イオン注入接合の英語

その後、前記のようにベース基板７を接合してから熱処理してイオン注入層６を膨張させ、半導体基板１をイオン注入層６の位置から剥離する（Ｓ１８）。例文帳に追加

Then, the ion injection layer 6 is inflated by heat treatment and the semiconductor substrate 1 is detached from the position of the ion injection layer 6 (S18). - 特許庁

次に、ｐ領域６の濃度のピークが、最終的にｎ^+領域１０とのＰＮ接合８部になるように、Ｂ^+イオン注入層５をイオン注入法により形成する。例文帳に追加

A B^+ ion implantation layer 5 is then formed by ion implantation so that the concentration peak of a p region 6 eventually forms a pn junction 8 with an n^+ region 10. - 特許庁

単結晶Ｓｉ基板１０の表面側（接合面側）には、表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に均一なイオン注入層１１が形成される。例文帳に追加

On the surface side (bonding face side) of a single crystal Si substrate 10, a uniformed ion implanted layer 11 is formed in a predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface. - 特許庁

マスクパターンをイオン注入障壁として使用してコンタクトホールにより露出されたＰＭＯＳの接合領域及びＰ＋ピックアップ領域内にＰ型不純物イオン注入を遂行する。例文帳に追加

The P type impurity is ion-implanted into a junction area of the PMOS and P+ pickup area exposed by contact holes. - 特許庁

イオン注入層１００が形成された圧電単結晶基板１を支持基板３０Ｂに接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、加熱することで、イオン注入層１００を剥離面として圧電薄膜１０を剥離形成する。例文帳に追加

The piezoelectric single-crystal substrate 1 wherein the ion-implanted layer 100 is formed is joined to a support substrate 30B (S102→S103), and heated to form a piezoelectric thin film 10 by detachment using the ion-implanted layer 100 as a detaching surface. - 特許庁

接合部は、イオン注入によって注入されたイオンの濃度が１×１０^８／ｃｍ^２以上１×１０^１６／ｃｍ^２未満の範囲に設定されている。例文帳に追加

In the joint part, concentration of ion implanted by ion implantation is set in the range of 1×10^8/cm^2 to <1×10^16/cm^2. - 特許庁

イオン注入ＩＩＩ族窒化物半導体基板、ＩＩＩ族窒化物半導体層接合基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF ION IMPLANTATION GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER JUNCTION SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

浅いｐｎ接合を容易に形成することができる、加速・減速方式のイオン注入を実現すること。例文帳に追加

To realize acceleration-deceleration type ion implantation in which shallow p-n junctions can be easily formed. - 特許庁