イオン注入シリコンの英語

その後、シリコン酸化膜を通してイオン注入を行う。例文帳に追加

Thereafter, ions are implanted into the silicon substrate through the silicon oxide film. - 特許庁

シリコン基板の表層部にイオンを注入してアモルファス化させる。例文帳に追加

Ions are implanted in a surface portion of a silicon substrate to make it amorphous. - 特許庁

イオン注入後、シリコン酸化膜を残したままでアニールを行う。例文帳に追加

After implantation of ions, the silicon substrate is annealed with the silicon oxide film left on its surface. - 特許庁

（ｂ）次にイオン注入法で不純物原子をシリコン薄膜に注入する。例文帳に追加

(b) Impurity atoms are then doped into the silicon thin film by an ion implanting method. - 特許庁

アモルファスシリコン膜２１内に高濃度の水素イオン４０をイオン注入する。例文帳に追加

An amorphous silicon film 21 is heavily doped with hydrogen ions 40. - 特許庁

水素イオン４０のイオン注入により、水素イオン注入層４１がアモルファスシリコン膜２１内に形成される。例文帳に追加

Consequently, the amorphous silicon film 21 is formed in a hydrogen ion implantation layer 41. - 特許庁

そして、不純物イオンを単結晶シリコン膜１５およびポリシリコン膜の上部にのみ注入した後に、ポリシリコン膜を除去する。例文帳に追加

The impurity ion is implanted only into both the upper part of the polysilicon film and the single crystal silicon film 15, and then the polysilicon film is removed. - 特許庁

注入工程は、単結晶シリコン層１３ａに不純物イオン１８を注入してシリコン層１３ａを活性化する工程である。例文帳に追加

In the injection process, an impurity ion 18 is injected to the single crystal silicon layer 13a for activating the silicon layer 13a. - 特許庁