「surface layer current」を含む例文一覧(694)
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 次へ＞- Namely, hillocks are decreased, by using AlGaInAsP containing as a composition for the current constriction layer 110, and planarity and crystallinity of the element surface are enhanced, and the reliability of the element such as service life, etc., is improved.
即ち、電流狭窄層１１０にＡｓを組成として含むＡｌＧａＩｎＡｓＰを用いることでヒロックが減少し、素子表面の平坦性及び結晶性が改善し、寿命などの素子信頼性が向上する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which is prevented from generating a leak current flow on the re verse surface of an element separating insulating film since a depletion layer includes an interfacial potential generation part, and to provide a method for manufacturing the same.
空乏層が界面準位発生部を含んでしまうことに起因した素子分離絶縁膜の下側表面に沿うリーク電流の発生が防止された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To improve a ratio of detecting signal to a noise by inhibiting a leakage current generated by an alkali metal segregated by a surface layer of a glass substrate, when the glass substrates and a silicon substrate are anode-bonded.
ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合するにあたって、ガラス基板の表層に偏析されるアルカリ金属によって発生してしまうリーク電流を抑止して、ノイズに対する検出信号の比率を向上させる。 - 特許庁 - The GaN-based semiconductor device 20 has a source electrode 31 and a drain electrode 32 configured such that a current flows between the two electrodes through an active layer 25 in an on-state, a gate electrode 33, and a reverse-surface electrode 34.
ＧａＮ系半導体装置２０は、オン状態で能動層２５を介して相互間に電流が流れるソース電極３１およびドレイン電極３２と、ゲート電極３３と、裏面電極３４とを備える。 - 特許庁 - The GaN-based semiconductor device 20 has a source electrode 31 and a drain electrode 32 configured such that a current flows between the two electrodes through an active layer 25 in an on-state, a gate electrode 33, and a reverse-surface electrode 34.
ＧａＮ系半導体装置２０は、オン状態で２つの電極間で能動層２５を介して電流が流れるソース電極３１およびドレイン電極３２と、ゲート電極３３と、裏面電極３４とを備える。 - 特許庁 - To provide a CMOS image sensor in which the dead zone and the dark current characteristics can be enhanced simultaneously by forming a trench in the surface of an epitaxial layer and forming a transfer transistor in the trench.
エピタキシャル層の表面にトレンチを形成し、トレンチ内にトランスファトランジスタを形成して、デッドゾーンと暗電流の特性を同時に向上させることのできるＣＭＯＳイメージセンサとその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The product of a catalyst surface area per catalyst coating area of an anode catalyst layer 32 of a fuel cell stack and oxygen reduction exchange current density is set to a first prescribed value or less.
燃料電池スタックのアノード触媒層３２の単位触媒塗布面積あたりの触媒表面積と、前記アノード触媒層３２の触媒の酸素還元交換電流密度との積を第１の所定値以下とする。 - 特許庁 - Temperature of the liquid crystal layer is raised to the level of normal operation within a short period of time, by forming an ITO film 13 on the surface of the color filter substrate 12 and feeding a current through the ITO film 13 in the starting up.
カラーフィルタ基板１２の表面にＩＴＯ膜１３を形成し、ＩＴＯ膜１３に起動時に電流を流すことによって、液晶層の温度を正常動作できるまでに短時間で上昇させる。 - 特許庁 - Then, after a power supply layer 45 is formed by a conductive material on the insulating film 44 and in the inner surface of the groove 44a, a magnetic film 36a is formed on the power supply layer 45 by an electric plating method by a pulse current, and the groove 44a is filled with the magnetic film 36a.
次いで、絶縁膜４４上及び溝４４ａの内面に導電性材料により給電層４５を形成した後、給電層４５上にパルス電流による電気めっき法により磁性膜３６ａを形成し、磁性膜３６ａを溝４４ａ内に充填する。 - 特許庁 - To provide an organic electroluminescent display capable of not only enhancing printing quality but also reducing a leakage current between picture elements, when forming an electroluminescent layer for an ink jet system by selectively applying UV surface treatment to a hole transport layer, and its manufacturing method.
正孔輸送層を選択的にＵＶ表面処理を施し、インクジェット方式の発光層を形成する際、印刷品質を向上することができるのみならず、画素間のリーク電流を低減することができる有機電界発光ディスプレイ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an organic electroluminescent display and its manufacturing method wherein not only print quality can be improved but also leakage current between pixels can be reduced when selective UV surface treatment of a positive hole transport layer is applied and an ink-jet type light-emitting layer is formed.
正孔輸送層を選択的にＵＶ表面処理を施し、インクジェット方式の発光層を形成する際、印刷品質を向上することができるのみならず、画素間のリーク電流を低減することができる有機電界発光ディスプレイ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a process for fabricating a thin film transistor in which a shallow junction diffusion layer can be formed on the surface layer of a semiconductor thin film and thereby the leak current can be suppressed uniformly by relaxing the electric field at the drain end without providing an LDD region.
半導体薄膜の表面層に浅い接合の拡散層を形成することが可能で、これによりＬＤＤ領域を設けることなくドレイン端においての電界を緩和してリーク電流を均一に抑えることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - Preferably, austenitic stainless steel is used as the stainless steel material and a nitrate layer containing a chemical compound layer composed of a solid solution in which at least one part of Fe in Fe_4N crystals is replaced by Cr or Ni is formed on a contact surface with an oxide electrode of the separator or a current collector on an oxide electrode side.
ステンレス鋼基材として、オーステナイト系ステンレス鋼を用い、セパレータの酸素電極又は酸素電極側の集電体との接触面にFe_4N結晶中のFeの一部が少なくともCr及びNiにより置換された固溶体からなる化合物層を含有する窒化層を形成するのが好ましい。 - 特許庁 - Thus, the resistance of the molten slag 23 is estimated from current value and resistance between plasma electrodes 4, 7 and resistance of the plasma arc, and the thickness of a molten slag 23 layer is estimated from a relation between the resistance of the molten slag 23 and the thickness of the molten slag 23 layer, whereby a molten surface of the molten metal 24 is estimated.
よって、プラズマ電極４，７間の電流値及び抵抗値とプラズマアークの抵抗値から溶融スラグ２３の抵抗を求め、溶融スラグ２３の抵抗値と溶融スラグ２３層の厚さの関係より溶融スラグ２３層の厚さを求め、これにより溶融メタル２４の溶融面を求める。 - 特許庁 - The window-type current transformer includes annular secondary winding 1 that the main circuit conductor 10 penetrates substantially at its center part, the annular insulating layer 2 formed over the entire circumference of the secondary winding 1 by molding, and a shield cylinder 3 molded integrally on the inner peripheral surface of the insulating layer 2 to be held at a ground potential.
主回路導体１０が略中央部を貫通する環状の二次巻線１と、二次巻線１の全周にモールドで形成された環状の絶縁層２と、絶縁層２の内周面に一体でモールドされた接地電位となるシールド筒３とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁 - The plurality of the relay connectors 51 are particulate matter having a solder layer 52 on the surface and insulated from the catalyst electrode 23 between the first substrate 13 and the second substrate 20 and arranged in a point-like state, and electrically connect the translucent conductive layer 14 and the current collecting conductor 42.
複数の中継接続体５１は、表面にはんだ層５２が存在する粒状物で、第１基体１３及び第２基体２０間にて触媒電極２３と絶縁された状態で点状に配置され、透光性導電層１４と集電導体４２との間を導通する。 - 特許庁 - To provide a fixing apparatus which attains a uniform fixing ability by making the temperature distribution on a fixing roller surface uniform by uniforming a heat generated amount distribution by preventing the occurrence of variance in electric resistance value in the flowing direction of current in a heat generating layer in the heat generating layer composed of a sheet heating element formed on a roller surface.
ローラ表面に形成された面状発熱体からなる発熱層において、発熱層の電流の流れ方向における電気抵抗値バラツキが発生するのを防止して発熱量分布の均一化が可能となり、定着ローラ表面の温度分布を均一化して、均一な定着能力が達成可能な定着装置を提供する。 - 特許庁 - In the nonaqueous electrolyte secondary battery, comprising a wound electrode, which is formed by winding a positive electrode sheet 1, a negative electrode sheet and a separator, and a nonaqueous electrolyte, an insulation layer 5 having ion conductive property, is formed at least on the positive electrode or on the negative electrode within the range of covering the surface of an activator layer 3 and an exposed surface 2A of a current collector.
正極シート１、負極シート及びセパレータを巻回して成る巻回電極体と、非水電解質とを備えた非水電解質二次電池において、正極シート１及び負極シートの少なくとも一方に、活物質層３の表面と集電体２の露出面２Ａとの両方に跨る範囲で、イオン導通性を有する絶縁層５を設けた。 - 特許庁 - In this solar array panel and a manufacturing method thereof, an insulator layer 2 containing a space is provided between an insulator film layer 3 and a surface of a sandwich panel 1 to increase a distance between a solar battery cell 4 and the surface material of the sandwich panel 1 as an electricity conductor, and the insulating property higher than a current one is thereby secured.
絶縁体フィルム層３とサンドイッチパネル１の表皮の間に、空間を含む絶縁体層２を設けることにより、太陽電池セル４と電気伝導体であるサンドイッチパネル１の表皮材の距離が増加するようにして、従来のものよりも高い絶縁性を確保できるようにしたソーラーアレイパネルおよびその製造方法である。 - 特許庁 - This electric fusion joint has a joint through-hole inner wall surface composed of a fusible synthetic resin layer fusible and joinable by current supply heating on and to a synthetic resin pipe outer wall inserted and arranged from both end openings; and has a barrier layer for checking permeation of an organic liquid or gas fuel in the thickness direction from the through-hole inner wall surface.
両端開口より挿し込み配置されている合成樹脂管外壁と通電加熱によって融着接合可能な融着性合成樹脂層からなる継手貫通孔内壁面を有し、且つ該貫通孔内壁面から厚み方向への有機系液体又は気体燃料の浸透を阻止するバリア層を有する電気融着継手。 - 特許庁 - The positive electrode for the nonaqueous electrolyte secondary battery includes a current collector and a positive mixture material layer 22 formed on the current collector, and the positive mixture layer 22 contains a positive active material 23 reversibly absorbing/releasing lithium ions and a silane coupling agent 24 present in at least the vicinity of the surface of the broken surface 23a of the positive active material 23.
集電体と、集電体に形成された正極合剤層２２とを備えた非水電解質二次電池用正極であって、正極合剤層２２として、リチウムイオンを可逆的に吸蔵・放出する正極活物質２３と、少なくとも正極活物質２３の破断面２３ａの表面近傍に存在し、水分との反応を防止するシランカップリング剤２４、２４ａとを含有して非水電解質二次電池用正極が構成される。 - 特許庁 - For the production of this surface-treated copper foil, there is employed, for example, a process comprising subjecting a glossy surface of copper foil to electrolysis in a black cobalt plating solution containing cobalt sulfate (heptahydrate) at a current density of 2A/dm^2 or higher so as to form a rustproof treated layer and thereafter carrying out water washing and drying.
また、当該表面処理銅箔の製造は、銅箔の光沢面上に、硫酸コバルト（７水和物）を含む黒色コバルトメッキ液を用いて、２Ａ／ｄｍ^２以上の電流密度で電解し、防錆処理層を形成し、水洗し、乾燥する手法等を採用する。 - 特許庁 - To provide a magnetoresistance effect sensor in which the generation of a Barkhausen noise can be suppressed by preventing a magnetic domain such as a closure domain from being formed in a free magnetization layer, by a galvano magnetic field to be guided to the intra-film surface direction by operation in a mode for electrifying a sense current vertically to a film surface.
センス電流を膜面垂直方向に通電するモードで動作し、膜面内方向に誘導される電流磁界による磁化自由層での還流磁区などの磁区形成を防ぐことができ、バルクハウゼンノイズの発生を抑制できる磁気抵抗効果センサーを提供する。 - 特許庁 - In the electrochemical element having a first electrode 12 and a second electrode 13 laminated through an insulating layer 11, at least one of the first and second electrodes has a current collector sheet 15, 18 and a graphite layer 16, 17 formed on the surface thereof and the graphite layer contains a conductive material other than graphite.
絶縁層１１を介して、第一の電極１２と、第二の電極１３が積層された電気化学素子であって、第一の電極および第二の電極の少なくとも一方が、集電体シート１５、１８と、その表面に形成された黒鉛層１６、１７を備え、黒鉛層が黒鉛以外の導電性材料を含んだことを特徴とする電気化学素子。 - 特許庁 - The electrode 5 for the lithium secondary battery has an active material layer 1 formed on a current collector, a slit-like or a grid-like groove 3 is formed on the surface of the active material layer 1, wherin the groove 3 is formed so that the end in the face direction of the groove 3 does not reach the peripheral part 1a of the active material layer 1.
集電体上に活物質層１が設けられたリチウム二次電池用電極５であって、活物質層１の表面にスリット状または格子状の溝３が形成されており、該溝３の面方向の端部が活物質層１の周縁部１ａに達しないように溝３が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁 - A semiconductor device 1 includes an NMISFET region 3 including a GOI layer 6 or a Ge layer 8 wherein a triangular cross section thereof along a direction perpendicular to a direction in which a channel current flows, two of surfaces thereof are (111) planes and the other surface is a (100) plane, and an Si layer 7 formed on the (100) plane.
チャネル電流が流れる方向に対して垂直方向の断面が三角形状をしており、その２面が（１１１）面で、残りの１面が（１００）面であるＧＯＩ層６またはＧｅ層８と、前記（１００）面上に形成されたＳｉ層７と、を備えたＮＭＩＳＦＥＴ領域３を備えたこと、を特徴とする半導体装置１。 - 特許庁 - In one of the interface, an upper layer part of the separable tape is peeled off, removed together with the active material layer thereon, and since the remaining separable tape and the active material layer are adjusted so as to have almost the same height, the whole surface is pressed with a roll press, and the remaining separable tape is peeled off to form the non-painting part on the current collector.
その後、前記界面の一つにおいて、前記剥離性テープの上層部をはがしてその上の活物質層とともに除去し、残留した剥離性テープと活物質層の高さがほぼ同等となるようにしてから、全面にロールプレスを行い、残留した剥離性テープを剥離して集電体上に未塗工部分を形成する。 - 特許庁 - In an electric double layer capacitor which is obtained by winding a carbon layer 4 composed of activated carbon, etc., around current collecting foil 2 together with a positive electrode 1 and a negative electrode 1 formed on both surfaces or one surface of the layer 4, the positive and negative electrodes 1 respectively have plurality of tab sections 3 composed of parts of the foil 3 and arranged properly at practically same angular positions.
集電箔２上に活性炭等のカーボン層４を両面又は片面にそれぞれ形成させた正極及び負極１を一緒に巻回した電気二重層キャパシタにおいて、正極及び負極１は、それぞれ、集電箔２の一部からなる複数個のタブ部３を巻回状態でほぼ同じ角度位置に揃えて有する。 - 特許庁 - At least a part of the resistance 220 includes a film-like conductive layer 17 formed of a conductive material, which is formed directly or indirectly on one main surface of the substrate area 21 of the semiconductor snubber 200, and when current is carried to the resistance 220, at least a part of the route of current to the conductive layer 17 flows in a direction other than the film thickness direction.
抵抗２２０の少なくとも一部が、半導体スナバ２００の基板領域２１の一主面上に直接的にもしくは間接的に形成された、導電性材料からなる膜状の導電層１７を含み、かつ、抵抗２２０に電流が流れる際に、導電層１７に流れる電流の経路の少なくとも一部が、膜厚方向以外の方向へ流れる。 - 特許庁 - When producing the bipolar semiconductor device formed of a silicon carbide epitaxial layer 2, grown from the surface of a silicon carbide substrate 1, at least a part of the region where electrons and positive holes recombine during applying of electric current, the surface of the silicon carbide substrate 1 is treated with hydrogen etching, and then silicon carbide is epitaxially grown from the treated surface to result in formation of the epitaxial layer 2.
通電時に電子と正孔が再結合する領域の少なくとも一部を、炭化珪素基板１の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル層２により形成したバイポーラ型半導体装置を製造するに際し、炭化珪素基板１の表面を水素エッチングで処理した後に、この処理面から炭化珪素をエピタキシャル成長させることにより前記エピタキシャル層２を形成する。 - 特許庁 - To provide an oxidation apparatus for manufacturing a surface-emitting type semiconductor laser for maintaining the temperature in the plane of a workpiece uniformly and enhancing the in-plane uniformity of the oxidation rate of a semiconductor layer including aluminum and arsenic, and provide a method of manufacturing the surface-emitting type semiconductor laser for forming a high-quality current constriction layer by using the oxidation apparatus for manufacturing the surface-emitting type semiconductor laser.
被処理体の面内における温度を均一に保ち、アルミニウムと砒素を含む半導体層の酸化速度の面内均一性を高めることができる面発光型半導体レーザ製造用酸化装置、およびその面発光型半導体レーザ製造用酸化装置を用いることにより、品質の高い電流狭窄層を形成することができる面発光型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁 - This invention provides the electric double-layer capacitor that is usable above 85°C and can have a longer life by suppressing deterioration of an electrolyte and a current collector by suppressing reaction between the electrolyte or water in an electrode and the current collector since the current collector is made of aluminum having a reactive chemical conversion coating formed on a surface.
本発明は集電体の表面に反応型化成皮膜を形成したアルミニウムからなっているので、電解液または電極中の水分と集電体との反応を抑制することによって、電解液及び集電体の劣化を抑制し、８５℃以上での使用が可能となり、さらに長寿命特性を有する電気二重層キャパシタを提供することができる。 - 特許庁 - A surface electrode group 2 comprising a plurality of strip electrodes 2a, current distribution layers 3a, 3b comprising a low-resistance diamond and connected respectively to both ends of each strip electrode 2a, and signal drawing electrodes 4a, 4b connected respectively to both ends of the current distribution layers 3b, 3b are formed on one surface of a high-resistance diamond layer 1.
高抵抗ダイヤモンド層１の一方の面上に、複数の短冊状電極２ａからなる表面電極群２、低抵抗ダイヤモンドからなり各短冊状電極２ａの両端部に夫々接続された電流分配層３ａ及び３ｂ、電流分配層３ｂ及び３ｂの両端部に夫々接続された信号取り出し電極４ａ乃至４ｄを形成する。 - 特許庁 - As a result, there can be so solved the problem that electric fields are concentrated in microscopic protruding portions present on the surface of a lower electrode layer 6 as to make possible the realizations of thinning the capacitor element, the improvement of its withstanding voltage, and the reduction of its leakage current.
その結果、下部電極層６の表面において微視的な凸部に電界が集中する問題を解決でき、薄膜化を実現できるとともに耐圧の向上、リーク電流の低減を図ることができる。 - 特許庁 - A jumping electric current IJ is reduced by connecting a short pipe member 30 having an anticorrosive metal layer 50 at least on an inside wall surface between at least two pipe materials 1, 2 different in electric potential by insulating it from the pipe materials 1, 2.
電位の異なる少なくとも２つの管材１，２の間に、少なくとも内部の壁面に耐食性金属層５０を有する短管部材３０を、管材１，２に絶縁させて接続し、ジャンピング電流Ｉ_J を低減する。 - 特許庁 - In the method, a piezoelectric thin film 4 is laminated on a support substrate on which a conductive sacrificing layer is formed, and a meander electrode 20 turning to an open state due to over-current is formed to a wiring to form an upper surface polarizing electrode 14 on the piezoelectric thin film 4.
導電性犠牲層を形成した支持基板に圧電薄膜４を積層するとともに、過電流によりオープンになるミアンダ電極２０を配線に設けて圧電薄膜４に上面分極電極１４を形成する。 - 特許庁 - The heating resistor 14 and the plasma generating electrode 12 are embedded inside a ceramic plate like body 11 having a placing surface 11a for a wafer 20, and a wafer holding member is constituted with a leakage current preventive layer between both of them.
ウェハ２０の載置面１１ａを備えたセラミック製板状体１１の内部に発熱抵抗体１４とプラズマ発生用電極１２を埋設し、両者の間に漏れ電流防止層を備えてウェハ保持部材を構成する。 - 特許庁 - Thus, a current path generated by transfer of ions along the surface of the resin insulating layer 15B is hardly formed, and high withstand voltage is obtained even if the leading-out conductors 31, 32 are formed at a close distance.
このため、樹脂絶縁層１５Ｂの表面に沿ったイオンの移動などによって生じる電流パスが形成されにくくなることから、引き出し導体３１，３２間の距離が近い場合であっても高い耐圧を得ることが可能となる。 - 特許庁 - Since in this carbon fiber having a herringbone structure, the cyclic end face of each carbon net layer is exposed to the outer surface of the carbon fiber, and all of the exposed ends function as electron emitting ends, a heavy emission current can be obtained.
ヘリンボン構造の炭素繊維は各炭素網層の環状の端面が炭素繊維の外表面に露出し、この露出端がすべて電子の放出端として機能するから、大きな放出電流をえることが出来る。 - 特許庁 - To provide a superjunction Schottky barrier diode including a parallel p-n layer where a first-conductivity region and a second-conductivity region are alternately arranged, the Schottky barrier diode relaxing a surface electric field and reducing a leakage current.
第一導電型領域と第二導電型領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を備える超接合ショットキーバリアダイオードにおいて、表面電界を緩和し、漏れ電流の低減するショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁 - Electrodes 22 for external connection each having one portion provided in the cavity of the cylinder 21 and the other portion provided to protrude from a top surface 21a of the cylinder 21 are formed by electrolytic plating with the base metal layer 13A serving as a current path.
下地金属層１３Ａを電流路とする電解めっきにより、一部が筒部２１の中空部内に設けられ、他部が筒部２１の上面２１ａより突き出して設けられた外部接続用電極２２を形成する。 - 特許庁 - Contact holes 12 and 13 are formed and patterning formation of a pixel electrode 16a is performed and patterning of a current source line 18 and an electroluminescence line 19 is performed by an electrolytic plating method, to the surface layer of a prepared transistor array substrate 1.
この製造したトランジスタアレイ基板１の表層に対して、コンタクトホール１２，１３を形成し、更に画素電極１６ａをパターニング形成し、電解メッキ法により電流源ライン１８及びＥＬライン１９をパターニングする。 - 特許庁 - An image forming layer containing a photothermal conversion agent is formed on a metal support which is subjected to at least, an electrolytic surface roughening process and also is anodized at 10 A/dm2-60 A/dm2 average current density.
少なくとも電解粗面化処理され、且つ平均電流密度１０Ａ／ｄｍ^^2〜６０Ａ／ｄｍ^2で陽極酸化処理された金属支持体上に、光熱変換剤を含有する画像形成層を有することを特徴とする。 - 特許庁 - In the production process, current block layers 17 and 18 are formed by epitaxial growth, following to formation of the ridge 1 excepting the upper surface of the ridge 1, the support layer 2 is formed by next epitaxial growth, and then the recess 2a is formed by etching.
その作製工程は、リッジ１形成後の結晶成長によりリッジ１の上面以外に電流ブロック層１７、１８が積層され、次の結晶成長によりサポート層２が積層され、凹部２ａがエッチングにより形成される。 - 特許庁 - To improve recoverability of battery capacity particularly after over- discharging a battery in a low rate current by forming a passive state layer between a positive electrode grid surface and an active material, and restraining the deterioration of adhesion between a grid and the active material thereby.
正極格子表面と活物質との間の不働態層の生成をこれによる格子−活物質間の密着性の低下を抑制し、特に低率電流で電池を過放電した後の電池容量の回復性を向上させる。 - 特許庁 - For the surface layer of this manufactured transistor array substrate 1, contact holes 12 and 13 are formed, the patterning forming is carried out for a pixel electrode 16a, and the patterning is carried out for a current source line 18 and an EL line 19 by means of the electrolytic plating method.
この製造したトランジスタアレイ基板１の表層に対して、コンタクトホール１２，１３を形成し、更に画素電極１６ａをパターニング形成し、電解メッキ法により電流源ライン１８及びＥＬライン１９をパターニングする。 - 特許庁 - The collector 100 for a nonaqueous electrolyte battery is formed from a metal foil and includes a base 20 having an electrode layer deposited on at least one surface to constitute an electrode body 2 and a lead 30 for current collection extracted from the base 20.
非水電解質電池用集電体100は、金属箔で形成され、少なくとも片面に電極層が成膜されて電極体2を構成する基体部20と、その基体部20から引き出される集電用のリード部30とを備える。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a solid electrolytic capacitor capable of enhancing the electrostatic capacitance and reducing a leakage current in the method of manufacturing the solid electrolytic capacitor having a dielectric layer of which the surface is processed with a solution of an organic solvent.
有機溶剤の溶液で誘電体層の表面を処理する固体電解コンデンサの製造方法において、静電容量を高め、漏れ電流を小さくすることができる固体電解コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A sheet which is formed in a shape of paper made of activated charcoal and carbon nanotubes by applying a paper making method, is integrated with an etching foil via irregularities formed on a surface of the etching foil composing a current collector to prepare the electrode for the electric double-layer capacitor.
活性炭とカーボンナノチューブを抄紙成型したシートを、集電体を構成するエッチング箔の表面に形成された凹凸部を介してエッチング箔と一体化して、電気二重層キャパシタ用電極を作成する。 - 特許庁 - These porous electrode active material layers 16 are formed by accumulating electrode active materials in numerous rod shapes in the solid electrolyte layer 30 direction from a surface of the current collector 14.
この多孔質な電極活物質層１６は、上記集電体１４の表面から固体電解質層３０方向に多数のロッド状に電極活物質が堆積することにより形成された多孔質な電極活物質層である。 - 特許庁
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