すいどうすじ３ちょうめの英語

燃料電池１０と、燃料電池１０に水素ガスを供給するための水素ガス配管系３と、水素ガス系３の上流側のガス状態を調整して下流側に供給するインジェクタ３５と、インジェクタ３５を所定の駆動周期で駆動制御する制御装置４と、を備える燃料電池システム１である。例文帳に追加

The fuel cell system 1 is provided with a fuel cell 10, a hydrogen gas piping system 3 which supplies hydrogen gas to the fuel cell 10, an injector 35 which supplies to a downstream side after adjusting a gas status in the upstream side of the hydrogen gas tube 3, and a controlling means 4 which controls the operation of the injector 35 in a predetermined operation cycle. - 特許庁

この発明の貯水槽１は、パネル１０，２０，３０を組み合わせて成る貯水槽であって、対向する一方の組の側壁３の外面に沿わせて立設した側壁補強材５の、天井壁２より突き出す上端部５ａ同士に天井補強材６を架設して構成した、ことを特徴としている。例文帳に追加

This water storage tank 1 comprises panels 10, 20, and 30 combined with each other, and is formed by installing ceiling reinforcement materials 6 across the upper end parts 5a projected from a ceiling wall 2 of side wall reinforcement materials 5 installed vertically along the outer surface of one of the side walls 3 opposed to each other. - 特許庁

サファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法において、Ｒ面サファイア基板１上にＣｅＯ_２ からなる第１のバッファ層２を形成し、次いで、Ｓｍ_２（１−ｘ）Ｇｄ_２ｘＯ_３ （０≦ｘ≦１）からなる第２のバッファ層３を形成し、次いで、超伝導薄膜４を形成する。例文帳に追加

There is provided a fabricating process for attaching an oxide superconductive thin film with a buffer to a sapphire substrate, wherein a first buffer layer 2 comprising CeO_2 is formed on an R surface sapphire substrate 1, and then a second buffer layer 3 comprising Sm_2(1-x) Gd_2x O_3 (0≤x≤1) and next the superconductive thin film 4 is formed. - 特許庁