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ion implantation techniqueとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 イオン注入法
「ion implantation technique」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
In the introduction of the electromagnetic absorber section 40, a semiconductor micro fabrication technique such as ion implantation or thermal diffusion can be used.例文帳に追加
電磁波吸収体部40の導入において、イオン注入または熱拡散などの半導体微細加工技術を用いることができる。 - 特許庁
The conductive fine particle 102 is formed by introducing silver into the silicon oxide film 101 by an ion implantation technique.例文帳に追加
上記導電性微粒子102は、シリコン酸化膜101中に銀を負イオン注入法により導入して形成する。 - 特許庁
And then, a p-type diffusion layer 18 is formed using the openings 21 by ion implantation according to a self-aligning technique.例文帳に追加
そして、該開口部21を用いて、自己整合技術によりP型の拡散層18をイオン注入により形成する。 - 特許庁
A capacitor is formed in a substrate having a doped Perovskite conductive ground layer by embedding an ion layer using a method such as an ion implantation technique.例文帳に追加
キャパシタは、イオン注入のような方法を使用して、イオンの層を埋め込むことにより、ドープされたペロブスカイト導電性グランド層を有する基板内に形成される。 - 特許庁
A thick-film resist formed by a photolithographic technique and a film represented by a silicon oxide film formed by an etching technique with the resist patterns of the thick-film resist as a mask are laminated as a mask for ion implantation in a semiconductor manufacturing process step, by which the ion implantation mask patterns having fine patterns of a high aspect ratio not possible heretofore are obtained.例文帳に追加
半導体製造工程におけるイオン注入用マスクとして、フォトリソグラフィ技術により形成した厚膜レジストと、この厚膜レジストのレジストパターンをマスクとしてエッチング技術により形成した酸化シリコン膜に代表される膜を積層し、従来にない高アスペクト比の微細パターンを有するイオン注入マスクパターンを得るようにした。 - 特許庁
Further, secondly, a thick insulation region is formed by the oxygen ion implantation technique onto a semiconductor substrate below the winding belt-like conductive film that makes up the inductance element.例文帳に追加
更に、第2は、インダクタンス素子を構成する巻き線状の帯状導電膜の下の半導体基板表面に、酸素のイオン注入法により形成される厚い絶縁領域を形成する。 - 特許庁
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「ion implantation technique」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
This method forms a counter doped portion by using a standard technique such as ion implantation and bringing a high-mobility channel close to the counter doped portion without reducing a mobility.例文帳に追加
この方法により、イオン注入などの標準技術を用いてカウンタ・ドープ部を形成することができ、さらに、移動度を劣化させずに高移動度チャネルをカウンタ・ドープ部に近接させることができる。 - 特許庁
To form the gate electrode of a peripheral circuit portion in a fine pattern by suitably and discriminatingly using ArF exposure resist and KrF exposure resist, and to perform ion implantation into a photoelectric conversion portion by a double resist technique.例文帳に追加
ArF露光用レジストとKrF露光用レジストを使い分けることで、周辺回路部のゲート電極を微細パターンで形成することを可能にするとともに、光電変換部のイオン注入を2重レジスト技術で実施することを可能にする。 - 特許庁
The filter is manufactured, such that a high-purity ZnO target is epitaxially grown on a sapphire substrate, using the sputtering method to obtain a high-resistance ZnO film, which is further grown by doping As using the ion implantation technique or using a dopant-mixed target to obtain a low-resistance P-type 2-6 group compound semiconductor film.例文帳に追加
高純度ZnOターゲットをスパッタリング法によりサファイア基板上にエピタキシャル成長させ高抵抗のZnO膜を得、さらにAsをイオン注入法でドーピング、または、ドーパントを混ぜたターゲットを用いて成長させる低抵抗のP型2−6族化合物半導体膜を得る。 - 特許庁
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