ながたさんのうだいの英語

第１金型１４と、第１金型１４に対して接離可能な第２金型３９とを備える。例文帳に追加

The mold is provided with a first mold 14 and a second mold 39 touchable and separable with respect to the first mold 14. - 特許庁

第１の第１導電型拡散層１２０、第１の第２導電型拡散層１３０、第２の第１導電型拡散層１５０、及び第２の第２導電型拡散層１４０はこの順に並んでいる。例文帳に追加

A first first-conductive-type diffusion layer 120, a first second-conductive-type diffusion layer 130, a second first-conductive-type diffusion layer 150, and a second second-conductive-type diffusion layer 140 are arranged in this order. - 特許庁

一人の人間にどうしてこんなに悪いことがたくさん起こりうるんだ?例文帳に追加

How can so many bad things happen to one person? - Eゲイト英和辞典

IGFETの半導体基体は、N^+型の第１のドレイン領域３４とN^-型の第２のドレイン領域３５とP型の第１のボデイ領域３６とP^-型の第２のボデイ領域３７とN型の第１のソース領域３８とN^+型の第２のソース領域３９とを有し、更にIGFETセルを構成するトレンチ３１を有する。例文帳に追加

A semiconductor base of the IGFET includes an N^+-type first drain region 34, an N^--type second drain region 35, a P-type first body region 36, a P^--type second body region 37, an N-type first source region 38, and an N^+-type second source region 39, and a trench 31 for forming an IGFET cell. - 特許庁

そこには雄大な風景と素敵な食べ物が沢山ある。例文帳に追加

There is a lot of splendid scenery and splendid food there. - Weblio Email例文集

さらに、第１、第２および第３のベース領域１８、１９、２０内にＮ型の第１、第２および第３のエミッタ領域２１、２２、２３を形成する。例文帳に追加

N type 1st, 2nd and 3rd emitter areas 21 to 23 are formed in the 1st, 2nd and 3rd base areas 18 to 20. - 特許庁

基台金型３１に設けた挿入部３１ｅに第１、２の金型２７、２９を横置き挿入する。例文帳に追加

The first and second molds 27, 29 are inserted horizontally into an insertion part 31e formed in a base mold 31. - 特許庁

その際、第２燃焼停止部３７が直ちに第２バーナ１９を停止する。例文帳に追加

Thereby, the second combustion interruption section 37 immediately interrupts a second burner 19. - 特許庁