「surface layer current」を含む例文一覧(694)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 13 14 次へ＞- To achieve a semiconductor device which reduces reverse-bias leakage current caused by the surface level of a semiconductor layer.
半導体層の表面準位によって生じる逆方向バイアス時のリーク電流を低減する半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁 - On an insulation film 32 formed on the surface of a semiconductor substrate 23 which constitutes the Hall element 1, a conductor layer 15 is formed as a current path.
ホール素子１を構成する半導体基体２３の表面の絶縁膜３２の上に電流通路としての導体層１５を設ける。 - 特許庁 - To provide a semiconductor laser element having a 600-660 nm wavelength band with improved current constriction layer and whose element surface is improved in planarity and crystallinity.
電流狭窄層の結晶性改善により特性が向上した波長６００〜６６０ｎｍ帯の半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁 - An SiO thin film acting as a negative active material layer is formed on the surface of a current collector by vacuum deposition, preferable by an ion plating method.
集電体の表面に負極活物質層としてＳｉＯの薄膜を真空蒸着、好ましくはイオンプレーティング法により形成する。 - 特許庁 - The interface layer is formed, so that crystal axis <101> direction of the lithium oxide is perpendicular to the surface of the current collector.
そして、この界面層は、リチウム金属酸化物の結晶軸＜101＞方向が集電体表面に対して垂直となるように形成されている。 - 特許庁 - A curved form part 3a of the linear sacrifice anode material 3 is sandwiched between an elastic spring fixture 4 and a surface layer part reinforcement 62a, and is fixed in a state of directly contacting with an outer peripheral surface of the surface layer part reinforcement 62a so that an electric current can be carried.
線状犠牲陽極材３の湾曲形態部３ａが弾性バネ固定具４と表層部鉄筋６２ａとの間に挟持されて、表層部鉄筋６２ａの外周表面に通電可能に直接接触した状態で固定されている。 - 特許庁 - In mounting, the covering body 10 is peeled from the mounting surface 6a to expose the adhesive layer 9 and the mounting surface 6a is adhered to the air current pipe passage 2.
取付時には、前記取付面６ａから前記被覆体１０を剥離し、前記接着剤層９を露出させて、前記取付面６ａを前記気流管路２に接着する。 - 特許庁 - The method for processing the metallic plate characterized by the feature that an air current layer intervenes between the metallic plate surface and a die surface and the metallic plate is deformed plastically with rigid body tools.
金属板の表面とダイスの表面との間に、気流層を介在させつつ、剛体工具で金属板を塑性変形させることを特徴とする金属板の加工方法。 - 特許庁 - The negative electrode 22 has a negative current collector 22A, an exterior negative electrode active material layer 22B installed on the surface of that wound exterior side, and an interior negative electrode active material layer 22c installed on the surface of the wound interior side.
負極２２は、負極集電体２２Ａと、その巻回外面側の表面に設けられた外面負極活物質層２２Ｂと、巻回内面側の表面に設けられた内面負極活物質層２２Ｃとを有している。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for an elastic roller for electrophotography for preventing oxidation of a surface of coated layer formed by an addition liquid-like silicone rubber composition when heating and reducing flow of surface current on an elastic layer to achieve satisfactory unevenness in density.
加熱時の付加型液状シリコーンゴム組成物の塗布層表面の酸化を低減し、弾性層の表面電流の低下を小さくすることで濃度ムラが良好な電子写真用弾性ローラの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A current path in the semiconductor layer 13 at the time of on operation goes through a region close to a side surface of the trench groove 30 without substantially going through a surface region of the semiconductor layer 13 between the source electrode 52 and the drain electrode 53.
半導体層１３におけるオン動作時の電流経路は、ソース電極５２とドレイン電極５３の間の半導体層１３の表面領域を実質的に経由せず、上記トレンチ溝３０の側面近傍を経由する。 - 特許庁 - To minimize electrode connection failure by improving a bad surface condition of a current breaking layer due to a ridge structure, so that crystallinity and a surface condition of a second conductive type cap layer are improved, in a method for manufacturing a semiconductor laser element.
本発明は、リッジ構造による電流遮断層の不良な表面状態を改善することにより第2導電型キャップ層の結晶性及び表面状態を向上させ、電極接合不良を最少化する。 - 特許庁 - To provide a fuel cell in which a local submerged region is hard to occur even if a current value per surface area of a power generating layer member is set high by improving draining characteristics in a direction along a surface of the power generating layer member.
発電層部材の表面に沿った方向の排水性を高めて、発電層部材の表面積あたりの電流値を高く設定しても局所的な水没領域が発生しにくくした燃料電池を提供する。 - 特許庁 - This is an electrode for the gel electrolyte battery in which the electrode active material layer on a current collector has a concentration gradient of the electrolyte salt as it goes from the surface of the electrode active material layer toward the current collector side, thereby achieving the objective.
集電体上の電極活物質層において、前記電極活物質層表面から集電体側に向かって電解質塩の濃度勾配を有することを特徴とするゲル電解質電池用電極により、上記課題は解決される。 - 特許庁 - The photoelectric conversion element 1 includes a photoelectric conversion semiconductor layer 10 that generates a current through light absorption, a first electrode 30 formed in contact with a top surface 10s of the semiconductor layer 10 which serves as a light absorbing surface, and a second electrode 40 formed in contact with a reverse surface 10r of the semiconductor layer 10.
光電変換素子１は、光吸収により電流を発生する光電変換半導体層１０と、半導体層１０の光吸収面となる表面１０ｓに接して形成された第１の電極３０と、半導体層１０の裏面１０ｒに接して形成された第２の電極４０とを備えている。 - 特許庁 - In the method for separating in a direct current manner the dispersed layer on the surface of the work piece, in particular, the dispersed layer in a bearing layer in a flat bearing shell, electrolytes having the finely distributed and dispersed phases form a flow component parallel to the surface, and are moved with respect to the surface of the work piece to be coated.
加工片の表面における、とくに平軸受シェルにおける軸受層における分散層を直流的に分離する方法が記載され、その際、その中に細かく分配して分散した相を有する電解質が、表面に平行な流れ成分を形成して、被覆すべき加工片表面に対して動かされる。 - 特許庁 - The inner stripe nitride laser diode structure is provided with a multiple-quantum well layer and first and second surfaces, and is provided with a waveguide layer where the first surface is in contact with the multiple- quantum well layer, and a current-blocking layer entering the second surface of the waveguide layer and divided into two portions by a stripe groove.
本インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造は、多量子ウェル層と、第１及び第２の表面を有し、前記第１の表面が前記多量子ウェル層に接触している導波層と、前記導波層の第２の表面内に突入していて、ストライプ溝によって２つの部分に分割されている電流ブロッキング層とを備えている。 - 特許庁 - To provide a reliable vertical cavity surface emitting laser which isolates a region where a current of an upper DBR layer having a laser beam emission region exists from a semiconductor surface, and suppresses growth of the dislocation starting at the semiconductor surface is accelerated by the current.
レーザ光出射領域を備えた上部ＤＢＲ層の電流が存在する領域と半導体表面を分離し、半導体表面を始点とする転移の成長が、電流により加速されることを抑制し、信頼性の高い垂直共振器型面発光レーザを提供する。 - 特許庁 - The first FLR layer 4 has a current blocking structure that is parallel to the first primary surface and prevents current flowing in a first direction toward the outside of the termination region from the element region.
第１のＦＬＲ層４は、第１の主面に平行で素子領域から終端領域の外側へ向かう第１の方向に流れる電流を抑制する電流阻止構造体を有する。 - 特許庁 - The flat surface of a substrate is electroplated with a required metal at a low current density, and, thereafter, the plating layer is peeled, or, an electrically conductive core material is electroplated with a required metal at a low current density.
平坦な基板表面に所要金属を低電流密度で電気めっきを施した後、そのめっき層を剥がすか、又は導電性芯材に所要金属を低電流密度で電気めっきを施す。 - 特許庁 - To change an orientation of zinc oxide whereby an oxide semiconductor thin film layer excels in a heat resistance and surface smoothness, it is intended to suppress a leakage current and enhance a current drive capability, and a pixel electrode excels in a micro processability, thereby highly micronizing pixels.
酸化亜鉛の配向を変化させることで、酸化物半導体薄膜層は、耐熱性、表面平滑性に優れたものとし、リーク電流の抑制、電流駆動能力の向上を図る。 - 特許庁 - A positive electrode current collecting foil 10 includes: the metal foil 11; the carbon coated layer 13 laminated on the foil surface 11a of the metal foil 11 containing carbon particles; and a positive electrode active material layer 15 laminated on the layer surface 13a of this carbon coated layer 13 and containing the positive electrode material.
正極集電箔１０は、金属箔１１と、この金属箔１１の箔表面１１ａ上に積層されてなり、カーボン粒子を含むカーボンコート層１３と、このカーボンコート層１３の層表面１３ａ上に積層されてなり、正極活物質を含む正極活物質層１５とを備える。 - 特許庁 - In the battery electrode provided with a current collector, and an active material layer containing an active material formed on the surface of the collector, a thin part thinner than the other part of the active material layer is formed on the active material layer.
集電体と、前記集電体の表面に形成された、活物質を含む活物質層と、を有する電池用電極において、活物質層に、当該活物質層の他の部位と比較して厚さの小さい薄部を存在させる。 - 特許庁 - Furthermore, a p-type stopper layer 64, whose conductivity type is reverse to that of an epitaxial layer 62, is diffused into the surface of the epitaxial layer 62 near a gap between the tips of the gate extension parts 67a of transistors 10 and 20, to shut off a leakage current nearly completely.
さらに、両トランジスタ１０と２０のゲート延在部６７ａの先端間の隙間付近のエピタキシャル層６２の表面にストッパ層６４をそれとは逆のｐ型で拡散して漏れ電流をほぼ完全に遮断する。 - 特許庁 - To obtain a Schottky barrier diode with a high breakdown voltage and a large current where a leakage current in an opposite direction is reduced by forming a second conductivity type first surface layer with large depth and mutual interval and a second conductivity type second surface layer with small depth and mutual interval on the main surface of a first conductivity type SiC semiconductor substrate for forming Schottky junction.
ショットキ接合を形成する第１導電型のＳｉＣ半導体基板の主表面に、深さおよび相互間の間隔の大きい第２導電型の第１表面層と、深さおよび相互間の間隔の小さい第２導電型の第２表面層を形成して、逆方向漏れ電流を低減した高耐圧、大電流のショットキーバリアダイオードを得る。 - 特許庁 - A function structure configured by a plurality of kinds of semiconductor regions is incorporated into the semiconductor layer 78, and the function structure has a function of switching a current flowing between the front surface electrode layer 88 and the rear surface electrode layer 71 into a conduction state and a non-conduction state.
半導体層７８には、複数種類の半導体領域で構成される機能構造体が作り込まれており、その機能構造体は表面電極層８８と裏面電極層７１の間を流れる電流の導通状態と非導通状態を切替える機能を有している。 - 特許庁 - The manufacturing method and the inspection method of organic EL element comprise a step for applying a voltage between the upper surface side and the lower surface side of the protection layer 26, and a step for deciding presence or absence of a defect of the protection layer 26 on the basis whether a current flows through the protection layer 26.
本製造方法および検査方法は、前記保護層２６を挟んで上面側と下面側から電圧を印加する工程と、前記保護層２６に電流が流れたか否かによって該保護層２６の欠陥の有無を判定する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - The positive electrode mixture layer 2B is formed at least on one surface of the positive electrode current collector 2A, and contains a positive electrode active material and a binder.
正極合剤層２Ｂは、正極集電体２Ａの少なくとも一方の表面に形成されており、正極活物質と結着剤とを含んでいる。 - 特許庁 - The conductive metal foil on which the mixture layer having a surface roughness Ra of not less than 0.1 μm is used as a current collector.
合剤層が設けられる表面の表面粗さＲａが０．１μｍ以上である導電性金属箔を集電体として用いることを特徴としている。 - 特許庁 - By applying voltages to the film 19 and a supporting substrate 13, depletion layers 20a, 20b are formed on the surface layer and the bottom of the current path 16.
この電極膜１９と支持基板１３に電圧を印加することで電流経路１６の表層部と底面部とに空乏層２０ａ，２０ｂを形成する。 - 特許庁 - To easily provide a shield member which blocks an electric influence from a main circuit conductor on an inner peripheral surface of an insulating layer of a molded window-type current transformer.
モールドされた貫通形変流器の絶縁層の内周面に主回路導体からの電気的な影響を遮蔽するシールド部材を容易に設ける。 - 特許庁 - Here, current 11 flowing through the chip 4 flows only in the layer 3 after arriving at the rear surface side of the chip 4.
ここで、半導体チップ４を流れる電流Ｉ１は、半導体チップ４の裏面側に達した後、低抵抗の該アルミニウム（Ａｌ）層３内部のみを流れる。 - 特許庁 - To provide a surface emission semiconductor laser element which lowers a chance of getting uneven current injection to an active layer and prevents a light of the outer peripheral part from being blocked.
活性層への電流注入が不均一になりにくく、外周部の光が遮られることがない面発光型半導体レーザ素子を提供すること。 - 特許庁 - A pair of n-type emitter layers 15 are formed on the surface of the p-type base layer 12 inside a current route region 41 which is sandwiched between the main trenches 13.
主トレンチ１３で挟まれた電流経路領域４１内において、ｐ型ベース層１２の表面に一対のｎ型エミッタ層１５が形成される。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a positive electrode current collector which can precisely control a structure of a high-resistant layer such as a surface coverage rate internal arrival factor the like.
表面被覆率や内部到達率などの高抵抗層の構造を精密に制御することができる正極集電体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The negative-electrode for the nonaqueous electrolyte secondary battery 21 is provided with a negative-electrode current collector 21a and a negative-electrode active material layer 21b supported on the surface.
本発明の非水電解質二次電池用負極２１は、負極集電体２１ａと、その表面に支持された負極活物質層２１ｂとを備える。 - 特許庁 - To provide a technique for obtaining a high current density, in a carbon electrode for generating fluorine-gas, on the surface of which a diamond layer is formed.
ダイヤモンド層を表面に形成したフッ素ガス生成用の炭素電極において、高い電流密度を得ることのできる技術を提供する。 - 特許庁 - A thin film electrode 5 is provided for injecting a current, so as to cover the partitions 4a and contact the light emitting semiconductor layer 3 surface.
間仕切り部４ａを被覆し、かつ発光性半導体層３の表面に接触するように、電流を注入するための薄膜電極５が設けられている。 - 特許庁 - The first and second ridges 127 and 137 are formed by dry etching process and the side surface thereof is not covered with a current block layer.
第一リッジ部１２７及び第二リッジ部１３７はドライエッチングにより形成されたものであり、その側面は電流ブロック層により覆われていない。 - 特許庁 - Here, an emitter current flows on the surface side to prevent the effect of an inversion layer formed at the interface with the insulating region 2.
かかる構成によれば、エミッタ電流は表面側を流れるようになり、絶縁領域２との界面に形成される反転層の影響を防止できる。 - 特許庁 - To provide large magnetoresistive change when a current is made to flow in a direction vertical to the surface of each layer constituting a magnetoresistive effect element.
磁気抵抗効果素子を構成する各層の面に対して垂直な方向に電流を流したときに大きな磁気抵抗変化を得ることができるようにする。 - 特許庁 - The surface of the current diffusion layer 14 on the protruding part 15 side is connected continuously and smoothly to the lower part 17, having a concave cross section and the upper part 16, having a convex cross section.
電流拡散層１４の凸部１５側の表面は、断面凹の下部１７と断面凸の上部１６とに連続的になめらかに連なっている。 - 特許庁 - Thereby, the leakage current occurring from the unevenness of the junction surface between the insulating layer 15 and the backside of the photoelectric conversion portion 10 can be reduced.
これにより、絶縁層１５と光電変換部１０の裏面との接合面の不均一さから生じるリーク電流を低下させることができる。 - 特許庁 - This steel wire to whose peripheral surface a brass plating is applied is characterized by imparting electric characteristics having a voltage-current response according to Ohm'law to the brass plate layer.
ワイヤの周面にブラスめっきを施したスチールワイヤにおいて、該ブラスめっき層に、電圧−電流応答がオームの法則に従う電気特性を付与する。 - 特許庁 - To prevent formation fail, such as separation of a resist layer used as a mask for forming plating and formation fail of a surface electrode in a large-current transistor.
大電流トランジスタにおいて、メッキ形成用マスクとして用いるレジスト層の剥離等の形成不良と表面電極の形成不良を防止する。 - 特許庁 - The skin effect forces higher frequency current components to flow at the surface of the wire through a limited skin layer portion of a cross section of the wire.
表皮効果は、より高い周波数電流成分をワイヤの断面の制限された表皮層部分を通るように、ワイヤの表面を流れさせる。 - 特許庁 - A film of a silicon oxide formed by vacuum vapor deposition or sputtering is formed on a surface of a current collector as a negative electrode active material layer.
負極活物質層として、真空蒸着若しくはスパッタリングにより形成された珪素酸化物の薄膜を集電体の表面に形成する。 - 特許庁 - To provide a surface-emission semiconductor laser element with an oxidation constriction type current constriction layer having a constitution having excellent repetitive reproducibility and controllability.
繰り返し再現性及び制御性の良好な構成の酸化狭窄型電流狭窄層を備えた面発光型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁 - The negative electrode current collector 11 has a grain-shaped protruding part 11B on a surface at which the negative electrode active material layer 12 of a substrate 11A is formed.
負極集電体１１は、基材１１Ａの負極活物質層１２が形成される面に粒子状の突起部１１Ｂを有している。 - 特許庁 - On the surface of the p-side electrode 22, a protecting section 24 is provided, in correspondence with other region than the current injection region of the active layer 14.
また、ｐ側電極２２の表面には活性層１４の電流注入領域以外の領域に対応して保護部２４が設けられている。 - 特許庁
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