「surface layer current」を含む例文一覧(694)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 13 14 次へ＞- This magnetic recording element comprises a magnetic recording layer where magnetization varies depending on the direction of current passing a film and the magnetization easy axis becomes perpendicular to the film surface, a magnetism fixing layer where magnetization is fixed in a direction perpendicular to the film surface and a non-magnetic barrier layer between the magnetic recording layer and magnetism fixing layer.
本発明の例に関わる磁気記録素子は、膜を通過する電流の向きに応じて磁化が可変で磁化容易軸方向が膜面に垂直となる方向の磁気記録層と、磁化が膜面に垂直となる方向に固定される磁気固着層と、磁気記録層と磁気固着層との間の非磁性バリア層とを備える。 - 特許庁 - The Au plating layer is preferentially formed on the projecting top surface part 2 by electroplating with a pulse current higher than that of the conventional one, that is, with the pulse current of 20-260 A/dm^2 maximum current density and 5-26 A/dm^2 average current density, to concentrate the current to the projecting top surface part 2.
電解めっきを、従来よりも高い電流値のパルス電流、すなわち、最大電流密度２０〜２６０Ａ／ｄｍ^２、平均電流密度５〜２６Ａ／ｄｍ^２のパルス電流を用いて行うことにより、凸部頂面部２に電流を集中させることができ、凸部頂面部２にＡｕめっき層が優先的に形成される。 - 特許庁 - To provide an all-solid battery which has a large contact surface between a positive current collector and a positive electrode layer and has a small inner resistance of a battery.
正極集電体と正極層との接触面積が大きく、電池の内部抵抗が小さい全固体電池を提供する。 - 特許庁 - Due to this structure, current flowing from an anode electrode 2 spreads over the surface of a light emitting layer 1, resulting in a uniform emission distribution.
また、電流が発光層１の表面を広がって流れることから、アノード電極２を最小限の大きさにすることができる。 - 特許庁 - At least the surface layer of the negative electrode collector 3 consumes a greater oxidation current per unit area than the active negative electrode.
陰極集電体３の少なくとも表面層が、活性陰極よりも単位面積あたり大きな酸化電流を消費する。 - 特許庁 - A conductor layer 15 as a current passage is placed on an insulating film 32 of the surface of a semiconductor base constituting a Hall element 1.
ホール素子１を構成する半導体基体の表面の絶縁膜３２の上に電流通路としての導体層１５を設ける。 - 特許庁 - The high voltage is applied from the roller 20 and a current flowing through the surface layer of the transfer belt 6 to a photosensitive body 3 is detected.
ローラ２０から高電圧を印加し、転写ベルト６の表面層を伝わって感光体３に流れる電流を検出する。 - 特許庁 - With this, plasma P due to stable alternating-current glow discharge is generated along the surface of the divided electrodes 1 covered with a barrier layer 2.
これにより、バリア層２に覆われた分割電極１の表面に沿って安定な交流グロー放電によるプラズマＰが生じる。 - 特許庁 - To provide a surface-emitting laser device with an accurately controlled current blocking layer without reducing the productivity.
生産性を低下させることなく、正確に制御された電流狭窄層を備えた面発光レーザ装置を実現できるようにする。 - 特許庁 - A p-electrode is formed over the top surface of the p-type nitride semiconductor layer 4 with a current-constricting insulation film 5 of SiO2 in between.
ｐ型窒化物半導体層４上面にＳｉＯ_2よりなる電流狭窄用絶縁膜５を介して、ｐ電極を形成する。 - 特許庁 - To provide a magnetic tunnel junction cell having perpendicular anisotropy and an enhancement layer that allows for a low current and a high surface density.
低電流および高面密度を可能とする、垂直異方性および強化層を有する磁気トンネル接合セルを提供する。 - 特許庁 - That is, an oxygen concentration of a surface on the back channel side of the oxide semiconductor layer is increased to reduce the off-current.
すなわち、当該酸化物半導体層のバックチャネル側の面の酸素濃度を高くして、オフ電流の低減を図らんとするものである。 - 特許庁 - To raise an MR ratio in an MR element where an electric current is made to flow in a direction to be crossed with the surface of each layer constituting the MR element.
ＭＲ素子を構成する各層の面と交差する方向に電流が流されるＭＲ素子におけるＭＲ比を大きくする。 - 特許庁 - The surface emitting laser includes an opening serving as a path for injecting current into an active layer and has a current constriction region provided around the opening, wherein the surface emitting laser further includes a current injection region on the opposite side of a light emitting side with the active layer therebetween and a current injection path in the current injection region is smaller in diameter than the opening.
活性層に電流を注入する経路となる開口部を備え、該開口部の周辺に設けられている電流狭窄領域を有する面発光レーザであって、 前記活性層を挟んで光出射側と反対側に設けられた電流注入領域を備え、 前記電流注入領域における電流注入経路の径が、前記開口部の径よりも小さい径によって構成される。 - 特許庁 - As a result, a degree of freedom in the shape or arrangement of the surface conductor layer 6 which is formed on the surface of the laminated substrate 2 is increased as compared with a conventional example where the electric plating conductor layer for feeding the electric current is formed only on the surface of an insulating base material.
その結果、電気めっきの給電用導体層が絶縁基材の表面にしか形成し得ない従来例に比較して、積層基板２の表面に形成される表面導体層６の形状や配置の自由度が高くなる。 - 特許庁 - More specifically, the wiring holder 121, the small-current bus bar 131, the bus bar holder 133 and the large-current bus bar 132 are laid in layer in this order, as viewed from the back surface of the instrument.
すなわち、計器背面からみて、布線ホルダー１２１、小電流用バスバー１３１、バスバーホルダー１３３、大電流用バスバー１３２がこの順で積層された構造になっている。 - 特許庁 - Subsequently, the other-side surface 30b of the current collector material 30 is irradiated with laser light, and through-holes 32 are formed on the current collector material 30 without penetrating the electrode mixture layer 31.
続いて、集電体材料３０の他方面３０ｂにレーザー光が照射され、電極合材層３１を貫くことなく集電体材料３０に貫通孔３２が形成される。 - 特許庁 - Just after peeling off the oxide layer generated on the anode 4 surface by the water flow of a circulating pump 7, the direction of electric current is reversed to completely remove the oxide layer by hydrogen generated from the anode 4 surface, thereby the anode 4 surface can expose a constantly conductive metal surface to facilitate current flow.
循環ポンプ７の水流が陽極４表面に発生する酸化被膜を剥がし落とし、その直後、電流の向きを反転させ、陽極４表面から発生する水素によって酸化被膜を完全に除去するので、陽極４表面は常に導電性のある金属表面を露出させることができ、電流が流れやすくなる。 - 特許庁 - To provide a wiring substrate with a reinforcing member that can supply a large current from a conductor layer on a substrate rear surface side to a conductor layer on a substrate principal surface side, and also improve reliability and handlability.
基板裏面側の導体層から基板主面側の導体層に大電流を供給することができ、しかも、信頼性及びハンドリング性を向上させることができる補強材付き配線基板を提供すること。 - 特許庁 - On a surface including the current constriction layer 111, the shape of a circumference 140 at the columnar part 110 includes annular parts 140a1 to 140a4 that are similar to one part of the inner circumference 111a of the current constriction layer 111.
電流狭窄層１１１を含む面において、柱状部１１０の周縁１４０の形状は電流狭窄層１１１の内周縁１１１ａの形状の一部と近似する弧状の形状部１４０ａ_1〜１４０ａ_4を含む。 - 特許庁 - Electrode layers are accumulated on an electrolyte layer (a step of accumulated), and current collectors are disposed to cover the surface of the electrode layer sparsely on the side where the electrodes layers of the structure obtained are accumulated (a step of disposing the current collectors).
電解質層上に電極層を積層し（積層工程）、得られた構造体の電極層が積層されている側の面に、電極層の表面をまばらに覆うように集電体を配置する（集電体配置工程）。 - 特許庁 - The nonaqueous electrolyte cell comprises at least an anode current collector 9 made of copper, an anode activating material layer 10 formed on the anode current collector 9, and at least one surface of the anode current collector 9 is covered by a nickel layer 11 containing nickel or nickel compound.
少なくとも銅からなる負極集電体９と、上記負極集電体９上に形成された負極活物質層１０とを備え、上記負極集電体９の少なくとも一方の面は、ニッケル金属又はニッケル化合物を含有するニッケル層１１によって覆われている。 - 特許庁 - This is the manufacturing method of the current collector 31 which is used as a constituent of an electrode 30 in which an active material layer 35 is supported in the current collector 31 and has a carbon material (conductive material)-contained polymer layer 33 on the surface of a metallic current collector substrate 32.
本発明によると、集電体３１に活物質層３５が保持された電極３０の構成要素として用いられ、金属製集電基材３２の表面にカーボン材料（導電材）含有ポリマー層３３を有する集電体３１を製造する方法が提供される。 - 特許庁 - The method of manufacturing the heat dissipation structure is characterized in supplying a current to an SiC substrate or a substrate having an SiC layer on at least one surface, heating SiC with Joule heat generated when the current is supplied, and forming an SiC whisker layer on the SiC surface of the substrate.
本発明に係る放熱構造の製造方法は、ＳiＣ基板、又は少なくとも一の表面がＳiＣ層である基板に電流を流し、該電流を流したときに発生するジュール熱によってＳiＣを加熱し、基板のＳiＣ表面にＳiＣウィスカー層を形成することを特徴とする。 - 特許庁 - The semiconductor layer 20 has a p-n junction that prevents flow of leakage current from the lower electrode 8 to the surface electrode 7, and the semiconductor layer 20 constitutes a reverse preventing means for preventing the flowing, of the leakage current, from the lower electrode 8 to the surface electrode 7.
半導体層２０は、下部電極８から表面電極７へリーク電流が流れるのを阻止するｐｎ接合を有しており、半導体層２０が、下部電極８から表面電極７へリーク電流が流れるのを阻止する逆阻止手段を構成している。 - 特許庁 - An electrode for an electric double layer capacitor has improved contact state between active carbon in the electrode and a current collector surface since RS of a surface of an aluminum etching foil is ≤25 μm, and consequently has less contact resistance between the current collector foil and polarizable electrode layer.
発明の電気二重層キャパシタ用電極は、アルミニウムエッチング箔の表面のＲＳを２５μｍ以下としているので、電極中の活性炭と集電体表面との接触状態が向上し、集電体箔と分極性電極層の接触抵抗が低減する。 - 特許庁 - The length La of parts of the line patterns 121 in contact with the surface of the current collector layer 11 in a longer direction Y of the line pattern 121 is not less than four times as large as the width Da of parts of the line patterns 121 in contact with the surface of the current collector layer 11 in a direction X of the width.
しかも、ライン状パターン１２１の長手方向Ｙにおいて集電体層１１表面と接するライン状パターン１２１の長さ寸法Ｌaが、幅方向Ｘにおいて集電体層１１表面と接するライン状パターン１２１の幅寸法Ｄaの４倍以上となっている。 - 特許庁 - A CPP-GMR sensor comprises a pinning layer 400 and a current channeling layer 401, having large width W+Δ and large surface area M(W+Δ) as same as that of a lower shield/lead layer 30.
下部シールド／リード層３０と同様に大きな幅Ｗ＋Δおよび大きな表面積Ｍ（Ｗ＋Δ）を有するピンニング層４００および電流チャンネル層４０１を備えるように、ＣＰＰ−ＧＭＲセンサを構成する。 - 特許庁 - The semiconductor laminate 13 includes an n-type drift layer 23, a p-type current block layer 25, and an n-type contact layer 17, and those semiconductor layers 23, 25, and 27 are provided in order on a principal surface 29a of a support base 29.
半導体積層１３は、ｎ型ドリフト層２３、ｐ型電流ブロック層２５及びｎ型コンタクト層１７を含み、これらの半導体層２３、２５、２７は支持基体２９の主面２９ａ上に順に設けられる。 - 特許庁 - Then, a mask is formed again on the surface except a part where a bonding N-electrode NT is formed, and the current diffusion layer D and the P-type gallium nitride layer P are etched again until the N-type gallium nitride layer N is exposed.
次いで、ボンディング用のｎ電極ＮＴを形成する部分を除いて再度マスクを形成し、再度ｎ型窒化ガリウム層Ｎが露出するまで電流拡散層Ｄ、及びｐ型窒化ガリウム層Ｐをエッチングする。 - 特許庁 - That is to say, when switching surge is generated, the surge current can be extracted to a path running from the p-type layer 3a to the body p-type layer 5 side, and can be made to hardly run to a surface channel layer 4 side.
つまり、スイッチングサージが発生したときに、サージ電流をｐ型層３ａからボディｐ型層５側に流れる経路に引き抜くことが可能となり、表面チャネル層４側に流れ難くなるようにできる。 - 特許庁 - Electric current is fed to a base layer 6a via first-third inner layer conductor layers 4_1-4_3 formed among first-fourth insulating layers 3_1-3_4 for electric plating, and a plated layer 6b is thickened to form a surface conductor layer 6.
第１〜第４絶縁層３_1〜３_4の間に形成されている第１〜第３内層導体層４_1〜４_3を介して下地層６ａに給電することにより電気めっきを行い、めっき層６ｂを厚付けすることにより表面導体層６を形成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing magnetic recording medium, which comprises at least a soft magnetic layer, an orientation coordination layer, and a magnetic recording layer in order on a substrate, and is used for vertical magnetic recording, applies direct current bias on a surface of a substrate when depositing the orientation coordination layer and the magnetic recording layer.
基板上に少なくとも軟磁性層と配向調整層と磁気記録層とを順に備え、垂直磁気記録に用いる磁気記録媒体の製造方法であって、前記配向調整層及び前記磁気記録層のそれぞれの成膜時に直流バイアスを基板表面に印加する。 - 特許庁 - The concentration of the radical compound on the electrode surface side in the positive electrode active material layer 10 is different from the concentration of the radical compound on the current collector side in the positive electrode active material layer 10.
正極活物質層１０における電極表面側のラジカル化合物の濃度は、正極活物質層１０における集電体側のラジカル化合物の濃度と異なる。 - 特許庁 - To reduce depletion layer capacity, restrain an off electric current small and realize high speed responsiveness by restraining formation of a depletion layer 13 on a surface of a semiconductor substrate 11.
半導体基材１１の表面に空乏層１３が形成されるのを抑えることにより、空乏層容量を小さくし、且つオフ電流を小さく抑え、高速応答を可能とする。 - 特許庁 - Consequently, a leakage current is first prevented from flowing in the dielectric layer 5 because the orientation state of the dielectric layer 5 is controlled such that a c axis is aligned perpendicularly to the film surface.
ｃ軸が膜面に対して垂直に配向するように誘電体層５の配向状態が制御されるため、第１に、誘電体層５においてリーク電流が発生しにくくなる。 - 特許庁 - Near the surface of the contact layer 18, similarly, the n-type carrier increases and the conductivity of the layer 18 changes to i- or n-type, resulting in the formation of a current constricting region 18a.
ｐ側コンタクト層１８の表面近傍においても同様にｎ型キャリアが増加し、伝導型がｉ型またはｎ型に変化して電流狭窄領域１８ａが形成される。 - 特許庁 - This negative electrode 1 for a nonaqueous electrolyte secondary battery is characterized by comprising an active material layer 5 and a metal lithium layer 3 between a pair of surface layers 4 for current collection.
本発明の非水電解液二次電池用負極１は、一対の集電用表面層４間に活物質層５及び金属リチウム層３を有することを特徴とする。 - 特許庁 - The air battery is provided with an air electrode composed of a catalyst layer, a current collector and a water repellant membrane, and a surface contact angle to water of the catalyst layer is 90° or more.
触媒層、集電体、および撥水膜により構成された空気極を備える空気電池であって、前記触媒層の水に対する表面接触角が９０°以上である。 - 特許庁 - A tunnel oxide film 3, a charge accumulation layer 4, a current cutoff layer 5 are laminatedly formed on the first main face (surface) of the semiconductor substrate between the STIs (shallow trench isolation) 2.
ＳＴＩ（シャロートレンチアイソレーション）２の間の半導体基板の第１主面（表面）上にトンネル酸化膜３、電荷蓄積層４、及び電流遮断層５が積層形成される。 - 特許庁 - An n-GaAs current block layer is formed in the areas on the side face of a ridge and the upper surface of the ridge above a window area on the first clad layer of p-AlGaInP.
ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層上、リッジ部の側面および窓領域の上方におけるリッジ部の上面の領域にｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層が形成される。 - 特許庁 - The printed wiring board has a plurality of vias including a first via and a second via connected to at least one of a land formed in a surface layer and a power supply pattern formed in a layer other than the surface layer where the land is formed, and a current is shunted to the plurality of vias.
表層に形成されたランドおよびランドが形成されている表層以外の層に形成された電源パターンの少なくとも１つに接続された第１のビアと第２のビアを含む複数のビアを有し、これら複数のビアに電流を分流させる。 - 特許庁 - In the semiconductor laser device 1, a current block layer 19 covers a p-type second clad layer 17 and a p-type cap layer 18, which are extended into the lengthwise direction of an optical resonator at the opposite side of a light outgoing end surface, to form a current non-pouring region in an optical waveguide.
半導体レーザ装置１において、電流ブロック層１９は、光共振器長方向に延設されたｐ型第２クラッド層１７とｐ型キャップ層１８とを、光出射端面側と反対側で覆い、光導波路に電流非注入領域を形成する。 - 特許庁 - The first electrode 52 is formed on the surface of the planarization layer 48 and is connected to a drain electrode of the current source transistor TS via the conduction hole Hb1 which is formed in a side in the planarization layer 48 and the second insulating layer 46, wherein the side is opposite to the light emitting element E side across the current source transistor TS.
第１電極５２は、平坦化層４８の面上に形成され、平坦化層４８および第２絶縁層４６のうち電流源トランジスタＴSを挟んで発光素子Ｅとは反対側に形成された導通孔Ｈb1を介して電流源トランジスタＴSのドレイン電極に接続される。 - 特許庁 - In the surface-treated steel sheet, at least one side of a steel sheet is provided with a film composed of a reaction layer comprising Ti and Fe and a coating layer stacked on the reaction layer, the oxygen reduction current after the formation of the film is ≤1/10 of the oxygen reduction current before the formation of the film.
鋼板の少なくとも片面に、TiおよびFeを含む反応層と、該反応層上に積層した被覆層とからなる被膜を有する表面処理鋼板において、該被膜の形成後の酸素還元電流が同被膜形成前の酸素還元電流の１／１０以下となる被膜を形成する。 - 特許庁 - An active material-containing layer is formed on a part on which the active material-containing layer is to be formed (by applying electrode forming application solution L3) of a band-like current collector 160 by coating at least one edge of a surface of the current collector 160 on which the active material-containing layer is to be formed with a mask tape 68.
帯状の集電体１６０における活物質含有層が形成される面の少なくとも一方の縁部をマスクテープ６８で被覆し、集電体１６０の活物質含有層を形成（電極形成用塗布液Ｌ３の塗布）すべき部位に、活物質含有層を形成する。 - 特許庁 - In the semiconductor laser apparatus 1, a current blocking layer 19 covers a p type second cladding layer 17 and a p type capping layer 18 extending in the direction of the length of an optical resonator largely on the side of a light exit end surface but over a small area thereof on the opposite side to form a current non-injection region in an optical waveguide.
半導体レーザ装置１において、電流ブロック層１９は、光共振器長方向に延設されたｐ型第２クラッド層１７とｐ型キャップ層１８とを、光出射端面側で大きく、反対側で小さく覆い、光導波路に電流非注入領域を形成する。 - 特許庁 - An absorption layer, changing light transmittance by the application of voltage or the injection of electric current, is formed between a reflection electrode and a light taking out surface.
反射電極と光取り出し面の間に電圧印加あるいは電流注入により透過率が変化する吸収層を設ける。 - 特許庁 - The surface where the gas dispersing layer is in contact with a separator is divided into a current collector part, gas and water vapor permeating parts, and a moisture permeating part.
ガス拡散層がセパレータと接する面内で、集電部分とガス透過および水蒸気透過部分と水分透過部分に分けて構成する。 - 特許庁 - To provide an image sensor and a method for manufacturing the same, which can remove the damaged surface of an epitaxial layer to prevent a leakage current from occurring.
損傷したエピタキシャル層の表面を除去して、漏洩電流の発生を防止できるイメージセンサー及びその製造方法を課題にする。 - 特許庁
- 特許庁
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