ion implanted siliconとは 意味・読み方・使い方

A silicon wafer for an active layer is implanted with hydrogen gas ions through an oxide film thus forming an ion implantation layer in silicon bulk.例文帳に追加

活性層用シリコンウェーハに酸化膜を介して水素ガスをイオン注入し、シリコンバルク中にイオン注入層を形成する。 - 特許庁

An embedded oxide film is formed within a silicon wafer 11 by implanting an oxygen ion in the silicon wafer 11, and heat treating the silicon wafer 11 after cleaning the oxygen-ion-implanted silicon wafer 11.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１に酸素イオンを注入し、この酸素イオンを注入したシリコンウェーハ１１を洗浄した後に、このシリコンウェーハ１１を熱処理することによりシリコンウェーハ１１の内部に埋込み酸化膜を形成する。 - 特許庁

N-type dopants are ion-implanted into a portion of an n-type silicon substrate 1 where the charge transferring portion 5 is to be formed (b).例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１の電荷転送部５の形成予定部位に、ｎ型の不純物をイオン注入する（ｂ）。 - 特許庁

Silver is implanted into the silicon oxide film 110 with a negative ion implantation method in the implantation energy of about 30 keV.例文帳に追加

シリコン酸化膜１１０中に、約３０ｋｅＶの注入エネルギーで、負イオン注入法によって銀を注入する。 - 特許庁

Then, a p-type ion is implanted into the silicon substrate 1 with the oxidation resistant film 3 as a mask to form a p-type ion implantation region 5.例文帳に追加

次に、耐酸化性膜３をマスクとしてシリコン基板１にＰ型イオンを注入することによりＰ型イオン注入領域５を形成する。 - 特許庁

To provide a silicon film, a forming method thereof, etc., capable of preventing the punch-through of a boron ion when the ion is implanted in manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造におけるイオン注入の際にホウ素イオンの突き抜けを防止できるシリコン膜及びその形成方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device in which an ion implantation region which an ion-implanted region is not removed.例文帳に追加

イオン注入された領域であるイオン注入領域が除去されない炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

After the flattening operation, the etching stopper film remaining on the silicon oxide film is used as a mask to etch the silicon oxide film, and using this silicon oxide film and the gate electrode as masks, ion is implanted into the silicon layer.例文帳に追加

平坦化後、シリコン酸化膜上に残ったエッチングストッパ膜をマスクとして、シリコン酸化膜のエッチングを行い、このシリコン酸化膜、及び、ゲート電極をマスクとして、シリコン層にイオン注入を行う。 - 特許庁