すいどうすじ２ちょうめの英語

超高層、長大土木建築物または工作物の本体間に、コンピューター制御伸縮振動装置付き筋かい２を直接に取り付け、長周期波振動を人工的に発生させて、同調させることにより減衰消滅せしめ、地震時水平力を初期段階で受け止めることにより、共振増幅横揺れの防止を図る。例文帳に追加

A brace 2 with a stretching vibration system controlled by a computer is directly attached to the ultra-high and huge building or construction, so as to receive the lateral force of the earthquake at the initial stage by artificially generating a long-period vibration for reciprocation to be damped and faded out, and thus the reciprocated and amplified lateral shock is prevented. - 特許庁

特に本発明は、蓄積手段（２）に蓄積された製品の累積稼働時間Ｔｉｎｔの経時的推移から推定した実施予定時期Ｔｃに基づいてメンテナンス情報の配信時期Ｔｓを算出してメンテナンス情報を通知することを特徴とする。例文帳に追加

In particular, based on the expected timing Tc of implementation estimated from time-dependent change in cumulative operating time Tint of a product accumulated in accumulation means (2), the timing Ts of delivering the maintenance information is calculated to notify the maintenance information. - 特許庁

（式中、Ｒ、Ｒ’は水素原子又は低級アルキル基を表す）上記の発明において、下記の一般式（２）で表されるパルミチン酸誘導体又は薬理的に許容されるその塩を有効成分として含有することを特徴とする抗がん剤。例文帳に追加

Specifically, the anticancer agent includes, as the active ingredient, a palmitic acid derivative represented by formula (2) or a pharmacologically acceptable salt thereof. - 特許庁

この発明の貯水槽１は、パネル１０，２０，３０を組み合わせて成る貯水槽であって、対向する一方の組の側壁３の外面に沿わせて立設した側壁補強材５の、天井壁２より突き出す上端部５ａ同士に天井補強材６を架設して構成した、ことを特徴としている。例文帳に追加

This water storage tank 1 comprises panels 10, 20, and 30 combined with each other, and is formed by installing ceiling reinforcement materials 6 across the upper end parts 5a projected from a ceiling wall 2 of side wall reinforcement materials 5 installed vertically along the outer surface of one of the side walls 3 opposed to each other. - 特許庁

サファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法において、Ｒ面サファイア基板１上にＣｅＯ_２ からなる第１のバッファ層２を形成し、次いで、Ｓｍ_２（１−ｘ）Ｇｄ_２ｘＯ_３ （０≦ｘ≦１）からなる第２のバッファ層３を形成し、次いで、超伝導薄膜４を形成する。例文帳に追加

There is provided a fabricating process for attaching an oxide superconductive thin film with a buffer to a sapphire substrate, wherein a first buffer layer 2 comprising CeO_2 is formed on an R surface sapphire substrate 1, and then a second buffer layer 3 comprising Sm_2(1-x) Gd_2x O_3 (0≤x≤1) and next the superconductive thin film 4 is formed. - 特許庁