「surface layer current」を含む例文一覧(694)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 13 14 次へ＞- The sliding member 1 includes a stainless steel base material 3 in the surface layer of which a nitrided layer 20 is formed by a plasma nitriding treatment, a DLC film 21 which is formed on the surface of the base material 3 by a direct current plasma CVD method, and a sliding surface 22 formed from the DLC film 21.
摺動部材１は、プラズマ窒化処理により表層に窒化層２０が形成されたステンレス鋼製の基材３と、直流プラズマＣＶＤ法により基材３の表面に形成されたＤＬＣ被膜２１と、ＤＬＣ被膜２１により形成された摺動面２２とを含む。 - 特許庁 - It is preferable that the concentration of the radical compound on the electrode surface side in the positive electrode active material layer 10 is higher than that of the radical compound on the current collector side in the positive electrode active material layer 10.
正極活物質層１０における電極表面側のラジカル化合物の濃度は、正極活物質層１０における集電体側のラジカル化合物の濃度よりも高いことが好ましい。 - 特許庁 - In a photovoltaic device, there are formed a back electrode 10, a semiconductor optical active layer 11, a transparent surface electrode 7, and a current-collecting wiring layer 8 on an insulating film substrate 1.
本発明の光起電力装置では、絶縁性フィルム基板１上に裏面電極１０、半導体光活性層１１、透明表面電極７及び集電配線層８が形成される。 - 特許庁 - To provide an organic EL display device with good display quality by improving the surface flatness of the film thickness of a luminescent medium layer formed of wet coating, while preventing leak current from a hole injection layer.
正孔注入層からの電流リークを抑制し且つウェットコーティングで形成される発光媒体層の膜厚平坦性を改善することで、表示品質の良い有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁 - To detect soft breakdown of the dielectric layer 4 of the semiconductor wafer 6, a DC current is caused to flow between a top surface 18 of the dielectric layer 4 and the semiconductor material 8 of the semiconductor wafer 6.
半導体ウエハ６の誘電層４のソフトブレークダウンを検出するために、誘電層４の上面１８と半導体ウエハ６の半導体材料８との間に直流電流を流す。 - 特許庁 - In a cathode for a secondary battery constituted of a current collector, an electrode layer, containing an active substance, a conductive agent and a binding agent, the surface roughness R_zjis of the current collector is 5 μm or smaller and the peeling strength between the electrode layer and the current collector is 0.1 N/mm or higher.
集電体と、活物質、導電剤及び結着剤を含む電極層と、からなる二次電池用正極において、前記集電体の表面粗さＲ_ｚｊｉｓが５μｍ以下であり、前記電極層と前記集電体との間の剥離強度が０．１Ｎ／ｍｍ以上である、二次電池用正極である。 - 特許庁 - A sensor 20 is scanned along the protruded surface 104a on the first layer side being the outside of the thin plate to perform eddy current flaw detection while a transmission and reception element is scanned along the protruded surface 104a on the side of the first layer to perform ultrasonic flaw detection.
薄板のうち外側である第一層側の凸部表面１０４ａに沿ってセンサ２０を走査させて渦流探傷を行うと共に、第一層側の凸部表面１０４ａに沿って送受信子を走査させて超音波探傷を行う。 - 特許庁 - Then, the insulating hydrophilic treatment layer 21, formed on an end face region 6 of a projected section requiring a current collection function, is removed, and a surface treatment layer 22, made of a noble metal, is formed on the section by applying surface treatment of the noble metal.
集電機能を必要とする凸部の端面領域６に形成された絶縁性の親水化処理層２１を除去し、その後、貴金属による表面処理を施してその部分に貴金属による表面処理層２２を形成する。 - 特許庁 - A current detection printed board 1 used for current detection uses coil-shaped wiring 10 formed by connecting alternately a front surface layer and a backside layer of the board, while penetrating the board along a through-hole 101 provided in the board.
電流検出に用いる電流検出用プリント基板１は、基板に設けられた貫通穴１０１に沿って、基板を貫通しながら基板の表面層と裏面層とを交互に接続することによって形成されたコイル状の配線１０を用いたものである。 - 特許庁 - This electrode for the battery has a current collector and an active material layer, containing the active materials formed at the surface of the current collector, and problems can be solved by the electrode for the battery where the active material layer contains an adhesive material.
集電体と、前記集電体の表面に形成された活物質を含む活物質層と、を有する電池用電極であって、前記活物質層が粘着材料を含むことを特徴とする電池用電極によって上記課題は解決される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor photodetector for which a surface current flowing to the boundary with a passivation film of the side wall of a depletion layer is reduced and long-term reliability is improved by making the outer periphery of the layer of the second conductivity and the layer of the first conductivity holding the depletion layer of the semiconductor photodetector there between narrower than the depletion layer.
半導体受光素子の空乏層を挟む第二の導電型の層および第一の導電型の層を空乏層より外周を狭めることにより、空乏層の側壁のパッシベーション膜との界面に流れる表面電流を減らし、長期信頼性を改善した半導体受光素子を提供する。 - 特許庁 - A magnetoresistive element comprises a magnetic recording layer 13 that records information as a magnetization direction changes upon supplying a bidirectional current vertical to a film surface, a magnetic reference layer 11 that has a fixed magnetization direction, and a nonmagnetic layer 12 that is provided between the magnetic recording layer 13 and the magnetic reference layer 11.
磁気抵抗効果素子は、膜面に垂直方向である双方向の電流通電により磁化の方向が変化しかつ情報を記録する磁化記録層１３と、磁化の方向が固着された磁化参照層１１と、磁化記録層１３および磁化参照層１１間に設けられた非磁性層１２とを具備する。 - 特許庁 - A buried layer 111 which contributes to the constriction of a current is provided on each side 131b of a mesa stripe 131a, at least, composed of a first conductivity-type first clad layer 103, an active layer 103, and a second conductivity- type second clad layer 107, and a second conductivity-type third clad layer 121 is provided on all the surface.
少なくとも第１導電型の第１クラッド層１０３、活性層１０５および第２導電型の第２クラッド層１０７からなるメサストライプ部１３１ａの両側１３１ｂに電流狭窄に寄与する埋め込み層１１１が設けられ、その上に全面に第２導電型の第３クラッド層１２１が設けられている。 - 特許庁 - The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit.
この素子本体部６０は、成長用基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板（以下、単に基板という）１と、その第一主表面上に形成されるｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このバッファ層２上に形成される発光層部２４と、この発光層部上に形成される電流拡散層２０とを含む。 - 特許庁 - In order to achieve the purpose, the laser device is constructed to form a current constrictive layer by injecting ions into a p-type layer in the laser device of end surface emitting type comprising the nitride semiconductor having a structure where an active layer is sandwiched between a n-type layer and the p-type layer.
上記目的を達成するために、本発明のレーザ素子は、活性層がｎ型層とｐ型層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体からなる端面発光型のレーザ素子において、前記ｐ型層に、イオン注入を行うことによって電流狭窄層が形成される構成とする。 - 特許庁 - A multilayer film constituted of a lower clad layer, an active layer and an upper clad layer is formed on the substrate 1, and a current injection layer which is stretched to the primary surface regions 1b on both sides of the worked region 1a is formed on the multilayer film, in a state of crossing the worked region 1a.
基板１上に下部クラッド層、活性層及び上部クラッド層からなる多層膜を形成し、この多層膜上に加工領域１ａを横切る状態で加工領域１ａの両脇の初期表面領域１ｂにまで延設された電流注入層を形成する。 - 特許庁 - The negative electrode for lithium secondary battery is obtained by forming a tin or tin alloy covering layer on the surface of a current collector made of copper, and forming the alloy of the tin or tin alloy covering layer and copper, and applying a heat treatment turning the covering layer into a layer in which phase of tin does not substantially exist.
銅からなる集電体表面に錫又は錫合金被覆層を形成し、錫又は錫合金被覆層と銅とを合金化し、錫の相が実質的に存在しない被覆層へ変化させる熱処理を施してリチウム二次電池用の負極を得ること。 - 特許庁 - A bipolar secondary battery has a power generating element formed by laminating a bipolar electrode having a current collector; a positive active material layer formed on one surface of the current collector; and a negative active material layer formed on the other surface of the current collector and the separator and is formed by jointing the periphery of the bipolar electrode and the periphery of the separator via a sealing part.
本発明の双極型二次電池は、集電体と、集電体の一方の面に形成された正極活物質層と、集電体の他方の面に形成された負極活物質層と、を有する双極型電極、およびセパレータが、積層されてなる発電要素を有し、双極型電極およびセパレータの周縁部がシール部を介して接合されてなる。 - 特許庁 - To overcome the disadvantages of current conduction, increased wear and increased while keeping the advantage of improving the cutting efficiency obtained by the surface having cracks of a coating layer, and to provide an electrode with a surface structure for heightening the efficiency.
被覆層の亀裂を有した表面により得られる切断効率の向上という利点を維持しながら、電流伝導の欠点、大きな摩耗の欠点、高い振動の欠点をなくす。 - 特許庁 - To provide a multi-layer electrochemical generator completely homogenous along whole surface made by cutting out surface and a curved zone for irregular current density causing an accelerated aging.
加速熟成の原因となる表面及び電流の密度が不均一な湾曲領域を切断して、その全面に沿って完全に均質な多層の電気化学的発電器の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The semiconductor laminated layers 10 have a current block layer 23 having an opening exposing the upper surface of the semiconductor laminated layers 10 and a protection layer 24 composed of a group III-V nitride compound continuously covering at least a part of the current block layer 23 along the opening formed thereon.
半導体層積層体１０の上には、半導体層積層体１０の上面を露出する開口部を有する電流ブロック層２３と、電流ブロック層２３の上面の少なくとも一部を開口部に沿って連続して覆うIII−Ｖ族窒化物系化合物からなる保護層２４とが形成されている。 - 特許庁 - The lithium secondary battery is composed of a cathode current collector 4 and a cathode activator layer 5, an anode formed on an anode current collector 1 including an anode activator layer 2, made of amorphous silicon, nonaqueous electrolyte 9, and a lithium carbonate film 10 formed on the surface of the anode activator layer 2.
このリチウム二次電池は、正極集電体４および正極活物質層５と、負極集電体１上に形成され、非晶質シリコンからなる負極活物質層２を含む負極と、非水電解質９と、負極活物質層２の表面上に形成された炭酸リチウム被膜１０とを備えている。 - 特許庁 - In the bipolar battery formed by alternately laminating a plurality of bipolar electrodes in which a positive electrode layer is formed on one surface of a current collector and a negative electrode layer on the other surface and an electrolyte layer conducting ion exchange between the bipolar electrodes, the discharge circuit electrically connecting the adjacent bipolar electrodes is formed on the same plane in at least one layer out of the positive electrode layer, the negative electrode layer, and the electrolyte layer.
集電体の一方の面には正極層が形成されその他方の面には負極層が形成されたバイポーラ電極と、バイポーラ電極相互間でイオン交換を行う電解質層とを交互に複数積層してなるバイポーラ電池において、正極層または負極層、または電解質層の内の少なくとも１つの層の同一平面内に、隣接するバイポーラ電極同士を電気的に導通させる放電回路を形成する。 - 特許庁 - In the grinding apparatus 10, first, the distance from an eddy current sensor 44 to the outer peripheral surface of the belt layer 104 is detected by the eddy current sensor 44 with rotating the tire 100 to be recapped held by a pair of half rims.
研削装置１０では、先ず、一対のハーフリムにより保持された被更正タイヤ１００を回転させつつ、渦流センサ４４により渦流センサ４４からベルト層１０４の外周面までの距離を検出する。 - 特許庁 - To provide a vertically-structured gallium-nitride based light-emitting diode device that provides an improved spreading efficiency of electric current and in addition, operates to reflect a photon emitted toward an electric current blocking layer on a light-emitting surface to embody a high luminance.
電流の拡散効率を向上させると共に、電流阻止層に向かって発光する光子を発光面に反射させることで高輝度を具現する垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子に提供する。 - 特許庁 - Upon forming the solid state electrolytic layer by the current carrying technique employing the anode substrate with the dielectric oxide film formed on the surface thereof as the anode, the current carrying is effected by employing an anode collector comprising a conductive sponge.
表面に誘電体酸化皮膜を形成した陽極基体を陽極として通電手法により固体電解質層形成する際、前記通電を導電性スポンジを含む陽極集電体を用いて行なう。 - 特許庁 - To provide an anode formation system in which current density distribution can be made uniform by controlling the magnitude or distribution of leak current and a porous layer can be formed uniformly over the entire surface of a substrate.
リーク電流の大きさや分布を制御して電流密度分布を均一化することができ、基板の表面の全体にわたって均一に多孔質層を形成することができる陽極化成装置を提供する。 - 特許庁 - Furthermore, by having no ground plane on the under surface and inner layer of an insulating board 13, a ground current flows through the ground lines 12 on each side of the high-speed signal line 11, and a route difference between a signal current and a ground current caused by a lead pitch can be made nearly zero.
さらに、絶縁基板１３の下面ならびに内層にグランドプレーンを形成しないことにより、グランド電流は高速信号線１１の両側のグランドライン１２を流れ、リードピッチによる信号電流とグランド電流との経路差をほぼゼロとすることができる。 - 特許庁 - The large discharge current generated at lighting strike on the blade 3-1 flows on a path K1 which is positioned so as to connect the dots 11 comprising electroconductive materials to each other, that is, the discharge current flows on the dots 11 and the surface of a coating layer 19, in other words, on the surface of the blade 3-1.
ブレード３−１に落雷した場合、落雷による大きな放電電流の流れる経路Ｋ１は、導電性物質から成るドット１１同士をつなぐように、ドット１１とコーティング層１９の表面、すなわちブレード３−１の表面上を流れる。 - 特許庁 - The negative electrode active material layer 22B has a covered portion in which the negative electrode active material covers the surface of a negative electrode current collector 22A and a non-covered portion where the negative electrode active material does not cover the surface of the negative electrode current collector 22A and exposes it.
この負極活物質層２２Ｂは、負極活物質が負極集電体２２Ａの表面を被覆している被覆部と、負極活物質が負極集電体２２Ａの表面を被覆しておらずに露出させている非被覆部とを有している。 - 特許庁 - The positive electrode 66 includes a positive electrode active material layer 64 formed on a positive electrode current collector 62, and a porous water repellent layer 90 including a material having repellency and a conductive material is formed on the surface of the positive electrode active material layer.
正極６６は、正極集電体６２上に形成された正極活物質層６４を備えており、正極活物質層の表面には、撥水性を有する材料と導電材とを含む多孔質撥水層９０が形成されている。 - 特許庁 - Electric resistance of the epidermal layer in the position of the electrode 4 is measured by passing an electric current to the epidermal layer 1 and the dermal layer 2 via a wide electrode 3 and a narrow electrode 4 arranged on a skin surface and separated from each other.
皮膚の表面に配置されて互いに離れている面積の広い電極３と面積の小さい電極４を経由して、表皮層１と真皮層２に電流を流れ込み、電極４の位置の表皮層の電気抵抗値を測定する。 - 特許庁 - Consequently, a mixture layer composed of the material to carry out the Faraday like reaction is constituted on a positive electrode current collector, a material layer to carry out the non-Faraday reaction is installed at a more surface side layer, thereby there is an effect that higher input and output characteristics can be obtained.
従って、正極集電体上にファラデー的な反応をする材料からなる合剤層を構成し、そのより表層に非ファラデー的な反応をする材料層を設けることでより高い入出力特性が得られる効果があった。 - 特許庁 - A flattened layer 11 whose surface is flat is formed on the current constriction layers 10 and 10 and the cap layer 6 at a temperature of 700°C or below through a slow cooling LPE method, and a contact layer 12 is formed thereon at a temperature of 650°C or so through an MOCVD method.
電流狭窄層１０上およびキャップ層６上に、徐冷ＬＰＥ法によって７００℃以下の温度で、表面が平坦な平坦化層１１を形成し、その上にＭＯＣＶＤ法で約６５０℃の温度でコンタクト層１２を形成する。 - 特許庁 - To provide a highly reliable constricted oxide layer type surface emission semiconductor laser element, by reducing a stress being applied to the boundary of an Al oxide layer and a current injection region, i.e., the forward end of the Al oxide layer (central side of mesa post).
Ａｌ酸化層と電流注入領域との境界、つまりＡｌ酸化層の先端部（メサポスト中央部側）に加わる応力を低減して素子信頼性の良好な酸化層狭窄型の面発光型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁 - A contact layer 7 is formed on the upper reflective layer 6, an annular p-type electrode 8 having a central current injection region is arranged on the contact layer 7, and an n-side electrode 9 is arranged on the lower surface of the substrate 1.
上部反射層６上にはコンタクト層７が積層され、コンタクト層７上には、中央に電流注入領域を備えた円環形状からなるｐ側電極８が配置され、基板１下面にはｎ側電極９が配置されている。 - 特許庁 - A high-concentration impurity layer, which is at least an ohmic contact surface for a gate electrode M1b of a base layer (a P-type base region and a P-type semiconductor region P1) that is a path of a gate trigger current I_GT, is formed by a high-melting-point metal silicide layer LM.
少なくとも、ゲートトリガ電流Ｉ_ＧＴの経路となるベース層（Ｐ型ベース領域、Ｐ型半導体領域Ｐ１）のゲート電極Ｍ１ｂとのオーミック接触面である高濃度不純物層を、高融点金属シリサイド層ＬＭで形成する。 - 特許庁 - The bipolar secondary battery is formed by laminating a bipolar electrode in which a positive active material layer is formed on one surface of a current collector and a negative active material layer on the other surface through an electrolyte layer, and an insulating material section is formed in the end part of at last one of the positive active material layer and the negative active material layer.
集電体の一方の面に正極活物質層が形成されかつ他方の面に負極活物質層が形成されてなる双極型電極が電解質層を介して積層されてなる双極型二次電池であって、前記正極活物質層及び負極活物質層の少なくとも一方の端部上に絶縁材料部を有する、双極型二次電池。 - 特許庁 - A bending work for forming many cracks, extending in a direction crossing a longitudinal direction, having a depth extending from a surface of a mixture layer to a part contacting a current collector, is applied on a mixture layer located inside the current collector when winding, by bending a belt-shaped electrode having the mixture layer held on both faces of the current collector in longitudinal direction.
本発明は、集電体の両面に担持した合剤層を有する帯状の電極をその長手方向に湾曲させることにより、捲回するとき集電体の内側となる合剤層に、長手方向と交差する方向に伸び、かつ合剤層の表面から集電体に接する部分にまで達する深さの多数のクラックを形成する曲げ加工を施す。 - 特許庁 - Production process of an electrode for electrochemical capacitor comprises a first step for forming a polarizable electrode layer on a current collector (steps S1-S3), a second step for embossing the surface of the polarizable electrode layer formed on the current collector (step S4), and a third step for flattening the surface of the embossed polarizable electrode layer (step S5).
本発明による電気化学キャパシタ用電極の製造方法は、集電体上に分極性電極層を形成する第１の工程（ステップＳ１〜Ｓ３）と、集電体上に形成された分極性電極層の表面をエンボス加工する第２の工程（ステップＳ４）と、エンボス加工された分極性電極層の表面を平坦化する第３の工程（ステップＳ５）とを備えている。 - 特許庁 - The surface of a current collecting substrate 201 containing Cr is covered with a dense Cr-diffusion preventing layer 202 made of an oxide, the surface of the Cr diffusion preventing layer 202 is covered with a conductive covering layer 203 made of an oxide, and the thickness of the covering layer 203 in the plane part is made thicker than that at the corner part.
Ｃｒを含有する集電基材２０１の表面を酸化物からなる緻密なＣｒ拡散防止層２０２で被覆し、該Ｃｒ拡散防止層２０２の表面を酸化物からなる導電性の被覆層２０３で被覆してなるとともに、被覆層２０３の厚みが集電基材２０１の平面部よりも角部の方が厚いことを特徴とする。 - 特許庁 - A current block layer 19 at the light outgoing end surface side is provided so as to be large enough in a degree that inflow carrier from a current pouring region will not arrive at the light outgoing end surface, whereby the optical strength distribution of a near field image in the light outgoing end surface is concentrated and the horizontal spreading angle of the outgoing laser light is expanded.
光出射端面側の電流ブロック層１９を、電流注入領域から流れ込むキャリアが光出射端面にまで到達しない程度に大きく設けることによって、光出射端面における近視野像の光強度分布が集中し、出射されるレーザ光の水平拡がり角が拡大する。 - 特許庁 - By providing the current blocking layer 19 on the side of the light exit end surface largely to the degree where carriers flowing in from a current injection region do not reach the light exit end surface, a light intensity distribution of a near field image at the light exit end surface is concentrated, and hereby the horizontal spread angle of emitted laser light is expanded.
光出射端面側の電流ブロック層１９を、電流注入領域から流れ込むキャリアが光出射端面にまで到達しない程度に大きく設けることによって、光出射端面における近視野像の光強度分布が集中し、出射されるレーザ光の水平拡がり角が拡大する。 - 特許庁 - The polarizing electrode 10 is provided with a current collector 11 having conductivity, an electrode layer 12 provided to a single, or both surfaces of the current collector 11; and is formed of a conductive porous material, and a porous insulating film 13 provided on the front surface of the electrode layer 12.
本発明の分極性電極１０は、導電性を有する集電体１１と、集電体１１の片面または両面に設けられ、導電性多孔質体からなる電極層１２と、電極層１２の表面に設けられた上記多孔質絶縁膜１３とを備える。 - 特許庁 - In such a semiconductor device, a depletion layer 106 is formed in the low-density P-type silicon substrate 101 below the inductor 105 along the thickness direction from the upper surface of the silicon substrate 101, so that the eddy current induced by a current flowing to the inductor 105 is blocked by the depletion layer 106.
このような半導体装置では、インダクタ105下方の低濃度P型シリコン基板内101にシリコン基板101の表面から厚み方向に空乏層106が形成されているため、インダクタ105を流れる電流によって誘起される渦電流は空乏層106によって遮断される。 - 特許庁 - To stabilize resistivity of a high resistant layer limiting a discharge current within a surface and to reduce resistance of a low resistant layer pattern supplying a current for a gate electrode without affecting the element area.
放電電流を制限する高抵抗層の抵抗率を面内において安定させ、かつ、素子面積に影響を与えずに、ゲート電極へ電流を供給する低抵抗層のパターンの抵抗を下げることが可能な電界放出型冷陰極及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - An electrode for the battery has a current collector and an active material layer containing an active material and a conductivity assistant formed on the current collector, and the conductivity assistant in the active material layer is a polymer material whose surface is covered with metal.
集電体と、前記集電体上に形成された活物質および導電助剤を含む活物質層と、を有する電池用電極であって、前記活物質層における導電助剤が、金属で表面を被覆した高分子材料であることを特徴とする、電池用電極である。 - 特許庁 - To provide a light-emitting element in which current diffusing layers can be formed efficiently despite the layers being formed on both main surface sides of an AlGaInP light-emitting layer section, and which can suppress the deterioration of the current diffusing layers caused by the thermal diffusion of the dopant profile of the light-emitting layer.
ＡｌＧａＩｎＰ発光層部の両主表面側に電流拡散層が形成されているにもかかわらず、電流拡散層を効率よく形成でき、また、電流拡散層を発光層部のドーパントプロファイルの熱拡散による劣化も抑制できる発光素子を提供する。 - 特許庁 - The pressure wave generation mechanism 30 includes a thermally-conductive substrate 2, a heat insulating layer 3 of nanocrystalline silicon formed over one main surface of the substrate 2, and a heating element 4 that is formed over the heat insulating layer 3 and produces heat when a current containing an alternating-current component is applied.
圧力波発生機構３０は、熱伝導性の基板２と、基板２の一方の主面に形成されたナノ結晶シリコンである断熱層３と、断熱層３の上に形成され、交流成分を含む電流が印加されて発熱する発熱体４と、を備える。 - 特許庁 - The low-pressure discharge lamp 11 is equipped with a tubular glass lamp container 10 with current conductive layers 31, 36 formed as electrodes on an external surface, the current conductive layer is an ultrasonic solder dipping layer formed by ultrasonic solder dipping.
本発明は、外面に電極として電流導体層３１，３６が形成された管状ガラスランプ容器１０を備えた低圧放電ランプ１１であって、電流導体層は、超音波半田ディッピングにより形成された超音波半田ディッピング層であることを特徴とする。 - 特許庁
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