「イオン注入接合」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

そして、半導体基板１に水素のイオン注入を施し、Ｐ−Ｎ接合界面より深い位置に注入欠陥層５を形成する。例文帳に追加

Ion-implantation of hydrogen is made in the substrate 1, and an implanted defect layer 5 is formed at a position deeper than the P-N junction interface. - 特許庁

ＨＶＮ−イオン注入をフローティング接合領域およびビットライン接合領域にのみ実施して共通ソース領域には実施せず、ＬＶＮ−イオン注入も共通ソース領域には適用しない。例文帳に追加

An HVN(high voltage n)-ion implantation is conducted to only the floating diffusion region, the bit line diffusion region and is not applied to the common source region, and an LVN(low voltage n)-ion implantation also is not applied to the common source region. - 特許庁

その後、前記のようにベース基板７を接合してから熱処理してイオン注入層６を膨張させ、半導体基板１をイオン注入層６の位置から剥離する（Ｓ１８）。例文帳に追加

Then, the ion injection layer 6 is inflated by heat treatment and the semiconductor substrate 1 is detached from the position of the ion injection layer 6 (S18). - 特許庁

次に、ｐ領域６の濃度のピークが、最終的にｎ^+領域１０とのＰＮ接合８部になるように、Ｂ^+イオン注入層５をイオン注入法により形成する。例文帳に追加

A B^+ ion implantation layer 5 is then formed by ion implantation so that the concentration peak of a p region 6 eventually forms a pn junction 8 with an n^+ region 10. - 特許庁

単結晶Ｓｉ基板１０の表面側（接合面側）には、表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に均一なイオン注入層１１が形成される。例文帳に追加

On the surface side (bonding face side) of a single crystal Si substrate 10, a uniformed ion implanted layer 11 is formed in a predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface. - 特許庁

マスクパターンをイオン注入障壁として使用してコンタクトホールにより露出されたＰＭＯＳの接合領域及びＰ＋ピックアップ領域内にＰ型不純物イオン注入を遂行する。例文帳に追加

The P type impurity is ion-implanted into a junction area of the PMOS and P+ pickup area exposed by contact holes. - 特許庁

イオン注入層１００が形成された圧電単結晶基板１を支持基板３０Ｂに接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、加熱することで、イオン注入層１００を剥離面として圧電薄膜１０を剥離形成する。例文帳に追加

The piezoelectric single-crystal substrate 1 wherein the ion-implanted layer 100 is formed is joined to a support substrate 30B (S102→S103), and heated to form a piezoelectric thin film 10 by detachment using the ion-implanted layer 100 as a detaching surface. - 特許庁

接合部は、イオン注入によって注入されたイオンの濃度が１×１０^８／ｃｍ^２以上１×１０^１６／ｃｍ^２未満の範囲に設定されている。例文帳に追加

In the joint part, concentration of ion implanted by ion implantation is set in the range of 1×10^8/cm^2 to <1×10^16/cm^2. - 特許庁

イオン注入ＩＩＩ族窒化物半導体基板、ＩＩＩ族窒化物半導体層接合基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF ION IMPLANTATION GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER JUNCTION SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

浅いｐｎ接合を容易に形成することができる、加速・減速方式のイオン注入を実現すること。例文帳に追加

To realize acceleration-deceleration type ion implantation in which shallow p-n junctions can be easily formed. - 特許庁

超伝導−通常−超伝導ジョセフソン接合中に通常層を作製するためのイオン注入の使用例文帳に追加

USE OF ION INJECTION FOR PREPARING NORMAL LAYER IN SUPERCONDUCTIVE-NORMAL-SUPERCONDUCTIVE JOSEPHSON JUNCTION - 特許庁

この後、イオン注入により第２の深さＢよりも浅い第３の深さＣにｐｎ接合１０４を形成する。例文帳に追加

Thereafter, a pn junction 104 is formed at a third depth C shallower than the second depth B by ion implantation. - 特許庁

ＳＮＳジョセフソン接合（１０）中に通常層を作製するためにイオン注入を使用する方法である。例文帳に追加

This is a method for using ion injection for preparing a normal layer in an SNS Josephson junction 10. - 特許庁

圧電基板に対してイオン注入を行うことで剥離層を形成し、圧電基板の剥離層側に支持基板３０Ｂを接合する。例文帳に追加

A peeling layer is formed by ion implantation into a piezoelectric substrate, and a support substrate 30B is joined to a peeling layer side of the piezoelectric substrate. - 特許庁

イオン注入法を用いてｐｎ接合を実現し、ダイヤモンド半導体を電子デバイスとして活用できるようにする。例文帳に追加

To realize a p-n junction by using ion implantation so as to use a diamond semiconductor as an electronic device. - 特許庁

イオン注入を使用して、非超伝導特性を有する接合領域（１２）を、第１のＨＴＳ層（１４）の角を成す側面（２２）に沿って形成する。例文帳に追加

A joint region 12 having non-superconductivity is formed along the side face forming the corner of the first HTS layer 14. - 特許庁

次に、接合体の基板８２とは反対の側からイオン注入して、ウエル５２に電荷蓄積部５３の下側領域を形成する。例文帳に追加

Then, the lower-side region of the charge accumulation part 53 is formed in the well 52, by injecting ion from the opposite side of the substrate 82 of the junction body. - 特許庁

特殊な集束イオンビーム装置や高精度のＸＹステージを用いなくても、イオン注入によりノックアウト効果を利用したジョセフソン接合部を形成できるジョセフソン接合素子製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a Josephson junction element, which can form a Josephson junction by ion implanting to utilize the knockout effect, without using a special focused ion beam machine or a high-precision XY stage. - 特許庁

人工骨部材は、生体活性セラミックスからなる基材の表面の少なくとも一部にイオン注入による表面改質によってイオン注入が行われていない基材よりも自家骨との接合強度を高めた接合部が形成されている。例文帳に追加

The artificial bone member forms a joint part where joint strength with the autologous bone is stronger than that of a base member where ion implantation is not partially performed by surface quality improvement by ion implantation at least on the surface of the base material comprising bioactive ceramics. - 特許庁

ＣＭＯＳデバイスのプロセスにおいて、このＮＭＩＳゲート注入レイヤを用いてイオン注入を行なうことにより、ゲートポリシリコン膜中におけるＰＮ接合部及びノンドープ領域の総数が低減される。例文帳に追加

In the process of a CMOS device, the total number of the pn junction and the non-doped region in the gate polysilicon film is reduced by ion implanting by using this NMIS gate implantation layer. - 特許庁

ウェーハへのボロンのイオン注入後における、注入損傷回復の高温アニールにおいて、応力の不均一から生ずる増速拡散を防止し、平坦性の良いＰＮ接合界面の提供。例文帳に追加

To provide a PN junction interface that prevents enhanced diffusion caused by an uneven stress during high temperature annealing for recovering from implantation damage after boron ion implantation into a wafer and achieves a superior flatness. - 特許庁

Ｐ型Ｓｉ基板上のＰＮ接合バラクタの形成領域に高濃度のリンイオンを注入し、カーボンを注入した後、Ｓｉ基板上に低濃度のＮ型Ｓｉ層を形成する。例文帳に追加

A high concentration phosphoric ion is implanted into a region for forming a pn junction varactor on a p-type Si substrate, and after a carbon is implanted, a low concentration n-type Si layer is formed on the Si substrate. - 特許庁

ＳＯＩ基板の半導体層に互いに隣接するＮ型領域及びＰ型領域をイオン注入法によって形成する際に、注入マスクの位置合わせずれに起因するＰＮ接合の状態の変動をなくす。例文帳に追加

To eliminate the variation of the state of a PN junction caused by the positioning deviation of an implantation mask when forming an N-type region and a P-type region adjacent to each other in the semiconductor layer of an SOI substrate by an ion implantation method. - 特許庁

次に、半導体基板１主面に熱酸化膜４，絶縁膜５を形成し平坦化し（Ｓ１４，Ｓ１５）、その絶縁膜５の表面から水素イオン注入してイオン注入層６を形成した後（Ｓ１６）、前記絶縁膜５表面にベース基板７を接合する（Ｓ１７）。例文帳に追加

Then, a thermal oxide 4 and an insulating film 5 are formed on the major surface of the semiconductor substrate 1 and are flattened (S14, S15) and hydrogen ions are injected from the surface of the insulating film 5 to form an ion injection layer 6 (S16) and a base substrate 7 is bonded onto the surface of the insulating film 5. - 特許庁

このような接合工程の後、外部から衝撃を加えることでイオン注入層１１内でのＳｉ−Ｓｉ結合を切り、単結晶Ｓｉ基板１０の表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に相当する位置の結晶面に沿って単結晶シリコン薄膜を機械的に剥離する。例文帳に追加

By applying shock from outside after the bonding process, Si-Si bonds inside the ion implanted layer 11 are cut to automatically peel off a single crystal silicon thin film along the crystal plane at a position corresponding to the predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface of the single crystal Si substrate 10. - 特許庁

このように、Ｃを注入することにより、炭素サイトの空孔に不活性なイオン種が入り込み、空孔を無くすことができるため、Ｂの拡散が抑制され、ディープベース層３０とｎ^- 型エピ層２との接合部が階段型接合となる。例文帳に追加

Since inert C ion species enter voids of carbon site to eliminate the voids, diffusion of B is suppressed and a stepwise junction of the deep base layer 30 and the n- epi layer 2 is formed. - 特許庁

注入されたインジウムイオン及びヒ素イオンを活性化することにより、浅い接合を持つエクステンション高濃度不純物拡散層１０５、ポケット不純物拡散層１０６及び深い接合を持つ高濃度不純物拡散層１０４を形成する。例文帳に追加

Indium ions and arsenic ions which are implanted are activated, by which an extension high-concentration impurity diffusion layer 105 possessed of a shallow junction, a pocket impurity diffusion layer 106, and a high- concentration impurity diffusion layer 104 possessed of a deep junction are formed. - 特許庁

半導体基板１１，２１の所定領域に、トランジスタのソース／ドレイン接合を形成するためのイオン注入Ｓ／Ｄ ＩＭＰを行うステップと、半導体基板１１，２１上の位置に依存するトランジスタ特性の偏差を補償するように、ソース／ドレイン接合の一部に追加の補償イオン注入ＣＯ ＩＭＰを行うステップとを含む。例文帳に追加

A method comprises a step for performing an ion implantation S/D IMP for forming a source/drain junction of a transistor into predetermined regions of semiconductor substrates 11, 21; and a step for performing an additional compensation ion implantation CO IMP into a part of the source/drain junction to compensate the deviation of transistor characteristics depending on locations on the semiconductor substrates 11, 21. - 特許庁

半導体基板上に接合領域を有するトランジスタを形成し、接合領域上にコンタクトプラグを形成する前にプラグイオン注入工程で熱に対する拡散性(diffusivity)が小さな砒素(As)を接合領域に注入し、オーミックコンタクトを形成することにより、浅い接合(Shallowjunction)を形成すると共に高いブレークダウン電圧の特性、低い漏洩電流特性及び優れたオーミックコンタクト特性を得ることができる。例文帳に追加

A transistor having a junction region is formed on a semiconductor substrate, and before forming a contact plug on the junction region, arsenic (As) with the small diffusivity of heat is implanted into the junction region in a plug ion implantation process and ohmic contact is formed to form a shallow junction. - 特許庁

フッ素系樹脂等からなるイオン伝導膜（イオン交換膜またはイオン液体を含浸させた膜）の両面に、電極として布帛に金属をめっき又は金属錯体注入により導電化した導電性布帛（好ましくは伸縮性を有するもの）を接合させて、電位差を与えることでイオン伝導膜に変形を生じせしめる複合材料を得る。例文帳に追加

The composite material is obtained that causes an ion conduction membrane to be deformed, by joining conductive cloth (preferably having elasticity), which is made conductive by plating a metal on or injecting metal complex into the cloth as electrodes, on both sides of the ion conductive membrane (an ion exchange membrane or a membrane impregnated with an ionic liquid) comprising a fluorine system resin and the like, and by giving the potential difference. - 特許庁

Ｎ型不純物イオンとしてのＳｉイオンをショットキー金属層１４を介してＮ^- 型ＧａＡｓ層１３に注入する際、注入Ｓｉイオンの最大濃度位置がショットキー金属層１４内または両者の接合面近傍になるように制御して、Ｎ^-型ＧａＡｓ層１３内のＳｉイオンがショットキー金属層１４との接合面から深さ方向に向かって減少する濃度プロファイルとなるようにする。例文帳に追加

The concentration profile of Si ion in the N-type GaAs layer is made to decrease in the depth direction from the bonding surface with a Schottky metal layer 14, by controlling the maximum concentration position of the injected Si ions to be in the Schottky metal layer 14 or near the bonding surface of both layers, when Si ions as N type impurity ions are injected into N-type GaAs layer 13 through a Schottky metal layer 14. - 特許庁

ＳＯＩ基板１５０に、水素イオンの分布のピーク位置がＢＯＸ層１５２（埋め込み酸化膜層）内となるように調節した水素イオン注入部１５１と、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１３０とを形成し、絶縁基板１１０に接合させる。例文帳に追加

A hydrogen ion injection part 151 wherein adjustment is so performed that the peak position of distribution of hydrogen ions is in a BOX layer 152 (buried oxide layer), and a single crystal Si thin film transistor 130 are formed on an SOI substrate 150, and bonding to an insulating substrate 110 is performed. - 特許庁

１つの実施例において、隣接するトランスデューサ素子間に配置された区域にイオン注入することによりバックツーバックｐｎ接合ダイオードが形成される。例文帳に追加

In one embodiment, back-to-back P-N junction diodes are formed by implanting ions in zones arranged among the adjacent transducer elements. - 特許庁

高分子材料から構成される高分子固体電解質膜の表面の少なくとも一部に白金イオンが注入されている、電解質膜電極接合体。例文帳に追加

This is the electrolyte membrane electrode assembly in which platinum ion is injected into at least a part of the surface of a solid polymer electrolyte membrane composed of polymer materials. - 特許庁

反りが小さいイオン注入ＩＩＩ族窒化物半導体基板およびかかる基板を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層接合基板の製造方法などを提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method or the like of an ion implantation group III nitride semiconductor substrate with a small warp and a group III nitride semiconductor layer junction substrate using the ion implantation group III nitride semiconductor substrate. - 特許庁

水素イオン注入層１１を形成した単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０のそれぞれの接合面に、表面清浄化や表面活性化などを目的としたプラズマ処理やオゾン処理を施して貼り合わせる。例文帳に追加

Plasma treatment and ozone treatment for cleaning and activating the surface are performed to the junction surface between the single-crystal Si substrate 10 and a crystal substrate 20 where a hydrogen ion implantation layer 11 is formed for bonding. - 特許庁

ｐＭＯＳ素子の製造工程時にゲート電極と窒化膜スペーサの間に不活性ガスがイオン注入されたスクリーン酸化膜を介在させ、超低接合を形成する。例文帳に追加

To form super-low junction by interposing a screen oxide film to which inert gas is ion-injected between a gate electrode and a nitride film spacer in the manufacturing process of a pMOS element. - 特許庁

イオン注入層が形成された圧電単結晶基板を支持基板に接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、支持基板側からＴＨＧレーザ光を照射する（Ｓ１０４）。例文帳に追加

The piezoelectric single crystal substrate which the ion implantation layer has been formed is bonded to a supporting substrate (S102→S103), and THG laser light is emitted from the supporting substrate side (S104). - 特許庁

ゲート電極パターン１０５をマスクにしたイオン注入によって、半導体基板１０１の表面層にＰＮ接合間距離Ｌを規定するＬＤＤ拡散層１０７を形成する。例文帳に追加

The LDD diffusion layer 107, which specifies the distance L between PN junctions, is formed on the surface layer of the semiconductor substrate 101 by ion implantation employing the gate electrode pattern 105 as a mask. - 特許庁

このようにして、イオン注入をおこなわずに、外部ベース領域の下に絶縁領域４を設けることによって、ベース−コレクタ間の接合容量Ｃｂｃを低減させ、最大発振周波数ｆｍａｘを向上させる。例文帳に追加

Thus, the insulating region 4 is provided under the exterior base region without ion implantation, and thereby the junction capacity Cbc between the base and collector is reduced and the maximum oscillation frequency fmax can be improved. - 特許庁

ＣＭＯＳ工程に統合されることができる本発明のバイポーラ接合トランジスタ形成方法は、ＣＭＯＳ工程でマスク工程及びイオン注入工程を追加することによってベース領域を形成する。例文帳に追加

The forming method of the bipolar junction transistor capable of being integrated with a CMOS process of this invention forms a base region by adding a mask process and ion implantation process to the CMOS process. - 特許庁

イオン注入などのドーピング工程を行うことなく、簡便にｐｎ接合が得られて、生産性の向上及び低コスト化を図れるゲルマニウムを含む半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which productivity is enhanced while reducing the cost by attaining a pn junction conveniently without performing a doping step, e.g. ion implantation, and to provide its fabricating process. - 特許庁

非晶質化しない半導体基板上のゲートポリ酸化膜２４０は薄く形成されるので、低いエネルギのイオン注入を行って浅い接合を形成できる。例文帳に追加

Since the gate poly-oxide film 240 on the semiconductor wafer which is not non-crystallized is formed thin, shallow bonding can be formed by the ion implantation of low energy. - 特許庁

基板１１に、第１の保護絶縁膜１８を介して高濃度砒素イオンを浅接合となるように選択的に注入することにより、低抵抗のソース領域１９及び第１のドレイン領域２１Ａを順次形成する。例文帳に追加

A low resistance source region 19 and a first drain region 21A are successively formed on a substrate 11, by selectively implanting high concentration arsenic ions into the substrate through a first protective insulating film 18 to provide a shallow junction. - 特許庁

複合基板の製造方法は、マスク工程（Ｓ１１）とイオン注入工程（Ｓ１２）とマスク除去工程（Ｓ１３）と接合工程（Ｓ１４）と剥離工程（Ｓ１５）とを含む。例文帳に追加

The method for manufacturing a composite board includes: a mask process (S11), an ion implantation process (S12), a mask removing process (S13), a binding process (S14) and a peeling process (S15). - 特許庁