「surface layer current」を含む例文一覧(694)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 13 14 次へ＞- A protection layer 9, which is obtained by modifying surface of a current collector 4a and includes oxyhydroxide on the current collector 4a, and an anchor coat layer 10, which is formed on the protection layer 9 and includes conductive particles, are provided between the current collector 4a and polarizable electrode layer 5a of an electrode for a capacitor.
キャパシタ用電極体の集電体４ａと分極性電極層５ａとの間に、集電体４ａの表面を改質させ、集電体４ａ上にオキシ水酸化物を含む保護層９と、導電性粒子を含み、保護層９上に形成されたアンカーコート層１０とを設けた。 - 特許庁 - Further, since current of a low frequency flows through the deep layer part of a human body and current of a high frequency flows through the surface layer part of the human body, the calculated body fat ratios are arranged in the increasing order of the frequency to prepare a body fat distribution graph from the deep layer part of a body to a surface layer part.
さらに、周波数の低い電流は人体の深層部を流れ、周波数の高い電流は人体の表層部を流れることから周波数の低い順に算出した体脂肪率を並べて身体の深層部から表層部に至る体脂肪分布グラフを作成する。 - 特許庁 - Then a 4th connection electrode 79 is formed on the substrate reverse surface side where the 3rd electrode layer is formed and on the current collection hole inner peripheral surface where the transparent electrode layer is formed to electrically connect the transparent electrode layer 76 and 4th connection electrode layer 79 through the current collection hole 77.
その後、前記第３電極層が形成された基板裏面側および透明電極層が形成された集電孔内周面に第４接続電極79を形成することにより、集電孔77を介して透明電極層76と第４接続電極層79とを電気的に接続する。 - 特許庁 - An undercoat layer 4, formed of the same material with the binder 2, is formed on the surface of the current collector 5, the electrode layer is formed on the undercoat layer 4 for the formation of an electrode.
集電体５表面にバインダ２と同じ材料でアンダーコート層４を形成した後、電極層をアンダーコート層４上に形成し、電極を作成する。 - 特許庁 - The current diffusion layer includes: an island-like or netlike salient; a processing layer having a surface including a bottom portion provided adjacently to the salient; and a first layer provided between the processing layer and the clad layer.
電流拡散層は、島状または網状の凸部および前記凸部に隣接して設けられた底部を含む表面を有する加工層と、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられた第１の層と、を含む。 - 特許庁 - Consequently, the surface of the contact layer 4 can be covered with the active layer 5 substantially uniformly, and since the off-leak current is reduced, a TFT having the characteristics of large on-current can be obtained.
これにより、コンタクト層４の表面を活性層５でほぼ均一に覆うことができ、オフリーク電流が低減され、オン電流の大きい特性のＴＦＴを得ることができる。 - 特許庁 - A current collecting layer 5 made of porous metal layer having better conductivity than the fuel electrode 3 is arranged on the surface of the fuel electrode 3.
燃料極３の表面には、燃料極３よりも電気良導性がよい多孔質金属層からなる集電層５を設けている。 - 特許庁 - A metal layer 13 is formed on a rear surface 20 side of the substrate 2, and the metal layer 13 is used as a current path of the cathode region.
そして、基板２の裏面２０側には金属層１３が形成され、金属層１３はカソード領域の電流経路として用いられる。 - 特許庁 - A surface-emitting semiconductor laser 100 oscillating at a wavelength λ includes an ion-implanted current narrowing layer 14 near an active layer 13.
面発光半導体レーザ１００は、発振波長がλであり、活性層１３の近傍にイオン注入型の電流狭窄層１４を有する。 - 特許庁 - The current block structure can be extended from the lower surface of the resistive contact electrode to the light emitting layer.
この電流ブロック構造は、抵抗性接触電極の下表面から発光層まで延ばすことができる。 - 特許庁 - The anode for nonaqueous electrolyte secondary battery has an activator layer 2 and surface layers 3a, 3b for current collection.
非水電解液二次電池用負極１０は、活物質層２と集電用表面層３ａ，３ｂとを備える。 - 特許庁 - To suppress a leak current caused by an etch pit formed on a surface part of an epitaxial layer in a manufacturing step.
製造過程でエピタキシャル層の表面部に形成されるエッチピットに起因するリーク電流を抑えること。 - 特許庁 - A third current path application electrode 10 with a thin line is provided on an external surface of the ZnO layer 2.
ＺｎＯ層２の外表面上には、細線をもって第３の電流経路付与電極１０が設けられる。 - 特許庁 - Subsequently, electrode slurry is applied to the other-side surface 30b of the current collector material 30, and thereby an electrode mixture layer 34 is formed on the other-side surface 30b of the current collector material 30.
続いて、集電体材料３０の他方面３０ｂに電極スラリーを塗工することにより、集電体材料３０の他方面３０ｂに電極合材層３４が形成される。 - 特許庁 - By applying electrode slurry to one-side surface 30a of a current collector material 30, an electrode mixture layer 31 is formed on the one-side surface 30a of the current collector material 30.
集電体材料３０の一方面３０ａに電極スラリーを塗工することにより、集電体材料３０の一方面３０ａに電極合材層３１が形成される。 - 特許庁 - To prevent an unnecessary amorphous silicon layer from being deposited at a periphery of a through hole when a current collection structure for collecting a current generated on a photodetection surface on a reverse surface through the through hole is formed.
受光面で生成された電流をスルーホールを介して裏面で集電する集電構造を形成する際、スルーホール周辺に不要なアモルファスシリコン層が堆積することを防止する。 - 特許庁 - To provide an electrode current collector for a battery, in which a base material surface is protected, and which has superior current collecting characteristics against an electrode composite layer.
基材表面が保護されるとともに電極合材層に対して優れた集電性能を有する電池用の電極集電体を提供する。 - 特許庁 - The metal layer and the metal-based clad layer have a ridge shape, a current blocking layer 180 is formed on sidewalls and an exposed surface, and a p-electrode layer 190 is provided thereon.
金属層及び金属系クラッド層は、リッジ状に形成され、その側面及び外郭領域表面に電流遮断層１８０が形成され、その上にｐ−電極層１９０が備えられている。 - 特許庁 - The diode, having an n-type semiconductor layer provided on a surface of a p-type semiconductor substrate and also having the current path formed in the horizontal direction of the substrate, has an anode electrode structure formed by laminating a molybdenum silicide layer, a Ti layer, and an Al layer on a surface of the n-type semiconductor layer.
ｐ型半導体基板表面にｎ型半導体層を設け、基板の水平方向に電流経路が形成されるダイオードにおいて、ｎ型半導体層表面に、モリブデンシリサイド層、Ｔｉ層およびＡｌ層を積層したアノード電極構造とする。 - 特許庁 - In a step of forming the plating film (for instance, an Ni film) on a surface of an electrode pad 7a by an electrolytic plating method, a first layer 12a is formed on the surface of the electrode pad 7a at a first current density, and thereafter a second layer 12b is formed on a surface of the first layer at a second current density higher than the first current density.
電極パッド７ａの表面に電解メッキ法でメッキ膜（例えばＮｉ膜）を形成する工程において、前記電極パッド７ａの表面に第１の電流密度で第１の層１２ａを形成し、その後、前記第１の層の表面に前記第１の電流密度よりも高い第２の電流密度で第２の層１２ｂを形成する。 - 特許庁 - This negative electrode 10 comprises: a pair of front and back current-collecting surface layers 3a and 3b; and an active material layer 2 interlaid and disposed between the surface layers.
負極１０は、表裏一対の集電用表面層３ａ，３ｂと、該表面層間に介在配置された活物質層２とを備える。 - 特許庁 - The electrode is comprised of an active material layer containing an iron-containing active material and a binder and a current collecting layer, the surface roughness of the active material layer measured by conforming to JIS B0601 is 1.60 μm or less, and peeling strength between the active material layer and the current collecting layer is 0.1 N/cm or more.
鉄含有活物質及びバインダーを含んでなる活物質層と集電体層からなり、活物質層のＪＩＳ Ｂ０６０１に準じて測定される表面粗さが１．６０μｍ以下であり、かつ活物質層と集電体層とのピール強度が０．１Ｎ／ｃｍ以上である電極。 - 特許庁 - This electrode and battery have a current collector, and a plied timber layer formed on the current collector including an active substance composed of a hydrophobic core part and a hydrophilic surface layer part formed on the surface of the core part.
集電体と、疎水性の核部及び該核部の表面に形成された親水性の表層部からなる活物質と親水性結着材とを含む該集電体上に形成された合材層とを有することを特徴とする。 - 特許庁 - Further, the total thickness of the light guide layers 5 and 7 is ≥0.5 μm and the distance from the bottom part of the current stricture structure as the striped groove bottom surface of the current stricture layer 8 to the top surface of the quantum well layer 6 is ≤0.25 μm.
さらに、光ガイド層５，７の合計厚みを0.5μｍ以上とし、電流狭窄層８のストライプ溝底面である電流狭窄構造の底部から量子井戸層６の上面までの距離を0.25μｍ未満とする。 - 特許庁 - The power generation element is formed by laminating, via an electrolyte layer 25, a bipolar electrode 21 having: a positive electrode active material layer 23 formed on one surface of a current collector; and a negative electrode active material layer 24 formed on the other surface thereof.
発電要素は、集電体の一方の面に正極活物質層２３が形成され、他方の面に負極活物質層２４が形成される双極型電極２１が電解質層２５を介して積層される。 - 特許庁 - This assembly 5 for the electrochemical cell is provided with a solid electrolyte layer 1, an air electrode layer 2 provided on one surface 1a of the solid electrolyte layer 1 and the current collecting layer 3 made of ceramics provided on the air electrode layer 2.
電気化学セル用アセンブリ５は、固体電解質層１、固体電解質層１の一方の表面１ａに設けられている空気極層２および空気極層２の上に設けられているセラミックス製の集電層３を備えている。 - 特許庁 - Subsequently, a current constriction layer 14 of p-type GaN is grown in a region other than the mask pattern 25 on the upper surface of the n-type contact layer 13.
次に、ｎ型コンタクト層１３の上面のマスクパターン２５を除く領域にｐ型ＧａＮからなる電流狭窄層１４を成長させる。 - 特許庁 - A high-frequency current suppressor is of sheet structure equipped with, at least, an adhesive agent layer 3 or an adhesive layer formed on the surface of a magnetic thin film 1.
磁性薄膜１の少なくとも一面に、接着剤層３又は粘着層を備えたシート形状を有する高周波電流抑制体である。 - 特許庁 - Since the second embedding layer 32 is made of an insulative material, a leak current in the second conductivity-type cladding layer side surface 22s can be efficiently suppressed.
第２埋め込み層３２は絶縁性材料からなるため、第２導電型クラッド層側面２２ｓにおけるリーク電流が効果的に抑制される。 - 特許庁 - An LED structure has a substrate having a distributed Bragg reflector, a first-type doped sealing layer, an active layer, a second-type doped sealing layer, current spreading layer, and a meshlike front electrode on one surface and a back electrode on the other surface.
ＬＥＤ構造は、分布ブラッグ反射、第１の型のドープされた封層、活性層、第２の型のドープされた封層、電流広がり層および網状の正面電極を一の表面に持ち、背面電極を他の表面に持つ基板を有する。 - 特許庁 - The Cr diffusion preventing layer 202 is formed on the surface of the current collecting substrate 201 by heat-treating a metal layer formed by a plating method or an electrostatic coating method, and the covering layer 203 is formed on the surface of the Cr diffusion preventing layer 202.
こメッキ法又は静電塗装法により形成された金属層を熱処理して集電基材２０１の表面にＣｒ拡散防止層２０２が形成され、該Ｃｒ拡散防止層２０２の表面に被覆層２０３が形成されている。 - 特許庁 - The surface-emitting semiconductor laser is provided with a laminate structure in which a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current confinement layer 15, an upper DBR layer 16, and a contact layer 17 are laminated in this order on a substrate 10, and the upper part of the laminate structure constitutes a mesa 18.
基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７をこの順に積層した積層構造を備え、この積層構造の上部がメサ部１８を構成する。 - 特許庁 - Furthermore, the surface of the current collection member 20 on the fuel battery cell side is covered with a Cr diffusion preventative layer having conductivity, and the surface of the other current collection members such as the edge portion of the current collection member 20 is covered with the Cr diffusion preventative layer having insulation performance such as Al_2O_3.
また、燃料電池セル側の集電部材２０の表面が導電性を有するＣｒ拡散防止層で被覆され、集電部材２０のエッジ部分等のその他の集電部材の表面が、Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁性を有するＣｒ拡散防止層で被覆されている。 - 特許庁 - A current collector side part 34a of the negative active material layer closely contacting to the surface of the negative current collector and an electrolyte side part 34b of the negative active material layer locating away in the thickness direction from the surface of the negative current collector are electrically connected through the conductive member.
負極集電体の表面に密着する負極活物質層の集電体側部位３４ａと、負極集電体の表面から厚み方向に離れて位置する負極活物質層の電解質側部位３４ｂとを、導電性部材を介して電気的に接続している。 - 特許庁 - Furthermore, a surface of the current collection member 20 on a fuel battery cell side is covered with a Cr diffusion preventative layer having conductivity, and the surface of the other current collection members such as an edge portion of the current collection member 20 is covered with a Cr diffusion preventative layer having insulation performance such as Al_2O_3.
また、燃料電池セル側の集電部材２０の表面が導電性を有するＣｒ拡散防止層で被覆され、集電部材２０のエッジ部分等のその他の集電部材の表面が、 Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁性を有するＣｒ拡散防止層で被覆されている。 - 特許庁 - To solve a problem where a current diffusion layer of GaP or AlGaAs hardly becomes excellent in surface morphology when it is formed at a low temperature, but a semiconductor light emitting device deteriorates in device characteristics when the current diffusion layer is formed at a high temperature because impurities are apt to be diffused into a light emitting layer.
ＧａＰやＡＩＧａＡｓから成る電流拡散層を低温で形成すると表面モホロジーが良好に得られないので、高温で形成すると、不純物の発光層への拡散が生じ、素子特性が劣化する。 - 特許庁 - A current block semiconductor region 9 is provided on the side surface 3a of the first conductive semiconductor region 3 on the side surface 5a of the active layer 5, and on the side surface 9a of the second conductive semiconductor layer 9.
電流ブロック半導体領域９は、第１導電型半導体領域３の側面３ａ上、活性層５の側面５ａ上及び第２導電型半導体層９の側面９ａ上に設けられている。 - 特許庁 - A concavo-convex shape is formed on the surface of a current collector 1, and a low-deposition speed layer 11 and a high-deposition speed layer 13 are formed on the current collector 1 in this order.
集電体１の表面には凹凸が形成されると共に、集電体１上に低堆積速度層１１と高堆積速度層１３とが順に設けられていることを特徴とする。 - 特許庁 - In addition, the current (Hall) can be more efficiently injected into the quantum well active layer when the GaN first underlying layer 2 is exposed from the opening of the AlGaN second underlying layer 3 and the opening of a current blocking layer or the stripe-like ridge section of a clad layer or contact layer is provided on the exposed surface 16 of the first underlying layer 2.
さらに、ＧａＮ第１下地層２をＡｌＧａＮ第２下地層３の開口部から露出させ、第１下地層２の露出表面１６上に電流阻止層の開口部を設けるか、クラッド層やコンタクト層のストライプ状リッジ部分を設ければ、量子井戸活性層にさらに効率よく電流（ホール）を注入することができる。 - 特許庁 - To provide a photoelectric converter increased in extracted current by optimizing structures of a transparent electrode layer on the side of a substrate, an intermediate layer, and an electrode layer on the rear surface side.
基板側の透明電極層、中間層、及び裏面側の電極層の構造が最適化されることにより、取り出し電流が増大した光電変換装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an organic thin-film transistor that prevents surface damage of an organic semiconductor layer and reduces the OFF-state current.
有機半導体層の表面損傷を防止し、オフ電流を減少させうる有機薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁 - A coating layer 6c is formed on the main surface E1 and the side surfaces E3 of the current collecting part 3c having the fine irregularities.
微小な凹凸を有する集電部３ｃの主面Ｅ１および側面Ｅ３に被覆層６ｃが形成される。 - 特許庁 - An insulative resin layer 13 is formed on a part of the surface of the current collector 10 of a cell electrode plate.
電池用電極板の集電体１０の表面の一部分には、絶縁性樹脂層１３が形成されている。 - 特許庁 - Accordingly, a drain current is prevented from concentrating in the surface channel layer 4 to lead to thermal destruction.
したがって、表面チャネル層４にドレイン電流が集中して熱破壊に至ることを抑制することが可能となる。 - 特許庁 - An active material layer is formed on the surface of the current collector by a powder coating method using one of the following (1) to (3) method.
集電体の表面に、下記（１）〜（３）のいずれかを用いた粉体塗装法により活物質層を形成する。 - 特許庁 - The surface of the p-type group III nitride semiconductor layer 8 exposed on a side surface of the semiconductor device forms a cleavage surface having reduced crystal defects, thus preventing a leak current from flowing along the side surface.
半導体装置の側面に露出するｐ型のIII族窒化物半導体層８の表面はへき開面となり、結晶欠陥が少なく、側面に沿ってリ−ク電流が流れることを防止する。 - 特許庁 - A semiconductor laminated part 12 including the light-emitting layer forming unit 11 having at least an n-type layer 2 and a p-type layer 4 is provided on a semiconductor substrate 1, a current-blocking layer 7 partly provided on a surface and a current diffusion electrode 8 is further provided on the entire surface of the substrate, and a bonding electrode 9 is provided on the substrate.
半導体基板１上に、少なくともｎ形層２とｐ形層４とを有する発光層形成部１１を含む半導体積層部１２が設けられ、その表面に電流阻止層７が部分的に、さらに電流拡散用電極８が全面に設けられ、その上にボンディング用電極９が設けられている。 - 特許庁 - To achieve both of the suppression of a dark current and the suppression of smear in a solid-state image pickup device where a surface p layer is provided on the surface of a photoelectric conversion element.
表面ｐ層を光電変換素子表面に設けた固体撮像素子における暗電流抑制とスミア抑制とを両立させる。 - 特許庁 - This air current separation reducing sheet to be applied to the exterior of an automobile is provided with a plurality of recesses formed in the surface, and an adhesive layer formed on the back surface.
自動車の外装に貼り付ける気流剥離低減シートとして、表面に形成される複数の凹部と、裏面に形成される粘着層とを設ける。 - 特許庁 - To provide a method by which a light emitting element capable of maintaining a high current diffusing effect can be manufactured without growing in advance a thick current diffusing layer on the side of a peeled surface which becomes a light emitting surface, by peeling off a substrate for growing light emitting layer from a light emitting layer section.
発光層部から発光層成長用基板を剥離して発光素子を製造する際に、光取出面となる剥離面側に電流拡散層を前もって厚く成長する必要がなく、しかも高い電流拡散効果を維持できる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
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