イオン注入酸化金属半導体の英語

酸化物半導体の表面の少なくとも一部に、水素イオンまたはアルカリ金属イオンをイオン注入する上記触媒の製造方法。例文帳に追加

This method for producing the catalyst comprises implanting hydrogen ion or an alkali metal ion into at least a part of the surface of the oxide semiconductor. - 特許庁

スパッタリング装置やイオン注入装置などの複雑かつ高価な装置を用いることなく、金属酸化物半導体を廉価に製造するとともに、金属酸化物半導体の特性を広範囲に制御する。例文帳に追加

To inexpensively manufacture a metal oxide semiconductor and control characteristics of the metal oxide semiconductor in a wide range without using a complicated and expensive apparatus such as a sputtering system or an ion implanter. - 特許庁

また、かかるＴＦＴを製造する手段として、不純物イオンを半導体に注入する際に、陽極酸化膜のイオン流に対する阻止効果は母材金属より劣ること、陽極酸化は制御容易なこと、金属膜の厚さは形成容易なことを利用する。例文帳に追加

More specifically, low-, middle, and high-doping semiconductor layers 71, 81, and 91 at the side of the drain electrode and the concentration of doping are in three stages. - 特許庁

イオン注入損傷の保護用酸化膜の形成時に、金属材料を含むゲート電極の損傷や剥離を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing damage or peeling of a gate electrode containing metal material when forming an oxide film for protecting against ion implantation damage. - 特許庁