「surface layer current」を含む例文一覧(694)
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14- To solve problems wherein a current pass breaks off because continuity of oxide superconductive layer is damaged, and critical current density becomes smaller due to degradation of flatness by a concave by a crystal grain boundary on the surface of the Ag substrate, in an oxide superconductor tape filament in which the oxide superconductor is formed by means of CVD method on a crystal-oriented Ag or Ag alloy substrate.
結晶配向したＡｇ或いはＡｇ合金基材上にＣＶＤ法によって酸化物超電導体を成膜する酸化物超電導体テープ線材において、前記Ａｇ基材表面の結晶粒界による凹みによる平坦性の低下によって、酸化物超電導層の連続性が損なわれるために電流パスが途切れて、臨界電流密度が小さくなる問題を解決することにある。 - 特許庁 - To provide an electron source and an electron beam application device wherein an emission current having high luminance and a narrow energy width, and with favorable stability is obtained, and a jointing method in which an amorphous carbon layer adhering on a carbon nanotube surface can be greatly reduced at the time of jointing the carbon nanotubes and a conductive base material.
高輝度・狭エネルギー幅かつ高安定なエミッション電流が得られる電子源およびそれを搭載した電子ビーム応用装置を提供するとともに、カーボンナノチューブと導電性基材との接合時にカーボンナノチューブ表面に付着するアモルファスカーボン層を大幅低減できる接合法を提供することにある。 - 特許庁 - Then a part of relatively high reflectivity of the center part of the projection region is different in length with respect to two mutually orthogonal directions (X-axial direction and Y-axial direction) in the emitting surface, and a current injection region of the p-side electrode 113 which is in contact with a contact layer 109 has shape anisotropy.
そして、射出領域の中心部の反射率が相対的に高い部分は、射出面内の互いに直交する２方向（Ｘ軸方向とＹ軸方向）に関して長さが異なっており、ｐ側電極１１３におけるコンタクト層１０９に接している電流注入領域は、形状異方性を有している。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a reverse block-type insulated gate bipolar transistor capable of securing highly-reliable reverse voltage resistance, and suppressing a leakage current in reverse biasing when manufacturing a reverse block-type IGBT having a separation layer formed along a tapered surface of a V-shaped groove formed by anisotropic etching.
異方性エッチングで形成したＶ字形の溝のテーパー面に沿って形成される分離層を有する逆阻止型ＩＧＢＴを製造する際に、高信頼性の逆耐圧を確保し逆バイアス時のリーク電流を抑えることが可能な逆阻止型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The current collector for a lithium ion secondary battery includes a copper or copper alloy foil base material, an outermost plated layer provided directly or indirectly on the surface of the copper or copper alloy foil base material and having a conductive fiber protruding outward, and particles to which copper is electrically deposited and which are arranged at the tip end of the conductive fiber.
銅又は銅合金箔基材と、銅又は銅合金箔基材表面上に直接又は間接的に設けられ、外側に向かって突出した導電性繊維を有する最外めっき層と、導電性繊維の先端に配置された銅電着粒とを備えるリチウムイオン二次電池用集電体。 - 特許庁 - The present invention relates to: the method of manufacturing the electrode for the electrochemical element characterized by forming an electrode layer by supplying an electrode material charged by triboelectrification onto at least one surface of a current collector; and the electrochemical element obtained by the method.
摩擦帯電により帯電させた電極材料を、集電体上の少なくとも一面上に供給することにより電極層を形成させることを特徴とする電気化学素子用電極の製造方法、および前記製造方法により得られる電気化学素子用電極を備える電気化学素子。 - 特許庁 - On the surfaces of base and emitter layers 110 and 120, a material for forming the base and emitter layers 110 and 120, and a protection layer 150 that is formed by a material where lattice matching is achieved are provided, thus reducing the surface leakage current flowing on the surfaces of the base and emitter layers 110 and 120.
ベース層１１０およびエミッタ層１２０の表面に、ベース層１１０およびエミッタ層１２０を形成する材料と、格子整合がとれる材料により形成される保護層１５０を備えることにより、ベース層１１０およびエミッタ層１２０の表面を流れる表面漏洩電流を低減させることが可能となる。 - 特許庁 - To provide a solid oxide fuel battery cell capable of improving electron conductivity in the vicinity of the surface of an electrode, an anti-exfoliation property of a current collector layer against thermal shock, and increasing an absorption site of hydrogen molecules, and excellent in electrode performance and collecting efficiency.
電極表面近傍の電子伝導性の向上、熱衝撃に対する集電層の耐剥離性の向上、電極中における酸素、水素分子の吸着サイトの増加が可能で、電極性能及び集電効率に優れた固体酸化物形燃料電池用セル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - This lithium secondary battery includes a negative electrode, provided by sintering a mixture layer including active material particles, containing silicon and/or silicon alloy and a binder on a surface of a current collector, consisting of a conductive metal foil, a positive electrode and a non-aqueous electrolyte, wherein carbon dioxide is dissolved in the non-aqueous electrolyte.
ケイ素及び／またはケイ素合金を含む活物質粒子とバインダーとを含む合剤層を導電性金属箔からなる集電体の表面上で焼結して配置した負極と、正極と、非水電解質とを備え、非水電解質に二酸化炭素を溶解させたことを特徴としている。 - 特許庁 - By having the carbon black particles 2a put into the pits 1a, the gaps, which are formed between the surface of the current collector 1 and the activated charcoal particles 3a of the active material layer 3 are surely embedded so as to increase the contact resistance between them, with the carbon black particles 2a to eliminate the gaps.
凹凸１ａの凹部内にカーボンブラック粒子２ａを入り込ませることにより、集電体１表面と活物質層３の活性炭粒子３ａとの間に存在して両者間での接触抵抗を増大させる原因となる隙間を、カーボンブラック粒子２ａで確実に埋めて無くすことができる。 - 特許庁 - At a predetermined part in a conductive circuit pattern 12 formed on the surface of a circuit board 11 for mounting an electronic component, a conductive heat dissipation layer 13 is formed by bonding a plurality metal wires 14, at an interval, along the direction of current flow, thus enhancing heat dissipation properties and conductivity at a required part.
電気部品が実装される回路基板１１の表面に形成された導電性回路パターン１２における所定箇所に、複数の金属線材１４を電流の流れる方向に沿って間隔をあけて固着して導電性放熱層１３を形成し、必要な箇所における放熱性および導電性を高める。 - 特許庁 - To provide a method for uniting a method for enhancing light extraction efficiency by roughening the surface of the semiconductor multilayer structure of a light-emitting diode, and to provide a method for avoiding adverse effects due to an inexpensive electrode pad ((1) by forming a current dispersion layer by a transparent conductive film of metal or oxide and (2) by forming a flip-chip structure).
ＬＥＤ構造の表面を荒らして光取出し効率を高める方法と、低コストな電極パッドの悪影響を回避する方法（（１）金属又は酸化物の透明導電膜による電流分散層を形成する、（２）フリップ・チップ構造を形成する）を、両立させる方法を提供すること。 - 特許庁 - The steel wire for gas shield arc welding used at an electric current density between 70 to 180 A/mm2 is characterized by the fact that the surface layer part of the wire of which the depth is up to 5% of the wire diameter contains 0.010 to 0.040 mass % O2, and 0.010 to 0.030 mass % S based on the total mass of the wire.
溶接電流密度が７０〜１８０Ａ／ｍｍ^2 で使用されるガスシールドアーク溶接用鋼ワイヤにおいて、ワイヤ直径に対して５％の深さまでのワイヤ表層部における酸素量が０．０１０〜０．０４０質量％、全ワイヤ質量に対してＳが０．０１０〜０．０３０質量％であることを特徴とする。 - 特許庁 - An AC component which is contained in the current passing through on a secondary side of a transformer 5 is relatively large with respect to a DC component, and the frequency of the AC component whose largest amplitude is 800 Hz degree or more, as a result, a surface layer is instantly heated by a skin effect and the wetting phenomenon is generated.
変圧器５の二次側に流れる電流に含まれる交流成分が直流成分に対して相対的に大きく、最も振幅が大きい交流成分の周波数が８００Ｈｚ程度以上とすることで、表皮効果によって表面層を瞬時に加熱してぬれ現象を発生する。 - 特許庁 - To provide: a negative electrode plate for a nonaqueous electrolyte secondary battery including an electrode active material layer and having high output-input characteristics; a method for manufacturing a negative electrode plate having a negative active material layer formed by suitably bonding negative active material particles to the surface of a current collector without using a resin binder; a nonaqueous electrolyte secondary battery having high output-input characteristics; and a battery pack.
電極活物質層を備える高出入力特性の非水電解液二次電池用負極板を提供し、また樹脂製結着材を用いずとも、集電体表面に良好に負極活物質粒子を固着させて電極活物質層を形成してなる負極板を製造する方法を提供し、これによって高出入力特性の優れた非水電解液二次電池、および電池パックを提供する。 - 特許庁 - Since the p-type GaAs semiconductor can easily establish both translucency and low resistivity as compared with a metal thin film, appropriate current diffusion can be realized by providing a contact layer 20 by an p-type GaAs semiconductor having a necessary and sufficient thickness, thus providing the nitride-based semiconductor light-emitting device 10 for obtaining light having high emission intensity from the surface of the translucent conductive layer 22.
ｐ型ＧａＡｓ半導体は金属薄膜に比較して透光性、低抵抗性を両立し易いので必要十分な厚さのｐ型ＧａＡｓ半導体によるコンタクト層２０を設けることで好適な電流拡散が実現でき、透光性導電体層２２の表面から高い発光強度の光が得られる窒化物系半導体発光素子１０を提供することができる。 - 特許庁 - The nonaqueous electrolyte secondary cell has the positive electrode 1 of which a current collecting base carries the multiply mixture including a lithium complex oxide thereon, which mixture comprises two mixture layers 3, 4, wherein the lithium complex oxide of the surface layer mixture 4 has a higher exothermic initiation temperature than that of the under layer mixture 3.
正極集電基材２の表面にリチウム含有複合酸化物を含む合材を担持させた正極１を用いる非水電解質二次電池において、正極集電基材２の表面に担持された合材を２層の合材層３，４とし、最表層の表層合材層４のリチウム含有複合酸化物が、これよりも下層の下地合材層３のリチウム含有複合酸化物よりも発熱開始温度の高いものである構成とする。 - 特許庁 - To provide an electrode for a fuel cell which has made it compatible that supply of a reactant gas to the reaction interface of a catalyst layer is made uniform by preventing residence of water in a conductive porous body and that electric current distribution is made uniform by increasing a contact point between the conductive porous body and the catalyst layer surface, and improve output performance of a solid polymer fuel cell by using that electrode.
導電性多孔質体中の水の滞留を防止することによって触媒層の反応界面への反応ガスの供給を均一にすることと、導電性多孔質体と触媒層表面との間の接触点を増大させることによって電流分布を均一にすることとを両立した燃料電池用電極を提供し、さらに、その電極を用いることによって固体高分子形燃料電池の出力性能を向上させる。 - 特許庁 - The manufacturing method comprises a step of etching an aluminum foil, a step of anodic-oxidating the surface of the aluminum foil to form a dielectric oxide film layer, and a step of compressing the aluminum foil with the formed dielectric oxide film layer in the thickness direction, thereby obtaining an electrode foil for electrolytic capacitors which is greatly improved about the capacitance, the leakage current characteristics and high frequency range characteristics.
アルミニウム箔をエッチング処理する工程と、このアルミニウム箔の表面に陽極酸化により化成処理して誘電体酸化皮膜層を形成する工程と、上記誘電体酸化皮膜層が形成されたアルミニウム箔を厚み方向に圧縮する工程とからなる製造方法とすることにより、静電容量および漏れ電流、高周波領域の特性を大幅に向上させた電解コンデンサ用電極箔を得ることができるものである。 - 特許庁 - To manufacture a single crystal silicon substrate which has a hollow inside with leaving a single crystal silicon layer at the surface side and can form insulation type field effect transistors each having a high threshold voltage and a low leak current, when used in constitution of a semiconductor integrated circuit device having the insulation type field effect transistors.
内部に、空洞が、表面側を単結晶シリコン層として残すように形成されている単結晶シリコン基板を、絶縁型電界効果トランジスタを有する半導体集積回路装置を構成するのに用いた場合に絶縁型電界効果トランジスタが高い閾値電圧と小さいリーク電流とを有するものに構成され得るものとして製造する。 - 特許庁 - Gas for sputtering is introduced into a furnace to remove any residual gas and impurities on a surface of a test piece, nitrogen and hydrogen is introduced into the furnace, the power of the low current is applied to a multiple hollow cathode to generate plasma of high density, and the state of nitrogen plasma in the plasma is changed to form a nitride layer to the nano-size.
炉の内部にスパッタリングのための気体を注入して試片表面の残留ガス及び不純物を除去し、炉の内部に窒素と水素を注入するとともに多重中空陰極体に低電流の電力を印加して高密度のプラズマを生成し、プラズマ内の窒素プラズマの状態を変えて窒化物層をナノサイズに形成する。 - 特許庁 - Relating to a vortex formed in a wall surface boundary layer of a current flowing in a pipe, based on hydro dynamic characteristic time of the vortex defined by a vortex diameter and a rotational speed of the vortex or a product dp0×D of a pressure loss dp0 generated by a flow and its represented length D, fluid friction is evaluated or estimated.
管内を流れる流れの壁面境界層内に形成される渦に関して、前記渦の渦径と回転速度で定義される渦の流体力学的特性時間、あるいは流れにより発生する圧力損失ｄｐ０と流れの代表長さＤの積ｄｐ０×Ｄに基づいて、流体摩擦の評価あるいは予測をおこなう。 - 特許庁 - A trapping level is introduced by density of 5×10^12/cm^2 or more into a source region 8 and a drain region 9 on the surface on the light shielding film 3 side of the active layer 7 by passing electric current and applying electric stress in an insulation film 4 between the light shielding film 3 and a source electrode 15 or a drain electrode 16.
活性層７の遮光膜３側の表面部分のうち、ソース領域８及びドレイン領域９には、ソース電極１５及びドレイン電極１６と遮光膜３との間の絶縁膜４中に電流を流して電気的ストレスを印加することで、５×１０^12／ｃｍ^2以上の密度で捕獲準位が導入される。 - 特許庁 - A high reliability npn transistor insusceptible to the effect of charges on an LOCOS oxide film 9 or to the effect of a voltage being applied to an interconnect line on the LOCOS oxide film 9 and having a low leak current with no variation can be fabricated by forming an anti-inversion region B on the surface layer of the p base region 6 of the npn transistor.
ｎｐｎトランジスタのｐベース領域６の表面層に反転防止領域Ｂを形成することで、ＬＯＣＯＳ酸化膜９上の電荷の影響や、ＬＯＣＯＳ酸化膜９上の配線に印加される電圧の影響を受けない、リーク電流の少なく、変動がない高い信頼性のｎｐｎトランジスタを形成することができる。 - 特許庁 - Secondly, copper electrolytic plating of copper is performed by using the metal layer 6 as a deposition current path, while the first plating resist film 11 is made to remain as it is, thereby forming a columnar electrode 8 on a connection pad upper surface of the re-wiring 7 in an opening 14 in a second plating resist film 13 composed of negative type dry film resist of acryl resin.
次に、第１のメッキレジスト膜１１をそのまま残存させた状態で、下地金属層６をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、アクリル系樹脂のネガ型のドライフィルムレジストからなる第２のメッキレジスト膜１３の開口部１４内における再配線７の接続パッド部上面に柱状電極８を形成する。 - 特許庁 - In this manufacturing method of an electrode plate including the process for rolling up the semifinished product of the long electrode plate with an active material layer formed at least on one surface of a current collector, the semifinished product of the electrode plate is rolled up with a winding tension of 235-304N by using the rolling core having a core diameter of 10.16-20.32 cm.
活物質層が集電体の少なくとも一面に設けられている長尺の電極板中間品を、巻芯を用いて巻き取る工程を含む電極板の製造方法において、前記電極板中間品を、１０．１６〜２０．３２ｃｍの芯径を有する前記巻芯を用いて、２３５〜３０４Ｎの巻取り張力で巻き取る。 - 特許庁 - A positive electrode current collector 10 for a battery is composed of an aluminum or aluminum alloy conductive base material 12, and a fluorine ion implantation layer 14 formed by ion-implanting fluorine has on the surface 16 of the base material 12.
本発明によって提供される電池用の正極集電体１０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金製の導電性基材１２から構成された正極集電体１０であって、基材１２の表面１６にフッ素がイオン注入されたフッ素イオン注入層１４が形成されていることを特徴とする、正極集電体１０である。 - 特許庁 - When an RF-ID tag is disposed on a matter printed by thermal flexography with the electromagnetic wave transmitting hot-melt copy ink, no eddy current generates on the metal surface because electromagnetic waves of a reader/writer for RF-ID tag transmits the electromagnetic wave transmitting hot-melt copy printing ink layer.
電磁波通過ホットメルト型複写印刷インキを加熱フレキソ印刷で印刷した印刷物の上にＲＦ−ＩＤタグを配置すればＲＦ−ＩＤタグ用リーダーライターの電磁波が、電磁波通過ホットメルト型複写印刷インキ層の中を通過することにより、金属表面にうず電流が発生しないため、上記課題を解決するものである。 - 特許庁 - To enhance strength and current collecting capability in an electrode to improve a charge-discharge cycle characteristic, in a lithium secondary battery obtained by installing, on a surface of a collector formed of conductive metal foil, an active material layer containing active material particles containing silicon and/or a silicon alloy, and a binder, and thereafter sintering it in a non-oxidizing atmosphere.
ケイ素及び／またはケイ素合金を含む活物質粒子とバインダーとを含む活物質層を導電性金属箔からなる集電体の表面上に設置した後、これを非酸化性雰囲気下に焼結して得られるリチウム二次電池用負極において、電極内の強度及び集電性を高め、充放電サイクル特性を向上させる。 - 特許庁 - To increase an operating efficiency by solving the problem of improving an interface characteristic and a hole-filling material characteristic in a manufacturing process based on an existing phase change memory technique, making small a contact surface area of layer materials different in simple manufacturing processes, stabilizing a component characteristic, simplifying the manufacturing process, and decreasing an operational current.
既存の位相変化メモリ技術が持つ製造プロセスでインターフェイスの特性と穴込め材料の特性を改良する問題を解決し、簡単な製造プロセス条件で異なる層材料における接触面積を小さくし、部品特性の安定化を図り、製造プロセスを簡略化し、使用電流を少なくし操作効率を高めることを目的とする。 - 特許庁 - The method of depositing the metallic layer containing metal on the substrate surface has a process step of immersing the substrate in a first solution which contains a depolarizing agent and in which the metal ions do not substantially exist and a process step of immersing the substrate into a second solution containing the metal ions described above while passing an electric current between the substrate and an anode.
基板表面上に金属を含む金属層を析出させる方法であって、前記基板を、復極剤を含み、かつ、実質的に前記金属イオンが存在しない第一溶液に浸す工程と、その後に、前記基板とアノード間に電流を流しながら、前記基板を、前記金属のイオンを含有する第二溶液に浸す工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁 - Of the negative electrode for a nonaqueous electrolyte secondary battery made by forming an activator layer containing an activating material and a binder on a current collector, the activating material is coated with metal oxide particles with an average diameter of 250 nm or less adhered on the surface thereof, and the binder has an olefinic unsaturated binding.
集電体上に、活物質とバインダーを含有する活物質層を形成してなる非水系電解液二次電池用負極であって、活物質が、平均粒径２５０ｎｍ以下の金属酸化物微粒子が表面に添着されているものであり、かつ、バインダーが、オレフィン性不飽和結合を有するバインダーであることを特徴とする非水系電解液二次電池用負極。 - 特許庁 - By using the intermediate transfer belt 501 having the high resistance layer whose volume resistivity is ≥1010 Ωcm, the current value of secondary transfer bias at the time of secondarily transferring a plurality of toner images consecutively formed on the belt 501 to the sheets of transfer paper P respectively different from each other is controlled so that the surface potential of the belt 501 passing through the secondary transfer position may be constant.
体積抵抗率が１０^１０Ωｃｍ以上の高抵抗層を有する中間転写ベルト５０１を用い、２次転写位置を通過した中間転写ベルトの表面電位が一定になるように、中間転写ベルト上に連続して形成された複数のトナー像をそれぞれ互いに異なる転写紙Ｐに２次転写するときの２次転写バイアスの電流値を制御する。 - 特許庁 - To provide: a conductive connection sheet that reduces generation of a leakage current between adjacent terminals due to formation of an oxide film on a surface of a metal layer and formation of a void in a curable resin component; a method for connection between terminals using the conductive connection sheet; a method for forming a connection terminal; a semiconductor device with high reliability; and an electronic apparatus.
金属層の表面における酸化膜の形成および硬化性樹脂成分中におけるボイドの発生に起因する、隣接する端子間におけるリーク電流の発生が低減された導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。 - 特許庁 - The gate electrode 363, together with a gate dielectric layer 362, covers a top surface 306 of one part of the U-shaped fin 305, and two sidewalls 307 which reside the opposite position, and a bottom 320 of one part of a recess 319, which resides in the U-shaped fin 305 and opposing two sidewalls 364, and substantially increases the width of the channel region that allows flow of a current.
ゲート電極３６３は、ゲート誘電体層３６２とともに、Ｕ字形フィン３０５の一部の上側表面３０６及び反対の位置にある２つの側壁３０７、並びにＵ字形フィン３０５の中にある凹部３１９の一部の底面３２０及び向かい合って位置する２つの側壁３６４を覆い、電流を流すチャネル領域の幅を実効的に増やす。 - 特許庁 - This electrostatic attracting device is provided with an insulator dielectric layer 27 having an attracting surface 27a whereon an object 1 to be treated, a pair of electrostatic electrodes 29A and 29B to generate a leak current for attracting the object 1, a high-frequency impressing electrode 31 to apply a high-frequency voltage to the object 1, and a heater 33 to heat the object 1.
静電吸着装置は、被処理物１が載置される吸着面２７ａを有する絶縁体誘電層２７と、被処理物１を吸着する漏れ電流を発生させるための一対の静電電極２９Ａ，２９Ｂと、被処理物に高周波電圧を印加するための高周波印加電極３１と、被処理物１を加熱するためのヒータ３３とを備える。 - 特許庁 - To provide a forming method of a catalyst layer for a solid polymer fuel cell electrode which is made of a mixture of an ion exchange resin, carbon, and a catalyst metal, and in which the catalyst metal is carried selectively on the contact face of the proton conductive passage of anion exchange and the carbon surface, wherein the current value per platinum 1 g carried by the electrode is improved.
陽イオン交換樹脂とカーボンと触媒金属との混合物からなり、触媒金属が陽イオン交換のプロトン伝導経路とカーボン表面との接面に選択的に担持されている触媒層において、電極に担持された白金１ｇあたりの電流値が向上するような、固体高分子形燃料電池用電極の触媒層の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the magnetoresistance effect element through which sense current flows in a direction perpendicular to film surface, if pin or free layer is laminated by two or more kinds of ferromagnetic layers, the practical magnetoresistance effect element having the suitable resistance value is capable of obtaining the high sensitivity, and having few the magnetic layers to be controlled can be provided while it effectively utilizes spin parasitic scattering effect.
センス電流を膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子において、ピン層やフリー層を２種類以上の強磁性層を積層した積層構成とすれば、スピン依存散乱効果を有効的に利用しながら、適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子を提供することができる。 - 特許庁 - The intermediate transfer means evaluating device 7 brings an electrode 71 into contact with the surface of the elastic layer 60 of the intermediate transfer means 25, and connects a voltage source 72 to the drum 60 of the intermediate transfer means 25 and the electrode 71, then measures the current running between the drum 60 and the electrodes 71 with an ammeter 73 connected between the drum 60 and the voltage source 72.
中間転写体評価装置７は、中間転写体２５の弾性体層６０の表面に電極７１を接触させ、電圧源７２を中間転写体２５のドラム６０と電極７１との間に接続して、ドラム６０と電圧源７２との間に接続された電流計７３により、ドラム６０と電極７１との間を流れる電流値を計測する。 - 特許庁 - The cathode has a cathode active material composition containing a conductive agent, a binder, and a cathode active material formed on one surface of a current collector, and the cathode active material contains a first lithium compound with the open potential of 3V or higher and a second lithium compound with potential smaller than 3V based on a lithium metal, and the second lithium compound includes a metal oxide coating layer.
導電剤、バインダー及びカソード活物質を含むカソード活物質組成物が集電体の一面上に形成され、カソード活物質がリチウム金属を基準に、開放電位が３Ｖ以上である第１リチウム化合物と、３Ｖ未満である第２リチウム化合物とを含有し、第２リチウム化合物が金属酸化物コーティング層を含むことを特徴とするカソード。 - 特許庁 - The cathode material for the lithium secondary battery for forming a cathode activator layer on the surface of a current collector of the cathode of the lithium secondary battery includes a cathode activator, conductive agent, and binder.
正極活物質と、導電剤と、結着剤とを含み、リチウム二次電池用正極において集電体表面に正極活物質層を形成するためのリチウム二次電池用正極材料であって、前記導電剤は、主成分としてのＶ_2 Ｏ_3 を含有するとともに所定量のＣｒを含有し下記（ａ）の組成式を有するＣｒ−Ｖ_2 Ｏ_3 系導電剤を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - In the surface emitting laser element, at least one of a pair of distributed Bragg reflectors includes a second resonance region 114 that is different from a resonance region 107 made up of an active layer 105 and resonator spacer layers 104, 106, and the second resonance region 114 is provided in the region exclusive of the range from a center of the current injection region to a predetermined distance.
一対の分布ブラッグ反射器のうちの少なくとも一方の分布ブラッグ反射器は、活性層１０５と共振器スペーサー層１０４，１０６とから構成される共振領域１０７とは別の第２の共振領域１１４を含み、該第２の共振領域１１４は、電流注入領域の中心から所定の距離の範囲を除く領域に設けられている事を特徴としている。 - 特許庁 - Alternatively, a method for manufacturing a power storage device includes steps of: forming an amorphous silicon film on the current collector; adding a catalyst element for accelerating crystallization of amorphous silicon on the surface of the amorphous silicon film; forming the crystalline silicon film by crystallizing the amorphous silicon film by heating the amorphous silicon film where the catalyst element is added; and using the crystalline silicon film as a negative electrode active material layer.
あるいは、集電体上に、非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜の表面に、前記非晶質珪素の結晶化を促進する触媒元素を添加し、前記触媒元素が添加された非晶質珪素膜を加熱することにより、前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜を負極活物質層として用いる蓄電装置の作製方法に関する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of realizing an SOI integrated circuit of a complete depleting operation and low parasitic resistance, minimizing the damage of the SOI layer surface of a channel formation part while provided with a recess structure, minimizing a crystal defect while suppressing stress even at the end part of a channel region and suppressing the generation of a leakage current due to it, and provide its manufacturing method.
完全空乏化動作及び低寄生抵抗のＳＯＩ集積回路を実現することができ、リセス構造を有しながら、チャネル形成部のＳＯＩ層表面のダメージを最小限に抑えることができ、チャネル領域の端部においても、応力を抑制しながら、結晶欠陥を最小限に止め、それに起因するリーク電流の発生を抑えることができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
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