p-n junctionsとは 意味・読み方・使い方

A plurality of pn junctions between the p^--region 5 and the n^+-region 7 are formed in one active region.例文帳に追加

Ｐ^-領域５とＮ^+領域７との間のＰＮ接合が、１つの活性領域内に複数形成される。 - 特許庁

Consequently, the charges generated by the light made incident to the scribe will not reach the P-N junctions which constitute the pixels of the sensor.例文帳に追加

このため、スクライブに入射した光により発生する電荷が光センサの画素を構成するPN接合に至ることはない。 - 特許庁

To solve the problem of inability to detect the potential difference among P-N junctions due to the charging of an interface level in a conventional Auger electron spectroscope.例文帳に追加

従来のオージェ電子分光装置では界面準位の帯電により、ＰＮ接合間の電位差を検出できない。 - 特許庁

A varistor consisting of pn junctions 3 and 5 is fabricated and a GaN based III-V nitride semiconductor is employed as the semiconductor material of p-type semiconductor layers 2 and 6 and an n-type semiconductor layer 4 constituting the pn junctions 3 and 5.例文帳に追加

ｐｎ接合３、５からなるバリスタを作製し、ｐｎ接合３、５を構成するｐ型半導体層２、６及びｎ型半導体層４を構成する半導体材料にＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を用いる。 - 特許庁

Ends, on one side, of the n-type and p-type poly-Si resistor 7, 8 are connected to each other in the infrared absorption film 5 by hot junctions, and their ends on the other side are connected respectively to cold junctions 14.例文帳に追加

ｎ型およびｐ型ポリＳｉ抵抗７，８の一端は赤外線吸収膜５で温接点１３により互いに接続されるとともに、他端は基板１上で冷接点１４にそれぞれ接続される。 - 特許庁

Further, at least one n/p or p/n junction which is, provided between the first and second junctions, arrayed laterally there, and at least one gate terminal G contacting the p-or n-doped region of the first junction or n- or p-doped region of the second junction, are provided.例文帳に追加

それはまた、第一および第二接合の間に配置され、そこに横方向に配列されている少なくとも一つのｎ／ｐまたはｐ／ｎ接合と、第一接合のｐまたはｎドープされた領域または第二接合のｎまたはｐドープされた領域に接触している少なくとも一つのゲート端子とを含む。 - 特許庁

An infrared detector device 1 is provided with P-N junctions 9 and 10, comprised of a first semiconductor material region 9 doped with rare-earth ions and a second semiconductor material region 10 of the oppositely doped type P.例文帳に追加

赤外線検出素子1 は、希土類イオンでドープされた第１の半導体材料領域9 と、反対のドープ形Ｐの第２の半導体材料領域10とによって形成されるＰＮ接合部9 、10を備えている。 - 特許庁

In an MOSFET protective device, a depletion layer is spread and the formation of tunneled electron levels is prevented by providing an N- type area 22 between the P-N junctions of the Zener diodes.例文帳に追加

本発明はツェナーダイオードのＰＮ接合の間にＮ^-型領域２２を設けることにより、空乏層を広げ、さらに電子のトンネル先の準位を作らないようにするものである。 - 特許庁