ion implanted siliconとは 意味・読み方・使い方

The method for manufacturing the silicon carbide semiconductor element comprise the steps of generating silicon(Si) holes near an impurity ion implanted region, and reducing Si interstitial atoms.例文帳に追加

不純物イオン注入領域近傍にシリコン（Ｓｉ）空孔を生成させ、Ｓｉ格子間原子を減少させる。 - 特許庁

After the gate electrode 3 of the transfer transistor is formed on a p-type silicon substrate 1, the p-type ion-implanted layer 4 of the photodiode is formed and, in addition, the n-type ion-implanted layer 5 of the photodiode and the threshold controlling ion-implanted layer 6 of the transfer transistor are formed simultaneously.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上に転送トランジスタのゲート電極３を形成後に、フォトダイオードのｐ型イオン注入層４を形成し、さらにフォトダイオードのｎ型イオン注入層５と転送トランジスタのしきい値制御イオン注入層６とを同時にイオン注入により形成する。 - 特許庁

Moreover, when the n-type impurity is ion-implanted at a high temperature, a region being ion-implanted is heated to 180°C or higher by substrate heating or laser irradiation, a silicon pair between boron and lattice is sufficiently disassociated and the n-type impurity is ion-implanted under existence of an even stress.例文帳に追加

また、Ｎ型不純物の添加を高温イオン注入で行う場合は、基板加熱やレーザー照射などでイオン注入する領域を１８０℃以上に加熱し、ボロン・格子間シリコンペアを十分解離させ、一様な応力が存在する状態の下で、Ｎ型不純物のイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device reducing the thickness reducing amount of an ion-implanted layer or an ion-implanted region.例文帳に追加

イオン注入された領域であるイオン注入層の厚みの除去量を低減できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element, capable of maintaining an ion implanted impurity profile, by preventing external or internal diffusion of the ion implanted impurities or particularly a boron (B) at a high-temperature annealing time.例文帳に追加

イオン注入された不純物、特にほう素（Ｂ）の高温アニール時の外方、内方への拡散を防止し、注入された不純物プロフィルを維持できる炭化けい素半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, after the bonded wafer 1, in which the two ion-implanted layers 4 and 6 are formed, is coupled with a base wafer 7, a thin bonded single-crystal silicon film 5 is peeled from the bonded wafer 1 by peeling the peelable ion-implanted layer 4.例文帳に追加

そして、それら２つのイオン注入層４，６が形成されたボンドウェーハ１をベースウェーハ７に結合した後、ボンドウェーハ１から結合シリコン単結晶薄膜５を剥離用イオン注入層４にて剥離する。 - 特許庁

Boron is ion-implanted in the polycrystalline silicon film 13 of a PchTr forming region PTR with resist 16 as a mask.例文帳に追加

その後、レジスト１６をマスクにしてＰｃｈＴｒ形成領域ＰＴＲの多結晶シリコン膜１３にボロンをイオン注入する。 - 特許庁

The impurity ion is implanted only into both the upper part of the polysilicon film and the single crystal silicon film 15, and then the polysilicon film is removed.例文帳に追加

そして、不純物イオンを単結晶シリコン膜１５およびポリシリコン膜の上部にのみ注入した後に、ポリシリコン膜を除去する。 - 特許庁