partial annealingとは 意味・読み方・使い方

A single crystal having no generation of cracks and having oxygen deficiency in such a degree that the crystal can be recovered by annealing in an oxygen atmosphere after the crystal growth, can be obtained by controlling an atmosphere of growing the crystal to have an oxygen partial pressure of 10 Pa to 1 kPa.例文帳に追加

結晶を成長する雰囲気として、酸素分圧が１０Pa〜１ｋPaとなるようにすることで、結晶成長後の酸素雰囲気でのアニールで回復できる酸素欠損で、クラックの発生がない単結晶が得られる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the wound core manufactured by performing straighteing annealing on the grain-oriented steel sheet, linear strains are imparted to the whole or partial surface of the steel sheet at almost fixed intervals in the direction perpendicular to the rolled direction of the steel sheet after the annealing.例文帳に追加

方向性電磁鋼板を形成し、歪み取り焼鈍を行って製造された巻き鉄芯において、焼鈍工程後に鉄芯を構成する鋼板の全て、あるいは一部の表面に、鋼板の圧延方向に概垂直な線状歪みを圧延方向に概一定の間隔で付与する巻き鉄芯の製造方法と当該方法によって製造される巻き鉄芯である。 - 特許庁

Then, the hydrogen annealing processing is performed under the atmosphere that the partial pressure of hydrogen is 1000 ppm-100% at the pressure of 10 mTorr to 760 Torr at the temperature of 950 to 1050°C for 1 to 10 minutes, and the trench corner is rounded by the surface diffusion action of silicon atoms.例文帳に追加

つづいて、水素の分圧が１０００ｐｐｍ〜１００％の雰囲気中で、１０ｍTorr〜７６０Torrの圧力で、９５０〜１０５０℃の温度で１〜１０分間の水素アニール処理をおこない、シリコン原子の表面拡散作用により、トレンチコーナー部を丸める。 - 特許庁

When annealing is not sufficient at one portion of the boundary wall surface 2d, a sector adjacent to the partial boundary wall surface is recorded on the magneto-optical recording medium as a defective sector, and a decrease in the recording/reproducing characteristics of the magneto-optical recording medium by the presence of the defective sector is avoided.例文帳に追加

境界壁面２ｄの一部でアニールが十分になされなかった場合には、この一部の境界壁面に隣接するセクターを不良セクターとして光磁気記録媒体に記録し、不良セクターの存在による光磁気記録媒体の記録／再生特性の低下の回避を図る。 - 特許庁

The semiconductor further comprises: a cap layer which can uniformly retrieve at least a partial hydrogen dissociated from magnesium from the gallium nitride compound semiconductor layer suppressing the dissociation of a gallium nitride compound semiconductor in annealing and containing the magnesium in the depth direction and which has a film thickness of 0.01 μm on the gallium nitride compound semiconductor layer containing the magnesium.例文帳に追加

マグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層の上に、アニーリングにおいて、窒化ガリウム系化合物半導体の分解を抑えかつマグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層中から、マグネシウムと解離されてなる少なくとも一部の水素を深さ方向均一に出すことができる膜厚０．０１μｍ以上のキャップ層を有する。 - 特許庁

In this crystal growth method of a p-type group III nitride semiconductor, hydrogen as well as p-type dopant is doped or diffused in the p-type group III nitride semiconductor by controlling the partial pressure of hydrogen in an atmosphere, in at least one step during crystal growth of a group III nitride semiconductor doped with the p-type dopant, during cooling after the crystal growth, and during annealing after the crystal growth.例文帳に追加

本発明のｐ型III族窒化物半導体の結晶成長方法は、ｐ型ドーパントをドープしたIII族窒化物半導体の結晶成長中、結晶成長後の冷却中、結晶成長後のアニール中の少なくとも１つの工程で、雰囲気中の水素分圧の制御により、ｐ型III族窒化物半導体中にｐ型ドーパントの他に水素をドープもしくは拡散する。 - 特許庁