きょくしょせいちょうえんの英語

特に、極めて平坦な無極性ａ面ＧａＮ膜をハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）によって成長させる。例文帳に追加

Especially, an extremely planar nonpolar (a)-plane GaN film is grown by a halide vapor-phase growing method (HVPE). - 特許庁

結晶シリコン基板を陽極化成して多孔質層を形成し、この多孔質層上にエピタキシャル成長法により薄膜結晶を成長させる。例文帳に追加

A crystal silicon substrate is anodized to form a porous layer 102, on which a thin-film crystal is grown by an epitaxial growing method. - 特許庁

エピタキシャル成長装置（有機金属気相成長装置）に搬入し、ガリウム極性面１０_Gaに窒化ガリウムエピタキシャル層を形成する。例文帳に追加

A gallium nitride epitaxial layer is formed on the gallium polarity plane 10_Ga, by transportation into an epitaxial growth device (organic metal vapor-phase growth device). - 特許庁

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面上に、結晶成長させる。例文帳に追加

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non-polar surface of an SiC substrate 1. - 特許庁

開口部23のある遮蔽板24を基板21の結晶成長面内で動かすことにより成長させる結晶の膜厚を結晶成長面内で局所的に変えることを特徴とする。例文帳に追加

Thereby, it is possible to locally change the film thickness of the crystal to be grown in the crystal growing surface by moving the shielding plate 24 having the opening part 23 within the crystal growing surface of the substrate 21. - 特許庁

また、ＺｎＯからなる成長基板上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層を成長する緩衝層形成工程と、前記緩衝層上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層を成長する活性層形成工程と、を含む。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor light emitting element includes a buffer layer forming step of growing the buffer layer formed of the AlGaInN-based material including In on the growth substrate made of ZnO, the growth plane including the nitrogen polar plane; and an active layer forming step of growing the active layer formed of the AlGaInN-based material including In on the buffer layer, the growth plane including the group III polar plane. - 特許庁

得られる窒化ガリウム基板は、窒素極性面側の結晶成長時に平坦に成長した領域とファセット成長した領域との段差が７μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。例文帳に追加

In the obtained gallium nitride substrate, the level difference between the region that has been planarily grown and the region in which the facet growth has been made at the time of the crystal growth of the polarity surface side is 7 μm or less, more preferably 5 μm or less. - 特許庁

ＧａＡｓ単結晶１０のｎ^＋ −ＧａＡｓ層８をエピタキシャル成長により成膜した後、引き続きＳｉ層１１を同一のエピタキシャル成長炉内においてエピタキシャル成長させ、しかる後アルミニウムの電極１２をオーミック電極としてＳｉ層１１上に形成する。例文帳に追加

Following to the epitaxial growth of an n^+-GaAs layer 8 of GaAs single crystal 10, an Si layer 11 is grown epitaxially in the same epitaxial growth furnace and then an aluminum electrode 12 is formed, as an ohmic electrode, on the Si layer 11. - 特許庁