ion implanted layerとは 意味・読み方・使い方

A peeling ion-implanted layer 4 is formed in a bonded wafer 1 and another ion-implanted layer 6 for stopping etching is formed in the wafer 1 at a position shallower than that of the layer 4.例文帳に追加

ボンドウェーハ１に対し剥離用イオン注入層４を形成し、さらに該剥離用イオン注入層４よりも浅い位置にエッチストップ用イオン注入６層を形成する。 - 特許庁

The ion-implanted electroformed structural material is made of an electroformed body 1 formed by electroforming and has an ion-implanted layer formed by implanting ions 2 into the electroformed body 1.例文帳に追加

電鋳によって形成された電鋳材１にイオン２が注入されて形成されたイオン注入層を有する部材である。 - 特許庁

The release film comprises a substrate film 1 the surface of which an ion-implanted layer is formed by plasma-based ion implantation and a release layer formed on the ion-implanted layer of the substrate film.例文帳に追加

プラズマイオン注入法により、表面部にイオン注入層が形成された基材フィルムと、該基材フィルムのイオン注入層上に形成された剥離層とを有することを特徴とする剥離フィルム。 - 特許庁

An impurity ion is ion implanted into a surface layer of a pad electrode 9a exposed on a protection film 11.例文帳に追加

保護膜１１から露出したパッド電極９ａの表面層に不純物イオンをイオン注入する。 - 特許庁

Impurity ions are ion-implanted thereafter to form an N-type semiconductor layer 8 serving as an emitter layer or the like.例文帳に追加

その後に不純物イオンをイオン注入してエミッタ層等となるＮ型半導体層８を形成する。 - 特許庁

The damage layer 35 is a part where a lattice failure, etc., takes place dug to implanted ion.例文帳に追加

ダメージ層３５とは、注入イオンによる格子欠損などが生じた部分である。 - 特許庁

After P is selectively ion-implanted into the silicon germanium layer and properties of resistance to etching are given to the ion-implanted part of the silicon germanium layer, the part of the silicon germanium layer that is not ion-implanted is selectively removed by isotropic etching.例文帳に追加

シリコンゲルマニウム層にＰを選択的にイオン注入してイオン注入されていないシリコンゲルマニウム層部分に対してエッチング抵抗性を付与した後、シリコンゲルマニウム層のイオン注入されていない部分を選択的に等方性エッチング除去するパターニング方法。 - 特許庁

In the carbon layer formation step, a carbon layer is formed on the substrate surface to which the ion is implanted by the ion implantation step.例文帳に追加

前記カーボン層形成工程では、前記イオン注入工程でイオンが注入された基板の表面にカーボン層を形成する。 - 特許庁