イオン注入ダメージの英語

表層にイオン注入がなされた半導体におけるイオン注入量を，その半導体にダメージを与えることなく，かつ，比較的簡易な構成によって高い精度で測定できるイオン注入量測定装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an ion implantation amount measuring apparatus capable of highly accurately measuring an ion implantation amount in a semiconductor subjected to ion implantation into a surface layer by a comparatively simple constitution without damaging the semiconductor. - 特許庁

単結晶Ｓｉ基１０の表面（主面）にドーズ量１．５×１０１^7ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2以上で水素イオンを注入し、水素イオン注入層（イオン注入ダメージ層）１１を形成する。例文帳に追加

Hydrogen ions are implanted in the surface (major surface) of a single crystal Si substrate 10 at a dose of 1.5×101^7 atoms/cm^2 to form a hydrogen ion implantation layer (ion implantation damage layer) 11. - 特許庁

被処理基板に正電荷のイオン注入の際、被処理基板にチャージアップダメージが発生しにくいイオン注入装置およびイオン注入方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation apparatus and an ion implantation method, capable of preventing a charge-up damage from being easily generated on a substrate to be processed in implanting positive charge ions into the substrate to be processed. - 特許庁

イオン注入のダメージに起因する結晶欠陥の発生を防止することができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor apparatus preventing crystal defects caused by damage in ion implantation, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

イオン注入の際にゲート電極又はコントロールゲートへのダメージを減少させた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To reduce damage to a gate electrode or a control gate when implanting an ion. - 特許庁

次に、スルー酸化膜にアルゴンのイオン注入を行い、ダメージが導入されたスルー酸化膜１３を形成する。例文帳に追加

Then, argon ions are implanted into the through-oxide film 12 for the formation of a through-oxide film 13 where damages are introduced. - 特許庁

イオン注入ダメージを受けない改善された品質と特性とを有する集積回路コンデンサを提供する。例文帳に追加

To provide an integrated circuit capacitor which is not damaged by implantation of ions and is improved in quality and characteristics. - 特許庁

注入したイオンの拡散を抑制しつつ、効果的に効率的よく注入ダメージを除去することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a silicon wafer capable of effectively and efficiently removing an injection damage while suppressing the diffusion of an injected ion. - 特許庁