さじちょうつくだにの英語

セルストリングに連結されたビットライン、ビットラインに連結され、プログラム動作時に、ビットラインにターゲット・ビットライン・フォーシング電圧レベルを大体のところで形成するページバッファ、及び前記ビットラインと前記ページバッファとの間に連結され、大体のところ形成されたターゲット・ビットライン・フォーシング電圧レベルを精密に調整するビットライン・フォーシング電圧クランプ回路を具備する不揮発性メモリ装置である。例文帳に追加

A nonvolatile memory device comprises: bit lines connected to cell strings; page buffers which are connected to the bit lines, and which establish approximate target bit line forcing voltage levels for the bit lines; and bit line forcing voltage clamp circuits which are connected between the bit lines and the page buffers, and which make a precise adjustment to the established approximate target bit line forcing voltage levels. - 特許庁