せき層光電池の英語

光電池用半導体膜、積層体および半導体膜作製用塗料例文帳に追加

SEMICONDUCTOR FILM FOR PHOTOCELL, LAMINATION BODY, AND PAINT FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR FILM - 特許庁

マルチ接合光電池装置用の機械的積層構造体およびその製造方法例文帳に追加

MECHANICAL STACKING STRUCTURE FOR MULTI-JUNCTION PHOTOVOLTAIC DEVICES AND METHOD OF MAKING THE SAME - 特許庁

製造コスト及び製造工程の面で経済的であり、電解質層との増大した接触面積により改良された高い触媒活性を示す光電池用対向電極及びこれを採用した染料感応型光電池の提供。例文帳に追加

To provide a counter electrode for a photoelectric cell which is economical in manufacturing cost and in a manufacturing process, and has a high catalyst activity which is improved by an increased contact area with an electrolyte layer and provide a dye-sensitive type photoelectric cell provided with the above electrode. - 特許庁

光電池用電極は、透明基材上に透明導電膜を介して、酸化亜鉛、色素および結着剤を主成分とする半導体膜が積層されたものである。例文帳に追加

The electrode for the photocell is formed by laminating a semiconductor films containing zinc oxide, dyestuff, and a binder as main components on a transparent base material through a transparent conductive film. - 特許庁

低温で成膜可能であり、連続生産も可能な可撓性を有する光電池用半導体膜、積層体および該半導体膜作製用塗料を提供する。例文帳に追加

To provide a flexible semiconductor film for a photocell which can be continuously manufactured and formed at low temperature, and to provide a lamination body and paint for manufacturing the semiconductor film. - 特許庁

多層ＬＥＤの種々の層、例えば多層ＬＥＤの正孔輸送層及び中間層に使用するための、並びに電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、光電池などのその他の電子素子に使用するための、さらには集積回路又はプリント回路基板に使用するための新規化合物を開発する。例文帳に追加

To provide novel compounds for use in various layers of a multilayer LED, such as hole transport layers and interlayers of a multilayer LED, as well as in other electronic devices such as field effect transistors (FET's), photovoltaic cells, and even for integrated circuits or printed circuit boards. - 特許庁

８Ｎ型（又は６Ｐ型）の多結晶層と７Ｉ型シリコン多結晶層及び６Ｐ型（又は８Ｎ型）多結晶層３層の厚さは赤外線（λ＝約７００ｎｍ〜１，０００ｎｍ）を有効に吸収する厚さに設定されて、赤外線に高感度を有する光電池単体を形成する。例文帳に追加

The thickness of three layers of a 8N type (or 6P type) polycrystalline layer, a 7I type silicon polycrystalline layer and a 6P type (or 8N type) polycrystalline layer is set to the thickness that effectively absorbs infrared rays (λ= about 700 to 1,000 nm) to form the photoelectric cell unit having high sensitivity to the infrared rays. - 特許庁