、５が形成される一方、第１ダイヤモンド層１の他方主面１ｂ側には、ドレイン電極７が形成されており、ソースおよびドレイン電極６、７の間の電流は空間制限電流機構により流れる。 - 特許庁 - To provide a light-emitting element, in which transparent semiconductors functioning as current diffusing layers can be formed efficiently on both main surface sides of an AlGaInP light-emitting layer section and the variation of the serial resistance, in which the forward current of the element hardly occurs, and which can suppress the deterioration of the light-emitting layer section caused by the thermal diffusion of a dopant profile.
ＡｌＧａＩｎＰ発光層部の両主表面側に電流拡散層として機能する透明半導体を効率よく形成でき、また、発光層部のドーパントプロファイルの熱拡散による劣化も抑制でき、さらに、素子の直列抵抗ひいては順方向電流のばらつきも生じにくい発光素子を提供する。 - 特許庁 - The battery includes a sheet-like electrode, including a mixture layer, containing an active material on a sheet-like current collector as at least one of a positive electrode and a negative electrode, in which a recessed part exists on the surface of the sheet-like current collector, and the density of the mixture layer located on the recessed part is larger than that in a part other than on the recessed part.
正極と負極の少なくとも一方に、活物質を含む合剤層をシート状集電体上に保持したシート状電極を備えた電池において、前記シート状集電体の表面に凹部が存在し、前記凹部の上部に位置する合剤層の密度が、前記凹部の上部以外の合剤層の密度よりも大きいことを特徴とする。 - 特許庁 - The electrode plate for the nonaqueous electrolyte secondary battery is constituted by containing a metal oxide capable of lithium ion insertion/elimination reaction in an electrode active material layer as a binder for fixing electrode active material particles onto a current collector, and installing a coating layer made of the metal oxide at least at a part of the current collector surface.
集電体上に電極活物質粒子を固着させるための結着材として、リチウムイオン挿入脱離反応可能な金属酸化物を電極活物質層中に含有させるとともに、上記集電体面の少なくとも一部において、上記金属酸化物からなる被覆層を設けて、非水電解液二次電池用電極板を構成する。 - 特許庁 - To enhance breakdown voltage and avalanche resistance by preventing concentration of avalanche current to a corner of the channel region of cell structure of an FET having a square second conductivity channel region in the surface layer of a first conductivity semiconductor substrate, a heavily doped well region in the central part thereof, a first conductivity source region in the surface layer, and an MOS structure on the surface.
第一導電型の半導体基板の表面層に、方形の第二導電型チャネル領域、その中央部に高不純物濃度のウェル領域、表面層に第一導電型ソース領域、さらに表面上のＭＯＳ構造を備えたＦＥＴのセル構造のチャネル領域の角部へのアバランシェ電流の集中を防ぎ、耐圧、アバランシェ耐量を向上させる。 - 特許庁 - A negative electrode 112 comprises a negative electrode current collector 112a and a negative electrode active material layer 112b which is disposed at least on one surface of the negative electrode current collector 112a and which includes first active material particles and second active material particles disposed in a space between the first active material particles.
負極集電体１１２ａと、該負極集電体１１２ａの少なくとも一面に配置され、第１の活物質粒子及び該第１の活物質粒子間の空隙に配置される第２の活物質粒子を有する負極活物質層１１２ｂとを備える負極１１２を含む。 - 特許庁 - The manufacturing method of this lithium secondary battery electrode comprises a process of forming an oxidation film 11 by carrying out oxidation treatment on the surface of a current collector 10 made of copper and then a process of forming an active material layer 12 made of Si on the current collector 10 by using a sputter method.
このリチウム二次電池用電極の製造方法は、銅からなる集電体１０の表面を酸化処理することによって、酸化膜１１を形成する工程と、その後、スパッタ法を用いて、集電体１０上に、Ｓｉからなる活物質層１２を形成する工程とを含んでいる。 - 特許庁 - The anode for a battery is provided with a current collector, an anode active substance layer which is formed on the surface of the current collector and includes an anode active substance and a binder, The binder is polyacrylate.
集電体と、前記集電体の表面に形成された、負極活物質および結着剤を含む負極活物質層と、を有する電池用負極であって、前記結着剤がポリアクリル酸塩であることを特徴とする、電池用負極によって上記課題は解決される。 - 特許庁 - To provide a vertical-to-surface current type magnetoresistive effect element, a manufacturing method therefor, a reproducing head, and an information storage device on which it is mounted, where a spiral domain is suppressed form occurring on a free magnetic layer by a sensing current, related to a magnetoresistive effect element operating in a CPP mode.
ＣＰＰモードで動作する磁気抵抗効果素子において、そのセンス電流によって自由磁性層に発生する渦巻き状磁区の発生を抑制した面垂直電流型磁気抵抗効果素子、その製造方法、再生ヘッド、及びこれを搭載した情報記憶装置を得ること。 - 特許庁 - To provide a non-aqueous secondary battery that has an excellent large current discharge characteristics and charge and discharge cycle characteristics, and has a large battery capacity with simple manufacturing process by specifying the ratio of thickness between the thickness of a mixture layer containing active material and the thickness of a conductive painting provided on the surface of the current collector.
活物質を含む合剤層の厚みと集電体の表面に設ける導電性の塗料の厚みとの比を規定することによって、高率放電特性、充放電サイクル特性に優れ、かつ製造工程が簡単で電池容量の大きい非水電解液二次電池を提供する。 - 特許庁 - The surface emission semiconductor laser element has a mesa post of multilayer structure comprising a multilayer reflector 22 of compound semiconductor layer and an Al oxide layer 44 for forming a current constriction region in the multilayer reflector, wherein the Al oxide layer is provided annularly at the outer circumferential part of the mesa post to surround a current injection region in the center of the mesa post.
本面発光型半導体レーザ素子は、化合物半導体層の多層膜からなる多層膜反射鏡２２と、多層膜反射鏡内に設けられ、電流狭窄領域を形成するＡｌ酸化層４４とを有する積層構造をメサポストとして備え、Ａｌ酸化層が、メサポストの中央部の電流注入領域４２を取り囲むようにしてメサポストの外周部に環状に設けられている。 - 特許庁 - A light-emitting device is equipped with a semiconductor laminated structure, which emits light reacting on a current, a reflection layer formed on the main surface of the semiconductor laminated structure to reflect light that travels toward, it a thick layer which is arranged on the reflection layer to function as a board, and an electrode structure which feeds current to the semiconductor laminated structure.
本発明による発光素子は、電流に反応して光を発生する半導体積層構造と、その積層構造から発生し、反射層に向けて進む光を反射する半導体積層構造の主表面上に形成された反射層と、その反射層上に配置し、基板として機能する厚層と、電流を半導体積層構造に供給する電極構造と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁 - In a current collecting device mounted on a moving body 44, current collectors 10 are placed at apexes or apexes and the center position of a regular polygon with a prescribed diameter causing to keep a relative condition between the band electrodes 33, 36 on the surface layer of the power feeding board and the current collectors 10 even when the moving body 44 runs in any direction.
移動体４４に搭載された集電器は、所定の直径を有する正多角形の頂点位置または頂点位置と中心位置に集電子１０を配置することにより移動体４４がいかなる方向に走行しても給電板の表面層の帯状電極３３，３６と集電子１０との相対条件が保たれる。 - 特許庁 - An electrode layer forming composition 4 which contains a first electrode material 1 having a particle size larger than the aperture diameter of a porous current collector 5, a second electrode material 2 having a particle size smaller than the aperture diameter of the porous current collector, and a binder dispersed and dissolved in a solvent is prepared and coated on the surface of the porous current collector.
多孔質集電体５の開口径よりも大きな粒径を有する第１の電極材料１と、多孔質集電体の開口径よりも小さな粒径を有する第２の電極材料２と、溶媒に分散、溶解した結着剤３とを含有する電極層形成用組成物４を調製し、多孔質集電体の表面に塗布する。 - 特許庁 - A resistance value passing through terminals collecting current in the periphery of the positive or negative electrode plate P200 on the outside is lower than a resistance value of a normal electrode surface having an electrochemical reaction active coating layer having a lattice pattern on the other surface of the electrode plate.
外側の正極性又は負電極性の電極板Ｐ２００の周辺の電流を集める端子の間に通過する抵抗値は、同電極板の別面に格子紋を有する電化学反応活性塗装層のある正常電極面の抵抗値より低い。 - 特許庁 - The negative current collector 11 is comprised of a conductive substrate 11A having a surface roughness (Rz) of 3-12 μm and a polymer layer 11B having a thickness of 2/3 or less to the surface roughness (Rz) formed on the conductive substrate 11A.
負極集電体１１は、表面粗さ（Ｒｚ）が３μｍ以上１２μｍ以下の導電性基材１１Ａに、導電性基材１１Ａの表面粗さ（Ｒｚ）に対する厚みが３分の２以下である高分子層１１Ｂを設けた構成を有している。 - 特許庁 - The lead storage battery has a current collector, having a surface layer composed of an alloy component which is different from a basic substance, at least at a part of the surface of the basic substance made of an antimony free lead alloy, and at least the part excluding an electrode plate includes silica.
アンチモンフリーの鉛合金基材の表面の少なくとも一部に、基材と異なる合金組成の表面層を有する集電体を用いた鉛蓄電池であって、極板以外の少なくとも一部にシリカを有することを特徴とする鉛蓄電池。 - 特許庁 - The electrode for the nonaqueous electrolyte secondary battery includes an electrode body 10 formed on at least one surface of a current collector 11 and having an active material layer 12 containing active material particles 12a; and a jacket 20 wrapping the electrode body 10 so as to cover each surface of the electrode body 10.
集電体１１の少なくとも一面に形成された、活物質の粒子１２ａを含む活物質層１２を有する電極本体１０と、該電極本体１０の各面を覆うように該電極本体１０を包被する包被体２０とを有する。 - 特許庁 - The interior of a film forming chamber is reduced in pressure and a conductive surface substrate is rapidly heated by flowing electric current to it, and a material layer on the conductive surface substrate is evaporated in a short time and vapor-deposited on a film forming substrate.
成膜室内を減圧下とし、導電表面基板への通電によって、導電表面基板を急速に加熱し、導電表面基板上の材料層を短時間に蒸発させ、被成膜基板に蒸着し、被成膜基板上に材料層を成膜する。 - 特許庁 - The electrode 10 preferably includes a pair of surface layers for current collection 4 of which surfaces contact with an electrolyte, and at least one active material layer 3 containing active material particles 2 disposed between the surface layers 4 and having high ability for forming lithium compound.
電極１０は、表面が電解液と接する一対の集電用表面層４と、表面層４間に介在されたリチウム化合物の形成能の高い活物質の粒子２を含む少なくとも一層の活物質層３とを備えていることが好ましい。 - 特許庁 - This manufacturing method of the surface emitting laser device having a selective oxidation type current constriction layer comprises the lamination step for forming a selectively oxidized layer by alternately laminating AlAs layers and XAs layers containing X which being a group III element with a predetermined thickness ratio on a plurality of semiconductor layers including an active layer, and the selective oxidation step for selectively oxidizing the selectively oxidized layer.
選択酸化型の電流狭窄層を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、活性層を含む複数の半導体層上に、ＡｌＡｓ層と、ＩＩＩ族元素であるＸを含むＸＡｓ層とを所定の厚さ比率で交互に積層して被選択酸化層を形成する積層工程と、前記被選択酸化層を選択酸化する選択酸化工程と、を含む。 - 特許庁 - In the tape carrier for a semiconductor device, a blind via 22a and a reinforcement copper layer 20 as a peelable layer are used as a conductor for supplying an electroplating current, a gold/nickel electroplated layer 24 is formed on the surface of at least one of a wiring pattern 12 and a connection pad 13 by electroplating, and the reinforcement copper layer 20 is peeled off after completion of the electroplating step.
ブラインドビア２２ａとピーラブル層である補強銅層２０とを、電解めっき用電流の給電導体として用いて、電解めっき法により、配線パターン１２および接続パッド１３のうち少なくともいずれかの表面上に電解金／ニッケルめっき層２４を形成し、その電解めっき工程が終了した後、補強銅層２０を引き剥がす。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging apparatus manufacturing method which can reduce a junction leakage current on a floating diffusion layer with a silicide formed on its surface, and control the development of a white defect etc. and a solid-state imaging apparatus.
表面にシリサイドが形成された浮遊拡散層での接合リーク電流を低減し、白キズ等の発生を抑制することができる固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - By moving the mobile carriage 10, making the surface of the steel structure 50 heated with the heating coils applied with an electric current, the painted film layer softened by such heating is peeled off with the polishing brush 7.
高周波加熱コイル５へ電流を供給して鋼構造物５０の表面を加熱させながら移動台車１０を移動させることにより、加熱により軟化した塗膜層が研磨ブラシ７によって剥離される。 - 特許庁 - The surface roughness in a covered region covered with a negative electrode active material layer 23 and in the exposed region other than the covered region out of the negative electrode current collector 22 is 2.0-10.0 μm in an Rz value.
したがって、負極集電体２２のうち、負極活物質層２３によって覆われる被覆領域およびそれ以外の露出領域における表面粗さは、Ｒｚ値で２．０μｍ以上１０．０μｍ以下である。 - 特許庁 - A surface-emitting semiconductor laser includes a lower DBR 14 formed on a VCSEL 10 and a substrate 12, including a current construction layer 32, consisting of Al, an active region 16, and an upper DBR 18 fabricated on a post P.
ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする電流狭窄層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。 - 特許庁 - For detecting an oxide film or a similar layer 3 on the surface of reactor structure parts 1 with an eddy current or ultrasonic detector, characteristics 31 of a distance measurement probe 21 are required according to it.
原子炉構造部品（１）の表面における酸化膜或いは同様な層（３）を渦電流或いは超音波検出器で調査するために、それに応じた距離測定プローブ（２１）の特性（３１）が必要である。 - 特許庁 - To provide a surface emission semiconductor laser which can suppress the light absorption at a contact layer and can obtain a low threshold current and high light output, and to provide an optical transmission module, an optical exchange device, and an optical transmission system.
コンタクト層における光吸収を抑制し、低閾電流と高い光出力を得ることの可能な面発光半導体レーザおよび光伝送モジュールおよび光交換装置および光伝送システムを提供する。 - 特許庁 - In the anodic oxidation treatment process using a treatment vessel filled with electrolyte, a current is made to flow between an electrode 12 and a cathode, while light emitted from an light source irradiates a surface of the polycrystalline silicon layer 3.
陽極酸化処理工程では、電解液の入った処理槽を利用しており、光源により多結晶シリコン層３の表面に光照射を行いながら下部電極１２と陰極との間に電流を流す。 - 特許庁 - To provide an organic thin-film transistor that can prevent the surface of an organic semiconductor layer from being damaged and reduce off-state current, and to provide a manufacturing method therefor, and a flat panel display having the organic thin-film transistor.
有機半導体層の表面損傷を防止し、オフ電流を低減させることができる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法と有機薄膜トランジスタを備えた平板表示装置とを提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element which prevents the occurrence of cracks, which forms a nitride semiconductor growth layer having proper surface planarization properties, and which does not have current leakage paths or damages, and to provide a method of manufacturing the same.
本発明は、クラックの発生を防止し、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層を形成し、電流リークパスやダメージの無い半導体素子及びその製造方法を提案することを目的とする。 - 特許庁 - The plurality of anode active material fibers 4 are arrayed along a surface of the anode current collector 101, each of them is extended in a thickness direction of the anode active material layer 102, for instance, so as to have an S shape.
複数の負極活物質繊維４は負極集電体１０１の表面に沿って並んでおり、それぞれ例えばＳ字形状をなすように負極活物質層１０２の厚さ方向に延在している。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of leakage current due to a crystal defect, in a semiconductor device having a plurality of second-conductivity-type regions that are selectively formed in a surface portion of a first-conductivity-type semiconductor layer.
第１導電型の半導体層の表面部分に選択的に形成された複数の第２導電型領域を備える半導体装置において、結晶欠陥に起因するリーク電流の発生を抑える。 - 特許庁 - A base material for electron emitters 10 has attached with it a graphite-containing film 12 as a buffer layer suitable for conditions of carbon film forming by direct current plasma on the surface of a conductive wire 11 as a raw material example.
本電子エミッタ用基材１０は、素材例である導電性ワイヤ１１の表面に直流プラズマによる炭素膜成膜の条件に適合したバッファ層としての黒鉛含有膜１２が付着している。 - 特許庁 - The positive current collector has a high resistance layer which is formed by implanting glass fiber having fiber diameter of 5-15 μm from the surface of one side in a felt-like matrix comprising of carbon fiber or graphite fiber with a needle punch.
炭素繊維又はグラファイト繊維からなるフェルト状の基材の一方の表面から、繊維径が５〜１５μｍのガラス繊維をニードルパンチにより打ち込んで形成した高抵抗層を有する正極集電体である。 - 特許庁 - To provide a technology to more uniformly inject driving current into an active layer having a wide area in a surface-emitting nitride semiconductor light emitting device employing a nitride semiconductor substrate or a ZnO substrate.
窒化物半導体基板やＺｎＯ基板を採用する面発光型の窒化物半導体発光素子において、広い面積の活性層に、より均一に駆動電流を注入するための技術を提供する。 - 特許庁 - To reduce operating voltage of a semiconductor storage device by expanding coupling ratio, preventing problems like enlargement of element surface, decrease of cell current or less reliability due to the thin film of a dielectric layer.
素子面積の増大、セル電流の減少、又は誘電層の薄膜化に起因する信頼性の低下等の問題を防止しつつ、カップリングレシオを増大させて、半導体記憶装置の動作電圧を低電圧化する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element which prevents the occurrence of cracks, which forms a nitride semiconductor growth layer having proper surface planarization properties, and which does not have current leakage paths or damages, and to provide a method of manufacturing the same.
本発明は、クラックの発生を防止し、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層を形成し、電流リークパスやダメージの無い半導体素子及びその製造方法を提案することを目的とする。 - 特許庁 - To provide an epitaxial wafer for an AlGaInP semiconductor light-emitting device in which the planarity of surface of the epitaxial wafer is improved, by suppressing the generation of crystal defects in a current diffusion layer of the epitaxial wafer for the semiconductor light-emitting device.
半導体発光素子用エピタキシャルウェハの電流拡散層における結晶欠陥の発生を抑制し、該エピタキシャルウェハの表面平坦性を向上させたAlGaInP系半導体発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
