「surface layer current」を含む例文一覧(694)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 13 14 次へ＞- To provide a current detector preventing a response delay in current detection by a magnetic sensor, from occurring owing to eddy current caused on a shield layer on a lower surface of a circuit board on which the magnetic sensor is mounted.
磁気センサを搭載した回路基板下面のシールド層に生じる渦電流によって、磁気センサによる電流検出の応答遅れが生じることを防止した電流検出装置を提供する。 - 特許庁 - The positive electrode includes a current collector base board, one single tab or a plurality of tabs linked to the current collector base board, and an electrode layer of the material of the positive electrode on one front surface of the current collector.
陽極は、電流コレクター基板と、電流コレクター基板に接続している一つのシングルタブまたは複数のタブと、電流コレクターの一表面の陽極の材料の電極層とを有する。 - 特許庁 - The re-combination region 7 is formed only on a path, through which an electric current flows immediately after the passage of an electric current in the forward direction is started, of the PN boundary surface, which is a junction boundary surface between the drift layer 2 and the base region 3.
再結合領域７は、ドリフト層２とベース領域３との接合界面であるＰＮ界面のうち、順方向通電開始直後に電流が流れる経路上にのみ形成される。 - 特許庁 - The unit cell U has a plate-like positive current collector 1a and a positive active material layer 1b formed on a part of each of the upper surface and a lower surface of the positive current collector 1a.
単位電池Ｕは、板状の正極集電体１ａと、正極集電体１ａの上面および下面の各一部の上に形成された正極活物質層１ｂとを有している。 - 特許庁 - In a semiconductor laser element 501, an N-clad layer 11, an N-optical guide layer 12, an MQW layer 13, a P-cap layer 14, a P-optical guide layer 15, a P-clad layer 16, an N-current block layer 17 and a P-contact layer 18 are laminated in order on one surface of a transparent substrate 100.
半導体レーザ素子５０１は、透明基板１００の一方の面上にｎ−クラッド層１１、ｎ−光ガイド層１２、ＭＱＷ活性層１３、ｐ−キャップ層１４、ｐ−光ガイド層１５、ｐ−クラッド層１６、ｎ−電流ブロック層１７およびｐ−コンタクト層１８が順に積層されてなる。 - 特許庁 - A principal surface of the active layer 6 is substantially perpendicular to a (0001) plane of the p-side semiconductor layer, a current path portion in the p-side semiconductor layer extends along a crystal orientation substantially parallel to the (0001) plane of the p-side semiconductor layer.
活性層６の主面は、ｐ側半導体層の（０００１）面と略垂直であり、ｐ側半導体層における電流通路部は、ｐ側半導体層の（０００１）面と略平行な結晶方位に延びる。 - 特許庁 - When the structure of a negative electrode plate comprises metal foil, an electron conducting layer and an active material layer, adhesiveness is enhanced and a current collecting property is improved by using a silane coupling agent for at least an interfacial surface between the electron conducting layer and the active material layer.
負極板の構成が金属箔／電子伝導層／活物質層である場合に、少なくとも電子伝導層／活物質層界面にシランカップリング剤を用い、接着性を高め、集電性向上を図る。 - 特許庁 - The first subassembly 1, having a positive electrode activator layer 14, a negative electrode activator layer 15, and an insulation part 16 at least on one surface of a complex current collector foil 10, formed by connecting a positive electrode current collector foil 11 and a negative electrode current collector foil 12, is manufactured.
正極集電箔１１と負極集電箔１２とを接続してなる複合集電箔１０の少なくとも片面に、正極活物質層１４、負極活物質層１５および絶縁部１６を備えた第一サブアッシー１を作製する。 - 特許庁 - The developer alternating current-generating means generates alternating current of the developer between a surface layer part in the developer being conveyed on the developer conveying surface and a lower layer part adjacent to the developer conveying surface, by generating flow of the developer in a normal line direction of the developer conveying surface.
この現像剤交流発生手段は、現像剤搬送面の法線方向に現像剤の流れを発生させることで、現像剤搬送面上にて搬送中の現像剤における表層部と、当該現像剤搬送面と近接する下層部と、の間で、現像剤の交流を生じさせるようになっている。 - 特許庁 - When growth of a second conductivity type current block layer 7 is completed, the growth is stopped, and the temperature is raised or Group V raw material gas flow rate is increased to put it on standby to deform the surface shape of the second conductivity type current block layer 7 consisting of a (001) surface and a (111) B surface into a curved surface shape.
第２導電型電流ブロック層７の成長が完了したとき、その成長を停止させ、昇温若しくはＶ族原料ガス流量を増加させて待機を行うことにより、（００１）面と（１１１）Ｂ面からなる第２導電型電流ブロック層７の表面形状を曲面状に変形させる。 - 特許庁 - To realize an infrared light receiving element, which prevents drop of sensitivity, controls leakage current at the surface of quantum well layer and reduces dark current, and to provide a method of manufacturing the same element.
感度低下を防止し量子井戸層表面でのリーク電流を抑制し暗電流の低減が可能な赤外受光素子及びその製造方法を実現する。 - 特許庁 - The positive electrode for the nonaqueous secondary battery is equipped with: a positive electrode current collector; and a positive electrode active material layer formed on a surface of the positive electrode current collector.
本発明の非水電解質二次電池用正極は、正極集電体と、正極集電体の表面に形成された正極活物質層と、を備える。 - 特許庁 - A Pb-Sb based alloy layer is formed on a part of the surface of a current collector tub section made of a Pb-Ca based alloy with the thickness of a current collector tub of a grid as usual.
格子体の集電タブの厚さを従来どおりにして、集電タブ部のＰｂ‐Ｃａ系合金表面の一部にＰｂ‐Ｓｂ系合金層を形成する。 - 特許庁 - A positive electrode 1 has a positive electrode current collector 11 and a positive electrode active material layer 10 which is formed on the surface of the current collector 11 and has an electrode surface on the opposite side to the surface of the current collector 11, and has a radical compound, a lithium compound oxide, and a conductive material.
正極１は、正極集電体１１と、集電体１１の表面に形成されて集電体１１の表面と反対側に電極表面をもち、ラジカル化合物とリチウム複合酸化物と導電材とを有する正極活物質層１０とを有する。 - 特許庁 - The power generation element 30 is formed of a bipolar electrode 21 in which a positive electrode active material layer is formed on one surface of the current collector 22 and a negative electrode active material layer is formed on other surface, being laminated through an electrolyte layer 25.
発電要素３０は、集電体２２の一方の面に正極活物質層が形成され、他方の面に負極活物質層が形成される双極型電極２１が電解質層２５を介して積層されて形成される。 - 特許庁 - The current collection component for batteries comprises a plating nonwoven cloth that forms pores only on the surface, includes a surface porous plating fiber, having a plated surface on the surface, and is made of a plating fiber having a plated layer on the surface.
本発明の電池用集電材は、表面のみに細孔が形成されており、かつ表面にメッキ層を有する表面多孔メッキ繊維を含む、表面にメッキ層を有するメッキ繊維のみから構成されているメッキ不織布からなる。 - 特許庁 - Between the second clad layer 7 and the contact layer 8, current breaking layers 10a, 10b are formed in the vicinity of the laser output side end surface 15 and the reflection side end surface 16, respectively.
上部第２クラッド層７とコンタクト層８との間で、レーザ出射側端面１５の近傍および反射側端面１６の近傍には、電流遮断層１０ａ，１０ｂがそれぞれ形成されている。 - 特許庁 - Consequently, the deformation of the lower surface edge of the Si layer 2 due to the oxidation hardly occurs, so that generation of leakage current caused by the defect generated by the deformation of the lower surface edge of the Si layer 2 can be suppressed.
そのため、Ｓｉ層２の下面エッジ部の酸化による変形が起こりにくくなり、Ｓｉ層２の下面エッジ部が変形して欠陥が生じることによるリーク電流の発生を抑制できる。 - 特許庁 - The surface light-emitting laser array is formed with a plurality of surface light-emitting laser elements including a semiconductor layer 100 having a first reflection mirror, an active layer, a current pinching part, and a second reflection mirror.
第１の反射ミラーと、活性層と、電流狭窄部と、第２の反射ミラーとを含む半導体層１００を有する面発光レーザ素子が複数配置されている面発光レーザアレイである。 - 特許庁 - In the semiconductor light-emitting device 1 comprising an active layer 3 (light-emitting layer), a current diffusion layer 5 laminated on the active layer 3, and a mesa structure 9 formed by etching the surface of the current diffusion layer 5, a prospective half angle r1 of a top face 9a of the mesa structure 9 is set approximately as the totally reflecting angle.
活性層３（発光層）と、活性層３に積層された電流拡散層５と、電流拡散層５表面をエッチングすることにより形成されたメサ構造９とを備える半導体発光素子１において、メサ構造９の天面９ａの見込み半角ｒ１を、ほぼ全反射角にした。 - 特許庁 - A resistance heat generating layer 31a generating heat by the flow of a current is provided at the inner circumferential surface of a fixing belt 31.
定着ベルト３１の内周面に、電流が流れることによって発熱する抵抗発熱層３１ａが設けられている。 - 特許庁 - To provide a surface-emitting semiconductor element which is capable of sufficiently restricting the transmissions of a defect from a current constriction layer.
電流狭窄層からの欠陥の転移を十分に抑制することができる面発光型半導体素子を提供すること。 - 特許庁 - To suppress an S/N by reducing a dark current that is generated on a silicon surface from flowing into a charge accumulation layer of a photoelectric conversion section.
シリコン表面で発生する暗電流が光電変換部の電荷蓄積層に流れ込むのを低減し、ＳＮ比を高める。 - 特許庁 - The negative electrode layer 10 has negative electrode activator layers 9, 9 arranged on both main surface sides of a negative electrode current collector 8.
負極層１０は、負極集電体８の両主面側にそれぞれ負極活物質層９，９が設けられている。 - 特許庁 - A conductor layer 5, where the current of the semiconductor device 4 flows, is formed on the insulating film 20 on the surface of the semiconductor substrate.
半導体素子４の電流が流れる導体層５を半導体基体の表面上の絶縁膜２０上に設ける。 - 特許庁 - A current, flowing through a channel region formed on a surface channel layer 5, is set so as to flow in a [11-20] direction.
表面チャネル層５に形成されたチャネル領域を流れる電流の方向が［１１−２０］に設定されるようにする。 - 特許庁 - By magnetic flux generated by the alternating current to flow in the heating resistance of the inner layer (core part) of this special resistor, the eddy current loss and hysterisis loss are generated in the outer surface layer (shell part), and this forms the heat.
この特殊抵抗体の内部層（芯部）の発熱抵抗に流れる交流電流によって発生する磁束により、特殊抵抗体の外表層（殻部）に渦電流損とヒステリシス損が発生しこれが熱となる。 - 特許庁 - In the electrode having a current collector and the active material layer containing the active material particles formed at a surface of the current collector, metal particles are furthermore contained in the active material layer as a conductive assistant.
集電体と、前記集電体の表面に形成された、活物質粒子を含む活物質層とを有する電極において、前記活物質層に、導電助剤として金属粒子をさらに含ませる。 - 特許庁 - For example, in a semiconductor element, formation of a channel (current path) in vicinity of a bottom surface (first surface) of the oxide semiconductor layer and formation of a channel in vicinity of a top surface (second surface) are independently controlled.
例えば、当該半導体素子は、当該酸化物半導体層の下面（第１の面）近傍におけるチャネル（電流経路）の形成と、上面（第２の面）近傍におけるチャネルの形成とを独立して制御する。 - 特許庁 - A leakage current prevention part 150 formed of an N-type layer is arranged in a non-doped region of the epitaxial growth layer 112 adjacent to the P-type embedded layer 114 in the substrate surface direction.
Ｐ型埋め込み層１１４の基板面方向に隣接するエビタキシャル成長層１１２の非注入領域に、イオン注入によってＮ型層によるリーク電流防止部１５０を設ける。 - 特許庁 - Recessed and projecting sections, produced when a window 16a is formed through an AlInP current blocking layer 16, are left on the upper surface of a second p-type AlGaInP clad layer 17 which thereafter is caused to deposit on the layer 16 including the window 16a.
ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１６に窓１６ａを形成することによって生じた凹凸は、その後堆積するｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１７の上面に残る。 - 特許庁 - A part of the protective film 6 formed on the current diffusion layer 5 is eliminated, a p-side electrode 8 is formed as the outermost layer of an element, and the surface is made a bonding pad.
電流拡散層５上に設けた保護膜６の一部を取除き、そこにｐ側電極８を素子の最外層として設け、表面をボンディングパッドとする。 - 特許庁 - The wire 1 for an electromagnet to be used for an electromagnet coil generating a magnetic field by flowing a current is provided with a magnetic body layer 3 on a surface layer of a conductor 2.
電流を流すことで磁場が生じる電磁石のコイルに使用される電磁石用線材１であって、導電体２の表層に磁性体層３を設けた。 - 特許庁 - After deposition is carried out until a film thickness sufficient for the recess in the contact layer 4 to suppress the off-leak current is attained, its surface is planarized to form an active layer.
コンタクト層４の凹部が、オフリーク電流を抑制するのに十分な膜厚になるまで形成した後、その表面を平坦化処理して活性層を形成する。 - 特許庁 - In the lithium ion secondary battery, the active material layer 12 has a stripe structure which includes line patterns 121 spaced apart from each other and arrayed in parallel with each other on a surface of a current collector layer 11.
活物質層１２は、集電体層１１表面に互いに離隔したライン状パターン１２１を互いに平行に複数配してなるストライプ構造を有している。 - 特許庁 - The gate electrode 19 is provided to modulate a concentration of a two-dimensional electron gas 35 in the channel layer 15 provided on a side surface 25a of a current block layer 25.
ゲート電極１９は、電流ブロック層２５の側面２５ａ上に設けられたチャネル層１５における二次元電子ガス３５の濃度を変調するように設けられる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an electrode capable of realizing improvement of adhesion between a current collector and a mixture layer and preventing peeling at a surface side of the mixture layer.
集電体と合材層との密着力の向上を実現すると共に合材層の表面側の剥離を防止し得る電極の製造方法を提供すること - 特許庁 - The p-type semiconductor layer is provided with a current narrowing projection 17a, in correspondence with a current injection region of the active layer 14, and a projecting part 23 is formed on the surface of the p-side electrode 22, in correspondence with the current narrowing projection 17a.
ｐ型半導体層には活性層１４の電流注入領域に対応して電流狭窄用突部１７ａが設けられており、ｐ側電極２２の表面には電流狭窄用突部１７ａに対応して突出部２３が形成されている。 - 特許庁 - The surface layer parts of the layer 9 in the regions where the pixel electrodes 10 are not formed are partly removed to expose the ground surface portions of the layer 9 having a high surface resistance in the regions between the adjacent pixel electrodes 10, by which the current leakage between the pixel electrodes 10 through the surface of the layer 9 is prevented.
そして、画素電極１０が形成されていない領域の有機絶縁層９の表層部を一部除去して、隣接する画素電極１０の間の領域に、表面抵抗の高い有機絶縁層９の下地部分を露出させ、有機絶縁層９表面を介した画素電極１０間の電流リークを防止する。 - 特許庁 - A filter layer 3 having a more permeability than that of a road floor is formed on the subgrade 2 mainly formed of a current ground, a permeable road layer 4 is provided on the filter layer, and a permeable surface layer 6 is provided on the road bed.
現地盤を主体とした路床２上に、路床より大きい透水性のフィルター層３が形成され、フィルター層上には透水性の路盤層４が設けられ、路盤層上には透水性の表層６が設けられている。 - 特許庁 - A current detecting printed board 1 used for the current detection employs a coiled wire 10 formed by alternately connecting a front surface layer and a rear surface layer of the board through the board along through holes 101 provided on the board.
電流検出に用いる電流検出用プリント基板１は、基板に設けられた貫通穴１０１に沿って、基板を貫通しながら基板の表面層と裏面層とを交互に接続することによって形成されたコイル状の配線１０を用いたものである。 - 特許庁 - In a bipolar battery of the construction that a plurality of bipolar electrodes each having a positive electrode layer 2 provided on one surface of a current collector 1 and a negative electrode layer 3 provided on the other surface of the current collector 1 are layered via gel electrolyte layers 4, all of the positive electrode layer, the negative electrode layer and the electrolyte layer contain matrix polymer molecule of gel electrolyte.
一枚の集電体１の片側の面上に正極層２を設け、他方の側の面上に負極層３を設けたバイポーラ電極を、ゲル電解質層４を介して複数積層した構造であるバイポーラ電池において、正極層、負極層、電解質層のすべての層にゲル電解質のマトリックス高分子を含むことを特徴とするゲル電解質バイポーラ電池。 - 特許庁 - A second conductivity type surface storage layer 25, which restrains a dark current element is formed in a surface of a first conductivity type depletion layer formation region 24 which forms a photoelectric conversion part 23, and the surface storage layer 25 is formed wider than the depletion laver formation region 26.
光電変換部２３を形成する第１導電型の空乏層形成領域２４の表面に暗電流成分を抑制する第２導電型の表面蓄積層２５を有し、表面蓄積層２５が空乏層形成領域２６より広く形成されて成る - 特許庁 - A thermal insulation layer is formed on a surface of a steel frame structure by applying the thermal insulation paint to the coating film object surface of applying the primer, and the finish coat paint is applied to this surface by laminating the heating coating film layer by applying the heating paint on this film, and the electric current is carried to the heating coating film layer.
鉄骨構造物の表面に、プライマーを塗布した被塗膜面に断熱塗料を塗布して断熱層を形成し、この上に前記発熱塗料を塗布して発熱塗膜層を積層せしめ、この表面に上塗り塗料を塗布して、発熱塗膜層に通電する。 - 特許庁 - The current-collecting member has a surface-finishing layer at least on one side of a conductive material wherein the ratio of a microscopic superficial area to a macroscopic superficial area is over 2.20 on a surface opposite the surface-finishing layer in the interface of the conductive material, and a volume resistance is below 2 Ωcm in the surface-finishing layer.
導電性基材の少なくとも片面上に表面処理層を有し、表面処理層の導電性基材との接触面の反対側表面における巨視的表面積に対する微視的表面積の比が２．２０以上であり、かつ表面処理層の体積抵抗が２Ω・ｃｍ以下である集電体。 - 特許庁 - To prevent the generation of a surface defect on a surface on which a resist film is formed at the time of etching an aperture of a current block layer by a semiconductor laser having a SAS structure.
ＳＡＳ構造の半導体レーザにおいて電流ブロック層の開口部のエッチングの際に、レジスト膜が形成された表面の表面欠陥の発生を防止する。 - 特許庁 - The anode is obtained by painting conductive polymer on the surface of the activator layer, applying electrolytic plating thereon, and by forming a current collecting surface layer covering the activator layer, having many fine holes through which electrolyte liquid can flow.
この負極は、活物質層の表面に導電性ポリマーを塗工し、その上に電解めっきを施して、該活物質層を被覆し且つ電解液の流通が可能な微細孔を多数有する集電用表面層を形成することで得られる。 - 特許庁 - A current collector for a secondary battery includes the resin layer having conductivity and an ion shielding layer arranged on a surface of the resin layer, and the ion shielding layer includes a flat conductive filler, a long side of the flat conductive filler being arranged in a surface direction of the resin layer.
導電性を有する樹脂層と、前記樹脂層の表面に配置されるイオン遮断層と、を含む二次電池用集電体であって、前記イオン遮断層は扁平状の導電性フィラーを含み、前記扁平状の導電性フィラーの長辺方向が前記樹脂層の面方向に配置される、二次電池用集電体である。 - 特許庁 - The ITO layer 20 also has the functions of a current diffusing layer and a light emitting layer and, at the central part of the main surface MP1 of the layer 20, a metallic electrode (for example, Au electrode) 9 used for impressing a light emission driving voltage to the light emitting layer 24 is formed so as to cover part of the surface MP1.
ＩＴＯ層２０は、電流拡散層及び光取出層の機能も有し、その主表面ＭＰ１の略中央に、発光層部２４に発光駆動電圧を印加するための金属電極（例えばＡｕ電極）９が、前記主表面ＭＰ１の一部を覆うように形成されている。 - 特許庁 - To solve a problem wherein, when an electric characteristic of an SOI wafer is evaluated by a pseudo-MOSFET, and a gate voltage is applied through a BOX layer, a current flows on a surface of an SOI layer in the case where a depletion layer does not reach the surface of the SOI layer, and an SOI/BOX layer interface can not be evaluated.
Ｐｓｅｕｄｏ−ＭＯＳＦＥＴによってＳＯＩウェーハの電気特性を評価する際、ＢＯＸ層を通じてゲート電圧を印加した際、空乏領域がＳＯＩ層表面にまで届いていない場合、ＳＯＩ層表面で電流が流れてしまい、ＳＯＩ／ＢＯＸ層界面の評価が不可能になってしまう。 - 特許庁
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