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metal oxide semiconductor FETとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 MOS型FET
「metal oxide semiconductor FET」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 6件
According to one embodiment, the FET is a metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加
一実施形態では、このFETは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)である。 - 特許庁
A carbon nanotube CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) 1 is composed of an N-type carbon nanotube FET (field-effect transistor) 2 (hereinafter called as an N-type CN-FET 2) and a P-type carbon nanotube FET 3 (hereinafter called as a P-type CN-FET 3).例文帳に追加
カーボンナノチューブCMOS1は、N型カーボンナノチューブFET2(以下、N型CN−FET2という)とP型カーボンナノチューブFET3(以下、P型CN−FET3という)とから構成される。 - 特許庁
In the FeRAM type or MFMIS-FET type semiconductor device, the metal oxide crystal grains are distributedly precipitated in the noble metal crystal grains which constitute the bottom electrode.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置は、FeRAM型若しくはMFMIS-FET型の半導体装置において、下部電極を構成する貴金属結晶粒子の粒内に金属酸化物結晶粒子を分散して析出させたことを特徴とする。 - 特許庁
To suppress the occurrence of hillocks in a bottom electrode by making the bottom electrode such one that metal oxide crystal grains are distributedly precipitated in noble metal crystal grains which constitute the bottom electrode, in an FeRAM type or MFMIS-FET type semiconductor device.例文帳に追加
本発明は、FeRAM型若しくはMFMIS-FET型の半導体装置において、下部電極を構成する貴金属結晶粒子の粒内に金属酸化物結晶粒子を分散して析出させた下部電極とすることで、下部電極のヒロックの発生を抑制することである。 - 特許庁
To enable a semiconductor device, such as a MOS-FET (metal-oxide semiconductor-field effect transistor) having a small capacitance between a gate and a drain to be manufactured, through a simple process.例文帳に追加
単純な工程によりゲート−ドレイン間容量が小さいMOS−FET等の半導体装置を製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A bias current Iref made to flow through a differential amplifier part comprising an FET M01, M02, M03, and M04 is made to flow through a reference MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) Mr from which a voltage corresponding to a reference current can be obtained when making the reference current flow to obtain a level shift voltage Vls.例文帳に追加
基準電流を流すと当該基準電流に対応する電圧が得られる基準MOSFETMrに、FETM01、M02、M03、及びM04からなる差動増幅部に流されるバイアス電流Irefを流してレベルシフト電圧Vlsを得る。 - 特許庁
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