意味 | 例文 (2件) |
ぬかごしまの英語
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「ぬかごしま」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2件
また、水素ラジカル発生部31,32を設け、水素ラジカルをチャンバ10内で発生させ、集光鏡5などの装置低温部にSnおよび/またはSn化合物が堆積するのを抑制し、また、堆積したSnおよび/またはSn化合物を除去する。例文帳に追加
Hydrogen radical generation parts 31 and 32 are formed; hydrogen radicals are generated in the chamber 10; the Sn and/or the Sn compound are prevented from being deposited in a device low-temperature part such as a condensing mirror 5; and the deposited Sn and/or the Sn compound are/is removed. - 特許庁
ここで、化合物半導体層2はAlN、化合物半導体層3A,3BはAlGaNからなるが、化合物半導体層3Aを通常のMOVPE法で成長させると、Al組成比が目的の値よりも小さくなってしまう。例文帳に追加
Here, the compound semiconductor layer 2 is made of AlN and the compound semiconductor layers 3A, 3B are made of AlGaN, however when the compound semiconductor layer 3A is grown by a normal MOVPE method, the Al composition ratio becomes smaller than a target value. - 特許庁
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