columnar chargeとは 意味・読み方・使い方

The evaluation method for the electrostatic charge image developing toner is characterized by putting the toner containing at least a resin and pigment into a sample container 10, disposing a columnar member 1 into the toner powder phase thereof, rotating the columnar member 1 by a driving member 11, and measuring the force generated in the columnar member 1 at this time by a load cell, thereby making evaporation.例文帳に追加

少なくとも樹脂および顔料を含むトナーを試料容器１０に入れ、そのトナー粉体相中に円柱状部材１を設け、駆動部材１１によって円柱状部材１を回転させ、そのときに円柱状部材に発生する力をロードセル１２によって測定することにより評価することを特徴とする静電荷現像用トナーの評価方法。 - 特許庁

A memory string MS includes: a pair of columnar portions; a U-shape semiconductor layer 35 having a coupling portion for coupling the lower ends of the columnar portions; a tunnel insulating layer 34c for surrounding the columnar portions; a charge accumulating layer 34b; a block insulating layer 34a; and word line conductive layers 32a-32d for surrounding the block insulating layer 34a.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、一対の柱状部、及びそれらの下端を連結させる連結部を有するＵ字状半導体層３５、柱状部を取り囲むトンネル絶縁層３４ｃ、電荷蓄積層３４ｂ、ブロック絶縁層３４ａ、及びブロック絶縁層３４ａを取り囲むワード線導電層３２ａ〜３２ｄを備える。 - 特許庁

Each of the memory strings MS includes: a memory columnar semiconductor layer 34 extending in a vertical direction to a semiconductor substrate Ba; a charge accumulation layer 36 formed around the memory columnar semiconductor layer 34 through a barrier insulating layer 35; and a first to fourth word line conductive layers 31a-31d formed around the charge accumulation layer 36 through a block insulating layer 37.例文帳に追加

メモリストリングスＭＳは、半導体基板Ｂａに対して垂直方向に延びるメモリ柱状半導体層３４と、メモリ柱状半導体層３４の周りにバリヤ絶縁層３５を介して形成された電荷蓄積層３６と、電荷蓄積層３６の周りにブロック絶縁層３７を介して形成された第１〜第４ワード線導電層３１ａ〜３１ｄとを備える。 - 特許庁

The memory region AR1 includes a memory columnar semiconductor layer 35 which extends in a vertical direction, a charge storage layer 34b formed surrounding a side surface thereof, and first to fourth word line conductive layers 31a to 31d formed surrounding the charge storage layer 34c.例文帳に追加

メモリ領域ＡＲ１は、垂直方向に延びるメモリ柱状半導体層３５と、その側面を取り囲むように形成された電荷蓄積層３４ｂと、電荷蓄積層３４ｃを取り囲むように形成された第１〜第４ワード線導電層３１ａ〜３１ｄとを備える。 - 特許庁

The main body part 25 is columnar and a recessed part is formed on its side face to provide a storage part 31 for storing a charge cable.例文帳に追加

本体部２５は、円柱状をなしており、その側面には凹状部が形成されることにより充電ケーブルを収納する収納部３１が設けられている。 - 特許庁

And, the digital camera 1 distinguishes whether the postcard 2 is used as columnar writing or lateral writing by distinguishing a region in which a stamp or description of charge is written.例文帳に追加

そして、デジタルカメラ１は、切手や料金に関する記載が行われる領域を判別することにより、この葉書２が縦書又は横書に使用されているかを判別する。 - 特許庁

A memory string MS includes a memory columnar semiconductor layer 36, a charge storage layer which includes a memory gate insulating layer 35 formed to surround a side surface of the memory columnar semiconductor layer 36, four-word line conductive layers 31a-31d formed to surround the memory gate insulating layer 35, and two protection layers 33a, 33b protecting upper parts of the word line conductive layers 30a-30d.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、メモリ柱状半導体層３６と、メモリ柱状半導体層３６の側面を取り囲むように形成された電荷蓄積層を含むメモリゲート絶縁層３５と、メモリゲート絶縁層３５を取り囲むように形成された４層のワード線導電層３１ａ〜３１ｄと、ワード線導電層３１ａ〜３１ｄの上部を保護する２層の保護層３３ａ、３３ｂとを備える。 - 特許庁

The memory strings MS are provided with: first to fourth word line conductor layers 31a-31d laminated on the substrate Ba; a memory columnar semiconductor layer 36 formed so as to penetrate the first to fourth word line conductor layers; and an electric charge accumulation layer 35b formed between the first to fourth word line conductor layers 31a-31d and the memory columnar semiconductor layer 36.例文帳に追加

メモリストリングスＭＳは、基板Ｂａに積層された第１〜第４ワード線導電層３１ａ〜３１ｄと、それらを貫通するように形成されたメモリ柱状半導体層３６と、第１〜第４ワード線導電層３１ａ〜３１ｄとメモリ柱状半導体層３６との間に形成された電荷蓄積層３５ｂとを備える。 - 特許庁