後放電現象の英語

初充電後の保存時における放電容量の劣化現象の進行を抑制する。例文帳に追加

To prevent the progress of a deterioration phenomenon of a discharge capacity during storage after first charging. - 特許庁

このような結着剤を用いることにより、電池組み立て直後の高電圧化の現象を抑制し、予備放電量を少なくすることができる。例文帳に追加

By using such a binder, a phenomenon of increase of a voltage immediately after the battery assembly is prevented, and a preliminary discharge amount can be reduced. - 特許庁

本発明は、維持放電時の表示負荷率に応じてセルに印加される電圧降下が大きくなり、輝度の低下と共に維持放電後にセルに蓄積される壁電荷も低下する現象を利用する。例文帳に追加

In this device, a phenomenon that a voltage drop to be impressed on a cell becomes large in accordance with a display load factor at the time a trickle discharge and wall charges to be stored in the cell after the trickle discharge is also lowered together with the reduction of brightness. - 特許庁

過充電等による発熱時には外部側セパレータからシャットダウン現象が生じ、外部側発電要素から過充電が停止して放電が開始され、その後内部側発電要素においても充電が停止して放電が開始される。例文帳に追加

When heat is generated due to overcharging or the like, a shutdown phenomenon arises from an outer separator, and overcharging is stopped from an outer generation element and discharging is commenced, and also charging is stopped from an inner generation element and discharging is commenced. - 特許庁

調光状態で始動する際に短時間明るくなった後所望の調光レベルになる現象を抑制した放電灯点灯装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a discharge lamp lighting equipment inhibiting a phenomenon in which a desired dimmer light level is obtained after becoming bright at once, at the time of starting in the dimmer state. - 特許庁

また、浄化手段は、放電現象により帯電物質を生成する物質生成部を有し、該物質生成部は、上記シートバックの座面を構成するパッド部材より後方に設置される。例文帳に追加

Further, the purifying means has a substance generation unit for generating the charged substance by the discharge phenomenon, and the substance generation unit is installed behind a pad member constituting a seat face of the seatback. - 特許庁

半導体基板の裏面研削後にスパッタリング法を含む方法で導電膜を形成する際に、研削時に半導体基板を支持体に固定する接着剤の基板外周部のはみ出した部分から放電現象の発生を防止する。例文帳に追加

To prevent a discharge phenomenon from occurring in grinding at a part where an adhesive agent for fixing a semiconductor substrate onto a supporting body lies off the outer periphery of the substrate, when a conductive film is formed by a method including the sputtering method after grinding a rear face of the substrate. - 特許庁